JP3128947B2 - 寸法測定セルのエッチングマスクパターン - Google Patents
寸法測定セルのエッチングマスクパターンInfo
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- JP3128947B2 JP3128947B2 JP04129448A JP12944892A JP3128947B2 JP 3128947 B2 JP3128947 B2 JP 3128947B2 JP 04129448 A JP04129448 A JP 04129448A JP 12944892 A JP12944892 A JP 12944892A JP 3128947 B2 JP3128947 B2 JP 3128947B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の寸法測定
セルを形成するのに用いる寸法測定セルのエッチングマ
スクパターンに関するものである。
セルを形成するのに用いる寸法測定セルのエッチングマ
スクパターンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５のレイアウト図に示すように、従来
の半導体装置に形成される寸法測定セルのエッチングマ
スクパターン４１は、半導体基板１に搭載される複数の
半導体装置２を区分するストリート３上に形成されてい
る。この寸法測定セルのエッチングマスクパターン４１
は、素子形成領域（図示せず）に形成されるパターンの
設計寸法幅を有する１本の線パターンで形成されてい
る。
の半導体装置に形成される寸法測定セルのエッチングマ
スクパターン４１は、半導体基板１に搭載される複数の
半導体装置２を区分するストリート３上に形成されてい
る。この寸法測定セルのエッチングマスクパターン４１
は、素子形成領域（図示せず）に形成されるパターンの
設計寸法幅を有する１本の線パターンで形成されてい
る。
【０００３】また図６のレイアウト図に示すように、従
来の半導体装置に形成される寸法測定セルのエッチング
マスクパターン５１は、上記同様に半導体基板１に搭載
される複数の半導体素子２を区分するストリート３上に
形成されている。この寸法測定セルのエッチングマスク
パターン５１は、マスクパターン５２に、半導体装置２
の素子形成領域（図示せず）に形成される孔の設計寸法
と同等の寸法を有する１個の孔５３を設けたものであ
る。
来の半導体装置に形成される寸法測定セルのエッチング
マスクパターン５１は、上記同様に半導体基板１に搭載
される複数の半導体素子２を区分するストリート３上に
形成されている。この寸法測定セルのエッチングマスク
パターン５１は、マスクパターン５２に、半導体装置２
の素子形成領域（図示せず）に形成される孔の設計寸法
と同等の寸法を有する１個の孔５３を設けたものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の線パターンよりなる寸法測定セルのエッチングマス
クパターンを用いたエッチングで寸法測定セルを形成し
た場合には、エッチング時のマイクロローディング効果
によって、寸法測定セルが素子形成領域内のパターン幅
よりも太く形成される。このため、寸法測定セルによっ
て、素子形成領域内のパターン幅を正確にモニターする
ことができない。
成の線パターンよりなる寸法測定セルのエッチングマス
クパターンを用いたエッチングで寸法測定セルを形成し
た場合には、エッチング時のマイクロローディング効果
によって、寸法測定セルが素子形成領域内のパターン幅
よりも太く形成される。このため、寸法測定セルによっ
て、素子形成領域内のパターン幅を正確にモニターする
ことができない。
【０００５】また上記構成の孔を設けた寸法測定セルの
エッチングマスクパターンを用いたエッチングで寸法測
定セルを形成した場合には、エッチング時のマイクロロ
ーディング効果によって、寸法測定セルの寸法測定用孔
が素子形成領域内の孔よりも大きく形成される。このた
め、寸法測定セルによって素子形成領域内の孔の大きさ
を正確にモニターすることができない。
エッチングマスクパターンを用いたエッチングで寸法測
定セルを形成した場合には、エッチング時のマイクロロ
ーディング効果によって、寸法測定セルの寸法測定用孔
が素子形成領域内の孔よりも大きく形成される。このた
め、寸法測定セルによって素子形成領域内の孔の大きさ
を正確にモニターすることができない。
【０００６】本発明は、マイクロローディング効果の影
響を受けない寸法測定セルのエッチングマスクパターン
を提供することを目的とする。
響を受けない寸法測定セルのエッチングマスクパターン
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものである。すなわち、半導体基
板上に形成したエッチングマスクパターンに、３行３列
以上に直角配列した矩形孔を設けたものである。
成するためになされたものである。すなわち、半導体基
板上に形成したエッチングマスクパターンに、３行３列
以上に直角配列した矩形孔を設けたものである。
【０００８】半導体基板上に形成したエッチングマスク
パターンに、３行３列以上に直角配列した矩形孔と、平
行かつ並列に配列した３本以上の線パターンとを設けた
ものである。
パターンに、３行３列以上に直角配列した矩形孔と、平
行かつ並列に配列した３本以上の線パターンとを設けた
ものである。
【０００９】
【作用】 上記構成の寸法測定セルのエッチングマスクパ
ターンでは、３行３列以上に配列した矩形孔を設けたこ
とにより、エッチングによって少なくとも中央部に配列
