JP3086412B2 - 半導体集積回路装置及びその信号処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲ等のＦＭオ
ーディオに用いられるバンドパスフィルタ回路を内蔵し
た半導体集積回路装置及びその信号処理方法の改良に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＶＴＲ等のＦＭオーディオに用い
られるバンドパスフィルタ回路は、集積回路化されてい
る。以下に従来のＶＴＲのＦＭオーディオ用半導体集積
回路装置の再生信号処理について説明する。

【０００３】図８は従来の前記半導体集積回路装置の再
生側のブロック図である。

【０００４】図８において、１はＬチャンネル側バンド
パスフィルタ回路、２はＲチャンネル側バンドパスフィ
ルタ回路であり、この両バンドパスフィルタ回路１，２
には外部入力端子５が接続され、この外部入力端子５か
ら入力される入力信号から周波数成分を両バンドパスフ
ィルタ回路１，２で取り出すようになっている。前記Ｌ
チャンネル側バンドパスフィルタ回路１にはＬチャンネ
ル側復調回路３が、前記Ｒチャンネル側バンドパスフィ
ルタ回路２にはＲチャンネル側復調回路４がそれぞれ接
続され、前記Ｌチャンネル側復調回路３にはＬチャンネ
ル側復調出力端子６が、前記Ｒチャンネル側復調回路４
にはＲチャンネル側復調出力端子７がそれぞれ接続さ
れ、前記両復調回路３，４でバンドパスフィルタ回路
１，２の出力信号をそれぞれＦＭ復調し、両復調出力端
子６，７から出力するようになっている。

【０００５】以上のように構成された半導体集積回路装
置の動作を説明する。

【０００６】まず、外部入力端子５にヘッドからの再生
信号、つまりＬチャンネル側のＦＭ変調された信号（例
えば、８ミリＶＴＲの場合、１．５ＭＨｚ±１００ｋＨ
ｚ）とＲチャンネル側のＦＭ変調された信号（例えば、
８ミリＶＴＲの場合、１．７ＭＨｚ±５０ｋＨｚ）とが
加算された信号が入力されると、Ｌチャンネル側バンド
パスフィルタ回路１において前記Ｌチャンネル側の周波
数成分が抽出されるとともに、Ｒチャンネル側バンドパ
スフィルタ回路２において前記Ｒチャンネル側の周波数
成分が抽出される。

【０００７】次いで、Ｌチャンネル側復調回路３におい
て、前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１によ
って抽出された信号がＦＭ復調されて音声信号としてＬ
チャンネル側復調出力端子６へ出力されるとともに、Ｒ
チャンネル側復調回路４において、前記Ｒチャンネル側
バンドパスフィルタ回路２によって抽出された信号がＦ
Ｍ復調されて音声信号としてＲチャンネル側復調出力端
子７へ出力される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体集積回路装置の構成では、バンドパスフィ
ルタ回路１，２を構成している抵抗値と容量値の拡散上
のばらつきにより、バンドパスフィルタ回路１，２の通
過周波数がずれるため、抽出すべき周波数成分を正確に
取り出すことができず、安定した復調出力が得られない
という欠点を有していた。

【０００９】本発明は上記の従来の問題点を解決するも
のであり、バンドパスフィルタ回路を構成している抵抗
値と容量値の拡散上のばらつきを抑え、復調出力振幅を
低下させないバンドパスフィルタ回路を内蔵した半導体
集積回路装置及びその信号処理方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、外部制御端子からＬチャンネル側及びＲ
チャンネル側バンドパスフィルタ回路に制御信号を入力
して各々の容量値を連続して可変制御するようにしたこ
とを特徴とする。

【００１１】具体的には、本発明は、外部入力端子から
入力される入力信号から第１の周波数成分を取り出す第
１のバンドパスフィルタ回路と、前記外部入力端子から
入力される入力信号から第２の周波数成分を取り出す第
２のバンドパスフィルタ回路と、前記第１のバンドパス
フィルタ回路の出力信号をＦＭ復調して出力する第１の
復調回路と、前記第２のバンドパスフィルタ回路の出力
信号をＦＭ復調して出力する第２の復調回路とを備えた
半導体集積回路装置及びその信号処理方法を対象とし、
次のような解決手段を講じた。

