JP3123996B2 - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
- Publication number
- JP3123996B2 JP3123996B2 JP11002050A JP205099A JP3123996B2 JP 3123996 B2 JP3123996 B2 JP 3123996B2 JP 11002050 A JP11002050 A JP 11002050A JP 205099 A JP205099 A JP 205099A JP 3123996 B2 JP3123996 B2 JP 3123996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- diaphragm
- electron microscope
- scanning electron
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の微細加工
パターンの評価などに用いられる走査型電子顕微鏡装置
に関する。
パターンの評価などに用いられる走査型電子顕微鏡装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造に際して、ウエハー
の微細パターンの寸法評価のために、自動測長機能を有
する走査型電子顕微鏡が用いられている。この走査型顕
微鏡によると、電子銃から発した電子ビームを、コンデ
ンサーレンズにより集束し、絞り板によりビーム径を絞
った後、対物レンズにより被観測物であるウエハー上に
照射して走査させて、２次電子を検出することより、ウ
エハーに設けられた微細パターンの観察を行なうことが
できる。
の微細パターンの寸法評価のために、自動測長機能を有
する走査型電子顕微鏡が用いられている。この走査型顕
微鏡によると、電子銃から発した電子ビームを、コンデ
ンサーレンズにより集束し、絞り板によりビーム径を絞
った後、対物レンズにより被観測物であるウエハー上に
照射して走査させて、２次電子を検出することより、ウ
エハーに設けられた微細パターンの観察を行なうことが
できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような走査型電子
顕微鏡において半導体のウエハーのフォトレジストやそ
の他の有機物の微細パターンの観察（測長など）を行な
っていると、照射される電子ビームのために、電子顕微
鏡が収容されているチャンバー内に汚染物質が発生し、
この汚染物質が絞り板の絞り穴に付着する。すると、絞
り穴の径が小さくなるとともに多少変形し、この絞り穴
を通過する電子線の断面形状が、真円から歪んだ形に変
化するため、この走査型電子顕微鏡の解像度およびコン
トラストが劣下する。従来、解像度およびコントラスト
が劣化すると、微細パターンの測定再現性、精度に問題
が生じるので、通常は１ヶ月程度で絞り穴が使用不能と
なる。例えば、図４（ａ），（ｂ）に示すように、１枚
の絞り板２０に複数の絞り穴２１ａ，２１ｂ，２１ｃを
穿設しておき、一つの絞り穴（例えば２１ａ）が使用不
能となったら絞り板２０をスライドさせて違う絞り穴
（例えば２１ｂ）を使用するようにした構成のものなど
があるが、使用者が絞り板２０をスライドさせるためメ
ンテナンスが面倒になり、絞り板２０の寿命の問題の根
本的な解決とはなっていない。
顕微鏡において半導体のウエハーのフォトレジストやそ
の他の有機物の微細パターンの観察（測長など）を行な
っていると、照射される電子ビームのために、電子顕微
鏡が収容されているチャンバー内に汚染物質が発生し、
この汚染物質が絞り板の絞り穴に付着する。すると、絞
り穴の径が小さくなるとともに多少変形し、この絞り穴
を通過する電子線の断面形状が、真円から歪んだ形に変
化するため、この走査型電子顕微鏡の解像度およびコン
トラストが劣下する。従来、解像度およびコントラスト
が劣化すると、微細パターンの測定再現性、精度に問題
が生じるので、通常は１ヶ月程度で絞り穴が使用不能と
なる。例えば、図４（ａ），（ｂ）に示すように、１枚
の絞り板２０に複数の絞り穴２１ａ，２１ｂ，２１ｃを
穿設しておき、一つの絞り穴（例えば２１ａ）が使用不
能となったら絞り板２０をスライドさせて違う絞り穴
（例えば２１ｂ）を使用するようにした構成のものなど
があるが、使用者が絞り板２０をスライドさせるためメ
ンテナンスが面倒になり、絞り板２０の寿命の問題の根
本的な解決とはなっていない。
【０００４】このような走査型電子顕微鏡の絞り板に付
着した汚染物質を除去するために、特開昭６３−７６２
５０号公報に記載の発明では、絞り板を抵抗熱により約
１００℃に加熱することによって、絞り板から汚れを除
去することができる。しかし、絞り板に汚染物質が付着
しやすいという問題に関しては改善されていない。汚染
物質が付着しにくいように絞り板を常に加熱する構成と
すると、薄板状の絞り板が熱により変形して電子ビーム
の絞り精度が劣化すると言う問題が生じる。
着した汚染物質を除去するために、特開昭６３−７６２
５０号公報に記載の発明では、絞り板を抵抗熱により約
１００℃に加熱することによって、絞り板から汚れを除
去することができる。しかし、絞り板に汚染物質が付着
しやすいという問題に関しては改善されていない。汚染
物質が付着しにくいように絞り板を常に加熱する構成と
すると、薄板状の絞り板が熱により変形して電子ビーム
の絞り精度が劣化すると言う問題が生じる。
【０００５】また、特開平４−５１４４８号公報に記載
の発明では、絞り板を走査型電子顕微鏡から一旦取り外
して外部の真空チャンバー内に装填し、グロー放電を行
なうことにより絞り板の汚染物質を除去することができ
る。しかし、走査型電子顕微鏡から絞り板を取り外して
真空チャンバーにセットするという煩雑な作業が必要で
あるうえに、白金コーティングして絞り板の酸化による
電子ビームの分布の乱れを解消する必要があり、汚染物
質の除去作業は非常に面倒である。
の発明では、絞り板を走査型電子顕微鏡から一旦取り外
して外部の真空チャンバー内に装填し、グロー放電を行
なうことにより絞り板の汚染物質を除去することができ
る。しかし、走査型電子顕微鏡から絞り板を取り外して
真空チャンバーにセットするという煩雑な作業が必要で
あるうえに、白金コーティングして絞り板の酸化による
電子ビームの分布の乱れを解消する必要があり、汚染物
質の除去作業は非常に面倒である。
【０００６】そこで本発明の目的は、煩雑な作業を必要
とせずに、絞り板に付着した汚染物質の除去が行なえ、
しかも絞り板に汚染物質がつきにくくすることができる
走査型電子顕微鏡を提供することにある。
とせずに、絞り板に付着した汚染物質の除去が行なえ、
しかも絞り板に汚染物質がつきにくくすることができる
走査型電子顕微鏡を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型電子顕微
鏡の特徴は、電子ビームを照射する電子銃と、前記電子
ビームの径を絞る絞り手段と、前記電子ビームを被観察
物に集束させる光学手段とを含む走査型電子顕微鏡にお
いて、前記絞り手段が、前記電子ビームの径を絞る絞り
穴を有する絞り板と、該絞り板に積層され前記絞り穴と
対向する穴部を有するセラミックからなり前記絞り板よ
りも厚い厚板とを含むところにある。
鏡の特徴は、電子ビームを照射する電子銃と、前記電子
ビームの径を絞る絞り手段と、前記電子ビームを被観察
物に集束させる光学手段とを含む走査型電子顕微鏡にお
いて、前記絞り手段が、前記電子ビームの径を絞る絞り
穴を有する絞り板と、該絞り板に積層され前記絞り穴と
対向する穴部を有するセラミックからなり前記絞り板よ
りも厚い厚板とを含むところにある。
【０００８】これにより、汚染物質が厚板の穴部内周に
付着するようになり、絞り板の絞り穴には付着しないの
で、電子ビームの絞り精度が劣化せず、解像度やコント
ラストの劣下が防げる。
付着するようになり、絞り板の絞り穴には付着しないの
で、電子ビームの絞り精度が劣化せず、解像度やコント
ラストの劣下が防げる。
【０００９】前記厚板は、前記絞り板の被観察物側の面
に積層されている。
に積層されている。
【００１０】
【００１１】前記光学手段が、前記絞り手段の前段に位
置するコンデンサーレンズと、前記絞り手段の後段に位
置する対物レンズとを含んでいてもよい。
置するコンデンサーレンズと、前記絞り手段の後段に位
置する対物レンズとを含んでいてもよい。
【００１２】前記絞り板に高電圧を印加してフラッシン
グを行なう電圧印加手段を有することが好ましい。
グを行なう電圧印加手段を有することが好ましい。
【００１３】この構成によると、絞り板に汚染物質が付
着したとしても、絞り板を走査型電子顕微鏡から取り外
したり外部チャンバーにセットするという煩雑な作業を
行なうことなく、汚染物質の除去が可能である。
着したとしても、絞り板を走査型電子顕微鏡から取り外
したり外部チャンバーにセットするという煩雑な作業を
行なうことなく、汚染物質の除去が可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００１５】図１に本発明の走査型電子顕微鏡の一実施
形態の概略構成を示している。この走査型電子顕微鏡
は、電子ビーム１３を照射する電子銃１と、この電子ビ
ーム１３の照射経路内に位置する光学手段２および絞り
手段３と、電圧印加手段４と、被観察物（本実施形態で
は半導体ウエハー）１１がセットされるステージ１２と
を含んでいる。
形態の概略構成を示している。この走査型電子顕微鏡
は、電子ビーム１３を照射する電子銃１と、この電子ビ
ーム１３の照射経路内に位置する光学手段２および絞り
手段３と、電圧印加手段４と、被観察物（本実施形態で
は半導体ウエハー）１１がセットされるステージ１２と
を含んでいる。
【００１６】光学手段２は、絞り手段３の前段（図１上
方）に位置するコンデンサーレンズ５と、絞り手段３の
後段（図１下方）に位置する対物レンズ６とからなる。
絞り手段３は、絞り板７と厚板８とが積層された構成で
ある。絞り板７は、１０μm程度の薄板であり、電子ビ
ーム１３の径を絞るための絞り穴９（直径約２０μm）
があけられている。厚板８は、絞り板７よりも厚い３０
μm程度のセラミック板からなり、絞り穴９と対向する
穴部１０が明けられている。穴部１０は絞り穴９よりも
大径であり、本実施形態では直径３０μm程度である。
この絞り手段３は、絞り板３が電子銃１側に、厚板８が
半導体ウエハー１１側に位置するように配置されてい
る。電圧印加手段４は絞り板７に接続されており、絞り
板７に高電圧を印加するものである。
方）に位置するコンデンサーレンズ５と、絞り手段３の
後段（図１下方）に位置する対物レンズ６とからなる。
絞り手段３は、絞り板７と厚板８とが積層された構成で
ある。絞り板７は、１０μm程度の薄板であり、電子ビ
ーム１３の径を絞るための絞り穴９（直径約２０μm）
があけられている。厚板８は、絞り板７よりも厚い３０
μm程度のセラミック板からなり、絞り穴９と対向する
穴部１０が明けられている。穴部１０は絞り穴９よりも
大径であり、本実施形態では直径３０μm程度である。
この絞り手段３は、絞り板３が電子銃１側に、厚板８が
半導体ウエハー１１側に位置するように配置されてい
る。電圧印加手段４は絞り板７に接続されており、絞り
板７に高電圧を印加するものである。
【００１７】この走査型電子顕微鏡の動作について説明
すると、図示しない駆動手段に駆動されて、電子銃１が
電子ビーム１３を放射する。電子ビーム１３は、コンデ
ンサーレンズ５により集束され、絞り手段３に入射す
る。さらに電子ビーム１３は、絞り手段３の絞り板７の
絞り穴９を通過することによってビーム径が絞られて、
対物レンズ６へ至り、この対物レンズ６により被観察物
である半導体ウエハー１１上に焦点を結ぶ。そして、図
示しない駆動手段により電子ビーム１３がウエハー１１
の微細パターン上を走査し、それによってウエハー１１
の表面から２次電子が放出され、この２次電子を図示し
ない検出器が検出してウエハー１１の観察が行われる。
すると、図示しない駆動手段に駆動されて、電子銃１が
電子ビーム１３を放射する。電子ビーム１３は、コンデ
ンサーレンズ５により集束され、絞り手段３に入射す
る。さらに電子ビーム１３は、絞り手段３の絞り板７の
絞り穴９を通過することによってビーム径が絞られて、
対物レンズ６へ至り、この対物レンズ６により被観察物
である半導体ウエハー１１上に焦点を結ぶ。そして、図
示しない駆動手段により電子ビーム１３がウエハー１１
の微細パターン上を走査し、それによってウエハー１１
の表面から２次電子が放出され、この２次電子を図示し
ない検出器が検出してウエハー１１の観察が行われる。
【００１８】このように半導体ウエハー１１のフォトレ
ジストやその他有機物の微細パターンを観測する際に、
照射される電子ビーム１３のために汚染物質が発生す
る。従来は、この汚染物質が絞り板の絞り穴の内側に付
着し、電子ビームの断面形状の変形や小径化を招き、解
像度やコントラストの劣化の要因となっていた。しか
し、本実施形態では、絞り板７の下方にセラミック製の
厚板８が取り付けられているので、汚染物質は主に厚板
８の穴部１０の内周に付着し、絞り板７の絞り穴９には
ほとんど付着しない。すなわち、厚板８は絞り板７の下
方に位置しており、しかも絞り板７よりも厚いため、電
子ビーム１３の照射に伴って発生する汚染物質が、絞り
板７まで届かずに、ほとんど厚板８の穴部１０に付着す
る。そのため、絞り板７の絞り穴９の内周には、汚染物
質はほとんど付着しない。そして、穴部１０は絞り穴９
よりも大径なので、穴部１０の内周に汚染物質が付着し
ても、絞り穴９による電子ビーム１３のビーム径の絞り
にはあまり影響を与えない。
ジストやその他有機物の微細パターンを観測する際に、
照射される電子ビーム１３のために汚染物質が発生す
る。従来は、この汚染物質が絞り板の絞り穴の内側に付
着し、電子ビームの断面形状の変形や小径化を招き、解
像度やコントラストの劣化の要因となっていた。しか
し、本実施形態では、絞り板７の下方にセラミック製の
厚板８が取り付けられているので、汚染物質は主に厚板
８の穴部１０の内周に付着し、絞り板７の絞り穴９には
ほとんど付着しない。すなわち、厚板８は絞り板７の下
方に位置しており、しかも絞り板７よりも厚いため、電
子ビーム１３の照射に伴って発生する汚染物質が、絞り
板７まで届かずに、ほとんど厚板８の穴部１０に付着す
る。そのため、絞り板７の絞り穴９の内周には、汚染物
質はほとんど付着しない。そして、穴部１０は絞り穴９
よりも大径なので、穴部１０の内周に汚染物質が付着し
ても、絞り穴９による電子ビーム１３のビーム径の絞り
にはあまり影響を与えない。
【００１９】やがて、厚板８の穴部１０のみならず、絞
り板７の絞り穴９の内周にも汚染物質が付着してきた
ら、電圧印加手段４が絞り板７に高電圧を加えて、フラ
ッシングを行ない、絞り板７に付着した汚染物質を除去
する。フラッシングは１０秒間程度行われ、汚染物質が
除去されることにより、解像度およびコントラストの劣
化が防げ、絞り板の寿命がさらに延びる。
り板７の絞り穴９の内周にも汚染物質が付着してきた
ら、電圧印加手段４が絞り板７に高電圧を加えて、フラ
ッシングを行ない、絞り板７に付着した汚染物質を除去
する。フラッシングは１０秒間程度行われ、汚染物質が
除去されることにより、解像度およびコントラストの劣
化が防げ、絞り板の寿命がさらに延びる。
【００２０】なお、図２,３に示す実施形態では、絞り
手段１４の絞り板１５に複数の絞り穴１６が設けられ、
厚板１７に絞り穴１６と同数でこれと対向する穴部１８
が設けられている。本実施形態によると、一つの絞り穴
１６が使用不能になったら、絞り手段１４を随時スライ
ドさせることによって別の未使用の絞り穴１６を用いる
ようにすることができる。これによると、絞り板１５の
交換頻度をより低減することができる。
手段１４の絞り板１５に複数の絞り穴１６が設けられ、
厚板１７に絞り穴１６と同数でこれと対向する穴部１８
が設けられている。本実施形態によると、一つの絞り穴
１６が使用不能になったら、絞り手段１４を随時スライ
ドさせることによって別の未使用の絞り穴１６を用いる
ようにすることができる。これによると、絞り板１５の
交換頻度をより低減することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビーム照射による汚染物質の絞り穴への付着を抑制
することができ、解像度やコントラストの劣下を防ぎ、
高い測定再現性を実現させるとともに、絞り板の寿命を
延ばすことができる。
電子ビーム照射による汚染物質の絞り穴への付着を抑制
することができ、解像度やコントラストの劣下を防ぎ、
高い測定再現性を実現させるとともに、絞り板の寿命を
延ばすことができる。
【００２２】さらに、絞り板に電圧印加手段を接続し、
高電圧を印加してフラッシング可能な構成とすることに
より、絞り板に汚染物質が付着したとしても、絞り板を
走査型電子顕微鏡から取り外すことなく汚染物質を除去
できる。従って、絞り板を外部チャンバーに移動させて
セッティングするといった煩雑な作業が不要である。そ
して、このように走査型電子顕微鏡に装着したままで絞
り板に付着した汚染物質を除去することにより、自己再
生が可能になり、絞り板の交換頻度を低減できる。
高電圧を印加してフラッシング可能な構成とすることに
より、絞り板に汚染物質が付着したとしても、絞り板を
走査型電子顕微鏡から取り外すことなく汚染物質を除去
できる。従って、絞り板を外部チャンバーに移動させて
セッティングするといった煩雑な作業が不要である。そ
して、このように走査型電子顕微鏡に装着したままで絞
り板に付着した汚染物質を除去することにより、自己再
生が可能になり、絞り板の交換頻度を低減できる。
【図１】本発明の第１の実施形態の走査型電子顕微鏡を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】第１の実施形態の絞り手段の平面図である。
【図３】第１の実施形態の絞り手段の側断面図である。
【図４】（ａ）は従来の絞り手段の平面図、（ｂ）はそ
の側断面図である。
の側断面図である。
１ 電子銃 ２ 光学手段 ３ 絞り手段 ４ 電圧印加手段 ５ コンデンサーレンズ ６ 対物レンズ ７ 絞り板 ８ 厚板 ９ 絞り穴 １０ 穴部 １１ 半導体ウエハー（被観察物） １２ ステージ １３ 電子ビーム １４ 絞り手段 １５ 絞り板 １６ 絞り穴 １７ 厚板 １８ 穴部
Claims (5)
- 【請求項１】 電子ビームを照射する電子銃と、前記電
子ビームの径を絞る絞り手段と、前記電子ビームを被観
察物に集束させる光学手段とを含む走査型電子顕微鏡に
おいて、 前記絞り手段が、前記電子ビームの径を絞る絞り穴を有
する絞り板と、該絞り板に積層され前記絞り穴と対向す
る穴部を有するセラミックからなり前記絞り板よりも厚
い厚板とを含むことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項２】 前記厚板が、前記絞り板の被観察物側の
面に積層されている請求項１に記載の走査型電子顕微
鏡。 - 【請求項３】 前記光学手段が、前記絞り手段の前段に
位置するコンデンサーレンズと、前記絞り手段の後段に
位置する対物レンズとを含む請求項１または２に記載の
走査型電子顕微鏡。 - 【請求項４】 前記絞り板に高電圧を印加してフラッシ
ングを行なう電圧印加手段を有する請求項１〜３のいず
れか１項に記載の走査型電子顕微鏡。 - 【請求項５】 前記被観察物として、微細加工パターン
が形成された半導体のウエハーが用いられる請求項１〜
４のいずれか１項に記載の走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002050A JP3123996B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002050A JP3123996B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200574A JP2000200574A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3123996B2 true JP3123996B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=11518519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002050A Expired - Fee Related JP3123996B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123996B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4621097B2 (ja) | 2005-09-14 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置およびその制御方法 |
