JP3080067B2 - 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造方法 - Google Patents
光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造方法Info
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- JP3080067B2 JP3080067B2 JP10144313A JP14431398A JP3080067B2 JP 3080067 B2 JP3080067 B2 JP 3080067B2 JP 10144313 A JP10144313 A JP 10144313A JP 14431398 A JP14431398 A JP 14431398A JP 3080067 B2 JP3080067 B2 JP 3080067B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール結合
用のＳｉ−Ｖ溝基板を製造する方法に関する。
用のＳｉ−Ｖ溝基板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ−Ｖ溝基板とは、光モジュール（Ｌ
Ｄ、ＰＤ）内で光素子（ＬＤ、ＰＤ）と光ファイバーと
の間の結合を無調整で行う（パッシブアライメント）た
めに開発されたものであり、Ｓｉ基板をＫＯＨによって
Ｖ溝加工する他に、ＬＤへの電源、ＧＮＤのラインをＡ
ｕ配線でパターニングする他、ＬＤとＳｉ基板とを電気
的に接続するためのＡｕ／Ｓｎ半田もパターニングよっ
て形成することで、ＬＤや光ファイバーの搭載を完全に
自動化するのに必要な機能を有する。
Ｄ、ＰＤ）内で光素子（ＬＤ、ＰＤ）と光ファイバーと
の間の結合を無調整で行う（パッシブアライメント）た
めに開発されたものであり、Ｓｉ基板をＫＯＨによって
Ｖ溝加工する他に、ＬＤへの電源、ＧＮＤのラインをＡ
ｕ配線でパターニングする他、ＬＤとＳｉ基板とを電気
的に接続するためのＡｕ／Ｓｎ半田もパターニングよっ
て形成することで、ＬＤや光ファイバーの搭載を完全に
自動化するのに必要な機能を有する。
【０００３】Ｓｉ基板にＶ溝を形成したのち、種々の膜
を形成する技術は多数提案されている（たとえば特開平
９−２６６２４７号公報等）。
を形成する技術は多数提案されている（たとえば特開平
９−２６６２４７号公報等）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一度Ｖ
溝形成を行うと、その後はその凹凸により、スピンコー
タでのレジスト塗布ができなくなる。このため、フォト
リソグラフィーによるパターンニングは断念せざるを得
なかった。つまり、Ｖ溝形成工程を最終工程に固定する
しか方法がなかった。そこで、次のような課題への解決
策がなく、これが大きな問題となっていた。・Ａｕ／Ｓ
ｎ半田のパターンニング後に、ＫＯＨ工程があり、特に
Ｓｎへの影響で半田の熔け具合がばらついてしまう。・
Ｖ溝の斜面にパターンニングをすることができない。・
ＬＤ搭載の精度向上のために、Ａｕパターンの上に台座
を設けたいが、スパッタでＳｉ酸化膜を成膜した場合、
ＫＯＨ水溶液に対してのエッチングレートが高すぎて台
座がすべてなくなってしまう。つまり台座を形成できな
い。
溝形成を行うと、その後はその凹凸により、スピンコー
タでのレジスト塗布ができなくなる。このため、フォト
リソグラフィーによるパターンニングは断念せざるを得
なかった。つまり、Ｖ溝形成工程を最終工程に固定する
しか方法がなかった。そこで、次のような課題への解決
策がなく、これが大きな問題となっていた。・Ａｕ／Ｓ
ｎ半田のパターンニング後に、ＫＯＨ工程があり、特に
Ｓｎへの影響で半田の熔け具合がばらついてしまう。・
Ｖ溝の斜面にパターンニングをすることができない。・
ＬＤ搭載の精度向上のために、Ａｕパターンの上に台座
を設けたいが、スパッタでＳｉ酸化膜を成膜した場合、
ＫＯＨ水溶液に対してのエッチングレートが高すぎて台
座がすべてなくなってしまう。つまり台座を形成できな
い。
【０００５】本発明の目的は、これらの問題点をすべて
解消し、ＫＯＨ処理後のパターンニングつまり、立体的
に加工されたＳｉウェハに対して、フォトリソグラフィ
ーによる加工技術を使うことが可能な光モジュール結合
用Ｖ溝基板の製造方法を抵抗することである。
解消し、ＫＯＨ処理後のパターンニングつまり、立体的
に加工されたＳｉウェハに対して、フォトリソグラフィ
ーによる加工技術を使うことが可能な光モジュール結合
