JP3088721B1 - 不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法

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    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Abstract

【要約】 【課題】 装置をクリーニングするために装置の稼働率
の低下や健康上の問題がなく、かつ装置を簡単にクリー
ニングすることが可能な不純物処理装置及び不純物処理
装置のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 チャンバ１１に、不純物含有ガス供給部
１０２Ｂと接続された不純物含有ガスの導入口と、不純
物含有ガスを用いてイオン注入し、或いはドーピング
し、又はその上に成膜する被処理層を保持する基板保持
具１２ｂと、不純物含有ガスの流れの向きに従って基板
保持具１２ｂよりも上流に設けられた、水分含有ガス供
給部１０２Ｃと接続された水分含有ガスの導入口と、水
分含有ガスの導入口から基板保持具１２ｂに至る間に設
けられた、水分含有ガスをプラズマ化する第１のプラズ
マ生成手段１２ａ，１２ｂ，１６とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物処理装置及
び不純物処理装置のクリーニング方法に関し、より詳し
くは、リンやボロン等の不純物を半導体基板等にドーピ
ングし、或いはＰＳＧ（PhosphoSilicateGlass）膜やＢ
ＳＧ（BoroSilicateGlass）膜或いはＢＰＳＧ（BoroPho
sphoSilicateGlass）膜或いはカーボン膜等を成膜する
不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超高密度の半導体集積回路装置の
作成において、半導体基板中にｐ型又はｎ型の不純物領
域を形成する場合や、中性子線吸収に用いられる非晶質
ホウ素膜又は非晶質カーボン膜を形成する場合、イオン
注入法、又は、平行平板型電極や、ＥＣＲ（Electron C
yclotron Resonance）を起こさせるマイクロ波（μ波）
の導波管、或いはヘリコンプラズマを生成する電力放射
用アンテナなどのプラズマ生成手段を用いたプラズマド
ーピング方法、又は、このようなプラズマ生成手段でプ
ラズマ化した不純物含有成膜ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition）法等が知られてい
る。
【０００３】図６は、従来例のプラズマドーピング装置
１０１の構成を示す側面図である。このプラズマドーピ
ング装置１０１は、同図に示すように、プラズマガスに
より被処理基板５１に不純物をドーピングするプラズマ
処理部１０１Ａと、ドーピングガス源を有するドーピン
グガス供給部１０１Ｂとから構成され、プラズマ処理部
１０１Ａのプラズマ生成源として平行平板型の電極を用
いている。
【０００４】プラズマ処理部１０１Ａは、図６に示すよ
うに、ドーピングガスをプラズマ化し、これを用いて被
処理基板５１に対してドーピングを行う減圧可能な処理
室(チャンバ)１を有する。処理室１は吸／排気用の配管
８ａを通して排気装置６と接続されている。処理室１内
には対向する一対の上部電極２ａ及び下部電極２ｂが備
えられ、これらの電極２ａ、２ｂ間にＤＣ（直流）、Ａ
Ｃ（交流（周波数５０Ｈｚ又は６０Ｈｚ））、ＬＦ（低
周波（周波数１００〜８００ｋＨｚ）或いはＲＦ（高周
波（周波数１〜２５ＭＨｚ））の電源５から電力が供給
されて、ドーピングガスがプラズマ化される。上部電極
２ａ、下部電極２ｂ及び電源５がドーピングガスをプラ
ズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【０００５】上部電極２ａはドーピングガスの分散具を
兼ねており、上部電極２ａにはドーピングガスの放出口
３が設けられている。このドーピングガスの放出口３は
ドーピングガス供給部１０１Ｂと配管８ｂで接続されて
いる。下部電極２ｂは被処理基板５１の保持台を兼ね、
下部電極２ｂの下に被処理基板５１を加熱するヒータ４
を備えている。
【０００６】ドーピングガス供給部１０１Ｂには、ドー
ピングガスを収納するガスボンベ７が設置されている。
これらのガスボンベ７から配管８ｃ、８ｄ及び８ｂを通
してプラズマ処理部１０１Ａの処理室１にドーピングガ
スが供給される。このプラズマドーピング装置において
は、長時間繰り返し使用すると、ドーピングする元素を
含む気体の分解生成物が上記チャンバ１の仕切壁の内壁
やグロー放電を発生させる電極２ａ，２ｂの表面等に付
着する。このような事情は、イオン注入装置やプラズマ
ＣＶＤ装置でも同じである。
【０００７】グロー放電を発生させる電極２ａ，２ｂの
表面に絶縁性の分解生成物が堆積すると、チャージアッ
プが生じ、グロー放電が不安定になる。また、ＥＣＲを
用いた装置ではμ波をプラズマ生成室に導入する窓のガ
ラス表面が汚れ、プラズマ生成室の内壁にも分解生成物
が堆積し、プラズマ生成効率が低下する。このような状
態が続くと放電が不安定になり、使用が困難になる。ま
た、最悪の場合には放電が停止し、使用できなくなる。
【０００８】その他、弱いｐ型やｎ型をドーピングする
場合はチャンバ内壁に付着したドーピング不純物を含む
分解生成物がスパッタされて半導体基板に付着し、低濃
度ドーピングが困難になる。そこで、ドーピングを再現
性良く行うには、チャンバ内壁に付着した分解生成物の
除去が必要になってくる。通常、このような処理装置の
チャンバ内のクリーニングには、以下の方法が知られて
いる。
【０００９】（ｉ）アルゴンや水素の気体中で少なくと
も１時間グロー放電させる方法が知られている。また、
イオン注入機のイオンソースハウジング内壁のクリーニ
ング方法として水素やアルキル系の物質を用いた方法
が、例えば特開平３−６４４６２号公報に知られてい
る。 （ii）装置を分解し、例えば過酸化水素水とアンモニア
水との混合液に各部品を浸した後、機械的に紙やすりや
ワイヤブラシを用いて手作業で削り落とし、洗浄後再び
組み立てて使用する方法が知られている。
【００１０】（iii）イオン注入装置のイオンビームの
通過路をクリーニングする方法としてO2、O3等の酸素含
有ガスやCF4、C2F6、NF3等のフッ化ハロゲンガスのグロ
