JP3099777U - 中間周波同調回路 - Google Patents

Abstract

【課題】　平衡型の中間周波同調回路を簡単に複同調回路で構成して隣接チャンネルの妨害をなくす。
【解決手段】　平衡２線間２、３間に介挿された直列接続の第一及び第二のインダクタンス素子５、６と、平衡２線２、３間に介挿された直列接続の第一及び第二の容量素子７、８とを備え、第一及び第二のインダクタンス素子５、６の相互接続点を高周波的に接地すると共に、第一及び第二の容量素子７、８の相互接続点をリアクタンス素子９によって接地することで二つの単同調回路１１、１２を容量素子Ｃ１によって相互結合した。
【選択図】　　　　図１

Description

　本考案はテレビジョンチューナ等に用いられる中間周波同調回路に関する。

　テレビジョンチューナにおいては図５に示すように平衡型の中間周波同調回路が用いられる。混合器２１の平衡出力端に接続された平衡２線２２、２３は中間周波増幅器２４の平衡入力端に結合される。混合器２１及び中間周波増幅器２４は、他の回路（例えば混合器２１に局部発振信号を供給するための発振器等、図示せず）と共に集積回路２０内に構成される。平衡２線２２、２３の間には直列接続された第一及び第二のインダクタンス素子２５、２６が接続される。二つのインダクタンス素子２５、２６の相互接続点には電源電圧Ｖｃｃが印加され、この電源電圧は二つのインダクタンス素子２５、２６及び平衡２線２２、２３を介して混合器２１に供給される。

　また、平衡２線２２、２３間には容量素子２７が接続される。よって、直列接続の二つのインダクタンス素子２５、２６と容量素子２７との単同調回路によって中間周波同調回路２８が構成される。

　中間周波同調回路２８の同調周波数は通常中間周波帯の中心周波数近傍となるように調整されるが、単同調回路であるために所望の帯域Ｂ内での平坦度が得られにくい。そこで、平坦度を得るため容量素子２７に並列に抵抗（図示せず）を接続して中間周波同調回路２８のＱをダンピングする手法が取られる。

　中間周波同調回路のＱをダンピングすることによって所望の帯域内をある程度平坦にすることが出来るが、帯域外の減衰特性が緩慢となり、隣接チャンによる妨害が現れるという問題が発生する。

　この考案は、平衡型の中間周波同調回路を簡単に複同調回路で構成して隣接チャンネルの妨害をなくすことを目的とする。

　上記課題に対して、本考案では、平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二のインダクタンス素子と、前記平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二の容量素子とを備え、前記第一及び第二のインダクタンス素子の相互接続点を高周波的に接地すると共に、前記第一及び第二の容量素子の相互接続点をリアクタンス素子によって接地した。

　また、前記第リアクタンス素子を第三の容量素子とした。

　また、前記第三の容量素子に抵抗を直列又は並列に接続した。

　本考案は、平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二のインダクタンス素子と、平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二の容量素子とを備え、第一及び第二のインダクタンス素子の相互接続点を高周波的に接地すると共に、第一及び第二の容量素子の相互接続点をリアクタンス素子によって接地したので、Ｙ結線された二つの容量素子及びリアクタンス素子がΔ変換されたの回路と二つのインダクタンス素子とによって複同調回路が簡単に構成される。よって、帯域内の平坦度が得られる共に帯域外の減衰特性が急峻となり、隣接チャンネルに信号による妨害が少なくなる。

　また、第リアクタンス素子を第三の容量素子としたので、二つの単同調回路が形成されると共にそれらを容量素子によって簡単に相互結合させることができる。

　また、第三の容量素子に抵抗を直列又は並列に接続したので、複同調回路を適宜にＱダンピングさせることができる。

　テレビジョン３ューナ等における平衡型の中間周波同調回路を図１に示す。混合器１の平衡出力端に接続された平衡２線２、３は中間周波増幅器４の平衡入力端に結合される。混合器１及び中間周波増幅器４は、他の回路（例えば混合器１に局部発振信号を供給するための発振器等、図示せず）と共に集積回路１０内に構成される。平衡２線２、３はそれぞれ集積回路１０に設けられた端子１０ａ、１０ｂ間及び１０ｃ、１０ｄ間に接続される。