【００１２】すなわち、本発明の第１〜３の解決手段
は、前者の半導体集積回路装置に関するものであり、第
１の解決手段は、上述の如き前提において、前記第１及
び第２のバンドパスフィルタ回路に制御信号を入力する
外部制御端子を設ける。さらに、前記外部制御端子から
入力される制御信号によって容量値が可変される第１の
容量回路を前記第１のバンドパスフィルタ回路に設ける
とともに、前記外部制御端子から入力される制御信号に
よって容量値が可変される第２の容量回路を前記第２の
バンドパスフィルタ回路に設ける。また、前記第１のバ
ンドパスフィルタ回路の出力信号を出力する第１の外部
出力端子と、前記第２のバンドパスフィルタ回路の出力
信号を出力する第２の外部出力端子とを設けたことを特
徴とする。

【００１３】上記の構成により、第１の解決手段では、
外部制御端子から入力される制御信号によって第１及び
第２のバンドパスフィルタ回路の通過周波数が調整され
るため、両バンドパスフィルタ回路でそれぞれ抽出すべ
き周波数成分が正確に抽出でき、安定した復調出力が得
られる。

【００１４】第２の解決手段は、上述の如き前提におい
て、前記第１及び第２のバンドパスフィルタ回路に制御
信号を入力する外部制御端子を設ける。さらに、前記外
部制御端子から入力される制御信号によって容量値が可
変される第１の容量回路を前記第１のバンドパスフィル
タ回路に設けるとともに、前記外部制御端子から入力さ
れる制御信号によって容量値が可変される第２の容量回
路を前記第２のバンドパスフィルタ回路に設ける。ま
た、前記第１及び第２のバンドパスフィルタ回路の出力
信号を出力する共通の外部出力端子を設ける。加えて、
前記第１のバンドパスフィルタ回路の出力信号と第２の
バンドパスフィルタ回路の出力信号とを切り換えて前記
外部出力端子に出力する切換手段を設ける。さらにま
た、前記外部出力端子の電位レベルを基準電圧と比較し
て判別し、この判別信号に基づき前記切換手段を切換え
作動させるレベル判別回路を設けたことを特徴とする。

【００１５】上記の構成により、第２の解決手段では、
１個の外部出力端子で第１のバンドパスフィルタ回路の
出力と、第２のバンドパスフィルタ回路の出力とがモニ
タでき、両バンドパスフィルタ回路の通過周波数が調整
されて安定した復調出力が得られる。

【００１６】第３の解決手段は、第１又は第２の解決手
段において、外部制御端子と第１及び第２のバンドパス
フィルタ回路との間にツェナーザップ回路又はトリミン
グ回路からなる制御信号発生手段を介設する。さらに、
外部調整端子に印加される調整信号によって前記外部制
御端子の制御信号をレベル調整するように上記前記制御
信号発生手段を構成したことを特徴とする。

【００１７】上記の構成により、第３の解決手段では、
調整範囲外に調整電圧がある場合でも、ツェナーザップ
回路等で調整電圧が制御され、両バンドパスフィルタ回
路の通過周波数が調整されて安定した復調出力が得られ
る。

【００１８】本発明の第４の解決手段は、後者の半導体
集積回路装置の信号処理方法に関するものであり、第２
の解決手段の半導体集積回路装置において、外部出力端
子にその電位レベルに応じたパルスを印加し、このパル
スをモニタしながら外部制御端子に印加する電圧を調整
するようにしていることを特徴とする。

【００１９】上記の構成により、第４の解決手段では、
出力の切換えがパルスによって行われ、１回１回切り換
えることなく、効率良く第１のバンドパスフィルタ回路
の出力と第２のバンドパスフィルタ回路の出力との振幅
が等しくなるよう調整できる。つまり、効率良く両バン
ドパスフィルタ回路の通過周波数が調整されて安定した
復調出力の測定値が得られる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。

【００２１】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１に係る半導体集積回路装置の再生側のブロック図で
ある。