ー放電により内壁等に付着した反応生成物をガス化して
クリーニングする方法が、例えば特開平４−１１２４４
１号公報に知られている。また、ClF3等のフッ化ハロゲ
ンガスを用いた例が、例えば特開平８−１６２４３３号
公報に知られている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
不純物処理装置のクリーニング方法では、以下のような
問題がある。即ち、 （ｉ）アルゴンや水素の気体中でグロー放電させる方法
では以下のような欠点がある。即ち、アルゴンの場合は
シリコン基板の表面に付着した不純物層は除去される
が、シリコン基板の表面も除去されると同時にこの不純
物原子がノックオン効果によりシリコン基板中に侵入
し、活性化する。さらに、反応装置の内壁の素材もスパ
ッタされ、シリコン基板表面に付着したり基板中に侵入
したりして、デバイス特性に悪影響を及ぼすことがあ
る。
【００１２】水素の場合は、例えば、ホウ素が主成分の
付着物のときは水素との反応生成物が生じ、反応槽を大
気に開放するとジボラン臭が強く漂い人体の健康上好ま
しくない。しかも、１時間程度グロー放電を続けるとシ
リコン基板の表面に荒れが生じる。さらに、アルゴンと
水素は付着物が部分的に除去され始めるとその部分に放
電が集中し、装置の内壁、電極表面及びシリコン基板の
表面に荒れが生じる。その他のガスでは、ヘリウムはほ
とんど付着物が除去されないので実用性がない。
【００１３】（ii）装置を分解し、薬品で化学的に、又
はワイヤブラシ等で機械的にクリーニングする方法で
は、組み立て後の微妙な調整や真空度の回復に多くの手
間と時間がかかってしまう。また、ドーピング不純物元
素が人体に付着したり吸い込んだりすることがあり健康
上不都合な点が多い。 （iii）ClF3、CF4、C2F6等のフッ化ハロゲンガスのグロ
ー放電により内壁等に付着した反応生成物をガス化して
クリーニングする方法では、ClやＦの分解生成物が発生
し、薬品取り扱い上十分な注意が必要であるし、排ガス
の無害化処理等の公害対策に多額の経費がかかる。その
他のガス、例えば酸素ではほとんど付着物が除去されな
いので実用性がない。
【００１４】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、装置をクリーニングするために
装置の稼働率の低下や健康上の問題がなく、かつ装置を
簡単にクリーニングすることが可能な不純物処理装置及
び不純物処理装置のクリーニング方法を提供するもので
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、不純物処理装置に係り、リ
ン、ボロン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウ
ム、若しくはゲルマニウムのうち何れか一の元素、又は
前記元素のうち何れか一以上を含む不純物含有ガスを供
給する不純物含有ガス供給部と、前記不純物含有ガス供
給部と接続された不純物含有ガスの導入口と、前記不純
物含有ガスを用いてイオン注入し、或いはドーピング
し、又はその上に成膜する被処理層を保持する基板保持
具とを備えたチャンバとを有する不純物処理装置におい
て、不純物含有ガスを用いた処理により生じた反応生成
物を除去する処理ガスの供給部として水分含有ガスを供
給する水分含有ガス供給部のみを有し、かつ、前記チャ
ンバには前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記
基板保持具よりも上流に設けられた、前記水分含有ガス
供給部と接続された水分含有ガスの導入口と、前記不純
物含有ガスの流れの向きに従って前記水分含有ガスの導
入口から前記基板保持具に至る間に設けられた、前記水
分含有ガスをプラズマ化する第１のプラズマ生成手段と
が備えられていることを特徴とし、請求項２記載の発明
は、請求項１記載の不純物処理装置に係り、前記不純物
含有ガスをプラズマ化する第２のプラズマ生成手段を有
することを特徴とし、請求項３記載の発明は、請求項２
記載の不純物処理装置に係り、前記第１のプラズマ生成
手段と前記第２のプラズマ生成手段とが同一であること
を特徴とし、請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
何れか一に記載の不純物処理装置に係り、前記第１のプ
ラズマ生成手段は、平行平板型の対の電極間に電圧を印
加してプラズマを生成する手段、電子サイクロトロン共
鳴によりプラズマを生成する手段、アンテナからの電磁
界の放射によりプラズマを生成する手段、または前記チ
ャンバの仕切壁と電極の間に電圧を印加してプラズマを
生成する手段であることを特徴とし、請求項５記載の発
明は、請求項１乃至４の何れか一に記載の不純物処理装
置に係り、前記水分含有ガスは、気化した水、又は前記
気化した水に水素或いはアルゴンを加えたガスであるこ
とを特徴とし、請求項６記載の発明は、請求項１乃至５
の何れか一に記載の不純物処理装置に係り、前記リン、
ボロン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、
若しくはゲルマニウムのうち何れか一以上を含む不純物
含有ガスは、前記リン、ボロン、アンチモン、砒素、ガ
リウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムの各元素
の水素化合物又は弗素化合物のうち何れか一以上を含む
ガスであることを特徴とし、請求項７記載の発明は、不
純物処理装置のクリーニング方法に係り、チャンバ内に
被処理層を置く工程と、リン、ボロン、アンチモン、砒
素、ガリウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムの
うち何れか一からなる元素、又は前記元素のうち何れか
一以上を含む不純物含有ガスを前記チャンバ内に導入し
てプラズマ化し、該プラズマを用いて前記被処理層にイ
オン注入し、或いはドーピングし、又は該被処理層上に
成膜する工程と、前記被処理層にイオン注入し、或いは
ドーピングし、又は該被処理層上に成膜した後、水分含
有ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、前記チャン
バ内の水分含有ガスをプラズマ化し、該水分含有ガスの
プラズマにより前記チャンバ内の前記不純物を含む生成
物又は残留物を除去する工程とを有することを特徴と
