JP3121885B2 - 平面型表示デバイス - Google Patents

平面型表示デバイス

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JP3121885B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶などの双
安定性を有し、多階調の表示を行うマトリックス駆動方
式の平面型表示デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明の背景】高速スイッチング特性
と双安定性(メモリー性)を有する強誘電性液晶などを
用いて中間調の濃度表示を可能にした平面型表示デバイ
スが公知である。その双安定性という特性を利用した種
々の駆動方法も提案されている。
【0003】例えば等分割走査法が公知である。この方
法は図11の説明図に示すように、1フレーム周期Tf
を2N階調(例えば24=16階調)とした時には(2N
−1)=15に等分割し、分割した各ブロック内で全走
査線(その数Yを例えば480本とする)を走査し、走
査線毎に書き込みタイミングをづらしつつ書き込むもの
である。図中RSは各走査線に対応する書き込み走査の
タイミングを簡略化して示すものである。この方法にお
いては描く階調に応じて黒または白に書き込むブロック
数を0から15まで変化させる。例えば階調1ではフレ
ーム周期Tfの最初のブロックの時間だけ黒または白に
書き込み、階調10では最初のブロックから10番目の
ブロックまで間を黒または白に書き込むものである。
【0004】一般にこの種の表示デバイスでは、フレー
ム周期Tf内における明または暗となる時間比を変化さ
せることにより中間調の濃度表示を行っている。この場
合同一走査線上の各画素はデータ電極信号によって同時
に書き込まれる。このため、走査線の長手方向に隣接す
る画素が同一明度の場合には、両画素が同時に点滅する
ことになる。このため画面のフリッカが表れ易くなり、
画質が低下するという問題がある。
【0005】走査線に直交する方向に隣接する画素同志
を同一明度にする場合にも点滅のタイミングが接近する
ためフリッカが表れ易くなるが、この場合にはインター
レース走査として隣接する走査電極信号の位相を例えば
逆にすることにより解消し得る。しかしこの場合でも、
前記の走査電極方向に隣接する画素のフリッカは残る。
【0006】
【発明の目的】本発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、フレーム周期内の明または暗の時間比によ
って中間調表示を行う場合に、走査電極方向に隣接する
画素を同一階調に書込む際に発生し易いフリッカを防止
し画質を向上することができる平面型表示デバイスを提
供することを目的とする。
【0007】
【発明の構成】本発明によればこの目的は、走査電極お
よびデータ電極の交差領域に双安定性を有する画素を形
成し、各画素をフレーム周期(Tf)内で明または暗に
保持する時間比によって中間調表示を可能にした平面型
表示デバイスにおいて、前記走査電極は、前記画素間を
通って前記データ電極に直交する走査電極線と、この走
査電極線に接続されこの走査電極線の両側の画素領域に
交互にのびる電極部とを有し、隣接する走査電極をイン
ターレース走査することを特徴とする平面型表示デバイ
スにより達成される。ここに隣接する走査電極に加わる
信号の位相ができるだけ逆相に近くなるようにすれば、
データ電極方向のフリッカも一層確実に消すことがで
き、画質は一層向上する。
【0008】
【実施例】図1は液晶表示板の電極構造を示す概念図で
あり、同図Aは走査電極を、同図Bはデータ電極を示
す。図2はその組立状態を走査電極線に沿って断面した
断面図である。図2で符号10は透明ガラス板からなる
上基板、12は同じく下基板である。14、16はこれ
ら上・下基板10、12の対向する面に形成されたデー
タ電極と走査電極である。これらの電極14、16は互
いに直交している。
【0009】データ電極14は図1(B)に示すように
ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明な帯状電極で
ある。走査電極16は図1(A)に示すように画素間を
通ってデータ電極14に直交する走査電極線16Aと、
この走査電極線16Aに接続されこの走査電極線16A
の両側の画素に交互にのびる電極部16Bとを有する。
走査電極線16Aは電圧降下の小さい金属薄膜すなわち
抵抗が小さい金属薄膜で作られ、また電極部16BはI
TO膜などの透明電極で作られている。
【0010】これらの電極14、16はそれぞれ配向膜
18、20で覆われた後、互いに対向するように配置さ
れ、その間隙に液晶22が挾まれる。24はこの液晶2
2の間隙を一定に保つためのスペーサである。この結果
両電極14、16の間に挾まれた領域すなわちデータ電
極14と電極部16Bとで挾まれた領域は、この電極1
4、16間の電圧により透過光量が変化する画素領域と
なる。
【0011】液晶22としては例えば強誘電性液晶が適
する。この強誘電性液晶22は、カイラルスメクティッ
クC相の液晶で代表される自発分極を示す一群のスメク
ティック液晶材料であり、高速スイッチング現象と双安
定性と呼ばれるメモリー現象を示す。すなわち電場の印
加により形成された自発分極の配向方位が一様に揃った
分子配列状態が、電場を切ってもそのままメモリーされ
る性質を持つ。このように作られた液晶板は、2板の偏
光板(図示せず)間に置かれ、背後に置かれた照明装置
からの透過光量を制御する。
【0012】
【走査チャート】ここで以下の説明に用いる走査チャー
トを説明する。走査電極16(図1、2参照)とデータ
電極14にそれぞれ供給される信号、すなわち走査信号
cとデータ信号vIは図3に示すような矩形の波形を持
ったパルスからなる。
【0013】走査信号vcはリセット、選択、非選択の
3種の信号を組合せて作られる。選択信号Sは、それぞ
れτの時間幅を持つ電位が0の状態と電位がVsの状態
とを持つ階段状の波形を持つ。その時間2τは走査電極
16上の画素の“明”または“暗”に配向させる期間で
あり、選択期間と呼ぶ。非選択信号Nは、それぞれτの
時間幅を有する電位が3Vs/4とVs/4との波形から
なり、その時間幅2τは、他の走査電極16を走査する
ための期間となる。
【0014】リセット信号Rは、2τの間電位がVs
なるR1と、2τの間電位が0になるR2の2つの波形を
持つ。これら3種の信号S、N、Rは後記するように組
合されて各走査電極16に供給される。データ電極14
に供給されるデータ信号vIは、図3に示すように2τ
の時間幅を有するオンおよびオフの2種の信号を持つ。
【0015】走査電極16上の走査信号vcとデータ電
極14上のデータ信号vIとが交差する画素領域では、
図4に示すように両信号vc、vIが組合されて画素電圧
(vc−vI)が加わることになる。すなわち走査信号v
c がリセット信号Rである時には、R1およびR2の各時
間2τに対するデータ信号vIのオン・オフ状態に対応
して4種類の異なる画素電圧[vc−vIRが得られ
る。ここで画素の明暗の変化に寄与するのは最後の電圧
の部分すなわち斜線部分であり、この斜線部分の面積τ
×VSが常に一定以上になることにより画素を強制的に
“暗”にする。すなわちデータ信号vIのオン・オフに
関係なく常に“暗”に“リセット”するものである。
【0016】走査信号vcが選択信号Sである時には、
データ信号vIのオン・オフに対応して図4に示す2種
の画素電圧[vc−vISが得られる。データ信号vI
オンの時には画素電圧はVSとなり、画素を“明”にす
る。データ信号vIがオフの時には画素電圧はVS/2と
なり画素の明暗を変化させることがない。走査信号vc
が非選択信号Nである時には、データ信号vIがオンで
あってもオフであっても画素の明暗を変えるだけの画素
電圧[vc−vINが得られず、明暗は変化しない。
【0017】走査信号vcは、選択信号S、非選択信号
N、リセット信号Rが図5の(A)に示すように組合さ
れて異なる走査電極16に順に供給される。ここに走査
信号vc1、vc2、vc3…はそれぞれ隣接する走査電極1
6に印加される。また選択信号Sの直前にはリセット信
号Rが加えられ、これらの信号(R12 S)を一組と
して書き込みが行われる。この書き込み信号をRSで示
す。
【0018】このように走査信号vcは、書き込み信号
RSと非選択信号Nとリセット信号Rとで構成されるか
ら、図5の(A)を簡略化して同図の(B)のように示
すことができ、さらに簡略化して同図の(C)のように
書き込み走査を示すタイミングを直線RSで、リセット
のタイミングを破線Rで示す。
【0019】
【第1の実施例】図6は4(=22)階調の実施例の走
査チャート図である。この実施例は請求項2の発明に対
応するものである。この実施例ではフレーム周期Tf
4(=22)個の等間隔のブロックに分割し、1個およ
び2個のブロックからなる2つのフィールドF1、F2
先頭ブロックを書き込み信号RSを持つ書き込みブロッ
クとし、残り1つのブロックをリセット信号Rを持つリ
セットブロックB(R)とした。
