JP3071788B2 - イメ―ジセンサチップのシフトを測定するためのシステム及びその方法 - Google Patents
イメ―ジセンサチップのシフトを測定するためのシステム及びその方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定システム及び
その方法に関するもので、特に、イメージセンサチップ
のシフトを測定するためのシステム及びその方法に関す
るものである。
その方法に関するもので、特に、イメージセンサチップ
のシフトを測定するためのシステム及びその方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】イメージスキャナなど一般のイメージ走
査装置は、以下３種類のパーツを使用して被走査物体の
イメージを捕らえる。すなわち、被走査物体を照射す
るための光源と、イメージセンサと、及び被走査物
体のイメージの焦点をイメージセンサ上に結ばせるため
の光学システムである。また、早期に使用されたイメー
ジセンサアレイは、電荷結合装置（ＣＣＤ；charged-co
upled device）よりなるものである。
査装置は、以下３種類のパーツを使用して被走査物体の
イメージを捕らえる。すなわち、被走査物体を照射す
るための光源と、イメージセンサと、及び被走査物
体のイメージの焦点をイメージセンサ上に結ばせるため
の光学システムである。また、早期に使用されたイメー
ジセンサアレイは、電荷結合装置（ＣＣＤ；charged-co
upled device）よりなるものである。
【０００３】しかしながら、例えばＡ４（幅２１０ｍ
ｍ）を対象とするイメージスキャナの場合、レンズシス
テムを使用することにより、Ａ４の被走査物体のイメー
ジを、電荷結合装置のイメージセンサが許容できるレベ
ルまで縮小しなければならない。このため、レンズシス
テムに約３００ｍｍの光学距離が必要となり、イメージ
センサ全体の体積を非常に大きくとる必要が生じる。も
し、反射レンズによる屈折を利用して装置体積を縮小さ
せると、走査の質が、温度変化や機械的応力に左右され
やすくなる。
ｍ）を対象とするイメージスキャナの場合、レンズシス
テムを使用することにより、Ａ４の被走査物体のイメー
ジを、電荷結合装置のイメージセンサが許容できるレベ
ルまで縮小しなければならない。このため、レンズシス
テムに約３００ｍｍの光学距離が必要となり、イメージ
センサ全体の体積を非常に大きくとる必要が生じる。も
し、反射レンズによる屈折を利用して装置体積を縮小さ
せると、走査の質が、温度変化や機械的応力に左右され
やすくなる。
【０００４】このため現在では、接触式イメージセンサ
（ＣＩＳ；contact image sensor）が、前述した電荷結
合装置によるイメージセンサに取って代わりつつある。
接触式イメージセンサは、Ａ４の被走査物体と同じ幅に
並ぶため、等倍率の光学レンズを使用して被走査物体の
イメージを接触式イメージセンサ上に投影するだけで、
該被走査物体のイメージデータを得ることができる。し
たがって、構造の簡略化だけでなく、イメージ走査装置
全体の体積も大幅に縮小することが可能である。
（ＣＩＳ；contact image sensor）が、前述した電荷結
合装置によるイメージセンサに取って代わりつつある。
接触式イメージセンサは、Ａ４の被走査物体と同じ幅に
並ぶため、等倍率の光学レンズを使用して被走査物体の
イメージを接触式イメージセンサ上に投影するだけで、
該被走査物体のイメージデータを得ることができる。し
たがって、構造の簡略化だけでなく、イメージ走査装置
全体の体積も大幅に縮小することが可能である。
【０００５】図１に示されるように、一般の接触式イメ
ージセンサモジュール２０は、先ずイメージセンサチッ
プをメインボード１０上に並べ、ついで顕微鏡を用いて
人手により各イメージセンサチップを測定し、シフトが
ないかどうか確認した後、これらチップをフレーム１５
に貼りつけて固定したものである。ここでは、歩留り及
びコストを考慮した結果、長さの比較的短いイメージセ
ンサチップ１２、１４、１６を一列に並べてある。
ージセンサモジュール２０は、先ずイメージセンサチッ
プをメインボード１０上に並べ、ついで顕微鏡を用いて
人手により各イメージセンサチップを測定し、シフトが
ないかどうか確認した後、これらチップをフレーム１５
に貼りつけて固定したものである。ここでは、歩留り及
びコストを考慮した結果、長さの比較的短いイメージセ
ンサチップ１２、１４、１６を一列に並べてある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな接触式イメージセンサモジュール２０をイメージ走
査装置に応用し、走査した結果得られたイメージに落差
又は不連続が生じ、その原因がイメージセンサチップの
シフトだと考えられる場合、各イメージセンサチップ１
２、１４、１６がメインボード１０とともにフレーム１
５に固定されているため、破壊性の測定を行うのが唯一
の解決方法となってしまう。すなわち、フレーム１５を
取りはずし、顕微鏡を使用して直接イメージセンサチッ
プを観察するのである。しかしながら、この時接触式イ
メージセンサモジュール２０自体もまた破壊されるた
め、再使用は不可能となる。
うな接触式イメージセンサモジュール２０をイメージ走
査装置に応用し、走査した結果得られたイメージに落差
又は不連続が生じ、その原因がイメージセンサチップの
シフトだと考えられる場合、各イメージセンサチップ１
２、１４、１６がメインボード１０とともにフレーム１
５に固定されているため、破壊性の測定を行うのが唯一
の解決方法となってしまう。すなわち、フレーム１５を
取りはずし、顕微鏡を使用して直接イメージセンサチッ
プを観察するのである。しかしながら、この時接触式イ
メージセンサモジュール２０自体もまた破壊されるた
め、再使用は不可能となる。
【０００７】本発明は、上述した問題点を解決し、イメ
ージセンサチップのシフトを測定するための新規なシス
テム及びその方法を提供することを目的とする。この新
規なシステムは、イメージ処理の方式を利用し、各イメ
ージセンサチップ間の間隔距離のシフト量を測定するも
のであり、接触式イメージセンサモジュールがすでに固
定されている場合であっても、その構造及び機能を破壊
することなく、各イメージセンサチップ間の間隔距離の
シフト量を測定することができる。
ージセンサチップのシフトを測定するための新規なシス
テム及びその方法を提供することを目的とする。この新
規なシステムは、イメージ処理の方式を利用し、各イメ
ージセンサチップ間の間隔距離のシフト量を測定するも
のであり、接触式イメージセンサモジュールがすでに固
定されている場合であっても、その構造及び機能を破壊
することなく、各イメージセンサチップ間の間隔距離の
シフト量を測定することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明は、イメージセンサチップのシフト量を測
定するためのシステムを提供する。このシステムは、所
定のパターンを有したテスト図と、一列に並んだ複数の
イメージセンサチップを有した接触式イメージセンサモ
ジュールと、前記接触式イメージセンサモジュールを、
前記テスト図に対して所定方向に移動させるための駆動
装置と、前記駆動装置を制御する制御システムと、を備
えてなる。ここで、前記各イメージセンサチップには複
数のセンサが設けられ、これらのセンサには、隣り合う
２つのイメージセンサチップの各端点に位置するセンサ
も含まれる。ここで、前記接触式イメージセンサモジュ
ールは、前記テスト図を走査することにより、隣り合う
２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前記セ
ンサで検知された前記所定のパターンに対応する信号波
形を獲得し、前記センサ間の間隔距離を計算する。
ため、本発明は、イメージセンサチップのシフト量を測
定するためのシステムを提供する。このシステムは、所
定のパターンを有したテスト図と、一列に並んだ複数の
イメージセンサチップを有した接触式イメージセンサモ
ジュールと、前記接触式イメージセンサモジュールを、
前記テスト図に対して所定方向に移動させるための駆動
装置と、前記駆動装置を制御する制御システムと、を備
えてなる。ここで、前記各イメージセンサチップには複
数のセンサが設けられ、これらのセンサには、隣り合う
２つのイメージセンサチップの各端点に位置するセンサ
も含まれる。ここで、前記接触式イメージセンサモジュ
ールは、前記テスト図を走査することにより、隣り合う
２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前記セ
ンサで検知された前記所定のパターンに対応する信号波
形を獲得し、前記センサ間の間隔距離を計算する。
【０００９】本発明はまた、イメージセンサチップのシ
フトを測定するための方法を提供する。この方法は、
（１）一列に並んだ複数のイメージセンサチップを含有
し、各イメージセンサチップには複数のセンサが設けら
れているような、接触式イメージセンサモジュールを提
供する段階と、（２）所定のパターンを有したテスト図
を提供する段階と、（３）前記接触式イメージセンサモ
ジュールを、前記テスト図に対して所定方向に移動さ
せ、前記テスト図を走査する段階と、（４）隣り合う２
