JP3082420B2 - 磁気ヘッド位置制御装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置に
用いられる磁気ヘッドを光磁気ディスクの記録面に対す
る遠近方向に駆動変位させて、この磁気ヘッドを光磁気
ディスクから一定の距離位置に保持する磁気ヘッド位置
制御装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光磁気ディスク装置は、光学ヘ
ッドと磁気ヘッドとが光磁気ディスクを挟んで上記光磁
気ディスクと非接触に対向配設されており、磁界変調法
を用いたものでは、記録信号に応じた磁界を上記磁気ヘ
ッドから上記光磁気ディスクに印加すると共に、同一領
域を上記光学ヘッドからのレーザビームで加熱すること
によって、記録動作を行うようになっている。

【０００３】このとき、光学ヘッドは、光磁気ディスク
の記録面に照射したレーザビームの上記記録面からの反
射光を利用して、上記レーザビームのフォーカス情報を
得て、上記光磁気ディスクの記録面に所定のビームスポ
ットを結ぶようにフォーカス制御されている。このた
め、上記光学ヘッドは、光磁気ディスクに面振れや厚み
のバラツキが生じたり、ディスクテーブルが傾いたりし
て、上記光磁気ディスクの位置が変動した場合にも、上
記光磁気ディスクに対する相対距離が常に一定に保たれ
て、上記光磁気ディスクに接触することがない。

【０００４】これに対して、磁気ヘッドは、光磁気ディ
スクとの相対距離を検出する簡易な手段が無いために、
前述のような理由で光磁気ディスクの位置が変動した場
合に、上記光磁気ディスクに接触しないように、上記光
磁気ディスクからやや離れた位置に配されているものが
多い。

【０００５】ところが、上述のように、磁気ヘッドを光
磁気ディスクから離れた位置に配すると、上記光磁気デ
ィスクの記録面に所定の記録磁界を与えるためには、上
記磁気ヘッドから強い磁界を発生させなければならなく
なるので、消費電力が大きくなるという欠点がある。ま
た、上記磁気ヘッドが光磁気ディスクから離れ過ぎた場
合には、上記光磁気ディスクの記録面に印加される磁界
が不充分となり、エラーレートの増大やＣ／Ｎ比の低下
を招くばかりか、最悪の場合には記録不能となる虞れも
ある。

【０００６】このような問題を解決するためには、例え
ば、磁気ヘッドに光磁気ディスクと対向して電極を取り
付けて上記光磁気ディスクと上記電極との間の静電容量
の変化により上記磁気ヘッドと上記光磁気ディスクとの
相対距離の変化を検出し、その検出出力で上記磁気ヘッ
ドの位置を制御して、上記磁気ヘッドと上記光磁気ディ
スクとの相対距離を一定に保持することによって、磁気
ヘッドを光磁気ディスクに近接配置できるようにすれば
良い。

【０００７】すなわち、このように静電容量を利用して
磁気ヘッドの位置を制御する技術は、いわゆる静電容量
型のギャップサーボと呼ばれており、具体的には、上記
磁気ヘッドのコイルの回りに上記光磁気ディスクと対向
する電極として金属板を取り付け、この金属板と上記光
磁気ディスク上に成膜した金属薄膜の間に発生する静電
容量を検出し、上記コイルの位置（磁気ヘッドの位置）
を制御する装置にフィードバックをかけることにより、
光磁気ディスクと磁気ヘッドのコイルとの距離を一定に
保つようにするものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記技術の
場合、従来は上記磁気ヘッドのコイル近傍に取り付けた
金属板は概略的には図６に示すように１枚構成の金属板
１４０となっており、この金属板１４０が上記磁気ヘッ
ドの図中矢印Ｘで示す方向の移動に伴って移動すること
になる。

【０００９】このため、例えば図中位置Ｐｉで示す光磁
気ディスク２の最内周に上記金属板１４０（１４０ｉ）
が位置するような場合や、図中位置Ｐｏで示す光磁気デ
ィスクの最外周に上記金属板１４０（１４０ｏ）が位置
する場合には、上記金属板１４０（１４０ｉ或いは１４
０ｏ）に対向する光磁気ディスク面上に金属薄膜１３が
付いていない（一部のみ）ことになる。

【００１０】この場合、例えば、図中位置Ｐｓで示す上
記光磁気ディスク２の中周部に金属板１４０（１４０
ｓ）が位置した場合と、光磁気ディスク２の内外周部に
上記金属板１４０（１４０ｉ或いは１４０ｏ）が位置し
た場合とでは、光磁気ディスク２の金属薄膜１３と上記
金属板１４０との対向面積が変化してしまうため、正し
い距離サーボをかけることができなくなってしまう。す
なわち、上記光磁気ディスク２の中周部に位置（Ｐｓ）
する金属板１４０ｓと光磁気ディスク２の金属薄膜１３
との対向面積に対して、上記光磁気ディスク２の内外周
部に位置（Ｐｉ，Ｐｏ）する金属板１４０ｉ或いは１４
０ｏと光磁気ディスク２の金属薄膜１３との対向面積
は、図中斜線で示すように変化してしまう（対向する面
積が変わる）ようになるため、正しい距離サーボをかけ
ることができなくなる。

【００１１】そこで、本発明は、上述のような実情に鑑
みて提案されたものであり、ディスクの中周でも内外周
でも正しい距離サーボをかけることのできる（全周で正
しい距離サーボをかけることのできる）磁気ヘッド位置
制御装置を提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッド位置
制御装置は、上述の目的を達成するために提案されたも
のであり、光磁気ディスクと対向して磁界変調用磁気ヘ
ッドの光磁気ディスク記録膜面側に光磁気ディスクに対
して平行に取り付けられると共に、磁気ヘッドの磁芯コ
アを挟んで光磁気ディスクの半径方向に２分割した少な
くとも第１，第２の電極部よりなる静電容量検出用電極
と、上記静電容量検出用電極からの検出出力に基づいて
上記磁界変調用磁気ヘッドを上記光磁気ディスクの記録
面に対して遠近方向に駆動する駆動手段と、上記磁界変
調用磁気ヘッドが、当該光磁気ディスク上の上記静電容
量検出用電極部に相対向する光磁気ディスク面が外れる
外周側の位置又は内周側の位置に基づいて上記静電容量
検出用電極の上記第１，第２の電極部を選択的に切り換
える切換手段とを有してなるものである。

【００１３】

【作用】本発明の磁気ヘッド位置制御装置によれば、静
電容量検出用電極として、光磁気ディスクと対向して磁
界変調用磁気ヘッドの光磁気ディスク記録膜面側に光磁
気ディスクに対して平行に取り付けられると共に、磁気
ヘッドの磁芯コアを挟んで光磁気ディスクの半径方向に
２分割した少なくとも第１，第２の電極部を設け、磁界
変調用磁気ヘッドが、当該光磁気ディスク上の静電容量
検出用電極部に相対向する光磁気ディスク面が外れる外
周側の位置又は内周側の位置に基づいて、この第１，第
２の電極部を切り換えて使用するようにしている。した
がって、例えば、光磁気ディスクの内周部に磁気ヘッド
が位置した場合には第１，第２の電極部のうち光磁気デ
ィスク上の金属薄膜と対向している一方の電極部を用
い、逆に光磁気ディスクの外周部に磁気ヘッドが位置し
た場合には第１，第２の電極部のうち光磁気ディスク上
の金属薄膜と対向している他方の電極部を用い、更に、
光磁気ディスクの中周部に磁気ヘッドが位置した場合に
は第１，第２の電極部のうち何れかのみを用いるように
すれば、磁気ヘッドが光磁気ディスク上の何れの位置に
あっても光磁気ディスクの金属薄膜と切換選択されてい
る電極部との対向面積は変化しない。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。なお、本実施例は本発明の磁気ヘッド位置制
御装置を光磁気ディスク装置に適用したものである。