【0020】この場合には、図6の(A)と(B)の上
段に示すように2つの組合せが可能であり、これら
(A)、(B)に対して、書込みブロックが複数同時に
発生しないフィールドF1、F2の組合せとしては、それ
ぞれ図6の(A)、(B)の下段に示すものが可能であ
る。すなわち(A)、(B)の各場合に2つの組合せが
可能である。そこで走査電極16の総数すなわち1つの
画面の全走査線数Y(例えば480本)を2つの群
1、Y2に分割し、それぞれY/2(=240本)づつ
とする。
【0021】走査する時には2つの群Y1、Y2を同時に
並行して図6の(A)または(B)の走査チャートに従
って走査する。この結果全ての時刻において異なる群Y
1、Y2の書き込みブロックが重なることがなくなる。換
言すれば或る時刻に対応する書き込みブロック毎に1つ
の群Y1またはY2を選択してこの1群内の走査電極16
上の各画素を明または暗に記憶させる。またリセットブ
ロックB(R)ではこれを含む群Y1またはY2の走査電
極16上の各画素をリセットする。
【0022】この実施例において、特に図6(A)のフ
レーム配列を採用すれば、群Y1とY2の位相が常に18
0°ずれることになる。従って両群Y1、Y2を順にイン
ターレース走査すれば、隣接する走査電極16上の画素
間でのフリッカが防止され得る。すなわち群Y1のn番
目の次に群Y2のn番目の走査線を配置するようにすれ
ば、データ電極14方向に隣接する画素は同一階調の時
に逆位相で点滅するからである。また走査電極16は図
1(A)に示したように、走査電極16方向に並ぶ各画
素に対して電極部16Bが上下に交互に配置されている
から、走査電極16方向に隣接する画素は同一階調の時
に逆位相で点滅する。このため走査電極16方向のフリ
ッカも防止され得る。
【0023】この場合にフレーム周期(T f )は、4
(=2 N =2 2 )個より多い数(4+X)(=2 2 +X、
但しXは0または正の整数)のブロックに分割してもよ
い。この時は余分なブロックを含む(X+1)個のブロ
ックをリセットブロックB(R)とすることにより、余
分なX個のブロックが画素の明暗に影響を及ぼすのを防
ぐことができる。
【0024】
【第2の実施例】図7は2N=23=8階調の実施例の走
査チャート図である。この実施例は請求項3の発明に対
応するものである。この実施例ではフレーム周期Tf
3(=N)個の等間隔のフィ−ルドF1、F2 、F3に分
割する。各フィ−ルド内で全ての走査線(480本)に
書込みを行うタイミングが実線の直線RSで示されてい
る。全走査線は書込みの前半が行われる群Y1と、書込
みの後半が行われる群Y2とに等分割される。従って各
群Y1、Y2は240本の走査線を持つ。
【0025】これら各群Y1、Y2では、それぞれのフィ
−ルドF1〜F3に対し、書込みタイミングRSから2n
(nは0からN−1までの整数)すなわち20=1、21
=2、22=4の階調に対応する時間後にリセットが行
われる。そのタイミングは破線の直線Rで示されてい
る。ここに各群Y1、Y2では、同一階調の期間が時間的
に重ならないようにリセットのタイミングRが設定され
る。この実施例では各群Y1、Y2のn番目の走査線(Y
1−n)と(Y2−n)とは、位相が180°づれ、逆位
相となっている。2番目以降の走査線も同様である。
【0026】走査する時には2つの群Y1、Y2をインタ
ーレースにして走査を行う。すなわち各群Y1、Y2のn
番目の走査線(Y1−n)と(Y2−n)とを交互に並べ
て(図8参照)走査する。各群の走査線(Y1−n)、
(Y2−n)は、すべての時刻で常に異なる階調の期間
となっている。特に2つの群Y1、Y2のn番目の走査線
は位相が180°づれて互いに逆相になっている。
【0027】このため両走査線では点滅タイミングが1
80°づれ、その明暗は図7にIで示すようになる。こ
の図のIは階調を“2”とした時の明度を示し、その変
化周期はTf/2となり,フレーム周期Tfの半分になる
ことが解る(空間的積分効果)。このためデータ電極1
4方向のフリッカが防止できることになる。また走査電
極16方向のフリッカは前記図1(A)の電極構造を採
用することにより防止できる。
【0028】図7ではフレーム周期(T f )を3(=
N)個のフィールドF 1 、F 2 、F 3 に分割するものを示
したが、フレーム周期(T f )は3個以外の数N(N>
3)に分 割してもよい。この場合フィールドF 1 、…F N
に分割し、各フィールドF 1 、…F N 内で全走査電極に対
してそれぞれ書込みを行う一方、全走査電極を複数の群
に分割し、これらの各群内では各フィールドF 1 、…F N
の書込みからそれぞれ2 n (nは0、1、…N−1)の
階調に対応する時間後にリセットし、各群内の同一階調
の期間が重ならないように各群をインターレース走査す
ればよい。
【0029】
【第3の実施例】図9は16(=24)階調の場合に適
用した実施例の走査チャート図、図10はその斜線部分
の拡大図である。この実施例は請求項4の発明に対応す
る。この実施例ではフレーム周期Tfを(2N−1)=1
5個の等間隔のブロックに等分割し、1、2、4、8個
のブロックからなる4つのフィールドF1〜F4の先頭ブ
ロックを書き込み信号RSを持つ書き込みブロックとし
た。また走査線数Y=480を15等分して32本づつ
の走査線を有する群Y1〜Y15に等分割した。図6で階
調20=1の書込み信号RSのタイミングをタイミング
ラインA、階調21=2の書込みタイミングをタイミン
グラインBで表す。同様に階調22=4、23=8の書込
みタイミングをタイミングラインC、Dで表す。
【0030】ここに各タイミングラインA〜Dの書込み
期間Trは、図10に示すように、タイミングラインA
〜Dのいずれか1つの選択期間Sと、他のタイミングラ
インに対する非選択期間Nとで形成される。この実施例
ではフィールドは4つなので書込み期間Trは1つの選
択期間Sと3つの非選択期間Nとで形成される。なお図
10では各走査線信号上でSで示された選択期間以外の
期間は全て非選択期間Nである。
【0031】このように同じフィールド例えばF1内で
書込みを行う異なる群例えばY1、Y9、Y13、Y15の選
択期間を時間的にづらしつつ書込み期間Trを各群Y1
9、Y13、Y15の各走査線に対して設定する。この結
果各タイミングラインA〜D上の書込み期間Trが重な
っているにもかかわらず、選択期間Sは時間的に重なら
ないから、各タイミングラインA〜D上の走査電極16
上の各画素を明または暗に選択的に記憶させることがで
きる。
【0032】図9ではフレーム周期(T f )を15(=
4 −1)個のブロックに分割したが、分割したブロッ
ク数はこれに限られない。この実施態様を一般化すれば
次のようになる。すなわちフレーム周期(T f )はそれ
ぞれ2 n (nは0、1、…、N−1)個のブロックから
なるそれぞれ2 n 階調に対応するN個のフィールド(F 1
〜F N )を含み、全走査電極を(2 N −1)個の群に等分
割する一方、各フィールドの先頭ブロックに設けた書込
み期間(T r )を2 n 階調の1つの階調に対する選択期間
と他の全ての階調に対する非選択期間とで形成し、各階
調に対する選択期間が時間的に重ならないように書込み
期間T r を時間的に重複させるものである
【0033】ここで走査線Yを上下2つのグループ
A、YBに等分割し、各グループの走査線を上から順に
{A−1、A−2、…A−Y/2}および{B−1、B
−2、…B−Y/2}とする。各グループYA、YB内の
同一順番の走査信号は、図9から明らかなように180
°位相がづれている。すなわち(A−n)と(B−n)
の走査線の信号は180°位相がづれている。これら各
グループYA、YBの同一順番の走査信号を交互に並べて
インターレース(順次)走査することによりデータ電極
14方向のフリッカを抑制することが可能になる。すな
わち異なる群の走査電極をインターレース走査して同一
階調のフィールド同志がデータ電極方向に連続しないよ
うにすればよい。また走査電極16方向のフリッカは前
記図1(A)の電極構造により防止できる。
【0034】以上の各実施例では隣接する走査電極の信
号の位相が180°ずれるようにして走査電極同志のフ
リッカも防止しているが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、隣接する走査電極をインターレース走査す
ればよい。隣接する走査電極の信号の位相をずらす場合
は180°が好ましいが、位相のずれが180°以外で
あっても走査電極間のフリッカ防止効果が得られること
は勿論であり、本発明はこのような実施例も包含する。
【0035】以上の実施例は強誘電性液晶を用いている
が、本発明は明または暗に書き込まれた状態を書き換え
信号RSやリセット信号Rが入力されるまで維持する双
安定性(メモリ性)を有する平面型表示デバイスであれ
ば適用でき、液晶に限らずプラズマ表示パネルなど他の
表示デバイスにも適用でき、本発明はこれらを包含す
る。
【0036】
【発明の効果】請求項1の発明は以上のように、双安定
性を有する各画素を、明または暗にする時間比によって
中間調表示を可能にした場合に、走査電極が各画素間を
通る走査電極線と、この走査電極線から交互に両側の画
素領域にのびる電極部とを有する構造とし、隣接する走
査電極をインターレース走査するものであるから、走査
電極方向に隣接する画素は互いに隣接する走査電極によ
り決まる異なるタイミングに点滅することになり、デー
タ電極方向に隣接する画素もインターレースされる隣接
する走査電極により決まる異なるタイミングで点滅する
ことになる。このためこの走査電極方向およびデータ電
極方向のフリッカを防止して画質を向上させることがで
きる。
【0037】ここに走査線を複数の群に分割して、書込
みタイミングが異なる群の走査線が隣接するようにイン
ターレース走査をしてもよい(請求項2、3、4)。こ
の場合隣接する走査電極の信号の位相が180°ずれる
ようにすればこのフリッカ防止効果は一層大きくなる
請求項5)。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶表示板の電極配置を示す概念図
【図2】そのII−II線断面図
【図3】走査信号とデータ信号のパルスの波形図
【図4】画素電圧の波形図
【図5】走査チャートの説明図
【図6】第1の実施例の走査チャート図
【図7】第2の実施例の走査チャート図
【図8】その点滅タイミングの説明図
【図9】第3の実施例の走査チャート図
【図10】その走査線配列の説明図
【図11】従来の等分割走査法の説明図
【符号の説明】
10 上基板 12 下基板 14 データ電極 16 走査電極 16A 走査電極線 16B 電極部 22 液晶 Tf フレーム周期 F1、F2… フィールド Y1、Y2… 群 Tr 書込み期間 S 選択期間 N 非選択期間

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査電極およびデータ電極の交差領域に
    双安定性を有する画素を形成し、各画素をフレーム周期
    (Tf)内で明または暗に保持する時間比によって中間
    調表示を可能にした平面型表示デバイスにおいて、 前記 走査電極は、前記画素間を通って前記データ電極に
    直交する走査電極線と、この走査電極線に接続されこの
    走査電極線の両側の画素領域に交互にのびる電極部とを
    し、隣接する走査電極をインターレース走査すること
    を特徴とする平面型表示デバイス。
  2. 【請求項2】 フレーム周期(Tf)を(2N+X)個
    (Xは0または正の整数)のブロックに分割し、それぞ
    れ2n個(nは0、1、…、N−1)のブロックからな
    るN個のフィールドの先頭にそれぞれ書込みブロックを
    設け、(X+1)個のブロックをリセットブロックとす
    る一方、前記書込みブロックが複数同時に発生しない組
    合せからなる群に前記走査電極を分割し、同一ブロック
    数のフィールド同志がデータ電極方向に連続しないよう
    に各群を配列し、各群の走査電極をインターレース走査
    する請求項1の平面型表示デバイス。
  3. 【請求項3】 フレーム周期(Tf)をN個のフィール
    ド(F1〜FN)に等分割し、各フィールド内で全走査電
    極に対してそれぞれ書込みを行う一方、全走査電極を複
    数の群に分割し、これらの各群内では前記各フィールド
    の書込みからそれぞれ2n(nは0、1、…、N−1)
    の階調に対応する時間後にリセットし、各群内の同一階
    調の期間が同時に重ならないように各群をインターレー
    ス走査する請求項2の平面型表示デバイス。
  4. 【請求項4】 フレーム周期(Tf)はそれぞれ2n(n
    は0、1、…、N−1)個のブロックからなるそれぞれ
    n階調に対応するN個のフィールド(F1〜FN)を含
    み、全走査電極を(2N−1)個の群に等分割する一
    方、各フィールドの先頭ブロックに設けた書込み期間
    (Tr)を2n階調の1つの階調に対する選択期間と他の
    全ての階調に対する非選択期間とで形成し、各階調に対
    する選択期間が時間的に重ならないように書込み期間T
    rを時間的に重複させ、異なる群の走 査電極をインター
    レース走査して同一階調のフィールド同志がデータ電極
    方向に連続しないようにした請求項2の平面型表示デバ
    イス。
  5. 【請求項5】 隣接する走査電極の信号の位相がほぼ1
    80°づれている請求項3または4の平面型表示デバイ
    ス。
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