し、請求項８記載の発明は、請求項７記載の不純物処理
装置のクリーニング方法に係り、前記水分含有ガスは、
気化した水、又は前記気化した水に水素或いはアルゴン
を加えたガスであることを特徴とし、請求項９記載の発
明は、請求項７又は８記載の不純物処理装置のクリーニ
ング方法に係り、前記リン、ボロン、アンチモン、砒
素、ガリウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムの
うち何れか一以上を含む不純物含有ガスは、前記リン、
ボロン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、
若しくはゲルマニウムの各元素の水素化合物又は弗素化
合物のうち何れか一以上を含むガスであることを特徴と
している。
【００１６】以下に、上記本発明の構成により奏される
作用を説明する。本発明の不純物処理装置においては、
不純物含有ガスとしてホウ素、リン、砒素、ガリウム、
アルミニウム若しくはゲルマニウムの何れか一の元素単
体を含むガス、又はこれらの元素のうちの何れか一を含
む化合物等を含むガスを用いている。ホウ素を含む化合
物としてジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、３フッ化ホウ素（ＢＦ
3）等があり、リンを含む化合物としてフォスフィン
（ＰＨ3 ）等があり、砒素化合物としてアルシン（Ａｓ
Ｈ）等があり、ガリウムを含む化合物としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）等があり、アルミニウムを含む化合
物としてトリメチルアルミニウム（ＴＨＡＨ）等があ
り、ゲルマニウムを含む化合物としてゲルマン（ＧｅＨ
4 ）や４フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ4 ）等がある。実
際に使用する不純物含有ガスは、上記化合物を水素又は
ヘリウムで希釈したものを用いる。
【００１７】このようなガスを用いて、イオン注入やド
ーピングや成膜を行った場合、例えば、ジボランの場合
はホウ素を含む副生成物がチャンバの内壁やシリコン表
面に付着する。この副生成物を除去するクリーニングガ
スとして、従来水素又はフッ化ハロゲンガスを用いてい
た。これに対して、この発明では、その副生成物を除去
するために水を気化したガス、又は水分を含有させたキ
ャリアガスのプラズマを用いることを特徴としている。
水の気化ガス等のプラズマを用いると、水素等を用いた
場合に比べ、約１／１０のグロー放電時間で前記の副生
成物が除去される。しかも、鏡面シリコンの表面は荒れ
が生じないで鏡面状態のままである。
【００１８】水の気化ガス等を用いた場合に、水素等を
用いた場合に比べて１０倍以上除去率が高い理由として
以下のようなことが考えられる。水は分解すると、 Ｈ2Ｏ→Ｈ+＋ＯＨ- のように、Ｈ+ とＯＨ-に解離する。ドーピング後付着
する不純物はそれらのＨ+ やＯＨ-と反応してそれぞれＢ
Ｈ、ＰＨ、ＡｓＨ、ＳｂＨ等の形で気化し、チャンバの
内壁から除去される。実際に、水の気化ガスのグロー放
電中のプラズマ発光スペクトルを観測するとＨのほかに
ＯＨが観測され、同時にＢＨやＰＨなども認められる。
このような調査結果を考慮すると、ＯＨが発生すると、
ドーピング後処理室の内壁等に付着した不純物を含む生
成物から不純物の水素化物への形成が促進されるものと
考えられる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係るプラズマドーピング装置（不純物処理装置）１
０２の構成を示す側面図である。
【００２０】このプラズマドーピング装置１０２は、プ
ラズマガスにより被処理基板５２に不純物をドーピング
するプラズマ処理部１０２Ａと、ドーピングガス(不純
物含有ガス)源を有するドーピングガス供給部(不純物含
有ガス供給部)１０２Ｂと、クリーニング用の水分含有
ガスを生成する水分含有ガス供給部１０２Ｃから構成さ
れ、プラズマ処理部１０２Ａのプラズマ生成手段として
平行平板型の電極を用いている。
【００２１】プラズマ処理部１０２Ａは、図１に示すよ
うに、ドーピングガスをプラズマ化し、これを用いて被
処理基板５２に対してドーピングを行う減圧可能な処理
室(チャンバ)１１を有する。処理室１１は吸／排気用の
配管２３ａを通して排気装置１７と接続されている。配
管２３ａの途中には処理室１１と排気装置１７の間の導
通／非導通を制御する開閉バルブ２４ａが設けられてい
る。処理室１１には処理室１１内の圧力を監視する真空
計などの圧力計測手段１８が設けられている。
【００２２】処理室１１内には対向する一対の上部電極
１２ａ及び下部電極１２ｂが備えられ、これらの電極１
２ａ、１２ｂにＤＣ（直流）、ＡＣ（交流（周波数５０
Ｈｚ又は６０Ｈｚ））、ＬＦ（低周波（周波数１００〜
８００ｋＨｚ））或いはＲＦ（高周波（周波数１〜２５
ＭＨｚ））の電源１６から電力が供給されて、ドーピン
グガスや水分含有ガスがプラズマ化される。上部電極１
２ａ、下部電極１２ｂ及び電源１６がドーピングガスを
プラズマ化する第２のプラズマ生成手段を構成するとと
もに、水分含有ガスをプラズマ化する第１のプラズマ生
成手段をも構成する。
【００２３】上部電極１２ａは不純物含有ガスの分散具
を兼ねている。上部電極１２ａには複数の貫通孔が形成
され、下部電極１２ｂとの対向面における貫通孔の開口
がドーピングガスや水分含有ガスの放出口（導入口）１
３となる。このドーピングガス等の放出口１３はドーピ
ングガス供給部１０２Ｂ及び水分含有ガス供給部１０２
Ｃと配管２３ｂで接続されている。
【００２４】下部電極１２ｂは被処理基板５２の保持台
を兼ね、下部電極１２ｂの下に被処理基板５２を加熱す
るヒータ１４を備えている。ヒータ１４は電源１５から
電力が供給されて発熱する。ドーピングガス供給部１０
２Ｂには、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）やフォスフィン（Ｐ
Ｈ3）等のドーピングガスを収納するガスボンベ１９が
設置されている。これらのガスボンベ１９から配管２３
ｃ、２３ｄ及び２３ｂを通してプラズマ処理部１０２Ａ
の処理室１１にドーピングガスが供給される。図１では
２つのガスボンベ１９が接続されているが、他のドーピ
ングガスが必要な場合さらに増やすことも可能である。
各ガスボンベ１９から出ている配管２３ｃ、２３ｄの途
中に流量調整手段や開閉手段等を含むガス制御手段２４
ｂ、２４ｃが設置されている。
【００２５】水分含有ガス供給部１０２Ｃでは、水の気
化ガスを作成する水分含有ガス作成装置を有する。水２
２を容れた水収納容器２０と、水２２を加熱するヒータ
２１と、水の気化ガスを導く配管２３ｅとを備えてい
る。前記したように配管２３ｅは処理室１１に繋がって
いる。各配管２３ｅ、２３ｆの途中にそれぞれ流量調整
手段や開閉手段等を含むガス制御手段２４ｄ、２４ｅが
設置されている。
【００２６】なお、水分含有ガス供給部１０２Ｃの構成
として他の構成も可能である。例えば、図２は図１中に
おける水分含有ガス供給部１０２Ｃの他の構成を示す側
面図である。図２に示すように、水収納容器２０中の水
２２にキャリアガスを導く配管２３ｆを差し込んで、キ
ャリアガス中に水分を含ませるようにすることも可能で
ある。キャリアガスとして水素（Ｈ2）やアルゴン（Ａ
ｒ）等を用い得る。又は、水を加熱することにより生成
した水の気化ガスを水素ガス（Ｈ2）やアルゴン（Ａ
ｒ）ガスと混合させることにより、水分含有ガスを作成
するような構成であってもよい。
【００２７】以上のようなプラズマドーピング装置１０
２によれば、通常のプラズマドーピングに必要な構成の
ほかに、ドーピングガスの流れの向きに従って基板保持
具１２ｂよりも上流に設けられた水分含有ガスの放出口
１３と、水分含有ガスの放出口１３から基板保持具１２
ｂに至る間に設けられた、水分含有ガスをプラズマ化す
る第１のプラズマ生成手段１２ａ、１２ｂ及び１６とを
備えている。
【００２８】なお、この実施の形態の場合、第１のプラ
ズマ生成手段１２ａ、１２ｂ及び１６の最も上流に水分
含有ガスの放出口１３が設けられており、水分含有ガス
が導入されると、有効にプラズマ化される。また、第１
のプラズマ生成手段１２ａ、１２ｂ及び１６の最も下流
に基板保持具１２ｂが設けられており、プラズマガスが
被処理基板５２に有効に到達する。このような場合も、
この発明の範囲に含まれる。
【００２９】従って、プラズマドーピングの終了後に、
チャンバ１１内に不純物を含む副生成物や残留物が存在
していても、ドーピングガスの流路に水分含有ガスのプ
ラズマを生成することができる。水分含有ガスのプラズ
マ中の水素（Ｈ）や水酸基（ＯＨ）は不純物含有ガス中
の不純物と水素化物を形成する。また、水酸基（ＯＨ）
はその反応を促進すると考えられ、従来の場合よりも短
時間でチャンバ１１内から不純物を含む副生成物や残留
物を除去することができる。
【００３０】次に、上記のプラズマドーピング装置１０
２を用いて、被処理基板５２をプラズマ処理し、続い
て、プラズマドーピング装置１０２内をクリーニングす
る方法を説明する。実験的に容易に効果を確かめること
ができるようにするために、図３（ａ）〜（ｃ）に示す
工程に従って実験を行った。この場合、プラズマドーピ
ング装置１０２を成膜装置として用いている。そして、
ホウ素又はカーボンを含む不純物含有ガスを成膜ガスと
して用い、非晶質ホウ素膜或いは非晶質カーボン膜１１
２を形成する。
【００３１】まず、図３（ａ）に示すように、シリコン
基板（被処理層）５２を図１に示す処理室１１内の下部
電極１２ｂ上に載置する。続いて、不純物含有ガスを処
理室１１内に供給し、処理室１１内の圧力を凡そ１Torr
に保持する。この場合、不純物含有ガスとして、非晶質
ホウ素膜１１１を形成する場合ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を水
素或いはヘリウムでそれぞれ1000ppm程度に希釈したも
のを用い、或いは非晶質カーボン膜１１１を形成する場
合メタン（ＣＨ4）を水素或いはヘリウムでそれぞれ100
0ppm程度に希釈したものを用いる。
【００３２】次に、上部電極１２ａと下部電極１２ｂの
間にＤＣ、ＡＣ、ＬＦ或いはＲＦ電源１６から電力を供
給し、上部電極１２ａと下部電極１２ｂの間の不純物含
有ガスに印加する。これにより、不純物含有ガスはプラ
ズマ化し、シリコン基板５２の表面がこのプラズマに曝
される。所定時間の後、シリコン基板５２に膜厚凡そ１
μｍの非晶質ホウ素膜或いは非晶質カーボン膜１１１が
形成される。これをクリーニング用の試料として用い
る。
【００３３】次いで、図３（ｂ）に示すように、不純物
含有ガスを停止し、処理室１１内の圧力を１０-3Torr程
度にした後、水の気化ガスを処理室１１内に導入し、圧
力を１Torrに保持する。続いて、ＤＣ、ＡＣ、ＬＦ或い
はＲＦ電源１６から電力を供給し、上部電極１２ａと下
部電極１２ｂの間の水の気化ガスに印加し、グロー放電
を起こさせる。ＤＣの場合放電電圧を５００Ｖ程度と
し、又はＡＣの場合放電電圧を４００Ｖとし、ＬＦ及び
ＲＦの場合、印加電力を１００〜１０００Ｗとする。こ
れにより、処理室１１内の水の気化ガスをプラズマ化
し、このプラズマに非晶質ホウ素膜或いは非晶質カーボ
ン膜１１１を曝す。
【００３４】この状態を所定時間保持すると、図３
（ｃ）に示すように、非晶質ホウ素膜或いは非晶質カー
ボン膜１１１が除去される。実験結果によれば、ＤＣ
（放電電圧５９０Ｖ、放電電流０．２７Ａ（ほぼ１６０
Ｗに相当））、ＡＣ（放電電圧５４０Ｖ、放電電流０．
３Ａ（ほぼ１６０Ｗに相当））、ＬＦ及びＲＦの場合、
１０〜２０分程度で膜厚０．３〜１μｍの非晶質ホウ素
膜或いは非晶質カーボン膜１１１は略完全に除去され
た。しかも、シリコン基板５２の表面は鏡面状態が維持
されていた。クリーニング用のガスとして水素やアルゴ
ンを用いた場合にみられたような表面の荒れは観察され
なかった。
【００３５】上記の実験結果から、水の気化ガスのプラ
ズマ処理により、処理室１１の内壁や電極１２ａ、１２
ｂの表面に付着した副生成物も除去可能であることがわ
かる。実際に、上記と同様の放電条件で実験したとこ
ろ、膜厚数μｍの副生成物も１〜２時間という短時間の
うちに除去できた。これは、特に、内壁等に付着する副
生成物は膜質が粗で、ポーラスであるためだと考えられ
る。
【００３６】なお、不純物含有ガスとしてフォスフィン
等のリン化合物を用いた場合、リンの薄膜は形成されな
いので、成膜による実験は行わなかったが、フォスフィ
ン等のプラズマで処理した後、上記と同じ条件で水の気
化ガスのプラズマで処理室１１内を処理すると、処理室
１１を開放してもリン化合物の悪臭はなかった。さら
に、ＰＩＤ（Photo Ionization Detector）で処理室１
１内部のガスを検出したが、ＰＨ3は検出されなかっ
た。
【００３７】以上、この発明の第１の実施の形態によれ
ば、ホウ素やカーボン或いはリンのプラズマ処理を行っ
た後に水の気化ガス或いは水分含有ガスのプラズマ処理
を行うことにより、装置の内壁等を傷めることなく、ホ
ウ素やカーボン或いはリンのプラズマ処理により処理室
１１内に生成された副生成物やリン等を含む残留物を処
理室１１内から短時間に除去することができる。
【００３８】なお、上記では、不純物としてホウ素、カ
ーボン、リンの化合物に適用しているが、それらの単体
でもよい。また、ホウ素の化合物としてジボラン（Ｂ2
Ｈ6）を用いているが、他の化合物、例えば３フッ化ボ
ロン（ＢＦ3）その他の化合物にも適用できる。カーボ
ンの化合物としてメタン（ＣＨ4）を用いているが、他
の化合物にも適用できる。リンの化合物としてフォスフ
ィン（ＰＨ3）を用いているが、他の化合物にも適用で
きる。
【００３９】また、その他の不純物、例えば砒素やガリ
ウム、アルミニウムやゲルマニウム単体或いはそれらを
含む化合物にも適用することができる。砒素の化合物と
して代表的なものにアルシン（ＡｓＨ）があり、ガリウ
ムの化合物として代表的なものにトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）があり、アルミニウムの化合物の場合代表的
なものにトリメチルアルミニウム（ＴＭＡＨ）があり、
ゲルマニウムの化合物の場合、代表的なものにゲルマン
（ＧｅＨ4）や４フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ4）があ
る。
【００４０】また、処理室１１の仕切壁がアルミニウム
で形成されている場合、上記のように水の気化ガスのみ
で副生成物を除去すると、処理室１１の内壁や電極の表
面にアルミナ膜が形成されるので、チャージアップによ
る異常放電が発生しやすくなる。そこで、水の気化ガス
に水素又はアルゴンガスを混合する。この場合、水の気
化ガスに対して水素又はアルゴンガスを体積比で約５０
％程度加えることが好ましい。または、水素又はアルゴ
ンガスを水中に吹き込んでバブリングし、水分を含む水
素又はアルゴンガスを用いて、上記説明した条件で、グ
ロー放電を発生させる。水素又はアルゴンガスを加える
ことにより、アルミナ膜が形成されなくなるので、安定
した放電が得られる。
【００４１】（第２の実施の形態）図４は、本発明の第
２の実施の形態に係るプラズマドーピング装置（不純物
処理装置）１０３の構成を示す側面図である。図４中に
おける水分含有ガス供給部１０３Ｃの詳細な構成は、図
１と同じであるので、説明を省略する。図４は、ＥＣＲ
（Electron Cyclotron Resonance）によるプラズマ生成
手段を有するプラズマドーピング装置（不純物処理装
置）であり、図１と異なるところは、プラズマ生成部３
１とプラズマ処理部３２とが分離されている点、プラズ
マ生成手段としてマイクロ波（周波数２．４５ＧＨｚ）
を用いている点である。なお、この場合も、プラズマド
ーピング装置１０３を成膜装置として用いることもでき
る。
【００４２】以下に、この実施の形態の装置構成につい
て図４を参照して説明する。この実施の形態に係る装置
構成も、図１の装置構成と同様に、プラズマ処理部１０
３Ａと、不純物含有ガス供給部１０３Ｂと、水分含有ガ
ス供給部１０３Ｃとから構成される。このうち、不純物
含有ガス供給部１０３Ｂと、水分含有ガス供給部１０３
Ｃとは図１と同様な構成を有するので、説明を省略す
る。このほかに、図中、図１と同じ符号は図１と同じも
のを示すので、特に必要のない限り説明を省略する。
【００４３】プラズマ処理部１０３Ａは、プラズマ生成
部３１と、プラズマ処理部３２とから構成され、仕切壁
によって外界と隔てられている。プラズマ生成部３１に
は、不純物含有ガス供給部１０３Ｂ及び水分含有ガス供
給部１０３Ｃからの配管２３ｂが最上流部に接続されて
おり、不純物含有ガスや水分含有ガスが導入される。ま
た、最上流部にマイクロ波の導波管３５がガラス板３４
を介して接続され、電源３６からプラズマ生成部３１に
周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力を導く。さら
に、プラズマ生成部３１の仕切壁の外周には磁場を発生
させるコイル３７が設けられており、マイクロ波電力と
磁場により電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を起こさ
せて不純物含有ガスや水分含有ガスに電力を加え、プラ
ズマ化する。
【００４４】プラズマ処理部３２は、基板保持具３３を
備え、プラズマ処理部３２を囲む仕切壁と基板保持具３
３の間に電源３８が接続され、この間に電圧を印加する
ことができるようになっている。この電圧は、基板保持
具３３を負の電圧にバイアスし、イオンを加速するため
に印加される。以上、第２の実施の形態のプラズマドー
ピング装置１０３によれば、通常のプラズマドーピング
に必要な構成のほかに、水分含有ガス供給部１０３Ｃを
備えており、さらに不純物含有ガスの流れの向きに従っ
て基板保持具３３よりも上流に設けられた水分含有ガス
の導入口と、水分含有ガスの導入口から基板保持具３３
に至る間に設けられた、水分含有ガスをプラズマ化する
第１のプラズマ生成手段３５、３６及び３７とを備えて
いる。
【００４５】即ち、プラズマ生成部３１とプラズマ処理
部３２とが分離しているが、第１の実施の形態と同じよ
うな構成を有するため、第１の実施の形態と同じような
効果を有する。 （第３の実施の形態）図５は、本発明の第３の実施の形
態に係るイオン注入装置（不純物処理装置）１０４の構
成を示す側面図である。図５中における水分含有ガス供
給部１０４Ｂの詳細な構成は、図１と同じであるので、
説明を省略する。
【００４６】図５において、通常のイオン注入に必要な
装置構成を有するイオン注入部１０４Ａのほかに、水の
気化ガス等を供給する水分含有ガス供給部１０４Ｂを有
している。まず、イオン注入部１０４Ａでは、通常のイ
オン注入に必要な装置構成を有する。即ち、イオンビー
ム（不純物含有ガス）の流れの向きに従って、イオン源
となるイオンソースハウジング（不純物含有ガス供給
部）６１と、イオン引出し電極６２と、レンズ６３と、
加速電極６４と、質量分析器６５と、マスセレクタスリ
ット６６と、静電四重極レンズ６７と、走査電極６８
と、７°ディフレクタ中性子トラップ６９とが設けられ
ている。これらは仕切壁７０によって外界と隔てられて
いる。最下流に被処理基板５２がセットされて、イオン
注入される。被処理基板５２にはドーズ量を監視するた
めのイオン電流を計測する電流計７１が接続されてい
る。
【００４７】イオンソースハウジング６１には、不図示
のイオンソースの導入口が設けられ、さらに、イオンソ
ースハウジング６１内を減圧するための排気装置を接続
する排気口７６を有しており、イオンソースハウジング
６１内は適当な圧力に調整される。また、イオンソース
ハウジング６１内にはイオンソースをイオン化する電極
のうちの片側の電極であるイオンソース電極（第２のプ
ラズマ生成手段）７３が備えられ、このイオンソース電
極７３に電源７５とマッチングボックス７４が接続され
ている。このイオンソース電極７３と仕切壁７０の間に
電圧が印加されてイオンソースがプラズマ化される。ま
た、このイオンソース電極７３は加速電極６４との間で
イオンを加速する電界を発生させる電極も兼ねており、
イオンソース電極７３と加速電極６４の間にＤＣ電圧を
供給する電源７２が接続されている。
【００４８】水分含有ガス供給部１０４Ｂでは、図１と
同様な構成を有する水の気化ガス等の生成装置を有し、
この生成装置からイオン注入部１０４Ａの方に配管２３
ｅがでている。その配管２３ｅは、イオン注入部１０４
Ａにおいてクリーニングの必要な箇所のうち最上流にあ
るイオンソースハウジング６１に接続され、水分含有ガ
ス等の導入口を構成している。即ち、水分含有ガス等の
導入口はイオンソースをプラズマ化するためのプラズマ
生成部に接続されている。
【００４９】このような水分含有ガス供給部１０４Ｂの
装置構成に対応して、イオン注入部１０４Ａでは、通常
のイオン注入に必要な装置構成のほかに、イオンソース
電極７３が水分含有ガス等をプラズマ化するためのクリ
ーニング電極（第１のプラズマ生成手段）を兼ねてい
る。即ち、イオンソース電極７３は、水分含有ガスの導
入口と同じところに設けられている。そして、このイオ
ンソース電極７３と仕切壁７０の間にＤＣ、ＡＣ、ＬＦ
或いはＲＦの電力を印加することができるようになって
いる。なお、水分含有ガスの導入口をイオンソース電極
７３よりも上流に設けてもよい。
【００５０】イオン注入後、イオン注入部１０４Ａを清
浄にしようとする場合、水分含有ガスをイオンソースハ
ウジング６１内に導入してプラズマ化することにより、
イオンソースハウジング６１内及びその下流のイオン注
入部１０４Ａの各所を清浄にすることができる。以上、
第３の実施の形態のイオン注入装置１０４によれば、通
常のイオン注入に必要な構成のほかに、イオンビームの
流れの向きに従ってクリーニングの必要な箇所に、及び
それよりも上流に水分含有ガスの導入口が設けられ、水
分含有ガスの導入口と同じところであってクリーニング
の必要な箇所に或いはそれよりも上流に設けられた、水
分含有ガスをプラズマ化するクリーニング電極７３を含
む第１のプラズマ生成手段７３、７４、７５とを備えて
いる。
【００５１】即ち、第３の実施の形態のイオン注入装置
１０４によれば、第１の実施の形態と同じような構成を
有するため、第１の実施の形態と同じような効果を有す
る。以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明した
が、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した
例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しな
い範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含ま
れる。
【００５２】例えば、第１及び第２の実施の形態では、
プラズマ処理装置を非晶質ホウ素膜や非晶質カーボン膜
を形成する装置として用いているが、不純物含有ガスを
変えることにより、プラズマドーピング装置としても用
いることができる。この場合も、ドーピングガスをプラ
ズマ化する箇所や、ドーピングを行う箇所と同じところ
或いはそれよりも上流に水分含有ガスのプラズマ生成手
段を有しているので、ドーピング後に水分含有ガスのプ
ラズマ処理を行うことにより、プラズマ生成室やドーピ
ング室内をクリーニングし、ホウ素やカーボン等を含む
生成物や残留物を除去することが可能である。
【００５３】また、第１の実施の形態では、水分含有ガ
スの導入口と不純物含有ガスの導入口を共通にしている
が、それらを別々に設けてもよい。この場合、水分含有
ガスの導入口はプラズマ生成手段と同じところであっ
て、水分含有ガスがプラズマ化され、かつそのプラズマ
が被処理基板に有効に到達するような位置であればよ
い。或いは、水分含有ガスの導入口はプラズマ生成手段
よりも上流にあればよい。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、水分含
有ガス供給部がプラズマ処理装置の処理室や不純物含有
ガスの通路に接続され、かつ処理室や不純物含有ガスの
通路にプラズマ生成手段を有しているので、リン、ボロ
ン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、若し
くはゲルマニウムのうち何れか一の元素、又は前記元素
のうち何れか一以上を含む不純物含有ガスを用いた不純
物ドーピングや成膜等のプラズマ処理後に、水分含有ガ
スのプラズマにより処理室内等を短時間にクリーニング
することが可能である。
【００５５】クリーニングガスとして水素やアルゴン等
の単体の代わりに水分含有ガスを用いることにより、半
導体基板の表面や処理室等の内壁の表面を傷めることな
く、不純物を含む処理生成物や残留物を短時間に除去す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である不純物処理装
置の構成を示す側面図である。
【図２】同じく図１の水分含有ガス供給部の他の構成を
示す側面図である。
【図３】同じく図１の不純物処理装置を用いて、不純物
含有ガスにより成膜し、その後クリーニング処理を行う
方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である不純物処理装
置の構成を示す側面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態であるイオン注入装
置の構成を示す側面図である。
【図６】従来例である不純物処理装置の構成を示す側面