【００２２】図１において、１は第１のバンドパスフィ
ルタ回路としてのＬチャンネル側バンドパスフィルタ回
路、２は第２のバンドパスフィルタ回路としてのＲチャ
ンネル側バンドパスフィルタ回路であり、この両バンド
パスフィルタ回路１，２には外部入力端子５が接続さ
れ、この外部入力端子５から入力される入力信号から周
波数成分を両バンドパスフィルタ回路１，２で取り出す
ようになっている。

【００２３】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の復調回路としてのＬチャンネル側復調
回路３が、前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路
２には、第２の復調回路としてのＲチャンネル側復調回
路４がそれぞれ接続され、前記Ｌチャンネル側復調回路
３には、第１の復調出力端子としてのＬチャンネル側復
調出力端子６が、前記Ｒチャンネル側復調回路４には、
第２の復調出力端子としてのＲチャンネル側復調出力端
子７がそれぞれ接続され、前記両復調回路３，４でバン
ドパスフィルタ回路１，２の出力信号をそれぞれＦＭ復
調し、復調出力端子６，７から出力するようになってい
る。

【００２４】前記Ｌチャンネル側及びＲチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１，２には、共通の外部制御端子
８が接続され、この外部制御端子８から前記両バンドパ
スフィルタ回路１，２に制御信号を入力するようになっ
ている。

【００２５】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の容量回路としてのＬチャンネル側容量
回路１ａが内蔵され、このＬチャンネル側容量回路１ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００２６】前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回
路２には、第２の容量回路としてのＲチャンネル側容量
回路２ａが内蔵され、このＲチャンネル側容量回路２ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００２７】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の外部出力端子としてのＬチャンネル側
外部出力端子９が接続され、このＬチャンネル側外部出
力端子９は前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路
１の出力信号を出力するようになっている。

【００２８】前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回
路２には、第２の外部出力端子としてのＲチャンネル側
外部出力端子１０が接続され、このＲチャンネル側外部
出力端子１０は前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ
回路２の出力信号を出力するようになっている。

【００２９】図５はバンドパスフィルタ回路１，２の等
化回路図であり、外部制御端子８によって容量値を可変
することにより通過周波数を調整できることを示してい
る。本半導体集積回路装置においてはＬチャンネル側と
Ｒチャンネル側を連動して可変している。

【００３０】図６（ａ）〜（ｃ）にバンドパスフィルタ
回路１，２の入力周波数−出力振幅特性を示す。図６
（ａ）はクロスポイントが低周波側にずれている場合、
図６（ｂ）は１．６２５ＭＨｚにクロスポイントがある
場合、図６（ｃ）は高周波側にクロスポイントがある場
合であり、外部制御端子８によって特性図を低周波側や
高周波側へシフトすることができる。８ミリＶＴＲの音
声の場合、Ｌチャンネル側の変調周波数は１．５ＭＨｚ
±１００ｋＨｚ、Ｒチャンネル側の変調周波数は１．７
ＭＨｚ±５０ｋＨｚであり、変調幅も含めたＬチャンネ
ルとＲチャンネルの周波数の中心点、つまり１．６２５
ＭＨｚにおいてＬチャンネル側バンドパスフィルタ回路
１の特性とＲチャンネル側バンドパスフィルタ回路２の
特性とがクロスするようにしなければならない。

【００３１】以上のように構成された実施の形態１に係
る半導体集積回路装置の動作を説明する。

【００３２】まず、外部入力端子５に適当な周波数（８
ミリＶＴＲの場合、１．６２５ＭＨｚ）のサイン波を入
力し、Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１の外部
出力端子９に出力される信号と、Ｒチャンネル側バンド
パスフィルタ回路２の外部出力端子１０に出力される信
号との振幅が等しくなるように外部制御端子８によって
調整する。これにより、Ｌチャンネル側とＲチャンネル
側との両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を
合わせることができる。

【００３３】次いで、外部入力端子５にヘッドからの再
生信号、つまりＬチャンネル側のＦＭ変調された信号
（例えば、８ミリＶＴＲの場合、１．５ＭＨｚ±１００
ｋＨｚ）とＲチャンネル側のＦＭ変調された信号（例え
ば、８ミリＶＴＲの場合、１．７ＭＨｚ±５０ｋＨｚ）
とが加算された信号が入力されると、Ｌチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１において前記Ｌチャンネル側の
周波数成分が抽出されるとともに、Ｒチャンネル側バン
ドパスフィルタ回路２において前記Ｒチャンネル側の周
波数成分が抽出される。この際、外部制御端子８によっ
て両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数が調整
されているため、抽出すべき周波数成分はすべて抽出さ
れる。