つのイメージセンサチップの各端点に位置するセンサで
それぞれ検知された前記所定のパターンに対応する信号
波形を得る段階と、（５）隣り合う２つのイメージセン
サチップの各端点に位置する前記センサ間の間隔距離を
計算する段階と、を含有する。
フトを測定するための方法を提供する。この方法は、
（１）一列に並んだ複数のイメージセンサチップを含有
し、各イメージセンサチップには複数のセンサが設けら
れているような、接触式イメージセンサモジュールを提
供する段階と、（２）所定のパターンを有したテスト図
を提供する段階と、（３）前記接触式イメージセンサモ
ジュールを、前記テスト図に対して所定方向に移動さ
せ、前記テスト図を走査する段階と、（４）隣り合う２
つのイメージセンサチップの各端点に位置するセンサで
それぞれ検知された前記所定のパターンに対応する信号
波形を得る段階と、（５）隣り合う２つのイメージセン
サチップの各端点に位置する前記センサ間の間隔距離を
計算する段階と、を含有する。
【００１０】ここで、前記所定方向は、前記テスト図の
パターンを横切るか、或いは、同パターンに沿った方向
を含有する。前記テスト図の前記所定のパターンは白黒
のストライプであり、このストライプの方向は前記各イ
メージセンサチップの並び方向又はこの並び方向の斜め
方向で、黒色及び白色ストライプの間隔は等間隔又は非
等間隔のいずれでもよい。
パターンを横切るか、或いは、同パターンに沿った方向
を含有する。前記テスト図の前記所定のパターンは白黒
のストライプであり、このストライプの方向は前記各イ
メージセンサチップの並び方向又はこの並び方向の斜め
方向で、黒色及び白色ストライプの間隔は等間隔又は非
等間隔のいずれでもよい。
【００１１】このほか、走査は、接触式イメージセンサ
モジュールを、所定のパターンを有したテスト図に対し
て所定方向に移動させることにより行うこともできる
し、所定のパターンを有したテスト図を接触式イメージ
センサモジュールに対して所定方向に移動させることに
より行うこともできるし、或いは又、光線（レーザな
ど）で合成されたテスト図により前記接触式イメージセ
ンサモジュールを走査してもよい。前記所定方向は、前
記接触式イメージセンサモジュールと前記テスト図の所
定のパターンとが所定の狭角を形成するような方向をも
含有する。
モジュールを、所定のパターンを有したテスト図に対し
て所定方向に移動させることにより行うこともできる
し、所定のパターンを有したテスト図を接触式イメージ
センサモジュールに対して所定方向に移動させることに
より行うこともできるし、或いは又、光線（レーザな
ど）で合成されたテスト図により前記接触式イメージセ
ンサモジュールを走査してもよい。前記所定方向は、前
記接触式イメージセンサモジュールと前記テスト図の所
定のパターンとが所定の狭角を形成するような方向をも
含有する。
【００１２】黒色のストライプを走査する場合、対応す
る信号波形は低照度の領域であることを示し、白色のス
トライプを走査する場合、対応する信号波形は高照度の
領域であることを示し、黒色及び白色ストライプの両方
に部分的にまたがって走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域と高照度の領域の間であることを示す。
る信号波形は低照度の領域であることを示し、白色のス
トライプを走査する場合、対応する信号波形は高照度の
領域であることを示し、黒色及び白色ストライプの両方
に部分的にまたがって走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域と高照度の領域の間であることを示す。
【００１３】このほか、隣り合う２つのイメージセンサ
チップの各端点に位置するセンサ間の距離を計算するた
めの方法として、次のような方法が挙げられる。すなわ
ち、隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点に位
置するセンサでそれぞれ検知した前記所定のパターンに
対応する信号波形を、互いに重なり合うまで平行移動さ
せ、その移動距離を計算することにより、これらセンサ
間の前記各イメージセンサチップの並び方向又はこの並
び方向と直角の方向の間隔距離を得る方法である。
チップの各端点に位置するセンサ間の距離を計算するた
めの方法として、次のような方法が挙げられる。すなわ
ち、隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点に位
置するセンサでそれぞれ検知した前記所定のパターンに
対応する信号波形を、互いに重なり合うまで平行移動さ
せ、その移動距離を計算することにより、これらセンサ
間の前記各イメージセンサチップの並び方向又はこの並
び方向と直角の方向の間隔距離を得る方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の上述及びその他の目的、
特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしつつさらに詳しく
説明する。ところでイメージセンサチップを構成する複
数のセンサは、当該イメージセンサチップと一体に形成
されており、したがって、異なるイメージセンサチップ
に含まれるセンサ間のシフトを検知すれば、これらの異
なるイメージセンサチップ間のシフトを検知することが
できる。本発明は、かかる点に着目してなされたもので
ある。なお、以下では、図面による説明の便宜上、各イ
メージセンサチップの並び方向を水平方向、この並び方
向と直角の方向を垂直方向という。
特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしつつさらに詳しく
説明する。ところでイメージセンサチップを構成する複
数のセンサは、当該イメージセンサチップと一体に形成
されており、したがって、異なるイメージセンサチップ
に含まれるセンサ間のシフトを検知すれば、これらの異
なるイメージセンサチップ間のシフトを検知することが
できる。本発明は、かかる点に着目してなされたもので
ある。なお、以下では、図面による説明の便宜上、各イ
メージセンサチップの並び方向を水平方向、この並び方
向と直角の方向を垂直方向という。
【００１５】図２（Ａ）は、本発明による、イメージセ
ンサチップのシフトを測定するための方法の流れ図であ
る。この方法は、（１）ステップＳ１０に基づき、一列
に並んだ複数のイメージセンサチップを含有し、各イメ
ージセンサチップには複数のセンサが設けられているよ
うな、接触式イメージセンサモジュールを提供する段階
と、（２）ステップＳ２０に基づき、所定のパターンを
有したテスト図を提供する段階と、（３）ステップＳ３
０に基づき、前記接触式イメージセンサモジュールを、
前記テスト図に対して所定方向に移動させ、走査を行う
段階と、（４）ステップＳ４０に基づき、隣り合う２つ
のイメージセンサチップの各端点に位置するセンサでそ
れぞれ検知された前記所定のパターンに対応する信号波
形を得る段階と、（５）ステップＳ５０に基づき、隣り
合う２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前
記センサ間の間隔距離を計算する段階と、を含有する。
ンサチップのシフトを測定するための方法の流れ図であ
る。この方法は、（１）ステップＳ１０に基づき、一列
に並んだ複数のイメージセンサチップを含有し、各イメ
ージセンサチップには複数のセンサが設けられているよ
うな、接触式イメージセンサモジュールを提供する段階
と、（２）ステップＳ２０に基づき、所定のパターンを
有したテスト図を提供する段階と、（３）ステップＳ３
０に基づき、前記接触式イメージセンサモジュールを、
前記テスト図に対して所定方向に移動させ、走査を行う
段階と、（４）ステップＳ４０に基づき、隣り合う２つ
のイメージセンサチップの各端点に位置するセンサでそ
れぞれ検知された前記所定のパターンに対応する信号波
形を得る段階と、（５）ステップＳ５０に基づき、隣り
合う２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前
記センサ間の間隔距離を計算する段階と、を含有する。
【００１６】図２（Ｂ）は、前述した本発明による方法
の第１の実施の形態に基づき、イメージセンサチップの
シフトを測定するためのシステムの構成図である。この
システムは、（ａ）図３に示されるような、黒色ストラ
イプ３２、３４、３６及び白色ストライプ３８、３８ｂ
が交互に並ぶような所定のパターンを有したテスト図３
０と、（ｂ）一列に並んだ複数のイメージセンサチップ
を主に含有し、前記各イメージセンサチップには複数の
センサが設けられており、これには、図４に示されるＰ
１、Ｐ２のような、隣り合う２つのイメージセンサチッ
プの各端点に位置するセンサも含有されるような、接触
式イメージセンサモジュールで、その解像度は各メーカ
の規格により決定されるような、接触式イメージセンサ
モジュール２０と、（ｃ）前記接触式イメージセンサモ
ジュール２０よりも解像度が高い刻み精粗（ピッチ）を
選択して測定が行えるようなステッピングモータに代表
される駆動装置５０と、（ｄ）例えばイメージ処理及び
計算の機能を有したマイクロプロセッサを使用してお
り、前記駆動装置５０を制御することにより、前記接触
式イメージセンサモジュール２０に前記テスト図３０を
所定方向に走査させ、隣り合う２つのイメージセンサチ
ップの各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２でそれぞれ検
知される、図６に示されるような前記所定のパターンに
対応する信号波形を得ることができ、さらに得られた波
形をもとに、隣り合う２つのイメージセンサチップの各
端点に位置した前記センサＰ１、Ｐ２間の垂直方向の距
離Δｙ（又は水平方向の距離Δｘ）を計算することがで
きるような、制御システム４０と、を備えてなる。ここ
で、前記センサＰ１、Ｐ２間の間隔距離は、各センサの
中心点を基準に算出するものとする。
の第１の実施の形態に基づき、イメージセンサチップの
シフトを測定するためのシステムの構成図である。この
システムは、（ａ）図３に示されるような、黒色ストラ
イプ３２、３４、３６及び白色ストライプ３８、３８ｂ
が交互に並ぶような所定のパターンを有したテスト図３
０と、（ｂ）一列に並んだ複数のイメージセンサチップ
を主に含有し、前記各イメージセンサチップには複数の
センサが設けられており、これには、図４に示されるＰ
１、Ｐ２のような、隣り合う２つのイメージセンサチッ
プの各端点に位置するセンサも含有されるような、接触
式イメージセンサモジュールで、その解像度は各メーカ
の規格により決定されるような、接触式イメージセンサ
モジュール２０と、（ｃ）前記接触式イメージセンサモ
ジュール２０よりも解像度が高い刻み精粗（ピッチ）を
選択して測定が行えるようなステッピングモータに代表
される駆動装置５０と、（ｄ）例えばイメージ処理及び
計算の機能を有したマイクロプロセッサを使用してお
り、前記駆動装置５０を制御することにより、前記接触
式イメージセンサモジュール２０に前記テスト図３０を
所定方向に走査させ、隣り合う２つのイメージセンサチ
ップの各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２でそれぞれ検
知される、図６に示されるような前記所定のパターンに
対応する信号波形を得ることができ、さらに得られた波
形をもとに、隣り合う２つのイメージセンサチップの各
端点に位置した前記センサＰ１、Ｐ２間の垂直方向の距
離Δｙ（又は水平方向の距離Δｘ）を計算することがで
きるような、制御システム４０と、を備えてなる。ここ
で、前記センサＰ１、Ｐ２間の間隔距離は、各センサの
中心点を基準に算出するものとする。
【００１７】図２（Ｂ）に示された第１の実施の形態で
は、前記駆動装置５０を利用して前記接触式イメージセ
ンサモジュール２０を駆動することにより、前記テスト
図３０を所定方向に走査する。しかしながら、本発明の
精神に照らせば、接触式イメージセンサモジュールとテ
スト図との間に相対的な移動が生じることが重要であっ
て、例えば駆動装置を利用してテスト図を駆動し、この
テスト図を接触式イメージセンサモジュールに対して所
定方向に移動させることにより走査を行うことも、同様
に可能である。
は、前記駆動装置５０を利用して前記接触式イメージセ
ンサモジュール２０を駆動することにより、前記テスト
図３０を所定方向に走査する。しかしながら、本発明の
精神に照らせば、接触式イメージセンサモジュールとテ
スト図との間に相対的な移動が生じることが重要であっ
て、例えば駆動装置を利用してテスト図を駆動し、この
テスト図を接触式イメージセンサモジュールに対して所
定方向に移動させることにより走査を行うことも、同様
に可能である。
【００１８】図３は、前記テスト図３０に垂直な方向
（所定のパターンを横切る方向）ｙを例にとり、前記接
触式イメージセンサモジュール２０を使用して、前記テ
スト図３０の所定のパターン（水平な黒色ストライプ３
２、３４、３６及び白色ストライプ３８、３８ｂが交互
に並ぶ領域）に対してｙ方向に走査を行ったさいに得ら
れた、イメージセンサチップ１２の端点に位置するセン
サＰが検知した前記所定のパターンに対応する信号波形
Ｖｐを示した波形図である。ここで、図３中の縦軸はｙ
方向の距離を表わし、横軸は照度の変化を表わす。走査
方式に関しては、前記接触式イメージセンサモジュール
２０のメインボード１０を、前記テスト図３０に対して
所定方向に移動させてもよいし、光線（レーザなど）で
合成された干渉ストライプをテスト図３０として使用
し、前記イメージセンサモジュール２０のメインボード
１０に対して走査を行ってもよい。前記黒色のストライ
プ３２、３４、３６を走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域であることを示し、前記白色のストライ
プ３８を走査する場合、対応する信号波形は高照度の領
域であることを示し、センサが前記黒色ストライプ３
２、３４及び前記白色ストライプ３８の両方に部分的に
またがって走査する場合、対応する信号波形は低照度の
領域と高照度の領域の間であることを示す。
（所定のパターンを横切る方向）ｙを例にとり、前記接
触式イメージセンサモジュール２０を使用して、前記テ
スト図３０の所定のパターン（水平な黒色ストライプ３
２、３４、３６及び白色ストライプ３８、３８ｂが交互
に並ぶ領域）に対してｙ方向に走査を行ったさいに得ら
れた、イメージセンサチップ１２の端点に位置するセン
サＰが検知した前記所定のパターンに対応する信号波形
Ｖｐを示した波形図である。ここで、図３中の縦軸はｙ
方向の距離を表わし、横軸は照度の変化を表わす。走査
方式に関しては、前記接触式イメージセンサモジュール
２０のメインボード１０を、前記テスト図３０に対して
所定方向に移動させてもよいし、光線（レーザなど）で
合成された干渉ストライプをテスト図３０として使用
し、前記イメージセンサモジュール２０のメインボード
１０に対して走査を行ってもよい。前記黒色のストライ
プ３２、３４、３６を走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域であることを示し、前記白色のストライ
プ３８を走査する場合、対応する信号波形は高照度の領
域であることを示し、センサが前記黒色ストライプ３
２、３４及び前記白色ストライプ３８の両方に部分的に
またがって走査する場合、対応する信号波形は低照度の
領域と高照度の領域の間であることを示す。
【００１９】次に、図４において、前記メインボード１
０上の隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４
の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２が、垂直方向ｙに
誤差を生じていない場合、前記センサＰ１、Ｐ２は同時
に前記黒色ストライプ３２、３４及び前記白色ストライ
プ３８を通過するため、走査後に得られる、前記センサ
Ｐ１、Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のストライプ
に対応する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２は、図４に示される
ようにほぼ完全に重なり合う。
０上の隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４
の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２が、垂直方向ｙに
誤差を生じていない場合、前記センサＰ１、Ｐ２は同時
に前記黒色ストライプ３２、３４及び前記白色ストライ
プ３８を通過するため、走査後に得られる、前記センサ
Ｐ１、Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のストライプ
に対応する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２は、図４に示される
ようにほぼ完全に重なり合う。
【００２０】しかしながら、前記メインボード１０上の
隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４の各端
点に位置するセンサＰ１、Ｐ２が、もし垂直方向ｙに実
質誤差Δｙを生じている場合、前記センサＰ１、Ｐ２は
前後して前記黒色ストライプ３２、３４及び前記白色ス
トライプ３８を通過するため、走査後に得られる、前記
センサＰ１、Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のスト
ライプに対応する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２に対応する照
度は、図５に示されるように、ある距離だけ離れて重な
り合わない。
隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４の各端
点に位置するセンサＰ１、Ｐ２が、もし垂直方向ｙに実
質誤差Δｙを生じている場合、前記センサＰ１、Ｐ２は
前後して前記黒色ストライプ３２、３４及び前記白色ス
トライプ３８を通過するため、走査後に得られる、前記
センサＰ１、Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のスト
ライプに対応する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２に対応する照
度は、図５に示されるように、ある距離だけ離れて重な
り合わない。
【００２１】図６に示されるように、前記センサＰ１、
Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のストライプに対応
する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２間の間隔距離は、前記セン
サＰ１、Ｐ２が垂直方向ｙに有する実質誤差Δｙであ
る。したがって、前記隣り合う２つのイメージセンサチ
ップ１２、１４の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２間
の垂直方向の間隔距離Δｙを計算する方法の１つとして
次のような方法が挙げられる。すなわち、前記センサＰ
１で検出された前記黒色及び白色のストライプに対応す
る信号波形Ｖｐ１を、前記センサＰ２で検出された前記
黒色及び白色のストライプに対応する信号波形Ｖｐ２に
重なるまで平行移動させ、又は前記センサＰ２で検出さ
れた前記黒色及び白色のストライプに対応する信号波形
Ｖｐ２を、前記センサＰ１で検出された前記黒色及び白
色のストライプに対応する信号波形Ｖｐ１に重なるまで
平行移動させ、平行移動させた距離を計算することによ
り両者の垂直方向の間隔距離Δｙを得る、というもので
ある。前記テスト図３０を９０度回転させ、走査方向を
水平方向（所定のパターンに沿った方向）ｘに変更した
場合、上述した実施の形態に基づいて同様な測定を行う
ことにより、水平方向の間隔距離Δｘを得ることができ
る。
Ｐ２で検知された前記黒色及び白色のストライプに対応
する信号波形Ｖｐ１、Ｖｐ２間の間隔距離は、前記セン
サＰ１、Ｐ２が垂直方向ｙに有する実質誤差Δｙであ
る。したがって、前記隣り合う２つのイメージセンサチ
ップ１２、１４の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２間
の垂直方向の間隔距離Δｙを計算する方法の１つとして
次のような方法が挙げられる。すなわち、前記センサＰ
１で検出された前記黒色及び白色のストライプに対応す
る信号波形Ｖｐ１を、前記センサＰ２で検出された前記
黒色及び白色のストライプに対応する信号波形Ｖｐ２に
重なるまで平行移動させ、又は前記センサＰ２で検出さ
れた前記黒色及び白色のストライプに対応する信号波形
Ｖｐ２を、前記センサＰ１で検出された前記黒色及び白
色のストライプに対応する信号波形Ｖｐ１に重なるまで
平行移動させ、平行移動させた距離を計算することによ
り両者の垂直方向の間隔距離Δｙを得る、というもので
ある。前記テスト図３０を９０度回転させ、走査方向を
水平方向（所定のパターンに沿った方向）ｘに変更した
場合、上述した実施の形態に基づいて同様な測定を行う
ことにより、水平方向の間隔距離Δｘを得ることができ
る。
【００２２】次に、本発明による、イメージセンサチッ
プのシフトを測定するための方法の、第２の実施の形態
について説明する。
プのシフトを測定するための方法の、第２の実施の形態
について説明する。
【００２３】図７では、垂直方向ｙを例にとり、前記接
触式イメージセンサモジュール２０とテスト図７０と
が、例えば４５度のような所定の狭角θをなすようにし
たうえで、前記接触式イメージセンサモジュール２０を
使用し、前記テスト図７０の所定のパターン（例えば水
平方向に対し斜め方向の黒色ストライプ７２、７４及び
白色ストライプ７８が交互に並ぶ領域）に対してｙ方向
に走査を行うことにより、前記イメージセンサチップ１
２の端点に位置する隣り合う２つのセンサＰ０、Ｐ１が
検知した前記所定のパターンに対応する信号波形Ｖｐ
０’、Ｖｐ１’、及び前記イメージセンサチップ１４の
端点に位置したセンサＰ２が検知した前記所定のパター
ンに対応する信号波形Ｖｐ２’を得た。ここで、走査方
式に関しては、例えば斜め方向の黒色ストライプを走査
方向である垂直方向ｙに合わせたり、若しくは水平の黒
色ストライプを走査方向である垂直方向ｙと斜角θで交
わらせたりするなどして、前記接触式イメージセンサモ
ジュール２０のメインボード１０を、前記テスト図７０
に対して所定の方向に移動させてもよいし、又は光線
（レーザなど）で合成されたテスト図７０を使用し、前
記イメージセンサモジュール２０のメインボード１０に
対して走査を行ってもよい。したがって、前記黒色のス
トライプ７２、７４を走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域であることを示し、前記白色のストライ
プ７８を走査する場合、対応する信号波形は高照度の領
域であることを示し、前記黒色ストライプ７２、７４及
び前記白色ストライプ７８の両方に部分的にまたがって
走査する場合、対応する信号波形は低照度の領域と高照
度の領域の間であることを示す。
触式イメージセンサモジュール２０とテスト図７０と
が、例えば４５度のような所定の狭角θをなすようにし
たうえで、前記接触式イメージセンサモジュール２０を
使用し、前記テスト図７０の所定のパターン（例えば水
平方向に対し斜め方向の黒色ストライプ７２、７４及び
白色ストライプ７８が交互に並ぶ領域）に対してｙ方向
に走査を行うことにより、前記イメージセンサチップ１
２の端点に位置する隣り合う２つのセンサＰ０、Ｐ１が
検知した前記所定のパターンに対応する信号波形Ｖｐ
０’、Ｖｐ１’、及び前記イメージセンサチップ１４の
端点に位置したセンサＰ２が検知した前記所定のパター
ンに対応する信号波形Ｖｐ２’を得た。ここで、走査方
式に関しては、例えば斜め方向の黒色ストライプを走査
方向である垂直方向ｙに合わせたり、若しくは水平の黒
色ストライプを走査方向である垂直方向ｙと斜角θで交
わらせたりするなどして、前記接触式イメージセンサモ
ジュール２０のメインボード１０を、前記テスト図７０
に対して所定の方向に移動させてもよいし、又は光線
（レーザなど）で合成されたテスト図７０を使用し、前
記イメージセンサモジュール２０のメインボード１０に
対して走査を行ってもよい。したがって、前記黒色のス
トライプ７２、７４を走査する場合、対応する信号波形
は低照度の領域であることを示し、前記白色のストライ
プ７８を走査する場合、対応する信号波形は高照度の領
域であることを示し、前記黒色ストライプ７２、７４及
び前記白色ストライプ７８の両方に部分的にまたがって
走査する場合、対応する信号波形は低照度の領域と高照
度の領域の間であることを示す。
【００２４】図８は、走査時における、前記センサＰ
０、Ｐ１、Ｐ２と、前記斜め方向の黒色ストライプ７
２、７４及び前記白色ストライプ７８との相対位置を表
わしており、図９（Ａ）は、前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ
２に対応して形成された前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ
１’、Ｖｐ２’を示した波形図である。ここで、前記隣
り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４の各端点
に位置する前記センサＰ１、Ｐ２が、垂直方向ｙには垂
直距離Δｙ、水平方向には水平距離Δｘだけ離れていた
場合、走査時において、各センサが前記黒色ストライプ
７２、７４及びその間の前記白色ストライプ７８を通過
する順序が異なるため、前記イメージセンサチップ１
２、１４の各端点に位置する前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ
２で検知された前記黒色及び白色のストライプに対応す
る信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’は、互いに重
なり合わない。例えば、前記白色ストライプ７８を基準
とすると、最初に前記白色ストライプ７８を通過するの
は前記センサＰ２であり、次は前記センサＰ１、最後が
前記センサＰ０である。したがって、照度変化Ｖｏｕｔ
に対応する前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’
は、ある距離だけ離れて互いに重なり合わない。
０、Ｐ１、Ｐ２と、前記斜め方向の黒色ストライプ７
２、７４及び前記白色ストライプ７８との相対位置を表
わしており、図９（Ａ）は、前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ
２に対応して形成された前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ
１’、Ｖｐ２’を示した波形図である。ここで、前記隣
り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４の各端点
に位置する前記センサＰ１、Ｐ２が、垂直方向ｙには垂
直距離Δｙ、水平方向には水平距離Δｘだけ離れていた
場合、走査時において、各センサが前記黒色ストライプ
７２、７４及びその間の前記白色ストライプ７８を通過
する順序が異なるため、前記イメージセンサチップ１
２、１４の各端点に位置する前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ
２で検知された前記黒色及び白色のストライプに対応す
る信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’は、互いに重
なり合わない。例えば、前記白色ストライプ７８を基準
とすると、最初に前記白色ストライプ７８を通過するの
は前記センサＰ２であり、次は前記センサＰ１、最後が
前記センサＰ０である。したがって、照度変化Ｖｏｕｔ
に対応する前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’
は、ある距離だけ離れて互いに重なり合わない。
【００２５】このほか、図８では、３つの相対位置Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３を例にとり、センサＰ０−Ｐ１及びＰ１
−Ｐ２の水平方向の間隔距離をそれぞれΔｘ０及びΔｘ
としている。また、前記接触式イメージセンサモジュー
ル内の、前記センサＰ０と前記センサＰ１の中心点を結
んだ線をｘ軸方向に定義し、前記テスト図７０の斜めの
ストライプとｘ軸とがなす所定の狭角をθとする。次
に、前記センサＰ２、Ｐ１、Ｐ０が、前記白色ストライ
プ７８に前後して到達した際における、前記第１の位置
Ｙ１と前記第２の位置Ｙ２との垂直距離をΔｙ’、前記
第２の位置Ｙ２と前記第３の位置Ｙ３との垂直距離をΔ
ｙ０と定義し、且つ、前記第２の位置Ｙ２のうち前記イ
メージセンサチップ１２の前記センサＰ１の中心点と、
前記第１の位置Ｙ１のうち前記イメージセンサチップ１
４の前記センサＰ２の中心点との垂直距離を、Δｙ１と
定義する。すると、次のような関係式が得られる。 Δｙ０／Δｘ０＝ｔａｎθ＝Δｙ１／Δｘ………（１） Δｙ’＝Δｙ１＋Δｙ ………（２） よって、前記狭角θが４５度のとき、前記関係式（１）
は、次のように書きかえることができる。 Δｙ０／Δｘ０＝１＝Δｙ１／Δｘ ………（３） 図９（Ａ）において、前記斜め方向の黒色ストライプ７
２と７４とに挟まれた前記白色のストライプ７８に関し
て言えば、最初に前記センサＰ２がこの領域を走査して
高照度域を形成し、次に前記センサＰ１、前記センサＰ
０が続く。こうして、前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ２でそ
れぞれ検知された前記黒色及び白色のストライプに対応
する前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’を得る
ことができる。ここで、前記信号波形Ｖｐ０’−Ｖｐ
１’に対応する間隔距離はΔｙ０、前記信号波形Ｖｐ
１’−Ｖｐ２’に対応する間隔距離はΔｙ’である。
１、Ｙ２、Ｙ３を例にとり、センサＰ０−Ｐ１及びＰ１
−Ｐ２の水平方向の間隔距離をそれぞれΔｘ０及びΔｘ
としている。また、前記接触式イメージセンサモジュー
ル内の、前記センサＰ０と前記センサＰ１の中心点を結
んだ線をｘ軸方向に定義し、前記テスト図７０の斜めの
ストライプとｘ軸とがなす所定の狭角をθとする。次
に、前記センサＰ２、Ｐ１、Ｐ０が、前記白色ストライ
プ７８に前後して到達した際における、前記第１の位置
Ｙ１と前記第２の位置Ｙ２との垂直距離をΔｙ’、前記
第２の位置Ｙ２と前記第３の位置Ｙ３との垂直距離をΔ
ｙ０と定義し、且つ、前記第２の位置Ｙ２のうち前記イ
メージセンサチップ１２の前記センサＰ１の中心点と、
前記第１の位置Ｙ１のうち前記イメージセンサチップ１
４の前記センサＰ２の中心点との垂直距離を、Δｙ１と
定義する。すると、次のような関係式が得られる。 Δｙ０／Δｘ０＝ｔａｎθ＝Δｙ１／Δｘ………（１） Δｙ’＝Δｙ１＋Δｙ ………（２） よって、前記狭角θが４５度のとき、前記関係式（１）
は、次のように書きかえることができる。 Δｙ０／Δｘ０＝１＝Δｙ１／Δｘ ………（３） 図９（Ａ）において、前記斜め方向の黒色ストライプ７
２と７４とに挟まれた前記白色のストライプ７８に関し
て言えば、最初に前記センサＰ２がこの領域を走査して
高照度域を形成し、次に前記センサＰ１、前記センサＰ
０が続く。こうして、前記センサＰ０、Ｐ１、Ｐ２でそ
れぞれ検知された前記黒色及び白色のストライプに対応
する前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’を得る
ことができる。ここで、前記信号波形Ｖｐ０’−Ｖｐ
１’に対応する間隔距離はΔｙ０、前記信号波形Ｖｐ
１’−Ｖｐ２’に対応する間隔距離はΔｙ’である。
【００２６】すなわち、図９（Ｂ）に示されるように、
前記信号波形Ｖｐ０’を、前記信号波形Ｖｐ１’と重な
り合うまで平行移動させると、その平行移動した距離を
計算することにより、前記間隔距離Δｙ０を得ることが
できる。同様に、前記信号波形Ｖｐ１’を、前記信号波
形Ｖｐ２’と重なり合うまで平行移動させると、その平
行移動した距離を計算することにより、前記間隔距離Δ
ｙ’を得ることができる。
前記信号波形Ｖｐ０’を、前記信号波形Ｖｐ１’と重な
り合うまで平行移動させると、その平行移動した距離を
計算することにより、前記間隔距離Δｙ０を得ることが
できる。同様に、前記信号波形Ｖｐ１’を、前記信号波
形Ｖｐ２’と重なり合うまで平行移動させると、その平
行移動した距離を計算することにより、前記間隔距離Δ
ｙ’を得ることができる。
【００２７】したがって、前記狭角θが４５度のとき、
前記関係式（３）より、 Δｘ０＝Δｙ０、Δｘ＝Δｙ１………（４） また、前記関係式（２）と前記関係式（４）を合わせる
と、 Δｘ＝Δｙ’−Δｙ ………（５） 前述した第１の実施の形態では、図６に示されるように
垂直距離Δｙを得ることができ、この関係式（５）を利
用すれば、さらに水平距離Δｘを得ることができる。し
たがって、水平及び斜め方向の２組の白黒のストライプ
を利用すれば、接触式イメージセンサモジュールにより
ｙ軸方向に走査するだけで、イメージセンサチップ間の
シフト値Δｘ及びΔｙを得ることができ、よって、駆動
機構の簡略化を図ることができる。つまり、以上に挙げ
た２つの実施の形態による、イメージセンサチップのシ
フトを測定するための方法を総合すれば、次のような方
法を得ることができる。
前記関係式（３）より、 Δｘ０＝Δｙ０、Δｘ＝Δｙ１………（４） また、前記関係式（２）と前記関係式（４）を合わせる
と、 Δｘ＝Δｙ’−Δｙ ………（５） 前述した第１の実施の形態では、図６に示されるように
垂直距離Δｙを得ることができ、この関係式（５）を利
用すれば、さらに水平距離Δｘを得ることができる。し
たがって、水平及び斜め方向の２組の白黒のストライプ
を利用すれば、接触式イメージセンサモジュールにより
ｙ軸方向に走査するだけで、イメージセンサチップ間の
シフト値Δｘ及びΔｙを得ることができ、よって、駆動
機構の簡略化を図ることができる。つまり、以上に挙げ
た２つの実施の形態による、イメージセンサチップのシ
フトを測定するための方法を総合すれば、次のような方
法を得ることができる。
【００２８】この方法は、[Ａ]図１、５、６に示される
ように、（１）一列に並んだ複数のイメージセンサチッ
プ１２、１４、１６を含有し、各イメージセンサチップ
には複数のセンサＰ１、Ｐ２が設けられているような、
接触式イメージセンサモジュール２０を提供する段階
と、（２）水平の白黒のストライプ３２、３８、３４を
有した第１のテスト図３０を提供する段階と、（３）前
記接触式イメージセンサモジュール２０を使用し、前記
第１のテスト図３０を垂直方向ｙに走査する段階と、
（４）隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４
の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２でそれぞれ検出さ
れた前記水平の白黒のストライプに対応する信号波形Ｖ
ｐ１、Ｖｐ２を得る段階と、（５）前記信号波形Ｖｐ
１、Ｖｐ２に基づき、前記隣り合う２つのイメージセン
サチップ１２、１４の各端点に位置する前記センサＰ
１、Ｐ２間の垂直の間隔距離Δｙを計算する段階と、
[Ｂ]図７〜９に示されるように、（１）斜め方向のスト
ライプ７２、７４が交互に並ぶようなテスト域を有した
第２のテスト図７０を提供する段階と、（２）前記接触
式イメージセンサモジュール２０を使用し、前記第２の
テスト図７０を、前記斜め方向ストライプ７２、７４と
斜角θ（例えば４５度）をなすような方向である垂直方
向ｙに走査する段階と、（３）隣り合う２つのイメージ
センサチップ１２、１４の各端点に位置する少なくとも
３つのセンサＰ０、Ｐ１、Ｐ２でそれぞれ検出された前
記斜め方向の白黒のストライプに対応する信号波形Ｖｐ
０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’を得る段階と、（４）前記垂
直距離Δｙ、前記少なくとも３つのセンサＰ０、Ｐ１、
Ｐ２で検知された前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖ
ｐ２’、及び前記斜角θに基づき、前記隣り合う２つの
イメージセンサチップ１２、１４の各端点にそれぞれ位
置する前記センサＰ１、Ｐ２間の水平距離Δｘを計算す
る段階と、を含有する。
ように、（１）一列に並んだ複数のイメージセンサチッ
プ１２、１４、１６を含有し、各イメージセンサチップ
には複数のセンサＰ１、Ｐ２が設けられているような、
接触式イメージセンサモジュール２０を提供する段階
と、（２）水平の白黒のストライプ３２、３８、３４を
