JP3125263B2 - 半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法 - Google Patents
半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば粒界層型コンデ
ンサ等に用いられる半導体磁器の製造方法及びこれに用
いる仮焼粉体の粒径制御方法に関する。
ンサ等に用いられる半導体磁器の製造方法及びこれに用
いる仮焼粉体の粒径制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックコンデンサやバリスタ等には
半導体セラミック材料の焼成体である半導体磁器を用い
ることが行われている。例えば半導体磁器コンデンサ
は、半導体セラミック材料に有機バインダーを加えて造
粒し、この造粒物を圧縮成形した後、還元性雰囲気中で
焼成して半導体セラミック焼成体である半導体磁器板を
作成し、その両面に焼付け塗膜等により電極を形成した
ものである。
半導体セラミック材料の焼成体である半導体磁器を用い
ることが行われている。例えば半導体磁器コンデンサ
は、半導体セラミック材料に有機バインダーを加えて造
粒し、この造粒物を圧縮成形した後、還元性雰囲気中で
焼成して半導体セラミック焼成体である半導体磁器板を
作成し、その両面に焼付け塗膜等により電極を形成した
ものである。
【０００３】この半導体磁器用材料として用いられる例
えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料は、次のよう
にして製造される。まず、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣ
Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等の誘電体原料粉末を
ＳｒＴｉＯ3 となるような比率で配合し、その配合物を
水とともにボールミルにより撹拌混合する。ついで、得
られたスラリーを乾燥させ、それから大気中、９５０℃
〜１３００℃で焼成する、いわゆる仮焼を行なう。次
に、この得られた仮焼粉末に対して、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 等の焼結助剤及び原子価制御剤を添加し、その配合
物を上記と同様にして撹拌混合する。そしてこの混合物
を用いて上記のように成形体を得てこれを還元雰囲気中
で焼成することにより半導体磁器が得られるが、これを
上記の半導体磁器コンデンサの磁器として使用した場合
には、その静電容量等の電気的特性は、組成、結晶粒径
及び粒界構造により大きく影響される。例えば半導体磁
器の表面に絶縁物を塗布し、これを加熱して結晶粒界に
絶縁物を拡散させ、結晶粒子と絶縁粒界層により構成さ
れた半導体磁器を用いた粒界層型コンデンサは、コンデ
ンサと抵抗体の直列接続回路の複数をマトリックス状に
接続した等価回路で表すことができ、その静電容量
（Ｃ）は、粒界絶縁層の比誘電率（ε）、粒界層の厚み
（ｔ）、見掛け誘電率（εr ）及び焼成体の結晶粒径
（Ｄ）から、Ｃ＝（εr ・Ｓ）／ｄ＝Ｋ・（Ｓ・Ｄ・
ε）／（ｄ・ｔ）（Ｋは定数、ｄはコンデンサの厚み、
Ｓはコンデンサの電極表面積である。）により求められ
るので、静電容量は粒界絶縁層の比誘電率と結晶粒径を
制御することによって変えることができ、特に結晶粒径
を制御するこにより静電容量を変化させることができる
点が注目される。結晶粒径を制御するには、従来、Ｃａ
ＣＯ3 やＡｌ2 Ｏ3 などの粒径制御剤を添加し、半導体
セラミック磁器の素地の組成を変化させる方法が一般的
に用いられている。
えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料は、次のよう
にして製造される。まず、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣ
Ｏ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等の誘電体原料粉末を
ＳｒＴｉＯ3 となるような比率で配合し、その配合物を
水とともにボールミルにより撹拌混合する。ついで、得
られたスラリーを乾燥させ、それから大気中、９５０℃
〜１３００℃で焼成する、いわゆる仮焼を行なう。次
に、この得られた仮焼粉末に対して、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 等の焼結助剤及び原子価制御剤を添加し、その配合
物を上記と同様にして撹拌混合する。そしてこの混合物
を用いて上記のように成形体を得てこれを還元雰囲気中
で焼成することにより半導体磁器が得られるが、これを
上記の半導体磁器コンデンサの磁器として使用した場合
には、その静電容量等の電気的特性は、組成、結晶粒径
及び粒界構造により大きく影響される。例えば半導体磁
器の表面に絶縁物を塗布し、これを加熱して結晶粒界に
絶縁物を拡散させ、結晶粒子と絶縁粒界層により構成さ
れた半導体磁器を用いた粒界層型コンデンサは、コンデ
ンサと抵抗体の直列接続回路の複数をマトリックス状に
接続した等価回路で表すことができ、その静電容量
（Ｃ）は、粒界絶縁層の比誘電率（ε）、粒界層の厚み
（ｔ）、見掛け誘電率（εr ）及び焼成体の結晶粒径
（Ｄ）から、Ｃ＝（εr ・Ｓ）／ｄ＝Ｋ・（Ｓ・Ｄ・
ε）／（ｄ・ｔ）（Ｋは定数、ｄはコンデンサの厚み、
Ｓはコンデンサの電極表面積である。）により求められ
るので、静電容量は粒界絶縁層の比誘電率と結晶粒径を
制御することによって変えることができ、特に結晶粒径
を制御するこにより静電容量を変化させることができる
点が注目される。結晶粒径を制御するには、従来、Ｃａ
ＣＯ3 やＡｌ2 Ｏ3 などの粒径制御剤を添加し、半導体
セラミック磁器の素地の組成を変化させる方法が一般的
に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに粒径制御剤を添加し、粒径を制御する方法は、結晶
粒径を大きくすることができるが、粒径制御剤が焼成体
中に不純物として結晶粒界中に析出するため、その添加
量の変化により粒界絶縁層の比誘電率を低下させたり、
絶縁抵抗を低下させるなどの電気特性の劣化を招くとい
う問題がある。これを防止するためには、粒径制御剤を
高い精度で秤量するとともに、これを均一に分散させる
ことが重要であるがこれを工業的製造工程で実現するこ
とは困難である。これを改善するために、特開平７−５
７９５７号公報には、セラミック原料粉体に、これと同
