JP3067688U - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JP3067688U JP1999007328U JP732899U JP3067688U JP 3067688 U JP3067688 U JP 3067688U JP 1999007328 U JP1999007328 U JP 1999007328U JP 732899 U JP732899 U JP 732899U JP 3067688 U JP3067688 U JP 3067688U
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Abstract

(57)【要約】 【課題】多数チャンネル備えるテスタピンに係る可変機
能要素への設定データに対する応答ばらつきを補正する
DAC補正演算装置に対して、デバイス試験のスループ
ットの低下を改善可能とする半導体試験装置を提供す
る。 【解決手段】半導体試験装置はテスタピンに係る多数チ
ャンネルの可変機能要素を備え、前記可変機能要素に与
える設定値に対する応答ばらつきがあり、この応答ばら
つきを補正するDAC補正演算装置を制御CPUとの間
に仲介して備え、前記DAC補正演算装置は制御CPU
から書き込まれる書込みデータを受けて所定に補正演算
した結果を上記可変機能要素へ供給する構成を備える半
導体試験装置において、生成データメモリを備え、制御
CPUからの書込みデータを受けた都度、補正演算処理
を実施した結果を前記生成データメモリへ一時的に格納
する構成を備える半導体試験装置。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
この考案は半導体試験装置に関する。特に、多数チャンネル備えるテスタピン に係る可変機能要素の設定データに対する応答ばらつきを補正するDAC補正演 算装置に対して、スループットの低下を改善する半導体試験装置を提供すること である。
【0002】
【従来の技術】
従来技術について、図3と図4と図5とを参照して以下に説明する。ここで、 可変機能要素の種類が7個で、テスタピンのチャンネル数を512チャンネルの 場合とする。前記仮定の総チャンネル数は7×512=3584チャンネルと多 数である。また、演算装置500が並行処理する系統数Mは64系統備える場合 と仮定した具体例で以下説明する。尚、半導体試験装置は公知であり技術的に良 く知られている為、要部を除きシステム全体の詳細説明を省略する。
【0003】 図3のDAC補正演算装置の要部構成は、テスタバスTBUSと、設定データ レジスタ100と、補正データレジスタ200と、生成選択レジスタ300と、 第1切替器410と、演算装置500と、第2切替器420と、DA変換器群( DAC群)800と、生成制御部600と、受電装置980とで成る。
【0004】 ここで、先ず背景を説明する。半導体試験装置にはDUT(被試験デバイス) を試験実施する為の多数チャンネル、例えば数百から数千チャンネルものテスタ ピンを備えている。このテスタピン毎に個別に設定制御可能な可変機能要素を備 えている。この可変機能要素としては、例えば、図5のシステム構成におけるド ライバDRに対してDUTへ印加するハイ/ロー電圧レベルを可変とするVIH 、VILや、DUTから出力される応答信号を受けるコンパレータCPに対して 所定のスレッショルド・レベルのハイ/ロー電圧レベルで論理信号に変換するV OH、VOLや、DUTへ定電流負荷を与えるILや、DUTのIC端子へ終端 抵抗を介して終端電圧を与えるVT等がある。これら可変機能要素には各々DA C(DA変換器)が備えられていて、DACによる可変電圧を用いて所定の可変 機能を実現している。
【0005】 次に、各可変機能要素には、DACへの同一設定データでも個々に応答ばらつ きが存在する。例えば、回路部品のばらつき、環境温度、経時変化等に伴い、個 々にオフセットばらつきやゲインばらつきの誤差を生じる。だが、半導体試験装 置は所定精度でデバイス試験する測定装置である。この為に、予めキャリブレー ションによって所定精度とすべきオフセット補正量とゲイン補正量とを得ておき 、これに基づいて、DAC補正演算装置が、設定データ100sと補正データ2 00sとを受けて、所定の補正演算した演算結果データ500sを対応するDA C内のラッチレジスタ800Rへ転送する補正手段を備えている。