用Ｖ溝基板の製造方法を抵抗することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、光モジュール
結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板を製造する方法であって、Ｓｉサ
ブストレート表面に、熱酸化膜を形成する工程と、前記
熱酸化膜上に、フォトレジストを塗布し、露光現像、エ
ッチングを行って、熱酸化膜にエッチング孔を開孔する
工程と、前記エッチング孔内において前記Ｓｉサブスト
レートをエッチングすることにより、Ｖ溝を形成する工
程と、前記熱酸化膜表面および前記Ｖ溝内面の全面にわ
たってスパッタ膜を形成する工程と、前記スパッタ膜上
に、スプレー式塗布によりレジストを塗布する工程と、
前記レジストをパターンニングし、ついてエッチングす
ることによりスパッタ膜を部分的に除去する工程と、前
記レジスト膜を除去する工程と、を備えたことを特徴と
する。
結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板を製造する方法であって、Ｓｉサ
ブストレート表面に、熱酸化膜を形成する工程と、前記
熱酸化膜上に、フォトレジストを塗布し、露光現像、エ
ッチングを行って、熱酸化膜にエッチング孔を開孔する
工程と、前記エッチング孔内において前記Ｓｉサブスト
レートをエッチングすることにより、Ｖ溝を形成する工
程と、前記熱酸化膜表面および前記Ｖ溝内面の全面にわ
たってスパッタ膜を形成する工程と、前記スパッタ膜上
に、スプレー式塗布によりレジストを塗布する工程と、
前記レジストをパターンニングし、ついてエッチングす
ることによりスパッタ膜を部分的に除去する工程と、前
記レジスト膜を除去する工程と、を備えたことを特徴と
する。
【０００７】さらに本発明は、光モジュール結合用Ｓｉ
−Ｖ溝基板を製造する方法であって、Ｖ溝および配線パ
ターンを設けたＳｉサブストレート表面の全体にわたっ
て台座用スパッタ膜を成膜する工程と、前記スパッタ膜
上に、スプレー式塗布によりレジストを塗布する工程
と、前記レジストをパターンニングし、ついてエッチン
グすることによりスパッタ膜を部分的に除去して台座用
パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。
−Ｖ溝基板を製造する方法であって、Ｖ溝および配線パ
ターンを設けたＳｉサブストレート表面の全体にわたっ
て台座用スパッタ膜を成膜する工程と、前記スパッタ膜
上に、スプレー式塗布によりレジストを塗布する工程
と、前記レジストをパターンニングし、ついてエッチン
グすることによりスパッタ膜を部分的に除去して台座用
パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。
【０００８】本発明の特長は、Ｓｉ基板にＶ溝エッチン
グという立体的な加工を行った後に、フォトリソグラフ
ィーを用いてパターンニングを行えることである。通
常、数１０μｍ以上の段差のあるウェハには、スピンコ
ータでフォトレジストを均一に塗布することは不可能で
あるが、本発明の方法によれば、エアロコート装置によ
るスプレー式レジスト塗布方式をＳｉ基板の加工に応用
することで、Ｓｉ−Ｖ溝基板に対して、さまざまな付加
機能を設けることができる。
グという立体的な加工を行った後に、フォトリソグラフ
ィーを用いてパターンニングを行えることである。通
常、数１０μｍ以上の段差のあるウェハには、スピンコ
ータでフォトレジストを均一に塗布することは不可能で
あるが、本発明の方法によれば、エアロコート装置によ
るスプレー式レジスト塗布方式をＳｉ基板の加工に応用
することで、Ｓｉ−Ｖ溝基板に対して、さまざまな付加
機能を設けることができる。
【０００９】特に、プロセスの自由度が広がる。具体的
に説明すると、スピンコートによるレジスト塗布を行う
限り、複数回のフォトリソグラフィーを用いる場合、必
ず最終工程をＫＯＨ等によるＶ溝エッチング工程にする
必要があり、それまでに形成するパターンがＫＯＨとい
う強アルカリに対して、十分な耐性を有するものしか用
いられなかった。ところが、本発明により、Ｖ溝エッチ
ングの工程をどの順番で行ってもよいという自由度が与
えられたことで、プロセスのバリエーションを格段に増
やすことが可能になる。
に説明すると、スピンコートによるレジスト塗布を行う
限り、複数回のフォトリソグラフィーを用いる場合、必
ず最終工程をＫＯＨ等によるＶ溝エッチング工程にする
必要があり、それまでに形成するパターンがＫＯＨとい
う強アルカリに対して、十分な耐性を有するものしか用
いられなかった。ところが、本発明により、Ｖ溝エッチ
ングの工程をどの順番で行ってもよいという自由度が与
えられたことで、プロセスのバリエーションを格段に増
やすことが可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例につい
て図１を参照して概略的に説明する。図１は、本発明で
利用される、一般に市販されているノードソン（株）製
のエアロコート装置の概念図である。図１において、符
号１０はＳｉ基板、１１はウェハステージ、１２はノズ
ル、１３はエアロコート装置、１４は霧状フォトレジス
トである。
て図１を参照して概略的に説明する。図１は、本発明で
利用される、一般に市販されているノードソン（株）製
のエアロコート装置の概念図である。図１において、符
号１０はＳｉ基板、１１はウェハステージ、１２はノズ
ル、１３はエアロコート装置、１４は霧状フォトレジス
トである。
【００１１】このエアロコート装置では、液体のフォト
レジストを、適当なキャリアガスにのせて霧状に仕上
げ、その粒子一つ一つに高電圧をかけて帯電させたもの
をノズル１２から噴霧する方式であり、被塗布物である
Ｓｉ基板１０は、電気的に接地させておくことで、クー
ロン力によってレジストが密着する。
レジストを、適当なキャリアガスにのせて霧状に仕上
げ、その粒子一つ一つに高電圧をかけて帯電させたもの
をノズル１２から噴霧する方式であり、被塗布物である
Ｓｉ基板１０は、電気的に接地させておくことで、クー
ロン力によってレジストが密着する。
【００１２】本発明では、被塗布物はＳｉ基板１０であ
り、Ｓｉ基板１０を保持するウェハステージ１１は接地
させておく。また、ここではエアロコート装置を用いる
ものとして説明するが、他のスプレー式塗布装置を用い
てもよい。
り、Ｓｉ基板１０を保持するウェハステージ１１は接地
させておく。また、ここではエアロコート装置を用いる
ものとして説明するが、他のスプレー式塗布装置を用い
てもよい。
【００１３】次に本発明方法のプロセスの構成について
図２を参照して述べる。本プロセスは、Ｓｉのアルカリ
に対する異方性エッチング特性を利用してＶ溝を形成
し、更に他の膜のパターンを同一基板上に形成して、さ
まざまな機能を持たせるものであることを意図してい
る。
図２を参照して述べる。本プロセスは、Ｓｉのアルカリ
に対する異方性エッチング特性を利用してＶ溝を形成
し、更に他の膜のパターンを同一基板上に形成して、さ
まざまな機能を持たせるものであることを意図してい
る。
【００１４】図２（Ａ）に示すように、面方位＜１００
＞のＳｉサブストレート１に、加圧酸化等により、熱酸
化膜２を形成する。ついで、図２（Ｂ）のように、従来
から用いられているスピンコータ等によってフォトレジ
ストを塗布し、露光現像、エッチングを行って、熱酸化
膜２にエッチング孔３を開孔する。このときのエッチン
グは、バファードフッ酸によるウェットエッチングでも
よいが、より開孔部の寸法精度を出すためには、ＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）のようなドライエッチング
が望ましい。
＞のＳｉサブストレート１に、加圧酸化等により、熱酸
化膜２を形成する。ついで、図２（Ｂ）のように、従来
から用いられているスピンコータ等によってフォトレジ
ストを塗布し、露光現像、エッチングを行って、熱酸化
膜２にエッチング孔３を開孔する。このときのエッチン
グは、バファードフッ酸によるウェットエッチングでも
よいが、より開孔部の寸法精度を出すためには、ＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）のようなドライエッチング
が望ましい。
【００１５】つぎに、ＫＯＨ水溶液、またはＫＯＨ水溶
液にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を混合した溶液
でＳｉサブストレート１をエッチングすることにより、
水平面に対して５４．７゜の角度でエッチングが進み、
開孔３部分において、Ｓｉサブストレート１に横断面Ｖ
字形のＶ溝４が形成される。
液にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を混合した溶液
でＳｉサブストレート１をエッチングすることにより、
水平面に対して５４．７゜の角度でエッチングが進み、
開孔３部分において、Ｓｉサブストレート１に横断面Ｖ
字形のＶ溝４が形成される。
【００１６】続いて、図２（Ｄ）に示すように、Ａｕ／
Ｐｔ／Ｃｒ、またはＡｕ／Ｔｉのようなスパッタ膜５を
熱酸化膜２表面およびＶ溝４内面の全面にわたって形成
する。この例では、Ａｕ（金）をとりあげて説明する
と、Ｃｒの役目は、金属膜とＳｉ酸化膜との密着性を向
上させる糊の役目をするものであり、またＰｔは、この
Ａｕの上から、後工程で半田付け等で熱が加わったとき
に、ＡｕがＣｒ膜へ拡散するのを防ぐバリア膜として機
能する。また、Ｔｉ膜を使用する場合には、前記Ｃｒと
Ｐｔに代わってその両方の機能を果たし、膜密着力を確
保しながらバリア膜としての役目も担うものである。
Ｐｔ／Ｃｒ、またはＡｕ／Ｔｉのようなスパッタ膜５を
熱酸化膜２表面およびＶ溝４内面の全面にわたって形成
する。この例では、Ａｕ（金）をとりあげて説明する
と、Ｃｒの役目は、金属膜とＳｉ酸化膜との密着性を向
上させる糊の役目をするものであり、またＰｔは、この
Ａｕの上から、後工程で半田付け等で熱が加わったとき
に、ＡｕがＣｒ膜へ拡散するのを防ぐバリア膜として機
能する。また、Ｔｉ膜を使用する場合には、前記Ｃｒと
Ｐｔに代わってその両方の機能を果たし、膜密着力を確
保しながらバリア膜としての役目も担うものである。
【００１７】このスパッタ膜５の上に、図２（Ｅ）に示
すように、スプレー式塗布によりレジスト６を塗布す
る。この場合、通常のスピンコートでは、表面張力によ
りＶ溝４のエッジ部分にレジストが非常に厚く塗られて
しまう。またウェハの回転方向によって、Ｖ溝４の右と
左では遠心力によるレジストの流れが反対になり、両側
でのレジスト厚も大きく変わってしまう。このような不
均一な膜では、露光・現像はできないため、本発明で
は、レジストをスプレーで塗布する工法を用いる。本発
明方法で好適に使用できるスプレー装置としては、ノー
ドソン（株）製のエアロコート装置が挙げられる。しか
し、塗布の精度がそれほど問題にならなければ、他の一
般的なスプレー装置でも問題はない。
すように、スプレー式塗布によりレジスト６を塗布す
る。この場合、通常のスピンコートでは、表面張力によ
りＶ溝４のエッジ部分にレジストが非常に厚く塗られて
しまう。またウェハの回転方向によって、Ｖ溝４の右と
左では遠心力によるレジストの流れが反対になり、両側
でのレジスト厚も大きく変わってしまう。このような不
均一な膜では、露光・現像はできないため、本発明で
は、レジストをスプレーで塗布する工法を用いる。本発
明方法で好適に使用できるスプレー装置としては、ノー
ドソン（株）製のエアロコート装置が挙げられる。しか
し、塗布の精度がそれほど問題にならなければ、他の一
般的なスプレー装置でも問題はない。
【００１８】エアロコート装置を用いた場合、図１に示
したように、Ｓｉ基板１０をウェハステージ１１に取り
付ける。ウェハステージは接地されており、電気的には
ＧＮＤレベルにある。フォトレジストは、エアロコート
装置１３の中で、霧状になり更に高電圧を印加されて静
電気を帯電した状態でノズル１２から噴霧される。噴霧
された霧状フォトレジスト１４は、重力による落下とク
ーロン力によってＳｉ基板１０に密着する。
したように、Ｓｉ基板１０をウェハステージ１１に取り
付ける。ウェハステージは接地されており、電気的には
ＧＮＤレベルにある。フォトレジストは、エアロコート
装置１３の中で、霧状になり更に高電圧を印加されて静
電気を帯電した状態でノズル１２から噴霧される。噴霧
された霧状フォトレジスト１４は、重力による落下とク
ーロン力によってＳｉ基板１０に密着する。
【００１９】再び図２において、均一に塗布されたレジ
スト６は所定のマスクで露光、現像されて、目的のパタ
ーンでパターンニングされ、エッチングにより、所定の
部分のみを残してスパッタ膜５を部分的に除去する（図
２（Ｆ））。
スト６は所定のマスクで露光、現像されて、目的のパタ
ーンでパターンニングされ、エッチングにより、所定の
部分のみを残してスパッタ膜５を部分的に除去する（図
２（Ｆ））。
【００２０】つぎに、図２（Ｇ）に示すように、レジス
ト膜６を除去する。スパッタ膜５をＡｕ／Ｔｉとする
と、配線パターン７が、基板上に搭載される素子の電源
ラインや信号ラインとなる。また、Ｖ溝４の斜面にＡｕ
の膜を残せば、光を反射させるミラーの役目も果たせ
る。これは、光ファイバーからの出る光を反射させるの
で、組み合わせるフォトダイオードなどの種類やレイア
ウトに自由度が広がる。このように、Ｓｉ基板にＶ溝を
形成してからのフォトリソグラフィーによるパターンニ
ングができることが特徴的なプロセスである。
ト膜６を除去する。スパッタ膜５をＡｕ／Ｔｉとする
と、配線パターン７が、基板上に搭載される素子の電源
ラインや信号ラインとなる。また、Ｖ溝４の斜面にＡｕ
の膜を残せば、光を反射させるミラーの役目も果たせ
る。これは、光ファイバーからの出る光を反射させるの
で、組み合わせるフォトダイオードなどの種類やレイア
ウトに自由度が広がる。このように、Ｓｉ基板にＶ溝を
形成してからのフォトリソグラフィーによるパターンニ
ングができることが特徴的なプロセスである。
【００２１】すなわちこのエッチングの順序で工程を進
めることで、Ｖ溝形成後に、膜のパターンニングを行う
ことが可能になる。
めることで、Ｖ溝形成後に、膜のパターンニングを行う
ことが可能になる。
【００２２】次に、発明の第２の実施形態として、図２
（Ｇ）の構造の配線パターン７およびミラー８を形成し
たウェハから、光モジュール結合用Ｖ溝基板を製造する
工程を図３を参照して説明する。
（Ｇ）の構造の配線パターン７およびミラー８を形成し
たウェハから、光モジュール結合用Ｖ溝基板を製造する
工程を図３を参照して説明する。
【００２３】図３（Ａ）は、図２（Ｇ）に示したものと
同一である。まず配線まで完了したウェハに、スパッタ
膜１７（台座用）を成膜して、図３（Ｂ）の構造とす
る。この膜１７の例として、Ｓｉ酸化膜を用いたとす
る。Ｓｉ酸化膜は、熱酸化膜よりもポーラスであるた
め、ＫＯＨ水溶液に対してのエッチレートが早く、Ｖ溝
エッチング前には成膜することができないものである。
図３（Ｃ）、（Ｄ）の工程では、図２に示したプロセス
と同様に、スプレー式レジスト塗布工法を用いてパター
ンニングを行い、バッファードフッ酸やＲＩＥによって
エッチングを行い、台座用パターンを９形成する。
同一である。まず配線まで完了したウェハに、スパッタ
膜１７（台座用）を成膜して、図３（Ｂ）の構造とす
る。この膜１７の例として、Ｓｉ酸化膜を用いたとす
る。Ｓｉ酸化膜は、熱酸化膜よりもポーラスであるた
め、ＫＯＨ水溶液に対してのエッチレートが早く、Ｖ溝
エッチング前には成膜することができないものである。
図３（Ｃ）、（Ｄ）の工程では、図２に示したプロセス
と同様に、スプレー式レジスト塗布工法を用いてパター
ンニングを行い、バッファードフッ酸やＲＩＥによって
エッチングを行い、台座用パターンを９形成する。
【００２４】このＳｉ台座用パターン９は、配線パター
ン７の上に形成してレーザーダイオード（ＬＤ）の位置
決めに用いることができる。つまり、Ｖ溝４によって位
置決めされた光ファイバーのコアの部分と、ＬＤの活性
層との位置とをミクロン単位で合わせたり、ＬＤの基板
への搭載時に仰り角を小さくするなどの働きがあり、光
モジュール組立プロセスに有効である。
ン７の上に形成してレーザーダイオード（ＬＤ）の位置
決めに用いることができる。つまり、Ｖ溝４によって位
置決めされた光ファイバーのコアの部分と、ＬＤの活性
層との位置とをミクロン単位で合わせたり、ＬＤの基板
への搭載時に仰り角を小さくするなどの働きがあり、光
モジュール組立プロセスに有効である。
【００２５】最後に、台座用パターン９上に残存する台
座用レジスト１８を除去することにより、図３（Ｅ）の
ウェハが完成する。
座用レジスト１８を除去することにより、図３（Ｅ）の
ウェハが完成する。
【００２６】最終的な仕上がりとしては、図４に示すよ
うなチップのデバイスとなる。この例では、Ｓｉ基板１
５に光ファイバーを位置決めするためのＶ溝１６を設
け、その対向部にはレーザーダイオード等の光チップ部
品を搭載して、信号電流を供給する配線パターン７を形
成したものとなる。
うなチップのデバイスとなる。この例では、Ｓｉ基板１
５に光ファイバーを位置決めするためのＶ溝１６を設
け、その対向部にはレーザーダイオード等の光チップ部
品を搭載して、信号電流を供給する配線パターン７を形
成したものとなる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造プロセスの自由度を大幅に向上さ
せる効果がある。具体的にはつぎのような構造の基板を
つくるのに有効である。１）Ｖ溝斜面に膜を整形する場
合（金属膜によるミラー形成など）。２）Ｖ溝形成後
に、パターンを形成することで、ＫＯＨに弱い膜も基板
上に形成することができる。３）Ａｕ／Ｓｎ半田層のパ
ターンニングや、スパッタ酸化膜など。
Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造プロセスの自由度を大幅に向上さ
せる効果がある。具体的にはつぎのような構造の基板を
つくるのに有効である。１）Ｖ溝斜面に膜を整形する場
合（金属膜によるミラー形成など）。２）Ｖ溝形成後
に、パターンを形成することで、ＫＯＨに弱い膜も基板
上に形成することができる。３）Ａｕ／Ｓｎ半田層のパ
ターンニングや、スパッタ酸化膜など。
【００２８】つまりＶ溝をまず形成してしまい、その後
スプレー式レジスト塗布を行い、自由にプロセスを組む
ことが可能となった。
スプレー式レジスト塗布を行い、自由にプロセスを組む
ことが可能となった。
【図１】本発明に使用するのに適したエアロコート装置
の構成を示す説明図。
の構成を示す説明図。
【図２】本発明の第１の実施の形態における光モジュー
ル結合用Ｖ溝基板の製造工程を示す断面図。
ル結合用Ｖ溝基板の製造工程を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態における光モジュー
ル結合用Ｖ溝基板の製造工程を示す断面図。
ル結合用Ｖ溝基板の製造工程を示す断面図。
【図４】本発明方法にしたがって製造された光モジュー
ル結合用Ｖ溝基板の斜視図。
ル結合用Ｖ溝基板の斜視図。
１ Ｓｉサブストレート ２ 熱酸化膜 ３ 開孔 ４ Ｖ溝 ５ スパッタ膜 ６ レジスト ７ 配線パターン ８ ミラー ９ 台座用パターン １７ 台座用スパッタ膜 １８ 台座用レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/24 - 6/42
Claims (2)
- 【請求項１】 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板を製
造する方法であって、 Ｓｉサブストレート表面に、熱酸化膜を形成する工程
と、 前記熱酸化膜上に、フォトレジストを塗布し、露光現
像、エッチングを行って、熱酸化膜にエッチング孔を開
孔する工程と、 前記エッチング孔内において前記Ｓｉサブストレートを
エッチングすることにより、Ｖ溝を形成する工程と、 前記熱酸化膜表面および前記Ｖ溝内面の全面にわたって
スパッタ膜を形成する工程と、 前記スパッタ膜上に、スプレー式塗布によりレジストを
塗布する工程と、 前記レジストをパターンニングし、ついてエッチングす
ることによりスパッタ膜を部分的に除去する工程と、 前記レジスト膜を除去する工程と、を備えたことを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板を製
造する方法であって、 Ｖ溝および配線パターンを設けたＳｉサブストレート表
面の全体にわたって台座用スパッタ膜を成膜する工程
と、 前記スパッタ膜上に、スプレー式塗布によりレジストを
塗布する工程と、 前記レジストをパターンニングし、ついてエッチングす
ることによりスパッタ膜を部分的に除去して台座用パタ
ーンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144313A JP3080067B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144313A JP3080067B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11337778A JPH11337778A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3080067B2 true JP3080067B2 (ja) | 2000-08-21 |
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ID=15359191
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10144313A Expired - Fee Related JP3080067B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 光モジュール結合用Ｓｉ−Ｖ溝基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080067B2 (ja) |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP10144313A patent/JP3080067B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11337778A (ja) | 1999-12-10 |
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