一組成を有しかつ平均粒径がこのセラミック原料粉体の
２〜５０倍の種結晶を０．１〜２０重量の範囲で添加し
て焼結する方法が提案されているが、この方法は、所定
の大きさの種結晶を別に作成する必要があり、工程が多
くなり生産性が良くないという問題や、その工程も面倒
であるという問題がある。これらの問題を解決するため
に、仮焼粉体の平均粒径をいわゆる空気透過法により求
めた値で０．５〜３μｍに制御することにより、その仮
焼粉体を用いて得た半導体磁器の素地の結晶粒径を制御
する半導体磁器の製造方法を特願平７−１７９５８２号
明細書に示した。この方法は、例えばＳｒＴｉＯ3 系半
導体セラミック材料の場合、好ましくは１０３０〜１２
５０℃の範囲内で仮焼温度を変えることにより、Ｓｒ／
Ｔｉ比が０．９９３〜０．９９９においてその仮焼粉体
粒子径を変えることができ、一方仮焼粉体粒子径とその
仮焼粉体を用いて得た半導体磁器の素地の粒径との間に
は相関関係があり、これらにより仮焼粉体粒子径を制御
することにより半導体磁器の結晶粒径を制御できるもの
であるが、仮焼温度に対する仮焼粉体粒子径の変化が大
き過ぎるのみならず、Ｓｒ／Ｔｉ比の０．９９３〜０．
９９９におけるその比に対する仮焼粉体粒子径の変化が
大き過ぎるため、所定の半導体磁器の結晶粒径を得るた
めにはそのコントロールを精度良く行なえないとがあ
り、その改善が望まれていた。
うに粒径制御剤を添加し、粒径を制御する方法は、結晶
粒径を大きくすることができるが、粒径制御剤が焼成体
中に不純物として結晶粒界中に析出するため、その添加
量の変化により粒界絶縁層の比誘電率を低下させたり、
絶縁抵抗を低下させるなどの電気特性の劣化を招くとい
う問題がある。これを防止するためには、粒径制御剤を
高い精度で秤量するとともに、これを均一に分散させる
ことが重要であるがこれを工業的製造工程で実現するこ
とは困難である。これを改善するために、特開平７−５
７９５７号公報には、セラミック原料粉体に、これと同
一組成を有しかつ平均粒径がこのセラミック原料粉体の
２〜５０倍の種結晶を０．１〜２０重量の範囲で添加し
て焼結する方法が提案されているが、この方法は、所定
の大きさの種結晶を別に作成する必要があり、工程が多
くなり生産性が良くないという問題や、その工程も面倒
であるという問題がある。これらの問題を解決するため
に、仮焼粉体の平均粒径をいわゆる空気透過法により求
めた値で０．５〜３μｍに制御することにより、その仮
焼粉体を用いて得た半導体磁器の素地の結晶粒径を制御
する半導体磁器の製造方法を特願平７−１７９５８２号
明細書に示した。この方法は、例えばＳｒＴｉＯ3 系半
導体セラミック材料の場合、好ましくは１０３０〜１２
５０℃の範囲内で仮焼温度を変えることにより、Ｓｒ／
Ｔｉ比が０．９９３〜０．９９９においてその仮焼粉体
粒子径を変えることができ、一方仮焼粉体粒子径とその
仮焼粉体を用いて得た半導体磁器の素地の粒径との間に
は相関関係があり、これらにより仮焼粉体粒子径を制御
することにより半導体磁器の結晶粒径を制御できるもの
であるが、仮焼温度に対する仮焼粉体粒子径の変化が大
き過ぎるのみならず、Ｓｒ／Ｔｉ比の０．９９３〜０．
９９９におけるその比に対する仮焼粉体粒子径の変化が
大き過ぎるため、所定の半導体磁器の結晶粒径を得るた
めにはそのコントロールを精度良く行なえないとがあ
り、その改善が望まれていた。
【０００５】本発明の第１の目的は、粒径制御剤を多量
に用いることなく、半導体磁器の結晶粒径を制御できる
半導体磁器の製造方法及びそのための仮焼粉体の粒径制
御方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、
仮焼粉体粒子径の精度の良い制御方法及びこれにより半
導体磁器の結晶粒径を制御できる半導体磁器の製造方法
を提供することにある。本発明の第３の目的は、別に新
たな工程を設けることなく、通常の工程で製造できる半
導体磁器の製造方法及びそのための仮焼粉体の粒径制御
方法を提供することにある。本発明の第４の目的は、上
記目的を達成する半導体磁器を用いて静電容量等の電気
特性に優れ、性能の安定した電子部品を提供することに
ある。
に用いることなく、半導体磁器の結晶粒径を制御できる
半導体磁器の製造方法及びそのための仮焼粉体の粒径制
御方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、
仮焼粉体粒子径の精度の良い制御方法及びこれにより半
導体磁器の結晶粒径を制御できる半導体磁器の製造方法
を提供することにある。本発明の第３の目的は、別に新
たな工程を設けることなく、通常の工程で製造できる半
導体磁器の製造方法及びそのための仮焼粉体の粒径制御
方法を提供することにある。本発明の第４の目的は、上
記目的を達成する半導体磁器を用いて静電容量等の電気
特性に優れ、性能の安定した電子部品を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）、半導体セラミック原料粉末から
仮焼粉体を得る仮焼工程を有し、半導体磁器の製造に用
いられる仮焼粉体を得る仮焼粉体の粒径制御方法であっ
て、上記仮焼工程を少なくとも上記半導体セラミック原
料粉末に原子価制御剤を添加する工程よりも後に行ない
上記仮焼粉体の平均粒子径を該仮焼粉体の充填層を透過
する空気量から求められる空気透過法により得られた値
で０．５〜３μｍに制御する半導体磁器用仮焼粉体の粒
径制御方法を提供するものである。また、本発明は、
（２）、上記（１）の半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御
方法により制御された仮焼粉体を用いた成形体の焼成体
からなる半導体磁器を得る工程を有し、該粒径制御によ
り半導体磁器の素地の結晶粒径を制御する半導体磁器の
製造方法、（３）、半導体セラミック原料粉末がＳｒＴ
ｉＯ3 系原料粉末であり、原子価制御剤がＹ化合物及び
Ｎｂ化合物の少なくとも１種である上記（２）の半導体
磁器の製造方法、（４）、原子価制御剤がＹ化合物であ
り、該Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原
料粉末に対して０．０５〜３．０モル％添加される上記
（３）の半導体磁器の製造方法、（５）、原子価制御剤
がＹ化合物であり、該Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳ
ｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．２〜１．０モル％添