【0006】 テスタバスTBUSは半導体試験装置が備える制御CPUと各ユニットとの間 を数メートルのケーブルで接続してインターフェースするバスである。尚、1回 のデータ書込み時間は数μ秒かかる。 設定データレジスタ100は、回路の応答ばらつきが無いものとしたときの論 理データを格納するレジスタである。デバイス試験プログラムから試験条件の変 更に伴って、例えば複数チャンネルの設定データレジスタ100へバースト的に 書込み更新される。このレジスタを7×512=3584チャンネル備える。デ ータ長はシステムにより異なるが、例えば13ビット長程度である。この出力で ある設定データ100sを第1切替器410を介して演算装置500へ供給する 。 補正データレジスタ200は、例えば、オフセット補正データ200offとゲ イン補正データ200gainとを格納するレジスタであり、通常、キャリブレーシ ョン実施後に求めた新たな補正値が更新セットされる。これも各々3584チャ ンネル備える。データ長は、例えばオフセット補正用とゲイン補正用とも13ビ ット長程度である。この出力であるオフセット補正データ200offとゲイン補 正データ200gainを第1切替器410を介して演算装置500へ供給する。 生成選択レジスタ300は、後述する演算装置500の演算モード、例えば2 種類の演算モードを選択するものである。第1モードは実際に補正すべき演算を 行うモードであり、第2モードは演算をせず例えばオフセット補正用データをそ のまま出力させるモードであって、直接的にDACの出力レベルを0ボルトや指 定電圧レベルにしたい場合に使用される。これも3584チャンネル備える。こ の出力である演算モードデータ300sを第1切替器410を介して演算装置5 00へ供給する。
【0007】 第1切替器410は演算装置500に対応して64系統備えていて、例えば5 6to1のマルチプレクサである。生成制御部600からの64系統に対して個別 の選択信号410cを受け、これにより選択した設定データ100sとオフセッ ト補正データ200offとゲイン補正データ200gainと演算モードデータ30 0sとを対応する演算装置500の入力端へ供給する。
【0008】 演算装置500は短時間に演算処理する為に64系統備えていて、各系統毎に 上記第1切替器410で選択された選択データ410sを受けて、演算モードデ ータ300sの条件より補正演算し、その出力である演算結果データ500sを 対応する第2切替器420へ出力する。演算モードは例えば2種類の補正演算と 仮定したとき、第1の補正演算では、DACデータ=(設定データ×ゲイン補正 データ)+オフセット補正データ、とした演算式で補正演算を行い、第2の補正 演算では、DACデータ=オフセット補正データ、として単にオフセット補正デ ータをそのまま出力する場合とがある。通常は第1の補正演算が適用される。こ れにより、64系統の演算装置500が演算した各演算結果データ500sは対 応するDACへ並列的に転送して更新セットする。このとき1系統当たりの演算 転送時間は0.7μ秒である。従って、64系統並列構成の場合であるから、5 6チャンネル全てに対する更新時間でも、約40μ秒程度で済む。但し、ハード 構成を64系統備える必要があるという難点がある。尚、1系統で処理をする場 合は、2.5ミリ秒もかかってしまい、デバイス試験のスループットに大きく係 わってきてしまう。
【0009】 第2切替器420は演算装置500に対応して64系統備えていて、例えば1 to56のデ・マルチプレクサであり、生成制御部600からの個別の選択信号4 20cにより、選択されたチャンネルのDACのラッチレジスタ800Rへ演算 結果データ500sを各々供給して書込み更新する。 DAC群800は、3584チャンネル有する所定ビット長のDA変換器であ り、内部にラッチレジスタ800Rを備えて上記演算結果データ500sをラッ チし、そのコードデータに対応するアナログ電圧を各可変機能要素へ供給してい る。尚、アナログ出力電圧のセットリング時間は数μ秒程度である。 受電装置980はピンエレクトロニクスに備える各種の可変機能要素であり、 例えば上述したドライバDRやコンパレータCPや終端電圧VTや定電流負荷I Lであり、ここには3584チャンネル有する。
【0010】 生成制御部600は、第1に、テスタバスTBUSからの書込みを常時監視し ていて更新されたチャンネル情報を収集する。即ち、設定データ100s、オフ セット補正データ200off、ゲイン補正データ200gain、演算モードデータ 300sの何れかの書込みを受けたら、このチャンネルを更新チャンネル情報と して記録メモリ610へ記憶しておく。この監視動作はテスタバスTBUSから の一連の書込み動作の都度行う。尚、後述する補正演算の更新転送後は上記更新 チャンネル情報の保持をリセットする。 第2に、生成制御部600は上記一連の書込み動作の完了後に発生する実行開 始指令STTを受けたとき、補正演算の実行を開始する。