図である。
【符号の説明】
１１ 処理室（チャンバ） １２ａ 上部電極（ガス分散具，第１のプラズマ生成手
段，第２のプラズマ生成手段） １２ｂ 下部電極（基板保持具，第１のプラズマ生成手
段，第２のプラズマ生成手段） １３ 不純物含有ガス及び水分含有ガスの放出口（導入
口） １６ 電源（第１のプラズマ生成手段，第２のプラズマ
生成手段） ３１ プラズマ生成部 ３２ プラズマ処理部 ３３ 基板保持具 ３５ 導波管（第１のプラズマ生成手段，第２のプラズ
マ生成手段） ３６ 電源（第１のプラズマ生成手段，第２のプラズマ
生成手段） ３７ コイル（第１のプラズマ生成手段，第２のプラズ
マ生成手段） ５２ 被処理基板（被処理層） ６１ イオンソースハウジング（不純物含有ガス供給
部） ７３ イオンソース電極及びクリーニング電極（第１の
プラズマ生成手段，第２のプラズマ生成手段） ７４ マッチングボックス（第１のプラズマ生成手段，
第２のプラズマ生成手段） ７５ 電源（第１のプラズマ生成手段，第２のプラズマ
生成手段） １０２，１０３ プラズマドーピング装置（不純物処理
装置） １０２Ａ，１０３Ａ プラズマ処理部 １０２Ｂ，１０３Ｂ ドーピングガス供給部（不純物含
有ガス供給部） １０２Ｃ，１０３Ｃ，１０４Ｂ 水分含有ガス供給部 １０４ イオン注入装置（不純物処理装置） １０４Ａ イオン注入部（プラズマ処理部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 文哉 東京都港区港南２−13−29 株式会社半 導体プロセス研究所内 (72)発明者 前田 和夫 東京都港区港南２−13−29 株式会社半 導体プロセス研究所内 (56)参考文献 特開 平５−29285（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−97185（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/265

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リン、ボロン、アンチモン、砒素、ガリ
    ウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムのうち何れ
    か一の元素、又は前記元素のうち何れか一以上を含む不
    純物含有ガスを供給する不純物含有ガス供給部と、 前記不純物含有ガス供給部と接続された不純物含有ガス
    の導入口と、前記不純物含有ガスを用いてイオン注入
    し、或いはドーピングし、又はその上に成膜する被処理
    層を保持する基板保持具とを備えたチャンバとを有する
    不純物処理装置において、 不純物含有ガスを用いた処理により生じた反応生成物を
    除去する処理ガスの供給部として水分含有ガスを供給す
    る水分含有ガス供給部のみを有し、かつ、前記チャンバ
    には前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記基板
    保持具よりも上流に設けられた、前記水分含有ガス供給
    部と接続された水分含有ガスの導入口と、前記不純物含
    有ガスの流れの向きに従って前記水分含有ガスの導入口
    から前記基板保持具に至る間に設けられた、前記水分含
    有ガスをプラズマ化する第１のプラズマ生成手段とが備
    えられていることを特徴とする不純物処理装置。
  2. 【請求項２】 前記不純物含有ガスをプラズマ化する第
    ２のプラズマ生成手段を有することを特徴とする請求項
    １記載の不純物処理装置。
  3. 【請求項３】 前記第１のプラズマ生成手段と前記第２
    のプラズマ生成手段とが同一であることを特徴とする請
    求項２記載の不純物処理装置。
  4. 【請求項４】 前記第１のプラズマ生成手段は、平行平
    板型の対の電極間に電圧を印加してプラズマを生成する
    手段、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成す
    る手段、アンテナからの電磁界の放射によりプラズマを
    生成する手段、または前記チャンバの仕切壁と電極の間
    に電圧を印加してプラズマを生成する手段であることを
    特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の不純物処
    理装置。
  5. 【請求項５】 前記水分含有ガスは、気化した水、又は
    前記気化した水に水素或いはアルゴンを加えたガスであ
    ることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の
    不純物処理装置。
  6. 【請求項６】 前記リン、ボロン、アンチモン、砒素、
    ガリウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムのうち
    何れか一以上を含む不純物含有ガスは、前記リン、ボロ
    ン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、若し
    くはゲルマニウムの各元素の水素化合物又は弗素化合物
    のうち何れか一以上を含むガスであることを特徴とする
    請求項１乃至５の何れか一に記載の不純物処理装置。
  7. 【請求項７】 チャンバ内に被処理層を置く工程と、 リン、ボロン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニ
    ウム、若しくはゲルマニウムのうち何れか一からなる元
    素、又は前記元素のうち何れか一以上を含む不純物含有
    ガスを前記チャンバ内に導入してプラズマ化し、該プラ
    ズマを用いて前記被処理層にイオン注入し、或いはドー
    ピングし、又は該被処理層上に成膜する工程と、 前記被処理層にイオン注入し、或いはドーピングし、又
    は該被処理層上に成膜した後、水分含有ガスを前記チャ
    ンバ内に導入する工程と、 前記チャンバ内の水分含有ガスをプラズマ化し、該水分
    含有ガスのプラズマにより前記チャンバ内の前記不純物
    を含む生成物又は残留物を除去する工程とを有すること
    を特徴とする不純物処理装置のクリーニング方法。
  8. 【請求項８】 前記水分含有ガスは、気化した水、又は