した矩形孔で形成される寸法測定用孔は、マイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、寸法測定
セルの中央部に配列した寸法測定用孔の寸法と素子形成
領域内に形成される孔の寸法との差異はほとんどなくな
る。このため、寸法測定セルによって素子形成領域内の
孔の寸法は正確にモニターされる。
ターンでは、３行３列以上に配列した矩形孔を設けたこ
とにより、エッチングによって少なくとも中央部に配列
した矩形孔で形成される寸法測定用孔は、マイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、寸法測定
セルの中央部に配列した寸法測定用孔の寸法と素子形成
領域内に形成される孔の寸法との差異はほとんどなくな
る。このため、寸法測定セルによって素子形成領域内の
孔の寸法は正確にモニターされる。
【００１０】また平行かつ並列に配列した３本以上の線
パターンよりなる寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーンと、３行３列以上に直角配列した矩形孔を設けた寸
法測定セルのエッチングマスクパターンとを設けたこと
により、中央部に配設した線パターンおよび中央部に配
設した矩形孔はマイクロローディング効果の影響を受け
ない。そしてこの寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーンを用いてエッチングを行った場合には、寸法測定用
線パターンと寸法測定用孔とを備えた寸法測定セルが形
成されるので、半導体装置の素子形成領域内に形成され
る線パターンや孔の各寸法のモニターが、一つの寸法測
定セルによって成される。
パターンよりなる寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーンと、３行３列以上に直角配列した矩形孔を設けた寸
法測定セルのエッチングマスクパターンとを設けたこと
により、中央部に配設した線パターンおよび中央部に配
設した矩形孔はマイクロローディング効果の影響を受け
ない。そしてこの寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーンを用いてエッチングを行った場合には、寸法測定用
線パターンと寸法測定用孔とを備えた寸法測定セルが形
成されるので、半導体装置の素子形成領域内に形成され
る線パターンや孔の各寸法のモニターが、一つの寸法測
定セルによって成される。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の寸法測定セルのエッチングマ
スクパターンに係る実施例を、図１のレイアウト図によ
り説明する。
スクパターンに係る実施例を、図１のレイアウト図によ
り説明する。
【００１２】図１に示すように、半導体基板１に形成さ
れる半導体装置２を区分するストリート３上には、寸法
測定セルのエッチングマスクパターン２１が形成されて
いる。この寸法測定セルのエッチングマスクパターン２
１は、マスクパターン２２に、例えば５行５列に配列し
た矩形孔２３を設けたものである。
れる半導体装置２を区分するストリート３上には、寸法
測定セルのエッチングマスクパターン２１が形成されて
いる。この寸法測定セルのエッチングマスクパターン２
１は、マスクパターン２２に、例えば５行５列に配列し
た矩形孔２３を設けたものである。
【００１３】上記説明では、寸法測定セルのエッチング
マスクパターン２１をストリート３上に形成したが、例
えば半導体装置２内の素子形成領域のスペース部分（図
示せず）に形成することも可能である。また矩形孔２３
を５行５列に設けたが、矩形孔２３の配列数は、３行３
列以上であればその配列数は問わない。
マスクパターン２１をストリート３上に形成したが、例
えば半導体装置２内の素子形成領域のスペース部分（図
示せず）に形成することも可能である。また矩形孔２３
を５行５列に設けたが、矩形孔２３の配列数は、３行３
列以上であればその配列数は問わない。
【００１４】上記構成の寸法測定セルのエッチングマス
クパターン２１を用いて、図４に示 すように、半導体基
板１上に形成されている被エッチング膜４をエッチング
した場合には、被エッチング膜４の２点鎖線で示す部分
が除去されて、被エッチング膜４よりなる寸法測定セル
２４が形成される。
クパターン２１を用いて、図４に示 すように、半導体基
板１上に形成されている被エッチング膜４をエッチング
した場合には、被エッチング膜４の２点鎖線で示す部分
が除去されて、被エッチング膜４よりなる寸法測定セル
２４が形成される。
【００１５】この寸法測定セル２４の寸法測定用孔２５
のうちの少なくとも中央部に配列した寸法測定用孔２５
（２５ｃ）は、マイクロローディング効果の影響を受け
にくくなる。したがって、寸法測定用孔２５ｃの寸法と
素子形成領域内に形成される孔（図示せず）の寸法との
差異がほとんどなくなる。このため、寸法測定セル２４
の寸法測定用孔２５ｃによって素子形成領域内の孔の寸
法は正確にモニターされる。
のうちの少なくとも中央部に配列した寸法測定用孔２５
（２５ｃ）は、マイクロローディング効果の影響を受け
にくくなる。したがって、寸法測定用孔２５ｃの寸法と
素子形成領域内に形成される孔（図示せず）の寸法との
差異がほとんどなくなる。このため、寸法測定セル２４
の寸法測定用孔２５ｃによって素子形成領域内の孔の寸
法は正確にモニターされる。
【００１６】上記寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーン２１は、半導体装置（２）内に形成されるパターン
（図示せず）と同時に形成される。通常、寸法測定セル
のエッチングマスクパターン２１は、通常レジストで形