【００３４】その後、Ｌチャンネル側復調回路３におい
て、前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１によ
って抽出された信号がＦＭ復調されて音声信号としてＬ
チャンネル側復調出力端子６へ出力されるとともに、Ｒ
チャンネル側復調回路４において、前記Ｒチャンネル側
バンドパスフィルタ回路２によって抽出された信号がＦ
Ｍ復調されて音声信号としてＲチャンネル側復調出力端
子７へ出力される。

【００３５】このように、両バンドパスフィルタ回路
１，２の通過周波数を外部制御端子８によって調整して
いることから、安定した復調出力を得ることができる。

【００３６】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２に係る半導体集積回路装置の再生側のブロック図で
ある。

【００３７】図２において、１は第１のバンドパスフィ
ルタ回路としてのＬチャンネル側バンドパスフィルタ回
路、２は第２のバンドパスフィルタ回路としてのＲチャ
ンネル側バンドパスフィルタ回路であり、この両バンド
パスフィルタ回路１，２には外部入力端子５が接続さ
れ、この外部入力端子５から入力される入力信号から周
波数成分を両バンドパスフィルタ回路１，２で取り出す
ようになっている。

【００３８】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の復調回路としてのＬチャンネル側復調
回路３が、前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路
２には、第２の復調回路としてのＲチャンネル側復調回
路４がそれぞれ接続され、前記Ｌチャンネル側復調回路
３には、第１の復調出力端子としてのＬチャンネル側復
調出力端子６が、Ｒチャンネル側復調回路４には、第２
の復調出力端子としてのＲチャンネル側復調出力端子７
がそれぞれ接続され、前記両復調回路３，４でバンドパ
スフィルタ回路１，２の出力信号をそれぞれＦＭ復調
し、復調出力端子６，７から出力するようになってい
る。

【００３９】前記Ｌチャンネル側及びＲチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１，２には、共通の外部制御端子
８が接続され、この外部制御端子８から前記両バンドパ
スフィルタ回路１，２に制御信号を入力するようになっ
ている。

【００４０】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の容量回路としてのＬチャンネル側容量
回路１ａが内蔵され、このＬチャンネル側容量回路１ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００４１】前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回
路２には、第２の容量回路としてのＲチャンネル側容量
回路２ａが内蔵され、このＲチャンネル側容量回路２ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００４２】前記Ｌチャンネル側及びＲチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１，２には、共通の外部出力端子
１１が接続され、この外部出力端子１１は前記Ｌチャン
ネル側及びＲチャンネル側バンドパスフィルタ回路１，
２の出力信号を出力するようになっている。

【００４３】前記Ｌチャンネル側及びＲチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１，２からの出力信号線の下流側
には、レベル判別回路１２と切換手段としてのスイッチ
１３とが介設され、このスイッチ１３の切換え動作によ
って前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１の出
力信号とＲチャンネル側バンドパスフィルタ回路２の出
力信号とを切り換えて前記外部出力端子１１に出力する
ようになっている。また、前記レベル判別回路１２は、
前記外部出力端子１１の電位レベルを基準電圧と比較し
て判別し、この判別信号に基づき前記スイッチ１３を切
換え作動させるようになっている。

【００４４】前記バンドパスフィルタ回路１，２の等化
回路及び入力周波数−出力振幅特性は、実施の形態１の
場合と同様である（図５及び図６参照）。

【００４５】以上のように構成された実施の形態２に係
る半導体集積回路装置の動作を説明する。

【００４６】まず、外部入力端子５に適当な周波数（８
ミリＶＴＲの場合、１．６２５ＭＨｚ）のサイン波を入
力する。

【００４７】次いで、外部出力端子１１にＬＯＷ側０
Ｖ、ＨＩＧＨ側Ｖｃｃの電圧を印加し、レベル判別回路
１２からの判別信号に基づきスイッチ１３を切換え作動
させ、Ｌチャンネル側出力信号とＲチャンネル側出力信
号とを切り換え外部出力端子１１に出力する。このよう
にスイッチ１３によって出力信号を切り換えながら、Ｌ
チャンネル出力信号とＲチャンネル出力信号との振幅が
等しくなるように外部制御端子８によって調整する。こ
れにより、Ｌチャンネル側とＲチャンネル側との両バン
ドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を合わせること
ができる。