    前記気化した水に水素或いはアルゴンを加えたガスであ
    ることを特徴とする請求項６記載の不純物処理装置のク
    リーニング方法。
  9. 【請求項９】 前記リン、ボロン、アンチモン、砒素、
    ガリウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムのうち
    何れか一以上を含む不純物含有ガスは、前記リン、ボロ
    ン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、若し
    くはゲルマニウムの各元素の水素化合物又は弗素化合物
    のうち何れか一以上を含むガスであることを特徴とする
    請求項７又は８記載の不純物処理装置のクリーニング方
    法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777173B2 (en) * 2002-08-30 2004-08-17 Lam Research Corporation H2O vapor as a processing gas for crust, resist, and residue removal for post ion implant resist strip
JP4733519B2 (ja) 2002-10-25 2011-07-27 エリコン ソーラー アーゲー，トゥルーバッハ 半導体装置の製造方法及びこの方法で得られた半導体装置
KR100517550B1 (ko) * 2002-12-04 2005-09-29 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치
WO2004101844A1 (en) * 2002-12-18 2004-11-25 Cardinal Cg Company Plasma-enhanced film deposition
US6995079B2 (en) * 2003-08-29 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ion implantation method and method for manufacturing semiconductor device
US20050161061A1 (en) * 2003-09-17 2005-07-28 Hong Shih Methods for cleaning a set of structures comprising yttrium oxide in a plasma processing system
CN101160643B (zh) * 2005-05-12 2012-04-18 松下电器产业株式会社 等离子体掺入方法和等离子体掺入设备
CN100388425C (zh) * 2006-04-24 2008-05-14 北京中科信电子装备有限公司 水冷等离子淋浴器的送气系统
KR100769833B1 (ko) * 2006-08-14 2007-10-23 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2008123391A2 (en) * 2007-03-23 2008-10-16 Panasonic Corporation Apparatus and method for plasma doping
JP5116357B2 (ja) * 2007-05-09 2013-01-09 株式会社アルバック シリコン層へのドーパント元素の導入方法、ポリシリコン太陽電池の製造方法、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造方法
KR100855002B1 (ko) * 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템
US20090308729A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Gallimore Alec D Hydrogen production from water using a plasma source
JP2011142238A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP5727853B2 (ja) * 2011-04-28 2015-06-03 株式会社アルバック プラズマ生成方法
JP5950855B2 (ja) * 2013-03-19 2016-07-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置およびイオン注入装置のクリーニング方法
JP2018046175A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 東京エレクトロン株式会社 ＳｉＣ膜の成膜方法及び成膜装置
JP6950315B2 (ja) * 2016-12-15 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、ボロン膜、及び成膜装置
WO2019193872A1 (ja) * 2018-04-04 2019-10-10 東京エレクトロン株式会社 ボロン系膜の成膜方法および成膜装置
JP7033999B2 (ja) * 2018-04-16 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 ボロン系膜の成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529285A (ja) 1991-07-15 1993-02-05 Fujitsu Ltd クリーニング方法及び半導体製造装置
JPH0897185A (ja) 1994-09-28 1996-04-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6209483B1 (en) * 1996-10-17 2001-04-03 Accord S. E. G. Apparatus and method for removing silicon dioxide residues from CVD reactors

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