【００１５】 図１に示すように、本発明実施例の磁気
ヘッド位置制御装置は、光磁気ディスク２と対向して磁
気ヘッド５の光磁気ディスク記録膜面側に光磁気ディス
ク２に対して平行に取り付けられると共に、磁気ヘッド
の磁芯コアを挟んで光磁気ディスク２の半径方向に２分
割した少なくとも第１，第２の電極部（本実施例では例
えば２つの金属板４ａ，４ｂ）よりなる静電容量検出用
電極と、上記静電容量検出用電極と光磁気ディスク２上
に成膜された金属薄膜との間の静電容量を検出する静電
容量検出回路８と、上記静電容量検出用電極からの検出
出力（上記静電容量検出回路８からの検出出力）に基づ
いて上記磁気ヘッド５を上記光磁気ディスク２の記録面
に対して遠近方向（図中矢印Ｙ方向）に駆動する駆動手
段である磁気ヘッド駆動回路９及び磁気ヘッド駆動装置
６と、上記磁気ヘッド５が、当該光磁気ディスク２上の
上記静電容量検出用電極に相対向する光磁気ディスク面
が外れる外周側の位置や内周側の位置に基づいて上記静
電容量検出用電極の上記金属板４ａ或いは４ｂを選択的
に切り換える切換手段であるスイッチ７とを有してなる
ものである。

【００１６】先ず、この図１を参照しながら、本発明を
適用した光磁気ディスク装置について説明する。本実施
例の光磁気ディスク装置は、図示を省略する例えばスピ
ンドルモータにより図中Ｏで示す軸を中心として回転駆
動される光磁気ディスク２を挟んで当該光磁気ディスク
２と非接触に対向配置された上記磁気ヘッド５と光ピッ
クアップ１とを有している。なお、この図１には、上記
磁気ヘッド５を上記光磁気ディスク２と対向して配置し
た状態（図中Ａ）と、当該磁気ヘッド５を正面から見た
状態（図中Ｂ）とを同時に示している。当該磁気ヘッド
５は、記録コイル３に与えられる記録電流に応じた記録
磁界を上記光磁気ディスク２の記録面に印加する。この
記録コイル３から発生される磁界が上記光磁気ディスク
２に記録される磁区の方向を決定する。

【００１７】また、上記光ピックアップ１は、内蔵する
レーザダイオードから出力したレーザビームを上記光磁
気ディスク２の記録面に照射する。これら磁気ヘッド５
からの記録磁界と光ピックアップ１からのレーザビーム
により、上記光磁気ディスク２の記録面には情報が記録
される。

【００１８】ここで、上記磁気ヘッド５と光ピックアッ
プ１とは、図示しないスライダに取り付けられており、
両者が同時に上記光磁気ディスク２の半径方向（図中矢
印Ｘ方向）に駆動されるようになっている。また、これ
ら上記磁気ヘッド５と光ピックアップ１とは、上記光磁
気ディスク２の記録面に対する遠近方向（図中矢印Ｙ方
向）にそれぞれ変位自在となっている。上記光ピックア
ップ１は、フォーカスサーボにより上記矢印Ｙ方向の制
御がなされる。

【００１９】本実施例の磁気ヘッド位置制御装置は、上
記磁気ヘッド５の上記光磁気ディスク２の記録面に対す
る遠近方向（矢印Ｙ方向）の位置制御を行うものであ
る。以下、この磁気ヘッド位置制御装置について説明す
る。

【００２０】上記磁気ヘッド５には、上記光磁気ディス
ク２と対向するように容量検出用電極としての金属板４
ａ，４ｂが記録コイル３の近傍に取り付けられている。
これら金属板４ａ，４ｂは、上記磁気ヘッド５と共に上
記矢印Ｙ方向に変位するようになる。このため、上記金
属板４ａ，４ｂと上記光磁気ディスク２との間には、こ
れら金属板４ａ，４ｂと光磁気ディスク２との相対距離
ｄに応じた容量が生ずる。したがって、当該容量の変化
を検出することによって、上記光磁気ディスク２と上記
磁気ヘッド５との相対距離ｄの変化を検出することがで
きるようになる。また、本実施例の静電容量検出用電極
である上記金属板４ａ，４ｂは、１枚構成ではなく２枚
構成となされており、図１の図中Ａ及びＢに示すように
上記記録コイル３を中心として光磁気ディスクの半径方
向（図中矢印Ｘ方向）に対称な位置に並べられて上記磁
気ヘッド５に取り付けられている。

【００２１】本実施例装置は、上記金属板４ａ，４ｂ
と、図２に示すように光磁気ディスク２上に成膜された
金属薄膜１３との間の静電容量を、上記静電容量検出回
路８によって検出している。当該静電容量検出回路８か
らの検出出力は、磁気ヘッド駆動回路９に送られる。該
磁気ヘッド駆動回路９は、上記静電容量検出回路８から
の検出出力に基づいて上記磁気ヘッド５の駆動装置６へ
の駆動信号を形成して送る。これにより、当該磁気ヘッ
ド５は上記光磁気ディスク２の記録面に対する距離が一
定になるように遠近方向（矢印Ｙ方向）に駆動制御され
る。

【００２２】ここで、本実施例では、当該磁気ヘッド５
に取り付けられた上記２枚の静電容量検出用の金属板４
ａ，４ｂを上記スイッチ７の被切換端子ａ，ｂとそれぞ
れ接続しており、当該スイッチ７を切り換えることで、
これら金属板４ａ，４ｂの何れか一方のみを静電容量検
出用電極として用いるようにしている。

【００２３】すなわち、本実施例では、図２に示すよう
に、例えば、光磁気ディスク２の内周部側に磁気ヘッド
５が位置した場合（磁気ヘッド５ｉのように図中位置Ｐ
ｉの位置にきた場合）には上記金属板４ａ_i ，４ｂ_i の
うち光磁気ディスク２上の金属薄膜１３と対向している
一方の金属板（図２の例では金属板４ｂ_i ）を静電容量
検出用電極として使用するようにしており、このため上
記スイッチ７は被切換端子ｂ側に切り換えられる。逆
に、光磁気ディスク２の外周部側に磁気ヘッド５が位置
した場合（磁気ヘッド５ｏのように図中位置Ｐｏの位置
にきた場合）には上記金属板４ａ_o ，４ｂ_o のうち光磁
気ディスク２上の金属薄膜１３と対向している他方の金
属板（図２の例では金属板４ａ_o ）を静電容量検出用電
極として使用するようにしており、このため上記スイッ
チ７は被切換端子ａ側に切り換えられる。更に、光磁気
ディスク２の中周部に磁気ヘッド５が位置した場合（磁
気ヘッド５ｓのように図中位置Ｐｓの位置にきた場合）
には上記金属板４ａ_s ，４ｂ_s のうち何れかの金属板の
みを静電容量検出用電極として使用するようにしてお
り、このため上記スイッチ７は被切換端子ａ或いはｂ側
の何れかに切り換えられる。

【００２４】言い換えれば、上記磁気ヘッド５が光磁気
ディスク２の内周部側の図中位置Ｐｉに位置した場合、
上記金属板４ａ_i に対向する光磁気ディスク２の記録面
には上記金属薄膜１３が成膜されていないため、この金
属板４ａ_i を静電容量検出用電極として使用しても静電
容量を検出することはできないが、本実施例では、この
場合上記金属板４ｂ_i を静電容量検出用電極として用い
るようにしているので、磁気ヘッド５の距離サーボを正
しくかけることができる。逆に、光磁気ディスク２の外
周部側の図中位置Ｐｏに上記磁気ヘッド５が位置した場
合、上記金属板４ｂ_o に対向する光磁気ディスク２の記
録面には上記金属薄膜１３が成膜されていないため、こ
の金属板４ｂ_o を静電容量検出用電極として使用しても
静電容量を検出することはできないが、本実施例では、
この場合上記金属板４ａ_o を静電容量検出用電極として
用いるようにしているので、磁気ヘッド５の距離サーボ
を正しくかけることができる。更に、上記磁気ヘッド５
が光磁気ディスク２の中周部の図中位置Ｐｓに位置した
場合、上記金属板４ａ_s ，４ｂ_s に対向する光磁気ディ
スク２の記録面には上記金属薄膜１３が成膜されている
ため、これら金属板４ａ_s ，４ｂ_s のうち何れも静電容
量検出用電極として使用でき、したがって、本実施例で
は、これら金属板４ａ_s ，４ｂ_s の何れかを静電容量検
出用電極として使用するようにしているので、この場合
も磁気ヘッド５の距離サーボを正しくかけることができ
る。

【００２５】このように、本実施例においては、静電容
量検出用電極として使用する金属板４を磁気ヘッド５の
位置（換言すれば光ピックアップ１の位置）に応じて切
り換えることで、当該磁気ヘッド５が光磁気ディスク２
上の何れの位置にあっても光磁気ディスク２の金属薄膜
１３と、上記切換選択されている金属板（静電容量検出
用電極として使用されている方の金属板）４との対向面
積は変化しないことになる。

【００２６】したがって、本実施例装置によれば、光磁
気ディスク２の全周にわたって、光磁気ディスク２の金
属薄膜１３と上記金属板４ａ或いは４ｂとの間の静電容
量を正しく検出することができる。

【００２７】なお、図２には、光磁気ディスク２上に形
成される保護膜１０，１２，１４及び記録膜１１も示し
ている。

【００２８】また、本実施例装置においては、上記スイ
ッチ７の切り換えを、上記光磁気ディスク２を挟んで上
記磁気ヘッド５と相対向する位置に配されて上記光磁気
ディスク２の径方向（図中矢印Ｘ方向）に上記磁気ヘッ
ド５と伴に移動する上記光ピックアップ１の、当該光磁
気ディスク２上の位置に基づいて制御するようにしてい
る。

【００２９】例えば、上記光磁気ディスク２上に記録さ
れているアドレス情報を上記光ピックアップ１で読み取
り、このアドレス情報に基づいてシステムコントローラ
１５が上記スイッチ７を切換制御するようにしている。
すなわち、上記システムコントローラ１５は、上記光磁
気ディスク２から光ピックアップ１により読み取られた
アドレス情報が上記光磁気ディスク２の上記内周部側を
示す場合には上記スイッチ７の被切換端子ｂ側を選ぶよ
うにし、逆に上記読み取られたアドレス情報が上記光磁
気ディスク２の上記外周部側を示す場合には上記被切換
端子ａ側を選ぶようにし、更にアドレス情報が上記中周
部を示す場合には被切換端子ａ或いはｂの何れかを選ぶ
ようにする。

【００３０】また、上記システムコントローラ１５は、
上記アドレス情報の他に、例えば光ピックアップ１を移
動させるスライダに取り付けたリニアエンコーダの出力
に基づいて上述同様のスイッチ７の切換制御を行うよう
にすることも可能である。

【００３１】ここで、本実施例装置の磁気ヘッド５に取
り付けた上記金属板４ａ，４ｂは、上述したように何れ
か一方のみが静電容量検出用電極として使用されるた
め、従来のものに比べて面積が小さくなり、検出される
静電容量も小さくなる虞れがある。このため、本実施例
では、上記金属板４に高誘電率の膜を設けることによっ
て、上記静電容量を増やす工夫を施すようにしている。

【００３２】すなわち、上記静電容量検出用電極として
の金属板４と上記光磁気ディスク２の金属薄膜１３との
間の誘電率をεとし、当該金属板４と金属薄膜１３との
間の対向面積をＳとし、金属板４と金属薄膜１３との間
の距離をｄとすると、静電容量Ｃは、数式(1) で表すこ
とができる。

【００３３】Ｃ＝ε（Ｓ／ｄ）・・・・・・(1)

【００３４】この数式(1) から、上記容量Ｃは、上記対
向面積Ｓの減少により小さくなることが判る。このよう
なことから、上記金属板４に高誘電率の膜を設けること
によって、上記容量Ｃを増やすことが可能となる。

【００３５】すなわち、本実施例では、上述したように
静電容量検出用電極として従来よりも面積の小さい上記
金属板４ａ或いは４ｂを用いても、当該金属板４上に高
誘電率の膜を設けることによって、大きな静電容量を得
ることができるので、高感度の静電容量検出を行うこと
が可能となる。

【００３６】上述したように、本実施例の磁気ヘッド位
置制御装置によれば、磁気ヘッド５に静電容量検出用電
極として取り付ける金属板を２枚以上（金属板４ａ，４
ｂ）に分割し、更にこれら静電容量検出用電極として使
用される金属板４ａ，４ｂを、光磁気ディスク２上の磁
気ヘッド５の位置に応じて（光ピックアップ１の位置に
応じて）電気的に切り換えることにより、光磁気ディス
ク２の全周にわたって磁気ヘッド５（記録コイル３）と
光磁気ディスク２との間の距離を一定に保つことができ
るようになる。

【００３７】また、上記静電容量検出用電極（金属板）
は全体の大きさが限られるため、分割数を増やすと１枚
当たりの面積が小さくなり、静電容量検出の感度が低下
して正しい距離サーボをかけることができなくなるが、
本実施例においては、上記金属板４ａ，４ｂの面上に高
誘電性膜を設けるようにしているため、上記金属板４
ａ，４ｂのように小さな面積であっても高い静電容量検
出感度を保つことができる。

【００３８】ところで、上記静電容量検出回路８は、具
体的には、例えば図３に示すように構成されるものであ
る。この図３において、上記スイッチ７の共通端子は、
図３の端子３１を介して当該静電容量検出回路８の発振
器１７に接続されている。この発振器１７は、上記金属
板４ａ或いは４ｂで検出される容量の変化に応じて発振
周波数が変化するものであって、例えば、図４に示すよ
うに構成されてなるものである。

【００３９】すなわち、この図４に示す発振器１７は、
アンプ４１の両端にコイル４２と各コンデンサ４３，４
４を接続したＬＣ発振回路であって、このうち上記コン
デンサ４３は、上記金属板４ａ或いは４ｂと上記光磁気
ディスク２の金属薄膜１３との間の容量を示す。したが
って、この発振器１７では、上記コンデンサ４３の容量
の変化すなわち上記金属板４ａ或いは４ｂと上記光磁気
ディスク２の金属薄膜１３との間の容量の変化に応じて
発振周波数が変化する。この発振器１７の発振出力は、
上記アンプ４１からバッファアンプ４５を介して端子４
６から出力される。

【００４０】なお、この発振器１７は、上記金属板４ａ
或いは４ｂに近接して設けることが好ましい。すなわ
ち、当該発振器１７を上記金属板４ａ或いは４ｂの近く
に設けることによって、浮遊容量の影響を少なくするこ
とができる。また、この発振器１７のＱを高く設定する
ことにより、上記磁気ヘッド５からの電磁界の外乱を受
け難くして制御動作を安定させることができる。

【００４１】上記発振器１７の端子４６からの発振出力
は、図３のフェーズロックドループ（ＰＬＬ）型位相検
波器１８に送られる。上記ＰＬＬ型位相検波器１８は、
位相差検出器２０，電圧制御型発振器２１，ローパスフ
ィルタ（ＬＰＦ）２３等からなり、上記発振器１７から
の発振出力が分周器１９を介して上記位相差検出器２０
に与えられると共に、上記電圧制御型発振器２１の発振
出力が分周器２２を介して上記位相差検出器２０に与え
られ、この位相差検出器２０の検出出力が上記ローパス
フィルタ２３を介して上記電圧制御型発振器２１に帰還
するようになっている。

【００４２】上記電圧制御型発振器２１は、上記発振器
１７の発振特性に近似した発振特性を有するものであっ
て、例えば、図５に示すものが用いられる。すなわち、
図５に示した電圧制御型発振器２１は、上記図４に示し
た発振器１７と同様にアンプ５１の両端にコイル５２と
各コンデンサ５３，５４が接続されてなり、更に、上記
コンデンサ５３の一端が可変容量ダイオード５５を介し
て負電源−Ｂに接続されている。この電圧制御型発振器
２１では、上記コンデンサ５５との接続点に、上記ロー
パスフィルタ２３を介して上記位相差検出器２０から与
えられる検出出力が供給（端子５０を介して供給）さ
れ、この検出出力に応じて上記可変容量ダイオード５５
の容量が変化する。したがって、この電圧制御型発振器
２１においては、上記アンプ５１からバッファアンプ５
６を介して端子５７から取り出される発振出力の周波数
が、上記端子５０を介して供給される上記検出出力に応
じて変化するものとなる。

【００４３】この端子５７からの発振出力が分周器２２
を介して上記位相差検出器２０に送られて、上記発振器
１７から上記分周器１９を介して上記位相差検出器２０
に供給された発振出力と位相が比較される。そして、こ
れら発振出力に位相差が生ずると、その位相差に応じた
検出出力が上記位相差検出器２０から出力されて、上記
位相差が減少するように上記電圧制御型発振器２１の発
振位相が帰還制御される。

【００４４】また、上記ＰＬＬ型位相検波器１８の位相
差検出器２０から出力された検出出力は、上記ローパス
フィルタ２３を介して検波出力として出力される。

【００４５】すなわち、このＰＬＬ型位相検波器１８か
らは、上記金属板４ａ或いは４ｂと上記光磁気ディスク
２の金属薄膜１３との間の相対距離ｄの変化すなわち上
記磁気ヘッド５と上記光磁気ディスク２との相対距離の
変化に応じた検出出力が得られることになる。

【００４６】この検波出力は、位相補償器２４に送られ
て位相補償が施され、この位相補償器２４からの出力が
端子３２を介して上記磁気ヘッド駆動回路９に送られ
る。

【００４７】この磁気ヘッド駆動回路９は、上記検波出
力を制御信号として、上記磁気ヘッド駆動装置６に送
り、当該磁気ヘッド駆動装置６で電磁的に上記磁気ヘッ
ド５を上記金属板４ａ，４ｂと共に上記遠近方向（上記
矢印Ｙ方向）に駆動変位させ、上記磁気ヘッド５と上記
光磁気ディスク２との相対距離を一定に保つようにす
る。

【００４８】このように、本実施例の磁気ヘッド位置制
御装置では、上記発振器１７の発振特性に近似した発振
特性を有する電圧制御型発振器２１を備えたＰＬＬ型位
相検波器１８で上記磁気ヘッド駆動装置６への制御信号
を形成している。このため、例えば上記各コイル４２，
５３等の回路素子の温度特性による誤差や、上記電圧制
御型発振器２１等の非線型特性による誤差を相殺するこ
とができ、精度の良い制御が実現できる。また、上記発
振器１７の発振出力をそのまま電圧に変換して上記磁気
ヘッド５を駆動変位させる場合と比較して、高いゲイン
がとれるので、レンジの広い高精度の制御が実現でき
る。

【００４９】

【発明の効果】上述のように、本発明の磁気ヘッド位置
制御装置においては、光磁気ディスクと対向して磁界変
調用磁気ヘッドの光磁気ディスク記録膜面側に光磁気デ
ィスクに対して平行に取り付けられると共に、磁気ヘッ
ドの磁芯コアを挟んで光磁気ディスクの半径方向に２分
割した少なくとも第１，第２の電極部よりなる静電容量
検出用電極と、静電容量検出用電極からの検出出力に基
づいて磁気ヘッドを光磁気ディスクの記録面に対して遠
近方向に駆動する駆動手段と、上記磁界変調用磁気ヘッ
ドが、当該光磁気ディスク上の上記静電容量検出用電極
部に相対向する光磁気ディスク面が外れる外周側の位置
又は内周側の位置に基づいて第１，第２の電極部を選択
的に切り換える切換手段とを有してなることにより、光
磁気ディスクの中周でも内外周でも（全周にわたって）
正しい距離サーボをかけることが可能となっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の磁気ヘッド位置制御装置の概略
構成を示す図である。

【図２】磁気ヘッドの移動と静電容量検出用電極として
使用される金属板の切換動作を説明するための図であ
る。

【図３】静電容量検出回路の具体的構成を示すブロック
回路図である。

【図４】発振器の具体的構成を示す回路図である。

【図５】電圧制御型発振器の具体的構成を示す回路図で
ある。

【図６】従来例の欠点を説明するための図である。

【符号の説明】

１・・・・・光ピックアップ ２・・・・・光磁気ディスク ３・・・・・記録コイル ４・・・・・金属板 ５・・・・・磁気ヘッド ６・・・・・磁気ヘッド駆動装置 ７・・・・・スイッチ ８・・・・・静電容量検出回路 ９・・・・・磁気ヘッド駆動回路 １３・・・・金属薄膜 １５・・・・システムコントローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−128620（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−325949（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−109470（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183003（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−78172（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−212869（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−71464（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 5/596 G11B 21/12 G11B 19/14

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気ディスクと対向して磁界変調用磁
   気ヘッドの光磁気ディスク記録膜面側に光磁気ディスク
   に対して平行に取り付けられると共に、磁気ヘッドの磁
   芯コアを挟んで光磁気ディスクの半径方向に２分割した
   少なくとも第１，第２の電極部よりなる静電容量検出用
   電極と、 上記静電容量検出用電極からの検出出力に基づいて上記
   磁界変調用磁気ヘッドを上記光磁気ディスクの記録面に
   対して遠近方向に駆動する駆動手段と、 上記磁界変調用磁気ヘッドが、当該光磁気ディスク上の
   上記静電容量検出用電極部に相対向する光磁気ディスク
   面が外れる外周側の位置又は内周側の位置に基づいて上
   記静電容量検出用電極の上記第１，第２の電極部を選択
   的に切り換える切換手段とを有してなることを特徴とす
   る磁気ヘッド位置制御装置。