【００４８】その後、外部入力端子５にヘッドからの再
生信号、つまりＬチャンネル側のＦＭ変調された信号
（例えば、８ミリＶＴＲの場合、１．５ＭＨｚ±１００
ｋＨｚ）とＲチャンネル側のＦＭ変調された信号（例え
ば、８ミリＶＴＲの場合、１．７ＭＨｚ±５０ｋＨｚ）
とが加算された信号が入力されると、Ｌチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１において前記Ｌチャンネル側の
周波数成分が抽出されるとともに、Ｒチャンネル側バン
ドパスフィルタ回路２において前記Ｒチャンネル側の周
波数成分が抽出される。この際、外部制御端子８によっ
て両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数が調整
されているため、抽出すべき周波数成分はすべて抽出さ
れる。

【００４９】しかる後、Ｌチャンネル側復調回路３にお
いて、前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１に
よって抽出された信号がＦＭ復調されて音声信号として
Ｌチャンネル側復調出力端子６へ出力されるとともに、
Ｒチャンネル側復調回路４において、前記Ｒチャンネル
側バンドパスフィルタ回路２によって抽出された信号が
ＦＭ復調されて音声信号としてＲチャンネル側復調出力
端子７へ出力される。

【００５０】このように、１個の外部出力端子１１でＬ
チャンネル側バンドパスフィルタ回路１の出力と、Ｒチ
ャンネル側バンドパスフィルタ回路２の出力とをモニタ
して、両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を
調整していることから、安定した復調出力を得ることが
できる。

【００５１】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３に係る半導体集積回路装置の再生側のブロック図で
ある。

【００５２】図３において、１は第１のバンドパスフィ
ルタ回路としてのＬチャンネル側バンドパスフィルタ回
路、２は第２のバンドパスフィルタ回路としてのＲチャ
ンネル側バンドパスフィルタ回路であり、この両バンド
パスフィルタ回路１，２には外部入力端子５が接続さ
れ、この外部入力端子５から入力される入力信号から周
波数成分を両バンドパスフィルタ回路１，２で取り出す
ようになっている。

【００５３】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の復調回路としてのＬチャンネル側復調
回路３が、前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路
２には、第２の復調回路としてのＲチャンネル側復調回
路４がそれぞれ接続され、前記Ｌチャンネル側復調回路
３には、第１の復調出力端子としてのＬチャンネル側復
調出力端子６が、前記Ｒチャンネル側復調回路４には、
第２の復調出力端子としてのＲチャンネル側復調出力端
子７がそれぞれ接続され、前記両復調回路３，４でバン
ドパスフィルタ回路１，２の出力信号をそれぞれＦＭ復
調し、復調出力端子６，７から出力するようになってい
る。

【００５４】前記Ｌチャンネル側及びＲチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１，２には、共通の外部制御端子
８が接続され、この外部制御端子８から前記両バンドパ
スフィルタ回路１，２に制御信号を入力するようになっ
ている。

【００５５】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の容量回路としてのＬチャンネル側容量
回路１ａが内蔵され、このＬチャンネル側容量回路１ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００５６】前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回
路２には、第２の容量回路としてのＲチャンネル側容量
回路２ａが内蔵され、このＲチャンネル側容量回路２ａ
は、前記外部制御端子８から入力される制御信号によっ
て容量値が可変されるようになっている。

【００５７】前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回
路１には、第１の外部出力端子としてのＬチャンネル側
外部出力端子９が接続され、このＬチャンネル側外部出
力端子９は前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路
１の出力信号を出力するようになっている。

【００５８】前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回
路２には、第２の外部出力端子としてのＲチャンネル側
外部出力端子１０が接続され、このＲチャンネル側外部
出力端子１０は前記Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ
回路２の出力信号を出力するようになっている。