成される。このレジストは、ポジ型レジストまたはネガ
型レジストを問わない。また寸法測定セルのエッチング
マスクパターン２１を形成する方法は、通常のホトリソ
グラフィー法または電子線直接描画法等の形成手段を問
わない。
ーン２１は、半導体装置（２）内に形成されるパターン
（図示せず）と同時に形成される。通常、寸法測定セル
のエッチングマスクパターン２１は、通常レジストで形
成される。このレジストは、ポジ型レジストまたはネガ
型レジストを問わない。また寸法測定セルのエッチング
マスクパターン２１を形成する方法は、通常のホトリソ
グラフィー法または電子線直接描画法等の形成手段を問
わない。
【００１７】次に本発明の第２の寸法測定セルのエッチ
ングマスクパターンに係る実施例を図３のレイアウト図
により説明する。図では、前記第１の実施例で説明した
構成部品と同様の構成部品には同一符号を付す。
ングマスクパターンに係る実施例を図３のレイアウト図
により説明する。図では、前記第１の実施例で説明した
構成部品と同様の構成部品には同一符号を付す。
【００１８】図３に示すように、半導体基板１に形成さ
れる半導体装置２を区分するストリート３上に、寸法測
定セルのエッチングマスクパターン３１は、寸法測定セ
ルのエッチングマスクパターン１１と寸法測定セルのエ
ッチングマスクパターン２１とを連続的に形成したもの
である。すなわち、上記寸法測定セルのエッチングマス
クパターン３１は、平行かつ並列に配設した例えば５本
の線パターン１２からなる寸法測定セルのエッチングマ
スクパターン１１と、各線パターン１２に接続するもの
で例えば５行５列に配列した矩形孔２３が設けられてい
るマスクパターン２２とからなる寸法測定セルのエッチ
ングマスクパターン２１とよりなる。このマスクパター
ン２２には、例えば５行５列に配列した孔２３が設けら
れている。
れる半導体装置２を区分するストリート３上に、寸法測
定セルのエッチングマスクパターン３１は、寸法測定セ
ルのエッチングマスクパターン１１と寸法測定セルのエ
ッチングマスクパターン２１とを連続的に形成したもの
である。すなわち、上記寸法測定セルのエッチングマス
クパターン３１は、平行かつ並列に配設した例えば５本
の線パターン１２からなる寸法測定セルのエッチングマ
スクパターン１１と、各線パターン１２に接続するもの
で例えば５行５列に配列した矩形孔２３が設けられてい
るマスクパターン２２とからなる寸法測定セルのエッチ
ングマスクパターン２１とよりなる。このマスクパター
ン２２には、例えば５行５列に配列した孔２３が設けら
れている。
【００１９】上記構成の寸法測定セルのエッチングマス
クパターン３１を用いて、図４に示すように、半導体基
板１上に形成されている被エッチング膜４をエッチング
した場合には、被エッチング膜４の２点鎖線で示す部分
が除去されて、被エッチング膜４よりなる寸法測定セル
３２が形成される。この寸法測定セル３２の線パターン
１４のうち、両側に配列した線パターン（図示せず）は
マイクロローディング効果の影響を受けて線幅が太くな
るが、中央部に配列した線パターン１４（１４ｃ）はマ
イクロローディング効果の影響を受けない。したがっ
て、線パターン１４ｃの寸法と、半導体装置（２）の素
子形成領域内に形成される線パターン（図示せず）の寸
法との差異がほとんどなくなる。
クパターン３１を用いて、図４に示すように、半導体基
板１上に形成されている被エッチング膜４をエッチング
した場合には、被エッチング膜４の２点鎖線で示す部分
が除去されて、被エッチング膜４よりなる寸法測定セル
３２が形成される。この寸法測定セル３２の線パターン
１４のうち、両側に配列した線パターン（図示せず）は
マイクロローディング効果の影響を受けて線幅が太くな
るが、中央部に配列した線パターン１４（１４ｃ）はマ
イクロローディング効果の影響を受けない。したがっ
て、線パターン１４ｃの寸法と、半導体装置（２）の素
子形成領域内に形成される線パターン（図示せず）の寸
法との差異がほとんどなくなる。
【００２０】また第１に実施例で説明したと同様に、寸
法測定セル３２の寸法測定用孔２５のうちの中央に配列
されている寸法測定用孔２５（２５ｃ）もマイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、寸法測定
用孔２５ｃの寸法と、半導体装置（２）の素子形成領域
内に形成される孔（図示せず）の寸法との差異もほとん
どなくなる。このため、寸法測定セル３２によって、半
導体装置（２）の素子形成領域内の線パターンの寸法ま
たは孔の寸法は正確にモニターされる。
法測定セル３２の寸法測定用孔２５のうちの中央に配列
されている寸法測定用孔２５（２５ｃ）もマイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、寸法測定
用孔２５ｃの寸法と、半導体装置（２）の素子形成領域
内に形成される孔（図示せず）の寸法との差異もほとん
どなくなる。このため、寸法測定セル３２によって、半
導体装置（２）の素子形成領域内の線パターンの寸法ま
たは孔の寸法は正確にモニターされる。
【００２１】上記寸法測定セルのエッチングマスクパタ
ーン３１は、半導体装置２内の素子形成領域内に形成さ
れるパターン（図示せず）と同時に形成される。通常、
寸法測定セルのエッチングマスクパターン３１は、通常
レジストで形成される。このレジストは、ポジ型レジス
トまたはネガ型レジストを問わない。また寸法測定セル
のエッチングマスクパターン３１を形成する方法は、通
常のホトリソグラフィー法または電子線直接描画法等の
形成手段を問わない。
ーン３１は、半導体装置２内の素子形成領域内に形成さ