即ち、記録メモリ61 0に記憶しておいた更新チャンネル情報のチャンネルに対応する64系統個別の 選択信号410c、420cを順次発生して上述した第1切替器410、第2切 替器420の64系統に供給し、各演算装置500がこれに基づく補正演算をし た結果の演算結果データ500sを出力し、第2切替器420へは当該チャンネ ルに対応する選択信号420cを供給し、対応するラッチレジスタ800Rへ演 算結果データ500sと書込みパルスWRとを供給してラッチレジスタを更新セ ットする。これを更新チャンネル情報の回数分に対して順次実施していく。 ここで、上記補正演算の実行開始指令STTとしては、第1に、テスタバスか ら連続する設定データの書込みが一定時間存在しないことを検出し、これを補正 演算の実行開始指令STTとして起動する場合と、第2に、テスタバスから専用 の開始指令を受けたときに起動する場合とがあり、システムよって異なる。 尚、64系統の選択信号410c、420cにおいて、上述したように64系 統に対して個別の選択信号を供給する手法と、1系統の共通選択信号を供給する 手法とがある。前記1系統の共通選択信号とする場合は、記録メモリ610に係 る記憶動作が不要であり、更新データの回数に関わらず56ワード一定回数の昇 順の共通の選択信号410c、420cを順番に発生して供給する単純な制御で よい。この場合は設定更新が一定した比較的長い時間かかるものの、待ち時間が 既知となるのでデバイス試験プログラムの待ち時間の管理が容易である。
【0011】 次に、図4のタイミング図を参照しながら、テスタバスTBUSからの設定書 込みから各DACへセットされる迄の時系列動作を説明する。ここで、DAC群 を設定変更してデバイス試験をする単位を単位試験時間をT1とし、テスタバス TBUSからの次の試験の設定書込み時間をT2とし、演算装置500による補 正演算処理時間をT3とする。また、設定書込み時間T2は、現在のデバイス試 験実施と並行して書込み実行できるように試験プログラムが記述されているもの と仮定する(図4A参照)。この結果、テスタバスTBUSによる設定書込み時 間T2は、スループットの低下要因とならない。 一方、上述した補正演算の実行開始指令STTは通常、現在の試験条件の終了 時に発生(図4B参照)するものと仮定する。この結果、次回の試験条件による デバイス試験の開始は補正演算処理時間T3の期間待機(図4C、D参照)する 必要がある。このことから、補正演算処理時間T3はデバイス試験のスループッ トを低下させる直接要因となっている。 この補正演算処理時間T3を試算してみる。もしも、演算装置500が1回路 のみ備える場合は、補正演算処理のサイクル時間を0.7μ秒と仮定し、全チャ ンネルを対象としたとき、3584チャンネル×0.7μ秒≒2.5ミリ秒かか る。ここで、単位試験時間T1は数十ミリ秒以下が多くある。従って、補正演算 処理時間T3は無視できない時間である。半導体試験装置は、特にスループット の向上が重要な課題である。この為に、実際の演算装置500は、複数M系統、 例えば64系統も備えて、並列処理する構成としてスループットの悪化を低減し ている。
【0012】
【考案が解決しようとする課題】
上述説明したように従来技術においては、補正演算の実行開始指令STTの起 動により補正演算処理を開始する必要があった。この為チャンネル数に比例して 補正演算処理時間がかかり、これに伴ってスループットの低下要因となる難点が ある。あるいは、スループット向上の為に演算装置500を多数系統並列して備 えるが、回路規模が増大してしまう難点がある。これらの観点から、従来技術に おいては実用上の難点がある。 そこで、本考案が解決しようとする課題は、多数チャンネル備えるテスタピン に係る可変機能要素への設定データに対する応答ばらつきを補正演算処理するD AC補正演算装置に対して、デバイス試験のスループットの低下を改善可能とす る半導体試験装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
第1に、上記課題を解決するために、半導体試験装置はテスタピンに係る多数 チャンネルの可変機能要素を備え、前記可変機能要素に与える設定値に対してオ フセットあるいはゲインに対する応答ばらつきがあり、この応答ばらつきを補正 するDAC補正演算装置を制御CPUとの間に仲介して備え、前記DAC補正演 算装置は制御CPUから書き込まれる書込みデータ(設定データと補正データと )を受けて所定に補正演算した結果を上記可変機能要素へ供給する構成を備える 半導体試験装置において、 生成データメモリ700を備え、制御CPUからの書込みデータを受けた都度 、補正演算処理を実施した結果を前記生成データメモリ700へ一時的に格納す る構成を備えて上記可変機能要素に対するデータ設定に係る更新時間を短縮して デバイス試験のスループットを向上することを特徴とする半導体試験装置である 。 上記考案によれば、多数チャンネル備えるテスタピンに係る可変機能要素への 設定データに対する応答ばらつきを補正演算処理するDAC補正演算装置に対し て、制御CPUからの変更データを受信した都度、補正演算処理可能とする構成 手段を備えてデバイス試験のスループットの低下を改善可能とする半導体試験装 置が実現できる。
【0014】 第1図は、本考案に係る解決手段を示している。 第2に、上記課題を解決するために、半導体試験装置が備える多数チャンネル のテスタピンにはDUT(被試験デバイス)のICピンに対する印加信号又は応 答信号に係る可変機能要素(例えばドライバDR、コンパレータCP、終端電圧 VT、定電流負荷IL)を有し、前記可変機能要素はDUTに対する試験条件を 可変とする為のDAC(DA変換器)を個々に備え、DAC補正演算装置を備え 、前記DAC補正演算装置は制御CPUとDACとの間に仲介して備えられて個 々の可変機能要素個々の応答ばらつきを個々の補正データに基づいて所定に補正 演算した演算結果データ500sを上記DACへ供給する補正手段を備える半導 体試験装置において、 生成データメモリ700を備え、 DAC補正演算装置は制御CPUからの上記可変機能要素に係る書込みデータ (受信データと呼称)を受けた都度、当該受信データに対して所定の補正演算を 実行し、演算された演算結果データ500sを上記生成データメモリ700の所 定の格納位置へ一旦格納しておき、所定の起動信号による起動によって上記生成 データメモリ700へ格納しておいた演算結果データ500sを対応する可変機 能要素のDACへ転送して可変機能要素に対する動作条件を実際に更新させるこ とを特徴とする半導体試験装置がある。
【0015】 また、生成データメモリ700は1系統若しくは所定複数系統備えることを特 徴とする上述半導体試験装置がある。 また、所定の起動信号の一態様としては、現在のデバイス試験実施中の当該可 変機能要素の設定条件での試験終了後に発生する実行開始指令STTであること を特徴とする上述半導体試験装置がある。
【0016】 第6図は、本考案に係る解決手段を示している。 第3に、上記課題を解決するために、半導体試験装置が備える多数チャンネル のテスタピンにはDUTのICピンに対する印加信号/応答信号に係る可変機能 要素(例えばドライバDR、コンパレータCP、終端電圧VT、定電流負荷IL )を有し、前記可変機能要素はDUTに対する試験条件を可変とする為のDAC を個々に備え、前記DACの入力部にはコードデータをラッチ保持するラッチレ ジスタ800Rが備えられ、DAC補正演算装置を備え、前記DAC補正演算装 置は制御CPUとDACとの間に仲介して備えられて個々の可変機能要素個々の 応答ばらつきを個々の補正データに基づいて所定に補正演算した演算結果データ 500sを上記DACの上記ラッチレジスタ800Rへ供給する補正手段を備え る半導体試験装置において、 上記ラッチレジスタ800Rの前段にバッファ用レジスタ820Rを備え、制御 CPUからの受信データを受けた都度、補正演算処理を実施した結果を前記バッ ファ用レジスタ820Rへ一時的に格納する構成を備え、所定の起動信号により 上記ラッチレジスタ800Rへ転送更新することで上記可変機能要素へのデータ 設定に係る更新時間を短縮してデバイス試験のスループットを向上することを特 徴とする半導体試験装置がある。
【0017】
【考案の実施の形態】
以下に本考案の実施の形態を実施例と共に図面を参照して詳細に説明する。
【0018】 本考案について、図1と図2と図3とを参照して以下に説明する。尚、従来構 成に対応する要素は同一符号を付す。また、従来同様に、可変機能要素の種類が 7個で、テスタピンのチャンネル数が512チャンネルで、演算装置500の系 統数Mが64系統備える場合と仮定した具体例で以下説明する。
【0019】 図1のDAC補正演算装置の要部構成は、従来構成要素に対して第1切替器4 10と演算装置500とは1系統のみ備え、生成データメモリ700を追加した 構成である。 第1切替器410は1系統そなえ、テスタバスTBUSからの書込みが発生し た当該更新チャンネルの4つのレジスタ、即ち、設定データ100s、オフセッ ト補正データ200off、ゲイン補正データ200gain、演算モードデータ30 0sが選択信号410cにより選択されて演算装置500の入力端へ供給する。 演算装置500は1系統備えていて、直ちに補正演算を実行し、演算した演算 結果データ500sを生成データメモリ700へ供給する。尚、演算処理時間が 0.7μ秒であるからしてテスタバスTBUSからの連続する書込みが発生して も演算処理が遅れることは無い。但し、データ書込みの都度補正演算する為、冗 長となる演算が生じる場合があるものの、生成データメモリ700へは目的とす る最終データが格納されるからして支障とはならない。他は従来と同様である。 従って、演算装置500は1系統で良く、回路規模を低減できる利点が得られる 。