【００５９】前記外部制御端子８とＬチャンネル側及び
Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路１，２との間に
は、制御信号発生手段としてのツェナーザップ回路１４
が介設され、このツェナーザップ回路１４には、外部調
整端子としての第１及び第２のザッピング用端子１５，
１６が接続され、前記ツェナーザップ回路１４は、前記
第１及び第２のザッピング用端子１５，１６に印加され
る調整信号によって外部制御端子８の制御信号をレベル
調整するようになっている。具体的には、外部制御端子
８の調整電圧が調整範囲より低い電圧値になった場合に
は、第１のザッピング用端子１５からザップ信号を送っ
てザップし調整電圧を上げる一方、調整電圧が調整範囲
より高い電圧値になった場合には、第２のザッピング用
端子１６からザップ信号を送ってザップし調整電圧を下
げるようになっている。

【００６０】前記バンドパスフィルタ回路１，２の等化
回路及び入力周波数−出力振幅特性は、実施の形態１の
場合と同様である（図５及び図６参照）。

【００６１】以上のように構成された実施の形態３に係
る半導体集積回路装置の動作を説明する。

【００６２】まず、外部入力端子５に適当な周波数（８
ミリＶＴＲの場合、１．６２５ＭＨｚ）のサイン波を入
力し、Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１の外部
出力端子９に出力される信号と、Ｒチャンネル側バンド
パスフィルタ回路２の外部出力端子１０に出力される信
号との振幅が等しくなるように外部制御端子８によって
調整する。その調整電圧が調整範囲より低い電圧値にな
った場合、第１ザッピング用端子１５からザップ信号を
送ってザップし調整電圧を上げる。調整電圧が調整範囲
より高い電圧値になった場合、第２ザッピング用端子１
６よりザップ信号を送ってザップし調整電圧を下げる。
その後、再度、両外部出力端子９，１０に出力される信
号の振幅が等しくなるように外部制御端子８によって調
整する。これにより、調整範囲外に調整電圧があるもの
についても、Ｌチャンネル側とＲチャンネル側との両バ
ンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を合わせるこ
とができる。

【００６３】次いで、外部入力端子５にヘッドからの再
生信号、つまりＬチャンネル側のＦＭ変調された信号
（例えば、８ミリＶＴＲの場合、１．５ＭＨｚ±１００
ｋＨｚ）とＲチャンネル側のＦＭ変調された信号（例え
ば、８ミリＶＴＲの場合、１．７ＭＨｚ±５０ｋＨｚ）
とが加算された信号が入力されると、Ｌチャンネル側バ
ンドパスフィルタ回路１において前記Ｌチャンネル側の
周波数成分が抽出されるとともに、Ｒチャンネル側バン
ドパスフィルタ回路２において前記Ｒチャンネル側の周
波数成分が抽出される。この際、外部制御端子８によっ
て両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数が調整
されているため、抽出すべき周波数成分はすべて抽出さ
れる。

【００６４】その後、Ｌチャンネル側復調回路３におい
て、前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１によ
って抽出された信号がＦＭ復調されて音声信号としてＬ
チャンネル側復調出力端子６へ出力されるとともに、Ｒ
チャンネル側復調回路４において、前記Ｒチャンネル側
バンドパスフィルタ回路２によって抽出された信号がＦ
Ｍ復調されて音声信号としてＲチャンネル側復調出力端
子７へ出力される。

【００６５】このように、調整範囲外に調整電圧がある
場合でも、ツェナーザップ回路１４で調整電圧を制御し
て両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を調整
していることから、安定した復調出力を得ることができ
る。

【００６６】なお、この実施の形態３では、２個の外部
出力端子９，１０を両バンドパスフィルタ回路１，２に
分けて設けたが、実施の形態２（図２参照）のように、
レベル判別回路１２とスイッチ１３とを設け、外部出力
端子を１個にしてもよい。また、ツェナーザップ回路１
４をトリミング回路としてもよい。

【００６７】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４に係る半導体集積回路装置の信号処理方法を示すブ
ロック図である。

【００６８】本例の信号処理の対象は、実施の形態２で
挙げた半導体集積回路装置であり、したがって、構成は
実施の形態２の半導体集積回路装置と同じであるので、
同一の構成箇所には同一の符号を付してその詳細な説明
を省略することとする。なお、図４には、信号処理のた
めにパルス発生器１７、オシロスコープ１８，２１、交
流信号発生器１９及び直流電圧源２０を付加している。