れるパターン（図示せず）と同時に形成される。通常、
寸法測定セルのエッチングマスクパターン３１は、通常
レジストで形成される。このレジストは、ポジ型レジス
トまたはネガ型レジストを問わない。また寸法測定セル
のエッチングマスクパターン３１を形成する方法は、通
常のホトリソグラフィー法または電子線直接描画法等の
形成手段を問わない。
【００２２】
【発明の効果】
以上、説明したように請求項１の発明に
よれば、３行３列以上に配列した矩形孔を設けたことに
より、エッチングによって中央部に配列した矩形孔で形
成される寸法測定セルの寸法測定用孔は、マイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、素子形成
領域内に形成される孔の寸法を正確にモニターすること
が可能になる。よって、半導体素子の品質管理を正確に
行うことができる。
よれば、３行３列以上に配列した矩形孔を設けたことに
より、エッチングによって中央部に配列した矩形孔で形
成される寸法測定セルの寸法測定用孔は、マイクロロー
ディング効果の影響を受けない。したがって、素子形成
領域内に形成される孔の寸法を正確にモニターすること
が可能になる。よって、半導体素子の品質管理を正確に
行うことができる。
【００２３】また請求項２の発明によれば、平行かつ並
列に３本以上配列した線パターンよりなる寸法測定セル
のエッチングマスクパターンと、３行３列以上配列した
矩形孔を設けた寸法測定セルのエッチングマスクパター
ンとを形成したことにより、エッチングによって形成さ
れる寸法測定セルによって、素子形成領域内に形成され
る線パターンの寸法と孔の寸法とを同時にモニターする
ことができる。
列に３本以上配列した線パターンよりなる寸法測定セル
のエッチングマスクパターンと、３行３列以上配列した
矩形孔を設けた寸法測定セルのエッチングマスクパター
ンとを形成したことにより、エッチングによって形成さ
れる寸法測定セルによって、素子形成領域内に形成され
る線パターンの寸法と孔の寸法とを同時にモニターする
ことができる。
【図１】第１の実施例のレイアウト図である。
【図２】第１の実施例の作用の説明図である。
【図３】第２の実施例のレイアウト図である。
【図４】第２の実施例の作用の説明図である。
【図５】従来例のレイアウト図である。
【図６】別の従来例のレイアウト図である。
１ 半導体基板 １２ 線パターン ２１ 寸法測定セルのエッチングマスクパターン ２３ 矩形孔 ３１ 寸法測定セルのエッチングマスクパターン
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308 C23F 1/00 - 1/46
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成したエッチングマス
クパターンに、３行３列以上に直角配列した矩形孔を設
けたことを特徴とする寸法測定セルのエッチングマスク
パターン。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成したエッチングマス
クパターンに、 ３行３列以上に直角配列した矩形孔と、 平行かつ並列に配列した３本以上の線パターンと を設け
たことを特徴とする寸法測定セルのエッチングマスクパ
ターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04129448A JP3128947B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 寸法測定セルのエッチングマスクパターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04129448A JP3128947B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 寸法測定セルのエッチングマスクパターン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299410A JPH05299410A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3128947B2 true JP3128947B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=15009732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04129448A Expired - Fee Related JP3128947B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 寸法測定セルのエッチングマスクパターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128947B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3214279B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2001-10-02 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP04129448A patent/JP3128947B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299410A (ja) | 1993-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |