JP3109305U - 特殊光学機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】物体側テレセントリックレンズ系により反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察できるようにする。
【解決手段】ランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して、点光源Aをつくり、レンズA10aの焦点距離の位置近くにハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。光路Bを反射率の高い試料14に垂直にあて、反射してもどってきた光のみをレンズA10a、ハーフミラー11を通過してレンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。像面Dの位置にカメラ17を設置する構成により物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク観察を可能とする。
【選択図】図1
【解決手段】ランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して、点光源Aをつくり、レンズA10aの焦点距離の位置近くにハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。光路Bを反射率の高い試料14に垂直にあて、反射してもどってきた光のみをレンズA10a、ハーフミラー11を通過してレンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。像面Dの位置にカメラ17を設置する構成により物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク観察を可能とする。
【選択図】図1
Description
本考案は、物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより、反射型・透過型シャドーマスク観察及び反射型・透過型シュリーレン現象観察が可能となる特殊光学系に関するものである。
従来の物体側テレセントリックレンズ系では主光線が焦点を通るよう配置された光学系のため焦点のズレが多少あっても大きさが変わらず、視差による画像の歪が少ないため、試料の外観を正確に計測する目的のためだけの光学系として広く活用されている。
以上に述べた従来の物体側テレセントリックレンズ系による試料の外観を正確に計測する目的以外に、前記試料の内部の微細な歪もしくは表面上の微細な欠陥や凹凸を一つの光学系で同時に2つの情報をとらえることで、前記試料に対する正確な解析を可能とし、前述の仕様内容を飛躍しようとするものである。
本考案は、物体側テレセントリックレンズ系の光学仕様を活かし、とらえた試料の外観を正確に計測する目的と同時に前記物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察を可能にし前記試料の内部や表面上の微細な欠陥や凹凸・歪をとらえる特殊光学系を考案することにより従来の前記物体側テレセントリックレンズ系の機能以外に仕様内容を飛躍する。
以上、上述のように本考案によれば、物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより、従来の前記物体側テレセントリックレンズ系の機能(試料の外観を正確に計測)を維持しながら反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察を可能にし前記試料の内部や表面上の微細な欠陥や凹凸・歪をとらえる特殊光学系を考案することにより正確な計測と同時に欠陥観察を可能とした今までにない特殊光学系の提供が可能となる。
以下、本考案に係る物体側テレセントリックレンズ系による反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン観察の実施の形態を図1、図2、図3、図4、図5、図6に基づいて詳細に説明する。
図1は本考案の一実施例を適用した特殊光学1(物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク)の概要を模式的に示す構成説明図である。 図2は一実施例を適用した特殊光学2(物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク)の概要を模式的に示す構成説明図である。 図3は一実施例を適用した特殊光学3(物体側テレセントリックレンズ系による反射型シュリーレン観察)の概要を模式的に示す構成説明図である。 図4は一実施例を適用した特殊光学4(物体側テレセントリックレンズ系による透過型シュリーレン観察)の概要を模式的に示す構成説明図である。 図5は、特殊光学1、特殊光学2、特殊光学3、特殊光学4で使用されている点光源をつくるためのピンホールユニット機構の概要を模式的に示す構成説明図である。 図6は、特殊光学3、特殊光学4で使用されているナイフエッジ調整ユニットの概要を模式的に示す構成説明図である。
即ち、図1に示す実施例、特殊光学1(物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク)の構成において、ランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して点光源Aをつくり、前記点光源Aから前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10aの焦点距離の位置近くに前記レンズA10aが来るように前記物体側テレセントリックレンズ10を設置し、また前記点光源Aから前記レンズA10aに光が垂直に入光するように前記物体側テレセントリックレンズ10内にハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。
さらに前記平行光束の光路Bを反射率の高い試料14に垂直にあて、反射してもどってきた光のみを前記レンズA10a、前記ハーフミラー11を通過して前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。
前記像面Dの位置にカメラ17を設置する構成により物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク観察を可能とする。
前記カメラ17の代わりに白いスクリーンを設置しても前記物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク観察は可能である。
図1の構成により透過率の高い試料14の観察(透過型シャドーマスクの観察)を行う場合、前記レンズA10aと面精度の高い鏡18を平行に設置し前記透過率の高い試料14を前記鏡18の表面に置くことにより物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク観察は可能である。
即ち、図2に示す実施例、特殊光学2(物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク)の構成においてランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して点光源Aをつくり、前記点光源Aから前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10aと同類である平行光束ユニット16内レンズA10aの焦点距離の位置近くに前記平行光束ユニット16内前記レンズA10aがくるように前記平行光束ユニット16を設置し、また前記点光源Aから前記平行光束ユニット16内前記レンズA10aに光が垂直に入光するように前記平行光束ユニット16内にハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。
さらに前記平行光束の光路Bを透過率の高い試料14になるべく垂直にあてて透過した光のみを前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10a、レンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。
前記像面Dの位置にカメラ17を設置する構成により物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク観察を可能とする。
前記カメラ17の代わりに白いスクリーンを設置しても前記物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク観察は可能である。
即ち、図3に示す実施例、特殊光学3(物体側テレセントリックレンズ系による反射型シュリーレン観察)の構成においてランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して点光源Aをつくり、前記点光源Aから前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10aの焦点距離の位置近くに前記レンズA10aがくるように前記物体側テレセントリックレンズ10を設置し、また前記点光源Aから前記レンズA10aに光が垂直に入光するように前記物体側テレセントリックレンズ10内にハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。
さらに前記平行光束の光路Bを反射率の高い試料14に垂直にあて、反射してもどってきた光のみを前記レンズA10a、前記ハーフミラー11を通過して前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。
さらに前記レンズC10cと前記像面Dの間につくられた平行光束の集光点Cのもっとも集光している所へナイフエッジ調整ユニット15内にあるナイフエッジを微調整しながら前記平行光束の集光点Cを垂直に切ることにより物体側テレセントリックレンズ系による反射型シュリーレン観察を可能とする。
前記カメラ17の代わりに白いスクリーンを設置しても前記物体側テレセントリックレンズ系による反射型シュリーレン観察は可能である。
即ち、図4に示す実施例、特殊光学4(物体側テレセントリックレンズ系による透過型シュリーレン観察)の構成においてランプ光源12より高輝度の光がピンホールユニット機構13に入光して点光源Aをつくり、前記点光源Aから前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10aと同類である平行光束ユニット16内レンズA10aの焦点距離の位置近くに前記平行光束ユニット16内前記レンズA10aがくるように前記平行光束ユニット16を設置し、また前記点光源Aから前記平行光束ユニット16内前記レンズA10aに光が垂直に入光するように前記平行光束ユニット16内にハーフミラー11を設置して平行光束の光路Bをつくる。
さらに前記平行光束の光路Bを透過率の高い試料14になるべく垂直にあてて透過した光のみを前記物体側テレセントリックレンズ10内にあるレンズA10a、レンズB10b、レンズC10cにより像面Dをつくる。
さらに前記物体側テレセントリックレンズ10内にある前記レンズC10cと前記像面Dの間につくられた平行光束の集光点Cのもっとも集光している所へナイフエッジ調整ユニット15内にあるナイフエッジを微調整しながら前記平行光束の集光点Cを垂直に切ることにより物体側テレセントリックレンズ系による透過型シュリーレン観察を可能とする。
前記像面Dの位置にカメラ17を設置する構成により前記物体側テレセントリックレンズ系による透過型シュリーレン観察を可能とする。
前記カメラ17の代わりに白いスクリーンを設置しても前記物体側テレセントリックレンズ系による透過型シュリーレン観察は可能である。
前記図1・図2・図3・図4の構成により、従来の前記物体側テレセントリックレンズ系10の機能(試料の外観を正確に計測)をいかしながら反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察を可能にし前記試料14の内部や表面上の微細な欠陥や凹凸・歪をとらえる特殊光学系が可能となり、より正確な計測と同時に欠陥観察を可能とした今までにない特殊光学系の提供が可能となる。
即ち、図5に示す実施例、ピンホールユニット機構13の構成において、ピンホールユニット機構(可変式)19は、試料14の目的にあわせてピンホール可変モジュール21を右周りに回転させることによりピンホール可変機構20が開放から閉鎖に可変し、ピンホール23の外径が任意に設定可能とする。
さらに前記ピンホールユニット機構(可変式)19、及びピンホールユニット機構(スライド式)24は、ピンホールユニット機構交換スライダー22により脱着可能とする。
さらに前記ピンホールユニット機構交換スライダー22から前記ピンホールユニット機構(可変式)19をはずしてピンホールユニット機構(スライド式)24を前記ピンホールユニット機構交換スライダー22に設置することにより、任意にピンホール(多種)23設定が可能となり用途にあわせた点光源Aの設定が可能となる。
さらに前記ピンホール23の中心が光軸の中心近くに設置可能にするために前記ピンホールユニット機構交換スライダー22内にクリック機構22aを内蔵する。
即ち、図6に示す実施例、ナイフエッジ調整ユニット15の構成において前記ナイフエッジ調整ユニット15は、前記試料14の目的にあわせてナイフエッジ微動調整ツマミ29を回転させることによりナイフエッジA27またはナイフエッジB28が平行光束の集光点Cを切ることで透過・反射シュリーレン観察を可能とする。
さらに前記透過・反射シュリーレン観察の目的に対して画像表現を変えられるように、ナイフエッジ調整ユニットスライダー25をナイフエッジ調整ユニット回転機構30に固定し、前記平行光束の集光点Cの中心に対して前記ナイフエッジ調整ユニット回転機構30が回転できるよう設置することにより前記ナイフエッジ調整ユニット15が前記平行光束の集光点Cの中心に対して回転可能となり、あらゆる方向から前記ナイフエッジA27または前記ナイフエッジB28が前記平行光束の集光点Cを切ることが可能となり、切る度合いと方向により前記試料14の目的にあわせた色々な前記透過・反射シュリーレン観察が可能となる。
さらに前記ナイフエッジ調整ユニットスライダー25の設置により、必要に応じて前記ナイフエッジ調整ユニット15を脱着可能とし、あるゆる形状のナイフエッジの設置を可能とする。
前記試料14の仕様もしくは観察するための条件が同類であるならば、前記ピンホールユニット機構13及び前記ナイフエッジ調整ユニット15の調整機構ならびに交換仕様は、固定に設定してもかまわない。
10 物体側テレセントリックレンズ系
10a レンズA
10b レンズB
10c レンズC
11 ハーフミラー(ビームスプリッター)
12 ランプ光源
13 ピンホールユニット機構
14 試料(反射率の高い試料・透過率の高い試料)
15 ナイフエッジ調整ユニット
16 平行光束ユニット
17 カメラ
18 鏡
19 ピンホールユニット機構(可変式)
20 ピンホール可変機構
21 ピンホール可変モジュール
22 ピンホールユニット機構交換スライダー
22a クリック機構
23 ピンホール(多種)
24 ピンホールユニット機構(スライド式)
25 ナイフエッジ調整ユニットスライダー
26 ナイフエッジ微動ベース
27 ナイフエッジA
28 ナイフエッジB
29 ナイフエッジ微動調整ツマミ
30 ナイフエッジ調整ユニット回転機構
A 点光源
B 平行光束の光路
C 平行光束の集光点
D 像面
E 光束
10a レンズA
10b レンズB
10c レンズC
11 ハーフミラー(ビームスプリッター)
12 ランプ光源
13 ピンホールユニット機構
14 試料(反射率の高い試料・透過率の高い試料)
15 ナイフエッジ調整ユニット
16 平行光束ユニット
17 カメラ
18 鏡
19 ピンホールユニット機構(可変式)
20 ピンホール可変機構
21 ピンホール可変モジュール
22 ピンホールユニット機構交換スライダー
22a クリック機構
23 ピンホール(多種)
24 ピンホールユニット機構(スライド式)
25 ナイフエッジ調整ユニットスライダー
26 ナイフエッジ微動ベース
27 ナイフエッジA
28 ナイフエッジB
29 ナイフエッジ微動調整ツマミ
30 ナイフエッジ調整ユニット回転機構
A 点光源
B 平行光束の光路
C 平行光束の集光点
D 像面
E 光束
本考案は、物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより、反射型・透過型シャドーマスク観察及び反射型・透過型シュリーレン現象観察が可能となる特殊光学機器に関するものである。
従来の物体側テレセントリックレンズ系では主光線が焦点を通るよう配置された光学系のため焦点のズレが多少あっても大きさが変わらず、視差による画像の歪が少ないため、試料の外観を正確に計測する目的のためだけの光学機器として広く活用されている。
以上に述べた従来の物体側テレセントリックレンズ系による試料の外観を正確に計測する目的以外に、前記試料の内部の微細な歪もしくは表面上の微細な欠陥や凹凸を一つの光学機器で同時に2つの情報をとらえることで、前記試料に対する正確な解析を可能とし、前述の仕様内容を飛躍しようとするものである。
本考案は、物体側テレセントリックレンズ系の光学仕様を活かし、とらえた試料の外観を正確に計測する目的と同時に前記物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察を可能にし前記試料の内部や表面上の微細な欠陥や凹凸・歪をとらえる特殊光学機器を考案することにより従来の前記物体側テレセントリックレンズ系の機能以外に仕様内容を飛躍する。
以上、上述のように本考案によれば、物体側テレセントリックレンズ系に点光源及びナイフエッジを内蔵することにより、従来の前記物体側テレセントリックレンズ系の機能(試料の外観を正確に計測)を維持しながら反射型・透過型シャドーマスク及び反射型・透過型シュリーレン現象の観察を可能にし前記試料の内部や表面上の微細な欠陥や凹凸・歪をとらえる特殊光学機器を考案することにより正確な計測と同時に欠陥観察を可能とした今までにない特殊光学機器の提供が可能となる。
Claims (6)
- 物体側テレセントリックレンズ系により観察試料側に限りなく平行光束が照射するような同軸落射平行光束をつくるために、前記物体側テレセントリックレンズ系内にある前記観察試料側レンズAの焦点距離の長さ近くに前記レンズAから距離をおいて点光源を設置し、さらに前記物体側テレセントリックレンズ系の光軸に前記点光源から出光した光束が前記レンズAに入光するように前記物体側テレセントリックレンズ系内の前記レンズAの像側にハーフミラーもしくはビームスプリッターを設置する考案により、前記物体側テレセントリックレンズ系内より限りなく平行光束に近い前記同軸落射平行光束がつくられ前記物体側テレセントリックレンズ系による反射型シャドーマスク観察が可能となる。
- 上記請求項1の考案をもとに、前記物体側テレセントリックレンズ系による透過型シャドーマスク観察を行う考案に対して、観察試料の後方に平面度及び反射率の高いミラーを設置、もしくは前記物体側テレセントリックレンズ系同等品Aを観察試料の後方に設置して前記物体側テレセントリックレンズ系の光軸が重なるように観察することにより前記透過型シャドーマスク観察を考案する。
- 上記請求項1・請求項2の考案に対し前記物体側テレセントリックレンズ系の像側に集光する位置にナイフエッジを設置し、前記ナイフエッジにより前記集光した光束を切る考案により前記請求項1において前記物体側テレセントリックレンズ系による反射によるシュリーレン現象が可能となり、さらに前記請求項2において透過によるシュリーレン現象観察が可能となる。
- 上記請求項1、請求項2、請求項3の考案に対し、観察試料の目的に合わせた観察を可能にするため、前記点光源に使用されるピンホールは多種交換もしくは、可変可能とする機構ユニットを考案する。
- 上記請求項3の考案に対して、観察試料の目的に合わせた観察を可能にするため、前記ナイフエッジの微動調節可能な機構を有し、前記ナイフエッジは多種交換を可能とし且つ前記光束に対して色々な角度から前記ナイフエッジで前記光束を切る機構ユニットを考案する。
- 上記請求項1、請求項2、請求項3に対して低コストにするために、前記請求項1、請求項2、請求項3内にある前記ピンホールを固定とし、さらに前記請求項3に対する前記ナイフエッジの固定設置を考案する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004993U JP3109305U (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 特殊光学機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004993U JP3109305U (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 特殊光学機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP3109305U true JP3109305U (ja) | 2005-05-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004004993U Expired - Fee Related JP3109305U (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 特殊光学機器 |
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JP (1) | JP3109305U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114923866A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-08-19 | 哈尔滨工程大学 | 基于纹影和mie方法的气液两相流同场测试系统及处理方法 |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2004004993U patent/JP3109305U/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114923866A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-08-19 | 哈尔滨工程大学 | 基于纹影和mie方法的气液两相流同场测试系统及处理方法 |
CN114923866B (zh) * | 2022-04-11 | 2023-03-24 | 哈尔滨工程大学 | 基于纹影和mie方法的气液两相流同场测试系统及处理方法 |
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