　平衡２線２、３の間には直列接続された第一及び第二のインダクタンス素子５、６が接続される。二つのインダクタンス素子５、６の相互接続点には電源電圧Ｖｃｃが印加され、この電源電圧は二つのインダクタンス素子５、６及び平衡２線２、３を介して混合器１に供給される。よって、二つのインダクタンス素子５、６の相互接続点は高周波的に接地されている。

　また、平衡２線２、３間には直列接続の第一及び第二の容量素子７、８が接続される。そして、二つの容量素子７、８の相互接続点はリアクタンス素子、例えば第三の容量素子９によって接地される。よって、第一乃至第三の容量素子７〜９はＹ結線回路を構成している。このＹ結線回路をＣ１乃至Ｃ３からなるデルタ（Δ）結線回路に変換すると図２に示す回路となり、容量素子Ｃ１は直列接続のインダクタンス素子５、６に並列接続され、容量素子Ｃ２は第一のインダクタンス素子５に並列接続され、容量素子Ｃ３が第二のインダクタンス素子６に並列接続される。

　図２の回路は図３のようになり、平衡２線の一方２とグランドとの間にはインダクタンス素子５と容量素子Ｃ２との並列回路からなる単同調回路１１が接続され、他方の線３とグランドとに間にはインダクタンス素子６と容量素子Ｃ３との並列回路からなる単同調回路１２が接続される。そして、二つの単同調回路１１、１２のホット側が容量素子Ｃ１によって相互結合される。

　図３において、端子１０ａ、１０ｃに入力される中間周波信号は互いに逆位相となている。ここで、端子１０ａに入力される中間周波信号を不平衡信号としてみれば、この信号は単同調回路１１を一次側同調回路とし、単同調回路１２を二次側同調回路とする複同調回路を介して端子１０ｄに出力される。同様に、端子１０ｃに入力される中間周波信号（不平衡信号）は単同調回路１２を一次側同調回路とし、単同調回路１１を二次側同調回路とする複同調回路を介して端子１０ｂに出力される。この結果、端子１０ｂ、１０ｄ間には図４に示すような所定の帯域Ｂ内で平坦になると共に、帯域外では急峻に減衰する複同調特性の中間周波信号が平衡出力される。

　リアクタンス素子としての第三の容量素子９に抵抗を直列又は並列接続すれば、二つの単同調回路１１、１２がＱダンピングされるので、帯域内を一層平坦にすることができる。また、リアクタンス素子としては容量素子に限らず、端に抵抗やインダクタンス素子を用いてもよい。

本考案の中間周波同調回路の構成を示す回路図である。 本考案の中間周波同調回路の等価回路図である。 本考案の中間周波同調回路の等価回路図である。 本考案の中間周波同調回路の特性図である。 従来の中間周波同調回路の構成を示す回路図である。 従来の中間周波同調回路の特性図である。

符号の説明

　１：混合器
　２、３：平衡２線
　４：中間周波増幅器
　５：第一のインダクタンス素子
　６：第二のインダクタンス素子
　７：第一の容量素子
　８：第二の容量素子
　９：第三の容量素子（リアクタンス素子）
　１０：集積回路
　１０ａ〜１０ｄ：端子
　１１、１２：単同調回路
　Ｃ１〜Ｃ３：容量素子

Claims (3)

1. 平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二のインダクタンス素子と、前記平衡２線間に介挿された直列接続の第一及び第二の容量素子とを備え、前記第一及び第二のインダクタンス素子の相互接続点を高周波的に接地すると共に、前記第一及び第二の容量素子の相互接続点をリアクタンス素子によって接地したことを特徴とする中間周波同調回路。
2. 前記第リアクタンス素子を第三の容量素子としたことを特徴とする請求項１に記載の中間周波同調回路。　
3. 前記第三の容量素子に抵抗を直列又は並列に接続したことを特徴とする請求項２に記載の中間周波同調回路。
   

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