加される上記（３）の半導体磁器の製造方法、（６）、
原子価制御剤がＮｂ化合物であり、該Ｎｂ化合物がＮｂ
2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．
０１〜３．０モル％添加される上記（３）の半導体磁器
の製造方法、（７）、原子価制御剤がＮｂ化合物であ
り、該Ｎｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3
系原料粉末に対して０．０５〜１．０モル％添加される
上記（３）の半導体磁器の製造方法、（８）、（Ｓｒ，
Ｙ）／Ｔｉ比が０．９９３〜０．９９９である上記
（４）又は（５）の半導体磁器の製造方法、（９）、Ｓ
ｒ／（Ｔｉ，Ｎｂ）比が０．９９３〜０．９９９である
上記（６）又は（７）の半導体磁器の製造方法、（１
０） 仮焼温度が９５０〜１３００℃である上記（１）
の半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法、（１１）、仮
焼温度が９５０〜１３００℃である上記（２）ないし
（９）のいずれかの半導体磁器の製造方法を提供するも
のである。
決するために、（１）、半導体セラミック原料粉末から
仮焼粉体を得る仮焼工程を有し、半導体磁器の製造に用
いられる仮焼粉体を得る仮焼粉体の粒径制御方法であっ
て、上記仮焼工程を少なくとも上記半導体セラミック原
料粉末に原子価制御剤を添加する工程よりも後に行ない
上記仮焼粉体の平均粒子径を該仮焼粉体の充填層を透過
する空気量から求められる空気透過法により得られた値
で０．５〜３μｍに制御する半導体磁器用仮焼粉体の粒
径制御方法を提供するものである。また、本発明は、
（２）、上記（１）の半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御
方法により制御された仮焼粉体を用いた成形体の焼成体
からなる半導体磁器を得る工程を有し、該粒径制御によ
り半導体磁器の素地の結晶粒径を制御する半導体磁器の
製造方法、（３）、半導体セラミック原料粉末がＳｒＴ
ｉＯ3 系原料粉末であり、原子価制御剤がＹ化合物及び
Ｎｂ化合物の少なくとも１種である上記（２）の半導体
磁器の製造方法、（４）、原子価制御剤がＹ化合物であ
り、該Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原
料粉末に対して０．０５〜３．０モル％添加される上記
（３）の半導体磁器の製造方法、（５）、原子価制御剤
がＹ化合物であり、該Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳ
ｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．２〜１．０モル％添
加される上記（３）の半導体磁器の製造方法、（６）、
原子価制御剤がＮｂ化合物であり、該Ｎｂ化合物がＮｂ
2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．
０１〜３．０モル％添加される上記（３）の半導体磁器
の製造方法、（７）、原子価制御剤がＮｂ化合物であ
り、該Ｎｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3
系原料粉末に対して０．０５〜１．０モル％添加される
上記（３）の半導体磁器の製造方法、（８）、（Ｓｒ，
Ｙ）／Ｔｉ比が０．９９３〜０．９９９である上記
（４）又は（５）の半導体磁器の製造方法、（９）、Ｓ
ｒ／（Ｔｉ，Ｎｂ）比が０．９９３〜０．９９９である
上記（６）又は（７）の半導体磁器の製造方法、（１
０） 仮焼温度が９５０〜１３００℃である上記（１）
の半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法、（１１）、仮
焼温度が９５０〜１３００℃である上記（２）ないし
（９）のいずれかの半導体磁器の製造方法を提供するも
のである。
【０００７】本発明において、半導体セラミック原料粉
末としては、例えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材
料の場合には、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＳｒＴｉＯ3 系原料粉末が挙
げられる。ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末とは、ＳｒＴｉＯ3
を主成分としているもので、例えばＳｒの一部をＣａ、
Ｂａ等の物質を用いてもかまわなく、また、Ｔｉの一部
をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。また、原子価制
御剤としては、例えばＹ（イットリウム）化合物及びＮ
ｂ（ニオブ）化合物の少なくとも１種が挙げられるが、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｗ等の物質を用いてもかまわない。
Ｙ化合物としては酸化物、水酸化物及びフッ化物、塩化
物等のハロゲン化物などの少なくとも１種が挙げられ、
Ｎｂ化合物としては酸化物及びフッ化物、塩化物等のハ
ロゲン化物などの少なくとも１種が挙げられる。Ｙ化合
物及びＮｂ化合物の少なくとも１種としては、例えばＹ
2 Ｏ3 及びＮｂ2 Ｏ5 の少なくとも１種が挙げられる。
ＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料の場合、前者はＳ
ｒに置換し、後者はＴｉに置換する。ＳｒＴｉＯ3 系原
料に対する添加割合としては、Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換
算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．０５〜３．
０モル％が好ましい。また、Ｎｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に
換算して０．０１〜３．０モル％が好ましい。それぞれ
の原子価制御剤が上記値未満ではその添加による仮焼粉
体の粒子系の制御効果が少なく、また、上記値以上であ
ると原子価制御剤の一部がＳｒＴｉＯ3 系原料粉末中に
固溶しきれず、焼結性が悪化（試料をインク中に浸漬し
た後、引き上げ、さらに水洗したものについて目視によ
りインクあとが確認される）する。さらに好ましくは、
Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末
に対して０．２〜１．０モル％の範囲であり、Ｎｂ化合
物がＮｂ2 Ｏ5 に換算して０．０５〜１．０モル％の範
囲であり、これらの範囲で顕著な添加効果（仮焼粉体の
粒子制御効果）が得られる。これらは上述したように、
混合粉砕され、乾燥され、ついで仮焼される。その仮焼
温度は９５０〜１３００℃、さらに好ましくは１０３０
〜１２５０℃である。この際、ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末
に対する上記Ｙ2 Ｏ3 添加系、Ｎｂ2 Ｏ5 添加系におけ
る仮焼温度１１３０℃でのそれぞれの原子価制御剤のモ
ル比に対する後に詳述する空気透過法で測定した仮焼粒
子径の変化は、例えば図９、１０に示される。これらの
図を見れば、Ｙ2 Ｏ3 添加系及びＮｂ2 Ｏ5 添加系の両
方ともに原子価制御剤を増すことにより仮焼粉体粒子径
は小さくなっていることがわかり、特に原子価制御剤を
添加していない系で急激な変化を示した（Ｓｒ，Ｙ）／
Ｔｉ比又はＳｒ／（Ｔｉ，Ｎｂ）比（以下、Ａ／Ｂ比と
いう）のＹ、Ｎｂが０の場合のＳｒ／Ｔｉ比が０．９９
３〜０．９９９の範囲において効果が大きくなってい
る。このことより、このＡ／Ｂ比範囲において原子価制
御剤のＳｒＴｉＯ3系原料に対する添加が仮焼反応の抑
制に有効であることがわかる。
末としては、例えばＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材
料の場合には、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）、酸
化チタン（ＴｉＯ2 ）等のＳｒＴｉＯ3 系原料粉末が挙
げられる。ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末とは、ＳｒＴｉＯ3
を主成分としているもので、例えばＳｒの一部をＣａ、
Ｂａ等の物質を用いてもかまわなく、また、Ｔｉの一部
をＺｒ等の物質を用いてもかまわない。また、原子価制
御剤としては、例えばＹ（イットリウム）化合物及びＮ
ｂ（ニオブ）化合物の少なくとも１種が挙げられるが、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｗ等の物質を用いてもかまわない。
Ｙ化合物としては酸化物、水酸化物及びフッ化物、塩化
物等のハロゲン化物などの少なくとも１種が挙げられ、
Ｎｂ化合物としては酸化物及びフッ化物、塩化物等のハ
ロゲン化物などの少なくとも１種が挙げられる。Ｙ化合
物及びＮｂ化合物の少なくとも１種としては、例えばＹ
2 Ｏ3 及びＮｂ2 Ｏ5 の少なくとも１種が挙げられる。
ＳｒＴｉＯ3 系半導体セラミック材料の場合、前者はＳ
ｒに置換し、後者はＴｉに置換する。ＳｒＴｉＯ3 系原
料に対する添加割合としては、Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換
算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対して０．０５〜３．
０モル％が好ましい。また、Ｎｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に
換算して０．０１〜３．０モル％が好ましい。それぞれ
の原子価制御剤が上記値未満ではその添加による仮焼粉
体の粒子系の制御効果が少なく、また、上記値以上であ
ると原子価制御剤の一部がＳｒＴｉＯ3 系原料粉末中に
固溶しきれず、焼結性が悪化（試料をインク中に浸漬し
た後、引き上げ、さらに水洗したものについて目視によ
りインクあとが確認される）する。さらに好ましくは、
Ｙ化合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末
に対して０．２〜１．０モル％の範囲であり、Ｎｂ化合
物がＮｂ2 Ｏ5 に換算して０．０５〜１．０モル％の範
囲であり、これらの範囲で顕著な添加効果（仮焼粉体の
粒子制御効果）が得られる。これらは上述したように、
混合粉砕され、乾燥され、ついで仮焼される。その仮焼
温度は９５０〜１３００℃、さらに好ましくは１０３０
〜１２５０℃である。この際、ＳｒＴｉＯ3 系原料粉末
に対する上記Ｙ2 Ｏ3 添加系、Ｎｂ2 Ｏ5 添加系におけ
る仮焼温度１１３０℃でのそれぞれの原子価制御剤のモ
ル比に対する後に詳述する空気透過法で測定した仮焼粒
子径の変化は、例えば図９、１０に示される。これらの
図を見れば、Ｙ2 Ｏ3 添加系及びＮｂ2 Ｏ5 添加系の両
方ともに原子価制御剤を増すことにより仮焼粉体粒子径
は小さくなっていることがわかり、特に原子価制御剤を
添加していない系で急激な変化を示した（Ｓｒ，Ｙ）／
Ｔｉ比又はＳｒ／（Ｔｉ，Ｎｂ）比（以下、Ａ／Ｂ比と
いう）のＹ、Ｎｂが０の場合のＳｒ／Ｔｉ比が０．９９
３〜０．９９９の範囲において効果が大きくなってい
る。このことより、このＡ／Ｂ比範囲において原子価制
御剤のＳｒＴｉＯ3系原料に対する添加が仮焼反応の抑
制に有効であることがわかる。
【０００８】次に、ＳｒＴｉＯ3 系原料に対する上記Ｙ
2 Ｏ3 添加系及びＮｂ2 Ｏ5 添加系において、仮焼温度
１１３０℃と１２３０℃におけるＡ／Ｂ比０．９９８に
おけるそれぞれの原子価制御剤添加量に対する仮焼粉体
粒子径の変化は、図１１に示される。これによれば、原
子価制御剤の添加量が増加するのに従って仮焼温度の変
化に対する仮焼粉体粒子径の変化が小さくなっており、
仮焼粉体粒子径と素地結晶粒径との関係は上述の特願平
７−１７９５８２号明細書に記載した仮焼温度を変えた
ときの挙動と同様に相関関係がある。原子価制御剤に対
する核生成密度の関係を求めると、図１２に示すよう
に、原子価制御剤の添加量を増加することにより核生成
密度を増加することができる。この図１２に示す原子価
制御剤添加量と核生成密度の関係、さらに図２、４に示
した仮焼粉体粒子径と素地結晶粒径の関係をまとめる
と、原子価制御剤添加量を増加すると仮焼粉体粒子径は
小さくなり、核生成密度は高くなり、その結果として素
地結晶粒径は小さくなる。これは原子価制御剤を添加し
ない系で仮焼温度を変化したのと同じ効果であり、原子
価制御剤を添加することで仮焼温度の変化に対する仮焼
粉体粒子径の変化を小さくすることができ、仮焼粉体粒
子径の制御に対して有効である。このようにして仮焼粉
体の粒径は制御できるが、その粒径を空気透過法で測定
すると、その操作が簡単で能率的に行えるので、半導体
磁器を工業的生産工程で生産し、その品質を管理する場
合には好ましい。
2 Ｏ3 添加系及びＮｂ2 Ｏ5 添加系において、仮焼温度
１１３０℃と１２３０℃におけるＡ／Ｂ比０．９９８に
おけるそれぞれの原子価制御剤添加量に対する仮焼粉体
粒子径の変化は、図１１に示される。これによれば、原
子価制御剤の添加量が増加するのに従って仮焼温度の変
化に対する仮焼粉体粒子径の変化が小さくなっており、
仮焼粉体粒子径と素地結晶粒径との関係は上述の特願平
７−１７９５８２号明細書に記載した仮焼温度を変えた
ときの挙動と同様に相関関係がある。原子価制御剤に対
する核生成密度の関係を求めると、図１２に示すよう
に、原子価制御剤の添加量を増加することにより核生成
密度を増加することができる。この図１２に示す原子価
制御剤添加量と核生成密度の関係、さらに図２、４に示
した仮焼粉体粒子径と素地結晶粒径の関係をまとめる
と、原子価制御剤添加量を増加すると仮焼粉体粒子径は
小さくなり、核生成密度は高くなり、その結果として素
地結晶粒径は小さくなる。これは原子価制御剤を添加し
ない系で仮焼温度を変化したのと同じ効果であり、原子
価制御剤を添加することで仮焼温度の変化に対する仮焼
粉体粒子径の変化を小さくすることができ、仮焼粉体粒
子径の制御に対して有効である。このようにして仮焼粉
体の粒径は制御できるが、その粒径を空気透過法で測定
すると、その操作が簡単で能率的に行えるので、半導体
磁器を工業的生産工程で生産し、その品質を管理する場
合には好ましい。
【０００９】この空気透過法は、図６に示すように、本
体管１内に、上端をその内壁で塞ぎ下方を陥入して下端
に膨出部２ａを有しその両側に透孔２ｂ、２ｂを備えた
内管２を設けるととにも、本体管１に、その下端に排水
管３、その中間に側管４、導水管５をそれぞれ設け、排
水管３には排水コック３ａを介して排水受３ｂを連結
し、これからビーカ３ｃに注水可能にし、上記導水管５
には四方コック５ａを介して貯水ビン６を設け、さらに
多孔板７ａ、濾紙７ｂ、粒径を測定しようとする仮焼粉
体からなる試料層７ｃ、濾紙７ｄを順次重ねて収容し図
示省略したプランジヤで充填した断面積２ｃｍ2 の試料
筒８を設けた装置において、図７に示すように、四方コ
ック５ａを開いて貯水ビン６から水を側管４の標線Ｓに
達するまで入れてそのコックを閉じ、試料筒８を本体管
１にワセリン等を介して嵌合密着させる。つぎに、図８
に示すように排水コック３ａを開いて試料層７ｃを通過
した空気量Ｑを側管４の液面の変化で読み取る。このと
きの圧力差ΔＰを透孔２ａ、２ａと排水受３ｂの液面と
の間の高さに採り、これらから下記〔数１〕により比表
面積を求め、これからさらに下記〔数２〕により平均粒
子径を求める。なお、この装置は、島津粉体比表面積測
定装置ＳＳ−１００型（（株）島津製作所製）として知
られている。
体管１内に、上端をその内壁で塞ぎ下方を陥入して下端
に膨出部２ａを有しその両側に透孔２ｂ、２ｂを備えた
内管２を設けるととにも、本体管１に、その下端に排水
管３、その中間に側管４、導水管５をそれぞれ設け、排
水管３には排水コック３ａを介して排水受３ｂを連結
し、これからビーカ３ｃに注水可能にし、上記導水管５
には四方コック５ａを介して貯水ビン６を設け、さらに
多孔板７ａ、濾紙７ｂ、粒径を測定しようとする仮焼粉
体からなる試料層７ｃ、濾紙７ｄを順次重ねて収容し図
示省略したプランジヤで充填した断面積２ｃｍ2 の試料
筒８を設けた装置において、図７に示すように、四方コ
ック５ａを開いて貯水ビン６から水を側管４の標線Ｓに
達するまで入れてそのコックを閉じ、試料筒８を本体管
１にワセリン等を介して嵌合密着させる。つぎに、図８
に示すように排水コック３ａを開いて試料層７ｃを通過
した空気量Ｑを側管４の液面の変化で読み取る。このと
きの圧力差ΔＰを透孔２ａ、２ａと排水受３ｂの液面と
の間の高さに採り、これらから下記〔数１〕により比表
面積を求め、これからさらに下記〔数２〕により平均粒
子径を求める。なお、この装置は、島津粉体比表面積測
定装置ＳＳ−１００型（（株）島津製作所製）として知
られている。
【００１０】
【数１】 （式中、Ｓｗは試料の粉体の比表面積（ｃｍ2 ／ｇ）、
εは試料層７ｃの空隙率、ρは試料の粉体の密度（ｇ／
ｃｍ3 ）、ηは空気の粘性係数（ｇ／ｃｍ・ｓｅｃ）、
Ｌは試料層の厚さ（ｃｍ）、Ｑは試料層透過空気量（ｃ
ｃ）、ΔＰは試料層の両端の圧力差（ｇ／ｃｍ2 ）、Ａ
は試料層の断面積（ｃｍ2 ）、ｔはＱｃｃの空気が試料
層を透過するに要する時間（ｓｅｃ）、Ｗは試料の粉体
の重量（ｇ）、εは１−（Ｗ／（ρＡＬ））を表す。）
εは試料層７ｃの空隙率、ρは試料の粉体の密度（ｇ／
ｃｍ3 ）、ηは空気の粘性係数（ｇ／ｃｍ・ｓｅｃ）、
Ｌは試料層の厚さ（ｃｍ）、Ｑは試料層透過空気量（ｃ
ｃ）、ΔＰは試料層の両端の圧力差（ｇ／ｃｍ2 ）、Ａ
は試料層の断面積（ｃｍ2 ）、ｔはＱｃｃの空気が試料
層を透過するに要する時間（ｓｅｃ）、Ｗは試料の粉体
の重量（ｇ）、εは１−（Ｗ／（ρＡＬ））を表す。）
【００１１】
【数２】 （式中、ｄｍは平均粒子径、ρは試料の粉体の密度（ｇ
／ｃｍ3 ）、Ｓｗは試料の粉体の比表面積（ｃｍ2 ／
ｇ）を示す。）
／ｃｍ3 ）、Ｓｗは試料の粉体の比表面積（ｃｍ2 ／
ｇ）を示す。）
【００１２】上記式において、Ｑ、ｔ、ΔＰ以外は試料
や装置により定まるので、これらに上記装置から求めた
Ｑ、ｔ、ΔＰを代入し、試料の平均粒子径が求められ
る。なお、上記〔数１〕はＫｏｚｅｎｙ−Ｏａｒｍａｎ
の式として知られている。
や装置により定まるので、これらに上記装置から求めた
Ｑ、ｔ、ΔＰを代入し、試料の平均粒子径が求められ
る。なお、上記〔数１〕はＫｏｚｅｎｙ−Ｏａｒｍａｎ
の式として知られている。
【００１３】上記空気透過法により求めた仮焼粉体の平
均粒子径は、０．５μｍ〜３μｍの範囲のものを用いる
ことが好ましく、その平均粒径が０．５μｍ未満ではこ
の仮焼粉体を用い焼成して得られた半導体磁器の素地の
結晶粒径が小さくなり過ぎ、コンデンサとした場合良い
静電容量等の電気特性が得られず、その平均粒径が３μ
ｍより大きいものを用いると焼成により焼結性が良くな
い。
均粒子径は、０．５μｍ〜３μｍの範囲のものを用いる
ことが好ましく、その平均粒径が０．５μｍ未満ではこ
の仮焼粉体を用い焼成して得られた半導体磁器の素地の
結晶粒径が小さくなり過ぎ、コンデンサとした場合良い
静電容量等の電気特性が得られず、その平均粒径が３μ
ｍより大きいものを用いると焼成により焼結性が良くな
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下の実施例で説明する。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 実施例１ 原料であるＳｒＣＯ3 、ＴＩＯ2 に原子価制御剤として
Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5をそれぞれ表１に示した配合比で
加え、さらに水を加えて１５時間撹拌し、これを乾燥し
た後に仮焼温度１１３０℃として仮焼し、得られた仮焼
粉体の粒子径を上記空気透過法により測定した。それぞ
れの配合比で仮焼した仮焼粉体の平均粒子径を表２に示
す。それぞれの仮焼粉体にＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の焼
結助剤を一定量添加し、上記と同様に湿式混合を行い、
１０〜１５重量％のポリビニルアルコール溶液を有機結
合剤として加えて混練、造粒し、約１トン／ｃｍ2 の圧
力で成形を行い、直径８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのそれぞ
れの円板成形体を得た。次にそれぞれの円板成形体を脱
脂した後、窒素９８．５ｖｏｌ％、水素１．５ｖｏｌ％
の還元雰囲気中で常温から２時間焼成した。得られたそ
れぞれの焼成体の素地を鏡面研磨後化学エッチングし、
その表面を光学顕微鏡２００倍で写真撮影した。図１に
その顕微鏡写真の模写図を示す。この写真から、実際の
素地結晶粒径に換算して５μｍ以上の結晶粒子を粒成長
粒子としてこれらの粒子の長径（例えば図１のＤ）を測
定し、その平均値を焼結体素地結晶の平均結晶粒径と
し、表２に示した。また、これらの平均結晶粒径と、上
記で求めた対応する仮焼粉体の粒径との関係を図２に示
す。この図より、仮焼粉体の粒径が大きくなるに従って
平均結晶粒径が大きくなっており、仮焼粉体の粒径で焼
成体素地の結晶粒径が制御できることがわかる。
Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5をそれぞれ表１に示した配合比で
加え、さらに水を加えて１５時間撹拌し、これを乾燥し
た後に仮焼温度１１３０℃として仮焼し、得られた仮焼
粉体の粒子径を上記空気透過法により測定した。それぞ
れの配合比で仮焼した仮焼粉体の平均粒子径を表２に示
す。それぞれの仮焼粉体にＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の焼
結助剤を一定量添加し、上記と同様に湿式混合を行い、
１０〜１５重量％のポリビニルアルコール溶液を有機結
合剤として加えて混練、造粒し、約１トン／ｃｍ2 の圧
力で成形を行い、直径８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのそれぞ
れの円板成形体を得た。次にそれぞれの円板成形体を脱
脂した後、窒素９８．５ｖｏｌ％、水素１．５ｖｏｌ％
の還元雰囲気中で常温から２時間焼成した。得られたそ
れぞれの焼成体の素地を鏡面研磨後化学エッチングし、
その表面を光学顕微鏡２００倍で写真撮影した。図１に
その顕微鏡写真の模写図を示す。この写真から、実際の
素地結晶粒径に換算して５μｍ以上の結晶粒子を粒成長
粒子としてこれらの粒子の長径（例えば図１のＤ）を測
定し、その平均値を焼結体素地結晶の平均結晶粒径と
し、表２に示した。また、これらの平均結晶粒径と、上
記で求めた対応する仮焼粉体の粒径との関係を図２に示
す。この図より、仮焼粉体の粒径が大きくなるに従って
平均結晶粒径が大きくなっており、仮焼粉体の粒径で焼
成体素地の結晶粒径が制御できることがわかる。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】次に、上記のそれぞれの焼成体の表面に酸
化鉛、酸化ビスマス等の金属酸化物と有機結合剤及び溶
剤からなる金属酸化物含有ペーストを塗布し、大気中１
０００〜１２００℃の温度で熱処理し、それぞれの焼成
体の素地の結晶粒界を酸化させた後、それぞれの焼成体
の両主面に銀電極材料ペーストを塗布し、焼付けて半導
体磁器コンデンサとしてそれぞれの粒界層型コンデンサ
素子を得た。得られたそれぞれの粒界層型コンデンサ素
子について、静電容量を測定し、電極の単位面積当たり
の取得容量を算出し、その結果を表２に示す。また、そ
れぞれの粒界層型コンデンサ素子についての静電容量
と、それぞれの粒界層型コンデンサ素子を得る際に使用
したそれぞれの仮焼粉体の上記した平均粒径の関係を図
３に示す。図３より、仮焼粉体粒子径が小さくなるに従
い焼成体の静電容量が低くなることがわかり、その焼成
体は粒界絶縁化半導体コンデンサの磁器に用いることに
より、その手法が粒界絶縁化半導体コンデンサの静電容
量調整に有効であることがわかる。また、この手法はそ
の他の例えば半導体磁器の素地の結晶粒径に特性が依存
するようなバリスタ等の電子部品にも有効である。
化鉛、酸化ビスマス等の金属酸化物と有機結合剤及び溶
剤からなる金属酸化物含有ペーストを塗布し、大気中１
０００〜１２００℃の温度で熱処理し、それぞれの焼成
体の素地の結晶粒界を酸化させた後、それぞれの焼成体
の両主面に銀電極材料ペーストを塗布し、焼付けて半導
体磁器コンデンサとしてそれぞれの粒界層型コンデンサ
素子を得た。得られたそれぞれの粒界層型コンデンサ素
子について、静電容量を測定し、電極の単位面積当たり
の取得容量を算出し、その結果を表２に示す。また、そ
れぞれの粒界層型コンデンサ素子についての静電容量
と、それぞれの粒界層型コンデンサ素子を得る際に使用
したそれぞれの仮焼粉体の上記した平均粒径の関係を図
３に示す。図３より、仮焼粉体粒子径が小さくなるに従
い焼成体の静電容量が低くなることがわかり、その焼成
体は粒界絶縁化半導体コンデンサの磁器に用いることに
より、その手法が粒界絶縁化半導体コンデンサの静電容
量調整に有効であることがわかる。また、この手法はそ
の他の例えば半導体磁器の素地の結晶粒径に特性が依存
するようなバリスタ等の電子部品にも有効である。
【００１９】実施例２ 実施例１において、仮焼温度を１２５０℃としたこと以
外は同様にしてそれぞれの仮焼粉体を得てその粒子径を
実施例１と同様に空気透過法に測定し、その結果を表３
に示す。このそれぞれ得られた仮焼粉体を用いた以外は
実施例１と同様にしてそれぞれの焼成体を得、その各々
について実施例１と同様に素地結晶の平均結晶粒径を測
定し、その結果を表３に示す。また、これらの平均結晶
粒径と、上記で求めた対応する仮焼粉体の粒径との関係
を図４に示す。これらの結果から、実施例１についてい
えることが同様に言えることがわかる。
外は同様にしてそれぞれの仮焼粉体を得てその粒子径を
実施例１と同様に空気透過法に測定し、その結果を表３
に示す。このそれぞれ得られた仮焼粉体を用いた以外は
実施例１と同様にしてそれぞれの焼成体を得、その各々
について実施例１と同様に素地結晶の平均結晶粒径を測
定し、その結果を表３に示す。また、これらの平均結晶
粒径と、上記で求めた対応する仮焼粉体の粒径との関係
を図４に示す。これらの結果から、実施例１についてい
えることが同様に言えることがわかる。
【００２０】
【表３】
【００２１】上記において得られたそれぞれの焼成体に
ついて実施例１と同様に粒界酸化を行い、そのそれぞれ
の焼成体について単位面積当たりの静電容量を測定し、
その値と実施例１で求めた対応する仮焼粉体粒子径の関
係を図５に示す。図５より、図４についていえることと
同様なことが言えることがわかる。上記実施例から、原
子価制御剤の半導体セラミック原料粉末への添加と仮焼
温度の調節により仮焼粉体粒子径を制御する手法により
焼結体素地結晶粒径制御ができることがわかる。
ついて実施例１と同様に粒界酸化を行い、そのそれぞれ
の焼成体について単位面積当たりの静電容量を測定し、
その値と実施例１で求めた対応する仮焼粉体粒子径の関
係を図５に示す。図５より、図４についていえることと
同様なことが言えることがわかる。上記実施例から、原
子価制御剤の半導体セラミック原料粉末への添加と仮焼
温度の調節により仮焼粉体粒子径を制御する手法により
焼結体素地結晶粒径制御ができることがわかる。
【００２２】比較例１ 実施例１において、表１に示す原料を用い、原子価制御
剤を用いなかった以外は同様にして仮焼粉体を得、さら
にこれを用いた以外は同様にして焼成体を得、これにつ
いても実施例１と同様に測定した結果を表２に示すとと
もに、図２、３に示す。
剤を用いなかった以外は同様にして仮焼粉体を得、さら
にこれを用いた以外は同様にして焼成体を得、これにつ
いても実施例１と同様に測定した結果を表２に示すとと
もに、図２、３に示す。
【００２３】比較例２ 実施例２において、比較例１と同様の原料を用い、原子
価制御剤を用いなかった以外は同様にして仮焼粉体を
得、さらにこれを用いた以外は同様にして焼成体を得、
これについても実施例１と同様に測定した結果を表３に
示すとともに、図４、５に示す。これら比較例と実施例
を比較すると、仮焼温度に対して仮焼粉体の粒子径は後
者の方が抑制されていることがわかる。上記（１）の発
明において「半導体磁器」を「粒界層型コンデンサ素子
用半導体磁器」とし、各構成要件について上述の限定条
件を付しても良い。
価制御剤を用いなかった以外は同様にして仮焼粉体を
得、さらにこれを用いた以外は同様にして焼成体を得、
これについても実施例１と同様に測定した結果を表３に
示すとともに、図４、５に示す。これら比較例と実施例
を比較すると、仮焼温度に対して仮焼粉体の粒子径は後
者の方が抑制されていることがわかる。上記（１）の発
明において「半導体磁器」を「粒界層型コンデンサ素子
用半導体磁器」とし、各構成要件について上述の限定条
件を付しても良い。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、原子価制御剤を原料粉
末に添加することにより仮焼粉体粒子径を制御し、これ
によりその仮焼粉体を用いて得た焼成体の半導体磁器の
素地結晶粒径を制御するようにしたので、粒径制御剤を
多量に用いることなく、粒径を制御することができる半
導体磁器を別に新たな工程を設けることなく、通常の工
程で製造することができることにより、これを用いて静
電容量等の電気特性を制御し、性能の安定したコンデン
サ等の電子部品を提供することができるとともに、その
製造も容易であり生産性を害するということもない。ま
た、原子価制御剤を用いたので、これを用いない場合に
比べ、仮焼粉体の粒子径の変化は仮焼温度あるいは例え
ばＳｒＴｉＯ3 系材料の場合のＳｒ／Ｔｉ比に対して抑
制される結果、仮焼粉体の粒子径をこれらの製造条件に
対して半導体磁器の素地の結晶粒径を制御することがで
き、特性の安定した電子部品を提供することができる。
そして、仮焼粉体の粒径を空気透過法で測定するので、
その操作が簡単で能率的に行なうことができ、半導体磁
器を工業的生産工程で生産し、その品質を管理する場合
には好ましい。
末に添加することにより仮焼粉体粒子径を制御し、これ
によりその仮焼粉体を用いて得た焼成体の半導体磁器の
素地結晶粒径を制御するようにしたので、粒径制御剤を
多量に用いることなく、粒径を制御することができる半
導体磁器を別に新たな工程を設けることなく、通常の工
程で製造することができることにより、これを用いて静
電容量等の電気特性を制御し、性能の安定したコンデン
サ等の電子部品を提供することができるとともに、その
製造も容易であり生産性を害するということもない。ま
た、原子価制御剤を用いたので、これを用いない場合に
比べ、仮焼粉体の粒子径の変化は仮焼温度あるいは例え
ばＳｒＴｉＯ3 系材料の場合のＳｒ／Ｔｉ比に対して抑
制される結果、仮焼粉体の粒子径をこれらの製造条件に
対して半導体磁器の素地の結晶粒径を制御することがで
き、特性の安定した電子部品を提供することができる。
そして、仮焼粉体の粒径を空気透過法で測定するので、
その操作が簡単で能率的に行なうことができ、半導体磁
器を工業的生産工程で生産し、その品質を管理する場合
には好ましい。
【図１】本発明の方法の一実施例により得られた焼成体
の顕微鏡写真の模写図である。
の顕微鏡写真の模写図である。
【図２】その実施例の結果を示すグラフである。
【図３】その実施例の他の結果を示すグラフである。
【図４】本発明の方法の他の実施例の結果を示すグラフ
である。
である。
【図５】その実施例の他の結果を示すグラフである。
【図６】平均粒径を求める空気透過法に使用する装置の
説明図である。
説明図である。
【図７】その一使用過程を示す説明図である。
【図８】その他の使用過程を示す説明図である。
【図９】原子価制御剤添加系（Ｙ2 Ｏ3 添加系）におけ
るモル比と仮焼粉体粒子系の関係を示すグラブである。
るモル比と仮焼粉体粒子系の関係を示すグラブである。
【図１０】原子価制御剤添加系（Ｎｂ2 Ｏ5 添加系）に
おけるモル比と仮焼粉体粒子系の関係を示すグラブであ
る。
おけるモル比と仮焼粉体粒子系の関係を示すグラブであ
る。
【図１１】原子価制御剤添加量と仮焼粉体粒子系の関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１２】原子価制御剤添加量と核生成密度の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/00 C04B 35/46 - 35/499