| JP5589964B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2014-09-17 | 新日鐵住金株式会社 | 電子顕微鏡用絞りプレート板及びその製造方法 |
| CN114975048A (zh) * | 2021-02-19 | 2022-08-30 | 中国科学院微电子研究所 | 光阑组件及具有其的扫描电子显微镜 |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP11002050A patent/JP3123996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000200574A (ja) | 2000-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6038015A (en) | Electron-beam-projection-exposure apparatus with integrated mask inspection and cleaning portions | |
| JP4828162B2 (ja) | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 | |
| KR20110069083A (ko) | Ｅｕｖ 리소그래피 장치 및 광학 요소 처리 방법 | |
| KR970063317A (ko) | 전자 방출 디바이스, 전자원 및 이미지 형성 장치의 제조 방법 | |
| CN1550283A (zh) | 去除涂覆至基板层边缘且涂布基板的方法与装置及一基板 | |
| TWI465837B (zh) | 處理具有微型化結構之物件的方法 | |
| JP3123996B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| CN111095519A (zh) | 用于分离临时接合的基底堆垛的装置和方法 | |
| US20070048631A1 (en) | Mask defect repairing method and semiconductor device manufacturing method | |
| US6774365B2 (en) | SEM inspection and analysis of patterned photoresist features | |
| JP4848697B2 (ja) | 露光機のワークステージを用いた露光方法 | |
| JPS58196020A (ja) | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 | |
| US6815681B2 (en) | Electron beam lithography apparatus using a patterned emitter | |
| JP3158892B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2004279461A (ja) | 荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法 | |
| JP2002141010A (ja) | 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2002222765A (ja) | 電子ビーム近接露光装置及びそのためのマスクユニット | |
| US7223503B2 (en) | Method for repairing opaque defects on semiconductor mask reticles | |
| US20030109141A1 (en) | Wafer scribing method and wafer scribing device | |
| JP3908963B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JP2009151197A (ja) | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 | |
| JP2755189B2 (ja) | フォトマスクの欠損欠陥修正方法 | |
| JP3284121B2 (ja) | レジスト塗布方法、レジストパターン形成方法及び溶液供給装置 | |
| WO2000065306A1 (fr) | Technique de mesure de l'epaisseur d'un film | |
| JP2001358046A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光用マスク上のコンタミネーション量測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |