JP3120268U - 高遮断形マイクロヒューズ - Google Patents
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Abstract
【課題】セラミック筒内のヒューズ素子の周囲に微粒子からなる硅砂を充填することで、ヒューズ本体を破壊することなく短絡遮断電流100アンペア以上の電流をクリアーできる高遮断形マイクロヒューズの提供。
【解決手段】所定の間隔に設定した一対の導電性金属のリード線1を耐熱性絶縁樹脂で一体成型後、リード線間にヒューズ素子3を張渡してなるベース2を形成し、このベースに嵌合するような耐熱性絶縁材からなるセラミック筒体6の下方開口部を被せて接着固定し、上方の開口部からこの内部に微粒子の硅砂からなる消弧剤5を充填するとともにこの開口部に透明な耐熱性樹脂の円板8を介して全体をカップ状のキャップ7で嵌着してなる高遮断形マイクロヒューズ。
【選択図】図1
【解決手段】所定の間隔に設定した一対の導電性金属のリード線1を耐熱性絶縁樹脂で一体成型後、リード線間にヒューズ素子3を張渡してなるベース2を形成し、このベースに嵌合するような耐熱性絶縁材からなるセラミック筒体6の下方開口部を被せて接着固定し、上方の開口部からこの内部に微粒子の硅砂からなる消弧剤5を充填するとともにこの開口部に透明な耐熱性樹脂の円板8を介して全体をカップ状のキャップ7で嵌着してなる高遮断形マイクロヒューズ。
【選択図】図1
Description
この考案は100から300ボルトの電気回路で短絡電流が500アンペアを超える電流を遮断できるようにした小形ヒューズに関する。
従来、定格電圧100から300ボルトに使用される通称マイクロヒューズとよばれる小形ヒューズは、外形寸法で直径φ10mm以下で定格電流値が10アンペア以下のものがあるが、このヒューズは構造上、ケース内容積に比しヒューズ素子の断面積が大きいため前述の定格電圧での定格遮断電流は50アンペア程度のものが限度とされているのが実状である。
このマイクロヒューズは、例えば図9に示すように、円形または矩形状のベース部(イ)に所定の間隔を保持する一対の電極ピン(ロ)を貫設し、これにヒューズエレメント(ハ)をかしめまたははんだ等で接続し、これに絶縁性のキヤップ(ニ)を被せたものやこのキヤップ(ニ)内に繊維状の非導通材料(ホ)を消弧剤として封入しているものが公知とされている。
このマイクロヒューズは、例えば図9に示すように、円形または矩形状のベース部(イ)に所定の間隔を保持する一対の電極ピン(ロ)を貫設し、これにヒューズエレメント(ハ)をかしめまたははんだ等で接続し、これに絶縁性のキヤップ(ニ)を被せたものやこのキヤップ(ニ)内に繊維状の非導通材料(ホ)を消弧剤として封入しているものが公知とされている。
上述の構造を有する公知のマイクロヒューズで定格電流10アンペア以下のものでは、通電及び過負荷溶断特性はおおむね満足するが回路上で生じる短絡遮断電流100アンペアを超えた場合には、絶縁性のキヤップに穴が開いたり、電極リードがベース部から抜けたりあるいはヒューズ本体が破壊してしまうという問題がある。このため短絡遮断電流の大きい容量のものがなくいかにして100アンペア以上の短絡遮断電流をクリアーすることができるマイクロヒューズの提供が課題として掲げられている。
この考案は上記の問題点に着目してなされたものであり、定格電流値に関係なく、ケース内のヒューズ素子の周囲に微粒子からなる硅砂を充填することでケース及びキヤップを含むヒューズ本体の破壊を阻止し、短絡電流100アンペア以上をクリアー出来る高遮断形マイクロヒューズの提供を目的としている。
上記目的を達成するために、この考案の高遮断マイクロヒューズは、所定の間隔に設定した一対の導電性金属のリード線を耐熱性絶縁樹脂で一体成型後、前記リード線間にヒューズ素子を張渡してなるベースを形成し、このベースに嵌合するような耐熱性絶縁材からなるセラミック筒の下方開口部を被せて接着固定し、上方の開口部からこの内部に微粒子の硅砂からなる消弧剤を充填するとともにこの開口部に透明な耐熱性樹脂の円板を介して全体をカップ状のキャップで嵌着した高遮断形マイクロヒューズを構成しており、遮断電流の大きい容量(100アンペア以上)のものが容易に得られることで問題を解決できる。
このヒューズは構成上からもヒューズ素子の周囲に微粒子の硅砂からなる消弧剤を充填することからヒューズ素子への機械的な力の発生による断線等を生じることはなく、ケース内に100%消弧剤を充填できる。
ヒューズの取付け正面にカップ状のキヤップの透明な耐熱性樹脂板が透視できるため、この部分がヒューズ素子の遮断時のアークで変色するので、溶断の有無を識別可能とする。このことはヒューズの交換時に迅速な対応を可能とすることから保守点検作業上極めて利便性が高い。
以下、図面に示す実施の形態により、この考案を詳細に説明する。
図1は本考案の高遮断形マイクロヒューズ50の断面図であるが、このヒューズは、図2に示すように予め鉛フリーはんだでメッキした線径0.8〜1.0mmの直径の銅線を所定長に切断し、これの先端を潰して扁平部1aとしたリード線1を一対として所要の間隔になるベース板の金型(図示しない)に配置し、図3のようなリード線付きベース20の一体成型体とし、リード線の扁平部1a間にヒューズ素子3を鉛フリーはんだ4で接合し、図4のようなヒューズ素子付きベース本体30を形成する。
図1は本考案の高遮断形マイクロヒューズ50の断面図であるが、このヒューズは、図2に示すように予め鉛フリーはんだでメッキした線径0.8〜1.0mmの直径の銅線を所定長に切断し、これの先端を潰して扁平部1aとしたリード線1を一対として所要の間隔になるベース板の金型(図示しない)に配置し、図3のようなリード線付きベース20の一体成型体とし、リード線の扁平部1a間にヒューズ素子3を鉛フリーはんだ4で接合し、図4のようなヒューズ素子付きベース本体30を形成する。
図5は外径が前図4のベース2の縁2aと内径がベース2の2bに合致するような下端と上端にこれより小さな開口部6a、6bを有するセラミック筒体6であり、図6のようにこのセラミック筒体6の6aとベース2の2bを接着剤9にて接着固定する。
図7は前図6のセラミック筒体6の上端の開口部6aからメッシュ40〜60の微粒子の硅砂からなる消弧剤5を充填状態を示す説明図である。
この場合、ヒューズ素子3は消弧剤5の押圧力等による断線、切断の懸念はないことから粒状の硅砂からなる消弧剤を使用することができる。
この場合、ヒューズ素子3は消弧剤5の押圧力等による断線、切断の懸念はないことから粒状の硅砂からなる消弧剤を使用することができる。
図8は前図7の消弧剤5を充填したセラミック筒体6に上方よりポリカボネート等の耐熱性樹脂板の透明な円板7とさらに前記セラミック筒体6の外径が合致し全長を覆う上方に開口部8aを有する金属製カップ状のキャップ8を嵌着することにより形成される状態を示す説明図である。
この考案の一実施例は上述のような構成からなるものであり、予めリード線間に張渡されたヒューズ素子の周囲に消弧剤を注ぎ充填することから消弧剤を押し込む時の押圧力等の機械的なストレスを生じることがないことから組立上での断線等は殆どなく、電流遮断容量の大きなマイクロヒューズの提供が容易に可能となる。
1 リード線
2 ベース
3 ヒューズ素子
4 鉛フリーはんだ
5 消弧剤
6 セラミック筒体
7 カップ状のキヤップ
8 円板
9 接着剤
50 高遮断形マイクロヒューズ
2 ベース
3 ヒューズ素子
4 鉛フリーはんだ
5 消弧剤
6 セラミック筒体
7 カップ状のキヤップ
8 円板
9 接着剤
50 高遮断形マイクロヒューズ
Claims (1)
- 所定の間隔に設定した一対の導電性金属のリード線を耐熱性絶縁樹脂で一体成型後、前記リード線間にヒューズ素子を張渡してなるベースを形成し、このベースに嵌合するような耐熱性絶縁材からなるセラミック筒体の下方開口部を被せて接着固定し、上方の開口部からこの内部に微粒子の硅砂からなる消弧剤を充填するとともにこの開口部に透明な耐熱性樹脂の円板を介して全体をカツプ状のキャップで嵌着してなる高遮断形マイクロヒューズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005011216U JP3120268U (ja) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | 高遮断形マイクロヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005011216U JP3120268U (ja) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | 高遮断形マイクロヒューズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3120268U true JP3120268U (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=43470447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005011216U Expired - Fee Related JP3120268U (ja) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | 高遮断形マイクロヒューズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3120268U (ja) |
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2005
- 2005-12-12 JP JP2005011216U patent/JP3120268U/ja not_active Expired - Fee Related
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