【0020】 生成データメモリ700は一時的に格納するメモリであり、64系統備える場 合としているから、各系統は少なくとも7×512/64=56ワードのメモリ 容量を備える。そして、演算装置500で演算された更新チャンネルの演算結果 データ500sを受けて、更新チャンネルに対応する格納アドレス信号700c を生成データメモリ700のアドレスとして供給し、64系統備える生成データ メモリ700における更新チャンネルに該当する生成データメモリ700に対し て格納信号WEを供給して保存する。
【0021】 本願に係る生成制御部900は、第1に、テスタバスTBUSからの書込みを 常時監視していて、設定データ100s、オフセット補正データ200off、ゲ イン補正データ200gain、演算モードデータ300sの何れかのチャンネルへ の書込みを受けたら、直ちに当該チャンネルの補正演算を実行制御する。即ち、 書込み発生により、更新データを含む当該チャンネルの選択信号410cを第1 切替器410へ供給して4つのレジスタの内容を選択し、演算装置500が前記 4つのレジスタの内容に基づき補正演算を実施し、演算結果である演算結果デー タ500sを出力する。これを生成データメモリ700が受けて、上述したよう にして格納する。このチャンネルを更新チャンネル情報として記録メモリ910 へ記憶しておく。この演算動作をテスタバスTBUSからの書込みの都度実施す る。
【0022】 第2に、生成制御部900は上記一連の書込みが完了後に発生する実行開始指 令STTを受けたとき、記録メモリ910に記憶しておいた上記更新チャンネル 情報に基づき、64系統の生成データメモリ700の個々に対して個別の格納ア ドレス信号700cを順次供給して読み出したDAデータ700sを出力し、第 2切替器420へは個別の選択信号420cを供給して、対応するラッチレジス タ800RへDAデータ700sと書込みパルスWRとを供給してラッチレジス タを更新セットする。これを更新チャンネル情報の回数分に対して順次実施して いく。このときの転送時間は演算時間が無い為に従来比で数分の1、例えば0. 1μ秒で可能である。この結果、従来よりも設定更新処理が高速にできる利点が 得られる。
【0023】 尚、64系統の格納アドレス信号700c、選択信号420cにおいて、前記 個別信号を供給する手法と、1系統の共通信号を供給する手法とがある。前記1 系統の共通信号とする手法では、記録メモリ910に係る記憶動作が不要であり 、更新データの回数に関わらず56ワードの昇順の格納アドレス信号700c、 選択信号420cを順番に発生する単純な制御でよい。この場合は設定更新が上 記よりかかるものの、一定転送時間で高速な56ワード転送が完了できるので、 待ち時間が既知となりデバイス試験プログラムの待ち時間の管理が容易な利点が ある。
【0024】 次に、図2のタイミング図を参照しながら、テスタバスTBUSからの設定書 込みから補正演算されて各DACへセットされる迄の時系列動作を説明する。こ こでも、従来同様の条件でデバイス試験が実施されるものとし、単位試験時間を T1とし、設定書込み時間をT2とする。 設定書込み時間T2において、テスタバスの書込みの都度、補正演算処理が実 行(図2B参照)され、生成データメモリ700へ一時的に保存(図2C参照) される。 そして、現在の試験条件によるデバイス試験実施の完了後に発生する実行開始 指令STT(図2D参照)により、生成データメモリ700に一時的に格納され ているDAデータ700sが読み出されて各DACのラッチレジスタ800Rへ 転送されて更新セットされる。この転送時間は演算処理時間が無いので短時間で 済む。この結果、次の試験条件によるデバイス試験の為の待機時間T4(図2E 、F参照)は従来比で数分の1以下の短時間で済むこととなる。従って、半導体 試験装置のスループットの向上が計れる利点が得られる。
【0025】 尚、本考案の実現手段は、上述実施の形態に限るものではない。例えば、図1 では1系統備える具体例で示したが、実際には3584チャンネルもの多くの回 路は複数ボードに分散配置されることとなるので、所望により、前記分散配置す る回路実装上の都合に合わせて演算装置500と第1切替器410とを少数の所 望系統備える構成としても良い。 また、上述DAC補正演算装置の要部に対して、所望により、DSP(Digita l Signal Processor)とメモリ素子とによる構成で実現しても良い。特に、演算 装置500が1系統であるから、これを代替え適用することは容易である。 また、図6に示すように、各DACの前段にバッファ用レジスタ820Rを備 える構成があり、この場合は生成データメモリ700を削除し、演算装置500 で補正演算した演算結果データ500sを対応するバッファ用レジスタ820R へ直ちに転送するように制御し、生成制御部900が受ける実行開始指令STT により1本のコピー用パルス820cをDAC群800の全てに供給することで 、図2Fに示す待機時間T4をほぼゼロとするように構成しても良い。
【0026】
【考案の効果】 本考案は、上述の説明内容から、下記に記載される効果を奏する。 上述説明したように本考案によれば、DAC補正演算装置に対して、制御CP Uからの可変機能要素に対する変更データの書込みの都度、前記変更データに基 づき直ちに補正演算し、補正演算した演算結果データを一時的に格納保存してお き、実行開始指令STTにより格納しておいた補正演算データを対応するDAC へ転送する手段を具備する構成としたことにより、補正演算時間が解消されて無 用の待機時間が大幅に低減される結果、デバイス試験のスループットが向上でき るという大きな利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の、生成データメモリを追加したDAC
補正演算装置の原理構成図。
【図2】図1の動作を説明するタイミング図。
【図3】従来の、DAC補正演算装置の原理構成図。
【図4】図3の動作を説明するタイミング図。
【図5】半導体試験装置の概念構成図。
【図6】本考案の、DAC補正演算装置の他の原理構成
図。
【符号の説明】
100 設定データレジスタ 200 補正データレジスタ 300 生成選択レジスタ 410 第1切替器 420 第2切替器 500 演算装置 600,900 生成制御部 610,910 記録メモリ 700 生成データメモリ 800 DA変換器群(DAC群) 800R ラッチレジスタ 820R バッファ用レジスタ 980 受電装置 DAC DA変換器 DUT 被試験デバイス TBUS テスタバス

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体試験装置はテスタピンに係る多数
    チャンネルの可変機能要素を備え、該可変機能要素に与
    える設定値に対する応答ばらつきがあり、この応答ばら
    つきを補正するDAC補正演算装置を制御CPUとの間
    に仲介して備え、該DAC補正演算装置は制御CPUか
    ら書き込まれる書込みデータを受けて所定に補正演算し
    た結果を該可変機能要素へ供給する構成を備える半導体
    試験装置において、 生成データメモリを備え、制御CPUからの書込みデー
    タを受けた都度、補正演算処理を実施した結果を該生成
    データメモリへ一時的に格納する構成を備えることを特
    徴とする半導体試験装置。
  2. 【請求項2】 半導体試験装置が備える多数チャンネル
    のテスタピンにはDUT(被試験デバイス)のICピン
    に対する印加信号又は応答信号に係る可変機能要素を有
    し、該可変機能要素はDUTに対する試験条件を可変と
    する為のDAC(DA変換器)を個々に備え、DAC補
    正演算装置を備え、該DAC補正演算装置は制御CPU
    とDACとの間に仲介して備えられて個々の可変機能要
    素個々の応答ばらつきを個々の補正データに基づいて所
    定に補正演算した演算結果データを該DACへ供給する
    補正手段を備える半導体試験装置において、 生成データメモリを備え、 DAC補正演算装置は制御CPUからの該可変機能要素
    に係る書込みデータ(受信データと呼称)を受けた都
    度、当該受信データに対して所定の補正演算を実行し、
    演算された演算結果データを該生成データメモリの所定
    の格納位置へ一旦格納しておき、所定の起動信号による
    起動によって該生成データメモリへ格納しておいた演算
    結果データを対応する可変機能要素のDACへ転送して
    可変機能要素に対する動作条件を更新させることを特徴
    とする半導体試験装置。
  3. 【請求項3】 生成データメモリは1系統若しくは所定
    複数系統備えることを特徴とする請求項2記載の半導体
    試験装置。
  4. 【請求項4】 所定の起動信号は、現在のデバイス試験
    実施中の当該可変機能要素の設定条件での試験終了後に
    発生する実行開始指令STTであることを特徴とする請
    求項2記載の半導体試験装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020041975A (ja) * 2018-09-13 2020-03-19 株式会社アドバンテスト 装置、方法、およびプログラム

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