【００６９】次に、本例の半導体集積回路装置の信号処
理方法について説明する。

【００７０】まず、外部入力端子５に交流信号発生器１
９から適当な周波数（８ミリＶＴＲの場合、１．６２５
ＭＨｚ）のサイン波を入力する。

【００７１】次いで、パルス発生器１７より外部出力端
子１１に０ＶもしくはＶｃｃの電圧を印加し、レベル判
別回路１２からの判別信号に基づきスイッチ１３を切換
え作動させ、Ｌチャンネル側出力信号とＲチャンネル側
出力信号とを切り換え外部出力端子１１に出力する。こ
のようにスイッチ１３によって出力信号を切り換えなが
ら、Ｌチャンネル出力信号とＲチャンネル出力信号との
振幅が等しくなるようにオシロスコープ１８でモニタし
ながら外部制御端子８に直流電圧源２０から印加する電
圧を調整する。これにより、Ｌチャンネル側とＲチャン
ネル側との両バンドパスフィルタ回路１，２の通過周波
数を合わせることができる。図７は、オシロスコープ１
８でモニタできる外部出力端子１１の波形である。

【００７２】その後、外部入力端子５に交流信号発生器
１９からヘッドからの再生信号、つまりＬチャンネル側
のＦＭ変調された信号（例えば、８ミリＶＴＲの場合、
１．５ＭＨｚ±１００ｋＨｚ）とＲチャンネル側のＦＭ
変調された信号（例えば、８ミリＶＴＲの場合、１．７
ＭＨｚ±５０ｋＨｚ）とが加算された信号が入力される
と、Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１において
前記Ｌチャンネル側の周波数成分が抽出されるととも
に、Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路２において
前記Ｒチャンネル側の周波数成分が抽出される。この
際、外部制御端子８によって両バンドパスフィルタ回路
１，２の通過周波数が調整されているため、抽出すべき
周波数成分はすべて抽出される。

【００７３】その後、Ｌチャンネル側復調回路３におい
て、前記Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路１によ
って抽出された信号がＦＭ復調されて音声信号としてＬ
チャンネル側復調出力端子６へ出力されるとともに、Ｒ
チャンネル側復調回路４において、前記Ｒチャンネル側
バンドパスフィルタ２によって抽出された信号がＦＭ復
調されて音声信号としてＲチャンネル側復調出力端子７
へ出力される。それぞれの出力信号をオシロスコープ２
１で測定する。

【００７４】このように、出力切り換えにパルスを用い
ていることから、１回１回切り換えることなく、効率良
くＬチャンネル側バンドパスフィルタ回路１の出力とＲ
チャンネル側バンドパスフィルタ回路２の出力との振幅
が等しくなるよう調整できる。つまり、効率良く両バン
ドパスフィルタ回路１，２の通過周波数を調整すること
ができ、安定した復調出力の測定値を得ることができ
る。

【００７５】なお、本例で用いた単体の信号発生器や測
定器の代わりにＬＳＩテスター等を採用して自動化して
もよい。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１及び第２のバンドパスフィルタ回路に容量回路を設
け、外部制御端子から入力される制御信号によって前記
容量回路の容量値を連動して制御できるようにしたの
で、両バンドパスフィルタ回路の通過周波数を正確に調
整でき、安定した復調出力を得ることのできる優れた半
導体集積回路装置及びその信号処理方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体集積回路装
置のブロック図である。

【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体集積回路装
置のブロック図である。

【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体集積回路装
置のブロック図である。

【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体集積回路装
置の信号処理方法を説明するブロック図である。