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体セラミック原料粉末から仮焼粉体
を得る仮焼工程を有し、半導体磁器の製造に用いられる
仮焼粉体を得る仮焼粉体の粒径制御方法であって、上記
仮焼工程を少なくとも上記半導体セラミック原料粉末に
原子価制御剤を添加する工程よりも後に行ない上記仮焼
粉体の平均粒子径を該仮焼粉体の充填層を透過する空気
量から求められる空気透過法により得られた値で０．５
〜３μｍに制御する半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体磁器用仮焼粉体
の粒径制御方法により制御された仮焼粉体を用いた成形
体の焼成体からなる半導体磁器を得る工程を有し、該粒
径制御により半導体磁器の素地の結晶粒径を制御する半
導体磁器の製造方法。 - 【請求項３】 半導体セラミック原料粉末がＳｒＴｉＯ
3 系原料粉末であり、原子価制御剤がＹ化合物及びＮｂ
化合物の少なくとも１種である請求項２に記載の半導体
磁器の製造方法。 - 【請求項４】 原子価制御剤がＹ化合物であり、該Ｙ化
合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対
して０．０５〜３．０モル％添加される請求項３に記載
の半導体磁器の製造方法。 - 【請求項５】 原子価制御剤がＹ化合物であり、該Ｙ化
合物がＹ2 Ｏ3 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉末に対
して０．２〜１．０モル％添加される請求項３に記載の
半導体磁器の製造方法。 - 【請求項６】 原子価制御剤がＮｂ化合物であり、該Ｎ
ｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉
末に対して０．０１〜３．０モル％添加される請求項３
に記載の半導体磁器の製造方法。 - 【請求項７】 原子価制御剤がＮｂ化合物であり、該Ｎ
ｂ化合物がＮｂ2 Ｏ5 に換算してＳｒＴｉＯ3 系原料粉
末に対して０．０５〜１．０モル％添加される請求項３
に記載の半導体磁器の製造方法。 - 【請求項８】 （Ｓｒ，Ｙ）／Ｔｉ比が０．９９３〜
０．９９９である請求項４又は５に記載の半導体磁器の
製造方法。 - 【請求項９】 Ｓｒ／（Ｔｉ，Ｎｂ）比が０．９９３〜
０．９９９である請求項６又は７に記載の半導体磁器の
製造方法。 - 【請求項１０】 仮焼温度が９５０〜１３００℃である
請求項１に記載の半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方
法。 - 【請求項１１】 仮焼温度が９５０〜１３００℃である
請求項２ないし９のいずれかに記載の半導体磁器の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07311665A JP3125263B2 (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | 半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07311665A JP3125263B2 (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | 半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09132458A JPH09132458A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3125263B2 true JP3125263B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=18020016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07311665A Expired - Fee Related JP3125263B2 (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | 半導体磁器用仮焼粉体の粒径制御方法及び半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3125263B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102022132543A1 (de) | 2021-12-15 | 2023-06-15 | H.C. Starck Tungsten Gmbh | Verfahren und Apparatur zur Bestimmung des Äquivalentdurchmessers von Pulverpartikeln |
-
1995
- 1995-11-07 JP JP07311665A patent/JP3125263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102022132543A1 (de) | 2021-12-15 | 2023-06-15 | H.C. Starck Tungsten Gmbh | Verfahren und Apparatur zur Bestimmung des Äquivalentdurchmessers von Pulverpartikeln |
| EP4198491A1 (de) * | 2021-12-15 | 2023-06-21 | H.C. Starck Tungsten GmbH | Verfahren und apparatur zur bestimmung des äquivalentdurchmessers von pulverpartikeln |
| WO2023110587A1 (de) | 2021-12-15 | 2023-06-22 | H. C. Starck Tungsten GmbH | Verfahren und apparatur zur bestimmung des äquivalentdurchmessers von pulverpartikeln |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09132458A (ja) | 1997-05-20 |
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