有した第１のテスト図３０を提供する段階と、（３）前
記接触式イメージセンサモジュール２０を使用し、前記
第１のテスト図３０を垂直方向ｙに走査する段階と、
（４）隣り合う２つのイメージセンサチップ１２、１４
の各端点に位置するセンサＰ１、Ｐ２でそれぞれ検出さ
れた前記水平の白黒のストライプに対応する信号波形Ｖ
ｐ１、Ｖｐ２を得る段階と、（５）前記信号波形Ｖｐ
１、Ｖｐ２に基づき、前記隣り合う２つのイメージセン
サチップ１２、１４の各端点に位置する前記センサＰ
１、Ｐ２間の垂直の間隔距離Δｙを計算する段階と、
[Ｂ]図７〜９に示されるように、（１）斜め方向のスト
ライプ７２、７４が交互に並ぶようなテスト域を有した
第２のテスト図７０を提供する段階と、（２）前記接触
式イメージセンサモジュール２０を使用し、前記第２の
テスト図７０を、前記斜め方向ストライプ７２、７４と
斜角θ（例えば４５度）をなすような方向である垂直方
向ｙに走査する段階と、（３）隣り合う２つのイメージ
センサチップ１２、１４の各端点に位置する少なくとも
３つのセンサＰ０、Ｐ１、Ｐ２でそれぞれ検出された前
記斜め方向の白黒のストライプに対応する信号波形Ｖｐ
０’、Ｖｐ１’、Ｖｐ２’を得る段階と、（４）前記垂
直距離Δｙ、前記少なくとも３つのセンサＰ０、Ｐ１、
Ｐ２で検知された前記信号波形Ｖｐ０’、Ｖｐ１’、Ｖ
ｐ２’、及び前記斜角θに基づき、前記隣り合う２つの
イメージセンサチップ１２、１４の各端点にそれぞれ位
置する前記センサＰ１、Ｐ２間の水平距離Δｘを計算す
る段階と、を含有する。
【００２９】以上に好ましい実施の形態を開示したが、
これらは決して本発明の範囲を限定するものではなく、
当該技術に熟知した者ならば誰でも、本発明の精神と領
域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えられるべ
きであって、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲
で指定した内容を基準とする。
これらは決して本発明の範囲を限定するものではなく、
当該技術に熟知した者ならば誰でも、本発明の精神と領
域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えられるべ
きであって、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲
で指定した内容を基準とする。
【００３０】なお、前記実施形態の変形例を含むさらに
上位の概念となる測定システム及び方法に係る発明を以
下に示しておくこととする。
上位の概念となる測定システム及び方法に係る発明を以
下に示しておくこととする。
【００３１】前記実施形態では、接触式のイメージセン
サモジュールについて例示したが、本発明の適用範囲は
これに限られず、例えば、ＣＣＤ等のイメージセンサモ
ジュールについても適用できる。また、前記実施形態で
は、隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点に位
置するセンサでテスト図の所定のパターンを検知した
が、本発明の適用範囲はこれに限られず、例えば、３つ
のイメージセンサチップに含まれるセンサ（必ずしも端
点に位置するものでなくてもよい。）でテスト図の所定
のパターンを検知することとしてもよい。この検知は必
ずしも同時に行う必要はなく、例えば、ある１つのイメ
ージセンサチップについてテスト図を走査して検知デー
タをメモリに記憶しておき、しかる後に、別のイメージ
センサチップについてテスト図を全く同じように走査し
て検知データを獲得し、両検知データに基づいて両イメ
ージセンサチップにそれぞれ含まれるセンサ間の間隔距
離を計算することとしてもよい。従って、これらの変形
例を許容しうる上位概念として、以下のものが考えられ
る。すなわち、以下の符号１．は、請求項１に対応し、
符号２．は、請求項８に対応し、符号３．は、請求項１
９に対応するものであり、それぞれの請求項に従属する
請求項は、当然にこれらの概念に含まれるものである。
サモジュールについて例示したが、本発明の適用範囲は
これに限られず、例えば、ＣＣＤ等のイメージセンサモ
ジュールについても適用できる。また、前記実施形態で
は、隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点に位
置するセンサでテスト図の所定のパターンを検知した
が、本発明の適用範囲はこれに限られず、例えば、３つ
のイメージセンサチップに含まれるセンサ（必ずしも端
点に位置するものでなくてもよい。）でテスト図の所定
のパターンを検知することとしてもよい。この検知は必
ずしも同時に行う必要はなく、例えば、ある１つのイメ
ージセンサチップについてテスト図を走査して検知デー
タをメモリに記憶しておき、しかる後に、別のイメージ
センサチップについてテスト図を全く同じように走査し
て検知データを獲得し、両検知データに基づいて両イメ
ージセンサチップにそれぞれ含まれるセンサ間の間隔距
離を計算することとしてもよい。従って、これらの変形
例を許容しうる上位概念として、以下のものが考えられ
る。すなわち、以下の符号１．は、請求項１に対応し、
符号２．は、請求項８に対応し、符号３．は、請求項１
９に対応するものであり、それぞれの請求項に従属する
請求項は、当然にこれらの概念に含まれるものである。
【００３２】１．所定のパターンを有したテスト図と、
一列に並んだ複数のイメージセンサチップを有し、前記
各イメージセンサチップには複数のセンサが設けられて
いるような、イメージセンサモジュールと、前記イメー
ジセンサモジュールと前記テスト図に所定方向の相対運
動を生じさせるために使用される駆動装置と、前記駆動
装置を制御することにより、前記イメージセンサモジュ
ールに前記テスト図を走査させ、異なるイメージセンサ
チップに含まれるセンサでそれぞれ検知された前記所定
のパターンに対応する信号波形を獲得し、前記異なるイ
メージセンサチップに含まれるセンサ間の間隔距離を計
算するための制御システムと、を備えてなるような、イ
メージセンサチップのシフトを測定するためのシステ
ム。
一列に並んだ複数のイメージセンサチップを有し、前記
各イメージセンサチップには複数のセンサが設けられて
いるような、イメージセンサモジュールと、前記イメー
ジセンサモジュールと前記テスト図に所定方向の相対運
動を生じさせるために使用される駆動装置と、前記駆動
装置を制御することにより、前記イメージセンサモジュ
ールに前記テスト図を走査させ、異なるイメージセンサ
チップに含まれるセンサでそれぞれ検知された前記所定
のパターンに対応する信号波形を獲得し、前記異なるイ
メージセンサチップに含まれるセンサ間の間隔距離を計
算するための制御システムと、を備えてなるような、イ
メージセンサチップのシフトを測定するためのシステ
ム。
【００３３】２．（１）一列に並んだ複数のイメージセ
ンサチップを含有し、各イメージセンサチップには複数
のセンサが設けられているような、イメージセンサモジ
ュールを提供する段階と、（２）所定のパターンを有し
たテスト図を提供する段階と、（３）前記イメージセン
サモジュールを、前記テスト図に対して所定方向に移動
させ、前記テスト図を走査する段階と、（４）異なるイ
メージセンサチップに含まれるセンサでそれぞれ検知さ
れた、前記所定のパターンに対応する信号波形を得る段
階と、（５）前記異なるイメージセンサチップに含まれ
るセンサ間の間隔距離を計算する段階と、を含有するよ
うな、イメージセンサチップのシフトを測定するための
方法。
ンサチップを含有し、各イメージセンサチップには複数
のセンサが設けられているような、イメージセンサモジ
ュールを提供する段階と、（２）所定のパターンを有し
たテスト図を提供する段階と、（３）前記イメージセン
サモジュールを、前記テスト図に対して所定方向に移動
させ、前記テスト図を走査する段階と、（４）異なるイ
メージセンサチップに含まれるセンサでそれぞれ検知さ
れた、前記所定のパターンに対応する信号波形を得る段
階と、（５）前記異なるイメージセンサチップに含まれ
るセンサ間の間隔距離を計算する段階と、を含有するよ
うな、イメージセンサチップのシフトを測定するための
方法。
【００３４】３．（１）一列に並んだ複数のイメージセ
ンサチップを含有し、各イメージセンサチップには複数
のセンサが設けられているような、イメージセンサモジ
ュールを提供する段階と、（２）前記各イメージセンサ
チップの並び方向と平行にストライプが交互に並ぶよう
なテスト域を有した第１のテスト図を提供する段階と、
（３）前記イメージセンサモジュールを、前記第１のテ
スト図に対してある特定の方向に移動させ、走査を行う
段階と、（４）異なるイメージセンサチップに含まれる
センサでそれぞれ検出された、前記所定のパターンに対
応する信号波形を得る段階と、（５）前記信号波形に基
づき、前記異なるイメージセンサチップに含まれるセン
サ間の前記各イメージセンサチップの並び方向と直角の
方向の間隔距離を計算する段階と、（６）前記各イメー
ジセンサチップの並び方向の斜め方向にストライプが交
互に並ぶようなテスト域を有した第２のテスト図を提供
する段階と、（７）前記イメージセンサモジュールを、
前記第２のテスト図に対してある特定の方向に移動さ
せ、走査を行う段階で、前記特定の方向は、前記斜め方
向のストライプとある斜角をなすような方向であるよう
な段階と、（８）異なるイメージセンサチップに含まれ
る少なくとも３つのセンサでそれぞれ検出された、前記
所定のパターンに対応する信号波形を得る段階と、
（９）前記各イメージセンサチップの並び方向と直角の
方向の間隔距離と、前記異なるイメージセンサチップに
含まれる少なくとも３つのセンサでそれぞれ検知された
前記所定のパターンに対応する信号波形と、前記斜角と
に基づき、前記異なるイメージセンサチップに含まれる
センサ間の前記各イメージセンサチップの並び方向の間
隔距離を計算する段階と、を含有するような、イメージ
センサチップのシフトを測定するための方法。
ンサチップを含有し、各イメージセンサチップには複数
のセンサが設けられているような、イメージセンサモジ
ュールを提供する段階と、（２）前記各イメージセンサ
チップの並び方向と平行にストライプが交互に並ぶよう
なテスト域を有した第１のテスト図を提供する段階と、
（３）前記イメージセンサモジュールを、前記第１のテ
スト図に対してある特定の方向に移動させ、走査を行う
段階と、（４）異なるイメージセンサチップに含まれる
センサでそれぞれ検出された、前記所定のパターンに対
応する信号波形を得る段階と、（５）前記信号波形に基
づき、前記異なるイメージセンサチップに含まれるセン
サ間の前記各イメージセンサチップの並び方向と直角の
方向の間隔距離を計算する段階と、（６）前記各イメー
ジセンサチップの並び方向の斜め方向にストライプが交
互に並ぶようなテスト域を有した第２のテスト図を提供
する段階と、（７）前記イメージセンサモジュールを、
前記第２のテスト図に対してある特定の方向に移動さ
せ、走査を行う段階で、前記特定の方向は、前記斜め方
向のストライプとある斜角をなすような方向であるよう
な段階と、（８）異なるイメージセンサチップに含まれ
る少なくとも３つのセンサでそれぞれ検出された、前記
所定のパターンに対応する信号波形を得る段階と、
（９）前記各イメージセンサチップの並び方向と直角の
方向の間隔距離と、前記異なるイメージセンサチップに
含まれる少なくとも３つのセンサでそれぞれ検知された
前記所定のパターンに対応する信号波形と、前記斜角と
に基づき、前記異なるイメージセンサチップに含まれる
センサ間の前記各イメージセンサチップの並び方向の間
隔距離を計算する段階と、を含有するような、イメージ
センサチップのシフトを測定するための方法。
【００３５】
【発明の効果】以上からわかるように、本発明の２つの
実施の形態で得られた各イメージセンサチップの並び方
向及びこの並び方向と直角の方向の距離Δｘ及びΔｙ
は、隣り合う２つのイメージセンサチップ間の前記両方
向のシフト量を表わしている。したがって、本発明によ
る測定システム及びその方法を使用すれば、接触式イメ
ージセンサモジュールがすでに固定されている場合であ
っても、その構造及び機能を破壊することなく、各イメ
ージセンサチップ間の間隔距離のシフト量を測定するこ
とができ、よって、従来の破壊的な測定方法に取って代
わり、ソフトの前記両方向のシフト量を補って補償を行
うことにより、走査後のイメージの質の改善を図ること
ができる。
実施の形態で得られた各イメージセンサチップの並び方
向及びこの並び方向と直角の方向の距離Δｘ及びΔｙ
は、隣り合う２つのイメージセンサチップ間の前記両方
向のシフト量を表わしている。したがって、本発明によ
る測定システム及びその方法を使用すれば、接触式イメ
ージセンサモジュールがすでに固定されている場合であ
っても、その構造及び機能を破壊することなく、各イメ
ージセンサチップ間の間隔距離のシフト量を測定するこ
とができ、よって、従来の破壊的な測定方法に取って代
わり、ソフトの前記両方向のシフト量を補って補償を行
うことにより、走査後のイメージの質の改善を図ること
ができる。
【図１】接触式イメージセンサモジュールの構成図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）は、本発明を代表する、イメージセンサ
チップのシフトを測定するための方法の流れ図、（Ｂ）
は、（Ａ）に基づいて提供された、本発明の第１の実施
の形態による、イメージセンサチップのシフトを測定す
るためのシステムのブロック図である。
チップのシフトを測定するための方法の流れ図、（Ｂ）
は、（Ａ）に基づいて提供された、本発明の第１の実施
の形態による、イメージセンサチップのシフトを測定す
るためのシステムのブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態を利用し、テスト図
に垂直な方向に走査を行った場合に、あるイメージセン
サチップの端点に位置するセンサで検知された、前記テ
スト図の所定のパターンに対応する照度変化を表す信号
波形を示した波形図である。
に垂直な方向に走査を行った場合に、あるイメージセン
サチップの端点に位置するセンサで検知された、前記テ
スト図の所定のパターンに対応する照度変化を表す信号
波形を示した波形図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態を利用し、テスト図
に垂直な方向に走査を行った場合に、隣り合う２つのイ
メージセンサチップの各端点に位置するセンサでそれぞ
れ検知された、前記テスト図の所定のパターンに対応す
る照度変化を表す信号波形の未シフトの波形図である。
に垂直な方向に走査を行った場合に、隣り合う２つのイ
メージセンサチップの各端点に位置するセンサでそれぞ
れ検知された、前記テスト図の所定のパターンに対応す
る照度変化を表す信号波形の未シフトの波形図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態を利用し、テスト図
に垂直な方向に走査を行った場合に、隣り合う２つのセ
ンサチップの各端点に位置するセンサでそれぞれ検知さ
れた、前記テスト図の所定のパターンに対応する照度変
化を表す信号波形のシフト後の波形図である。
に垂直な方向に走査を行った場合に、隣り合う２つのセ
ンサチップの各端点に位置するセンサでそれぞれ検知さ
れた、前記テスト図の所定のパターンに対応する照度変
化を表す信号波形のシフト後の波形図である。
【図６】図５に示された信号波形の説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態において、斜め方向
のストライプを有したテスト図を、接触式イメージセン
サモジュールで垂直な方向に走査した場合の構成図であ
る。
のストライプを有したテスト図を、接触式イメージセン
サモジュールで垂直な方向に走査した場合の構成図であ
る。
【図８】図７に示された第２の実施の形態において、各
センサ、及び斜め方向のストライプを有したテスト図
の、走査過程における相対位置を示した図である。
センサ、及び斜め方向のストライプを有したテスト図
の、走査過程における相対位置を示した図である。
【図９】（Ａ）は、図８に示された相対位置に基づいて
得られた、各センサで検知されたテスト図の所定のパタ
ーンに対応する信号波形を示した波形図、（Ｂ）は、
（Ａ）の波形図に基づき、各センサで検出されたテスト
図の所定のパターンに対応する信号波形を、互いに重な
り合うまで平行移動させた場合の波形図である。
得られた、各センサで検知されたテスト図の所定のパタ
ーンに対応する信号波形を示した波形図、（Ｂ）は、
（Ａ）の波形図に基づき、各センサで検出されたテスト
図の所定のパターンに対応する信号波形を、互いに重な
り合うまで平行移動させた場合の波形図である。
１０ メインボード １２、１４、１６ イメージセンサチップ １５ フレーム ２０ 接触式イメージセンサモジュール ３０、７０ テスト図 ４０ 制御システム ５０ 駆動装置 ３２、３４、３６、７２、７４ 黒色のストライプ ３８、３８ｂ、７８ 白色のストライプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リャン ナイユエ 台湾 タイペイシ ウンサンチュイ ウ ンサンルー ２トワン 109シャン 100 ルー，48ハオ，９ロウ (56)参考文献 特開 昭61−160004（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−225109（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102
Claims (22)
- 【請求項１】 所定のパターンを有したテスト図と、一
列に並んだ複数のイメージセンサチップを有し、前記各
イメージセンサチップには複数のセンサが設けられてお
り、これらのセンサには、隣り合う２つのイメージセン
サチップの各端点に位置するセンサも含有されるよう
な、接触式イメージセンサモジュールと、前記接触式イ
メージセンサモジュールと前記テスト図に所定方向の相
対運動を生じさせるために使用される駆動装置と、前記
駆動装置を制御することにより、前記接触式イメージセ
ンサモジュールに前記テスト図を走査させ、前記隣り合
う２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前記
センサでそれぞれ検知された前記所定のパターンに対応
する信号波形を獲得し、前記隣り合う２つのイメージセ
ンサチップの各端点に位置する前記センサ間の間隔距離
を計算するための制御システムと、を備えてなるよう
な、イメージセンサチップのシフトを測定するためのシ
ステム。 - 【請求項２】 前記駆動装置は、前記接触式イメージセ
ンサモジュールを駆動し、前記接触式イメージセンサモ
ジュールを前記テスト図に対して所定方向に移動させる
ために使用されるような、請求項１に記載のイメージセ
ンサチップのシフトを測定するためのシステム。 - 【請求項３】 前記駆動装置は、前記テスト図を駆動
し、前記テスト図を前記接触式イメージセンサモジュー
ルに対して所定方向に移動させるために使用されるよう
な、請求項１に記載のイメージセンサチップのシフトを
測定するためのシステム。 - 【請求項４】 前記所定方向は前記各イメージセンサチ
ップの並び方向と直角の方向であるような、請求項１、
２、又は３に記載のイメージセンサチップのシフトを測
定するためのシステム。 - 【請求項５】 前記隣り合うイメージセンサチップの各
端点に位置する前記センサ間の間隔距離は、前記各イメ
ージセンサチップの並び方向と直角の方向の間隔距離で
あるような、請求項４に記載のイメージセンサチップの
シフトを測定するためのシステム。 - 【請求項６】 前記所定方向は前記各イメージセンサチ
ップの並び方向であるような、請求項１、２、又は３に
記載のイメージセンサチップのシフトを測定するための
システム。 - 【請求項７】 前記隣り合うイメージセンサチップの各
端点に位置する前記センサ間の間隔距離は、前記各イメ
ージセンサチップの並び方向の間隔距離であるような、
請求項６に記載のイメージセンサチップのシフトを測定
するためのシステム。 - 【請求項８】 （１）一列に並んだ複数のイメージセン
サチップを含有し、各イメージセンサチップには複数の
センサが設けられているような、接触式イメージセンサ
モジュールを提供する段階と、（２）所定のパターンを
有したテスト図を提供する段階と、（３）前記接触式イ
メージセンサモジュールを、前記テスト図に対して所定
方向に移動させ、前記テスト図を走査する段階と、
（４）前記隣り合う２つのイメージセンサチップの各端
点に位置する前記センサでそれぞれ検知された、前記所
定のパターンに対応する信号波形を得る段階と、（５）
前記隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点に位
置する前記センサ間の間隔距離を計算する段階と、を含
有するような、イメージセンサチップのシフトを測定す
るための方法。 - 【請求項９】 走査時において、前記接触式イメージセ
ンサモジュールを前記テスト図に対して所定方向に移動
させることにより、走査を行うような、請求項８に記載
のイメージセンサチップのシフトを測定するための方
法。 - 【請求項１０】 走査時において、前記テスト図を前記
接触式イメージセンサモジュールに対して所定方向に移
動させることにより、走査を行うような、請求項８に記
載のイメージセンサチップのシフトを測定するための方
法。 - 【請求項１１】 走査時において、光線で合成されたテ
スト図を使用し、前記接触式イメージセンサモジュール
に対して走査を行うような、請求項８に記載のイメージ
センサチップのシフトを測定するための方法。 - 【請求項１２】 前記所定方向は、前記テスト図の所定
のパターンを横切る方向を含有するような、請求項８、
９、１０、又は１１に記載のイメージセンサチップのシ
フトを測定するための方法。 - 【請求項１３】 前記所定方向は、前記テスト図の所定
のパターンに沿った方向を含有するような、請求項８、
９、１０、又は１１に記載のイメージセンサチップのシ
フトを測定するための方法。 - 【請求項１４】 前記テスト図の前記所定のパターン
は、黒色と白色の交互のストライプであるような、請求
項８、９、１０、又は１１に記載のイメージセンサチッ
プのシフトを測定するための方法。 - 【請求項１５】 前記センサが前記黒色のストライプを
走査する場合、対応する信号波形は低照度の領域である
ことを示し、前記センサが前記白色のストライプを走査
する場合、対応する信号波形は高照度の領域であること
を示し、前記センサが前記黒色及び白色ストライプの両
方に部分的にまたがって走査する場合、対応する信号波
形は低照度の領域と高照度の領域の間であることを示す
ような、請求項８に記載のイメージセンサチップのシフ
トを測定するための方法。 - 【請求項１６】 前記隣り合う２つのイメージセンサチ
ップの各端点に位置する前記センサ間の間隔距離を計算
する方法は、前記隣り合う２つのイメージセンサチップ
の各端点に位置する前記センサでそれぞれ検知された前
記所定のパターンに対応する信号波形を、互いに重なり
合うまで平行移動させ、平行移動した距離を計算するこ
とにより、前記隣り合う２つのイメージセンサチップの
各端点に位置する前記センサ間の間隔距離を得るもので
あるような、請求項８に記載のイメージセンサチップの
シフトを測定するための方法。 - 【請求項１７】 前記所定方向は、前記接触式イメージ
センサモジュールと前記テスト図が、所定の狭角をなす
ような方向を含有するような、請求項８に記載のイメー
ジセンサチップのシフトを測定するための方法。 - 【請求項１８】 前記所定方向は、前記接触式イメージ
センサモジュールと前記テスト図が約４５度の狭角をな
すような方向を含有するような、請求項１７に記載のイ
メージセンサチップのシフトを測定するための方法。 - 【請求項１９】 （１）一列に並んだ複数のイメージセ
ンサチップを含有し、各イメージセンサチップには複数
のセンサが設けられているような、接触式イメージセン
サモジュールを提供する段階と、（２）前記各イメージ
センサチップの並び方向と平行にストライプが交互に並
ぶようなテスト域を有した第１のテスト図を提供する段
階と、（３）前記接触式イメージセンサモジュールを、
前記第１のテスト図に対してある特定の方向に移動さ
せ、走査を行う段階と、（４）隣り合う２つのイメージ
センサチップの各端点に位置する前記センサでそれぞれ
検出された、前記所定のパターンに対応する信号波形を
得る段階と、（５）前記信号波形に基づき、前記隣り合
う２つのイメージセンサチップの各端点に位置する前記
センサ間の前記各イメージセンサチップの並び方向と直
角の方向の間隔距離を計算する段階と、（６）前記各イ
メージセンサチップの並び方向の斜め方向にストライプ
が交互に並ぶようなテスト域を有した第２のテスト図を
提供する段階と、（７）前記接触式イメージセンサモジ
ュールを、前記第２のテスト図に対してある特定の方向
に移動させ、走査を行う段階で、前記特定の方向は、前
記斜め方向のストライプとある斜角をなすような方向で
あるような段階と、（８）前記隣り合う２つのイメージ
センサチップの各端点に位置する少なくとも３つのセン
サでそれぞれ検出された、前記所定のパターンに対応す
る信号波形を得る段階と、（９）前記各イメージセンサ
チップの並び方向と直角の方向の間隔距離と、前記少な
くとも３つのセンサでそれぞれ検知された前記所定のパ
ターンに対応する信号波形と、前記斜角とに基づき、前
記隣り合う２つのイメージセンサチップの各端点にそれ
ぞれ位置する前記センサ間の前記各イメージセンサチッ
プの並び方向の間隔距離を計算する段階と、を含有する
ような、イメージセンサチップのシフトを測定するため
の方法。 - 【請求項２０】 前記斜角は約４５度であるような、請
求項１９に記載のイメージセンサチップのシフトを測定
するための方法。 - 【請求項２１】 前記第１のテスト図及び前記第２のテ
スト図は、光線で合成されたテスト図であるような、請
求項１９に記載のイメージセンサチップのシフトを測定
するための方法。 - 【請求項２２】 前記第１のテスト図及び前記第２のテ
スト図は、レーザ光で形成された干渉ストライプよりな
るような、請求項２１に記載のイメージセンサチップの
シフトを測定するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87118535 | 1998-11-06 | ||
| TW087118535A TW398135B (en) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | A system for measuring contact image sensor chip shift and its method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199702A JP2000199702A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3071788B2 true JP3071788B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=21631932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11315360A Expired - Fee Related JP3071788B2 (ja) | 1998-11-06 | 1999-11-05 | イメ―ジセンサチップのシフトを測定するためのシステム及びその方法 |
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