【図５】バンドパスフィルタ回路の等化回路図である。

【図６】バンドパスフィルタ回路の入力周波数−出力振
幅特性を示すグラフである。

【図７】外部出力端子の出力波形図である。

【図８】従来例の半導体集積回路装置のブロック図であ
る。

【符号の説明】

１ Ｌチャンネル側バンドパスフィルタ回路（第
１のバンドパスフィルタ回路） １ａ Ｌチャンネル側容量回路（第１の容量回路） ２ Ｒチャンネル側バンドパスフィルタ回路（第
２のバンドパスフィルタ回路） ２ａ Ｒチャンネル側容量回路（第２の容量回路） ３ Ｌチャンネル側復調回路（第１の復調回路） ４ Ｒチャンネル側復調回路（第２の復調回路） ５ 外部入力端子 ６ Ｌチャンネル側復調出力端子（第１の復調出
力端子） ７ Ｒチャンネル側復調出力端子（第２の復調出
力端子） ８ 外部制御端子 ９ Ｌチャンネル側外部出力端子（第１の外部出
力端子） １０ Ｒチャンネル側外部出力端子（第２の外部
出力端子） １１ 外部出力端子 １２ レベル判別回路 １３ スイッチ（切換手段） １４ ツェナーザップ回路（制御信号発生手段） １５ 第１のザッピング用端子（外部調整端子） １６ 第２のザッピング用端子（外部調整端子） １７ パルス発生器 １８，２１ オシロスコープ

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−180406（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−258269（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−254676（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−28152（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 20/06 H04H 5/00 H04N 5/93

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部入力端子から入力される入力信号か
   ら第１の周波数成分を取り出す第１のバンドパスフィル
   タ回路と、 前記外部入力端子から入力される入力信号から第２の周
   波数成分を取り出す第２のバンドパスフィルタ回路と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路の出力信号をＦＭ復
   調して出力する第１の復調回路と、 前記第２のバンドパスフィルタ回路の出力信号をＦＭ復
   調して出力する第２の復調回路とを備えた半導体集積回
   路装置であって、 前記第１及び第２のバンドパスフィルタ回路に制御信号
   を入力する外部制御端子と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路に設けられ、前記外
   部制御端子から入力される制御信号によって容量値が可
   変される第１の容量回路と、 前記第２のバンドパスフィルタ回路に設けられ、前記外
   部制御端子から入力される制御信号によって容量値が可
   変される第２の容量回路と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路の出力信号を出力す
   る第１の外部出力端子と、 前記第２のバンドパスフィルタ回路の出力信号を出力す
   る第２の外部出力端子とを備えたことを特徴とする半導
   体集積回路装置。
2. 【請求項２】 外部入力端子から入力される入力信号か
   ら第１の周波数成分を取り出す第１のバンドパスフィル
   タ回路と、 前記外部入力端子から入力される入力信号から第２の周
   波数成分を取り出す第２のバンドパスフィルタ回路と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路の出力信号をＦＭ復
   調して出力する第１の復調回路と、 前記第２のバンドパスフィルタ回路の出力信号をＦＭ復
   調して出力する第２の復調回路とを備えた半導体集積回
   路装置であって、 前記第１及び第２のバンドパスフィルタ回路に制御信号
   を入力する外部制御端子と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路に設けられ、前記外
   部制御端子から入力される制御信号によって容量値が可
   変される第１の容量回路と、 前記第２のバンドパスフィルタ回路に設けられ、前記外
   部制御端子から入力される制御信号によって容量値が可
   変される第２の容量回路と、 前記第１及び第２のバンドパスフィルタ回路の両出力信
   号を出力する共通の外部出力端子と、 前記第１のバンドパスフィルタ回路の出力信号と第２の
   バンドパスフィルタ回路の出力信号とを切り換えて前記
   外部出力端子に出力する切換手段と、 前記外部出力端子の電位レベルを基準電圧と比較して判
   別し、この判別信号に基づき前記切換手段を切換え作動
   させるレベル判別回路とを備えたことを特徴とする半導
   体集積回路装置。
3. 【請求項３】 外部制御端子と第１及び第２のバンドパ
   スフィルタ回路との間には、ツェナーザップ回路又はト
   リミング回路からなる制御信号発生手段が介設され、 前記制御信号発生手段は、外部調整端子に印加される調
   整信号によって前記外部制御端子の制御信号をレベル調
   整するようになっていることを特徴とする請求項１又は
   ２記載の半導体集積回路装置。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体集積回路装置に
   おいて、 外部出力端子にその電位レベルに応じたパルスを印加
   し、このパルスをモニタしながら外部制御端子に印加す
   る電圧を調整するようになっていることを特徴とする半
   導体集積回路装置の信号処理方法。