JP3064596B2 - Liquid crystal panel and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal panel and method of manufacturing the same

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JP3064596B2
JP3064596B2 JP31691591A JP31691591A JP3064596B2 JP 3064596 B2 JP3064596 B2 JP 3064596B2 JP 31691591 A JP31691591 A JP 31691591A JP 31691591 A JP31691591 A JP 31691591A JP 3064596 B2 JP3064596 B2 JP 3064596B2
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一夫 湯田坂
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶パネルおよびその製
造方法に関し、特に、その配線層の構造技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a structure technology of a wiring layer thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】代表的なフラットパネル型ディスプレイ
である液晶表示パネルは、共通電極が形成された一方側
の透明基板と、多数の画素領域を備えるマトリクスアレ
イが形成された他方側の透明基板との間に液晶が封入さ
れており、共通電極と各画素領域の画素電極との間に印
加される電位を制御して、画素領域毎の液晶の配向状態
を変えるようになっている。その代表的なものがTFT
(薄膜トランジスタ)を利用して、所定の信号電位を各
画素電極に印加する方式であり、そのマトリクスアレイ
の構造を図6に示す。この図に示すように、透明基板5
1の表面側には、ソース4,ドレイン7およびゲート5
を備えるTFT8が形成されており、そのソース4には
層間絶縁膜52の接続孔52aを介してデータ線2a
(信号線)が導電接続している一方、ゲート5にはゲー
ト線(走査線/図示せず)が導電接続している。また、
ドレイン7には、層間絶縁膜52の接続孔52bを介し
てITOからなる画素電極6が導電接続している。この
ような構成のマトリクスアレイの等価回路は、たとえ
ば、図5に示すように表される。この等価回路におい
て、いずれの画素領域においても、データ線Di を介し
て所定のデータ信号がTFTijのソースに印加された状
態で、TFTijのゲートにゲート線Gj からの駆動電位
が印加されると、画素電極と共通電極とによって構成さ
れた液晶表示素子Cijに所定の信号電位が印加される。
これにより、液晶表示素子Cijの液晶に電位がかかり、
この液晶の配向状態が変化する。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel, which is a typical flat panel display, includes a transparent substrate on one side on which a common electrode is formed and a transparent substrate on the other side on which a matrix array having a large number of pixel regions is formed. Liquid crystal is sealed between the pixel electrodes, and the potential applied between the common electrode and the pixel electrode in each pixel region is controlled to change the alignment state of the liquid crystal in each pixel region. The typical one is TFT
This is a method in which a predetermined signal potential is applied to each pixel electrode using a (thin film transistor), and the structure of the matrix array is shown in FIG. As shown in FIG.
1 have a source 4, a drain 7 and a gate 5
Is formed, and its source 4 has a data line 2a through a connection hole 52a of an interlayer insulating film 52.
(Signal line) is conductively connected, while a gate line (scanning line / not shown) is conductively connected to the gate 5. Also,
A pixel electrode 6 made of ITO is conductively connected to the drain 7 via a connection hole 52b of the interlayer insulating film 52. An equivalent circuit of such a matrix array is represented, for example, as shown in FIG. In this equivalent circuit, in each pixel region, through the data line D i in a state in which a predetermined data signal is applied to the source of the TFT ij, the drive potential from the gate line G j to the gate of the TFT ij applied Then, a predetermined signal potential is applied to the liquid crystal display element Cij formed by the pixel electrode and the common electrode.
Thereby, a potential is applied to the liquid crystal of the liquid crystal display element C ij ,
The alignment state of the liquid crystal changes.

【0003】ここで、データ線Di にデータ信号を供給
するデータ線駆動回路31およびゲート線Gj に駆動信
号を供給するゲート線駆動回路32は、いずれも、TF
i ,TFTj などによって構成されており、基板外部
への引出し線数を大幅に削減できることから、マトリク
スアレイが形成された透明基板上に形成されている。
[0003] Here, the data lines D i gate line drive circuit 32 supplies a drive signal to the data line driving circuit 31 and the gate line G j and supplies the data signal to, any, TF
It is composed of T i , TFT j, and the like, and is formed on a transparent substrate on which a matrix array is formed because the number of lead lines to the outside of the substrate can be greatly reduced.

【0004】そして、これらの駆動回路31,32にお
いて、TFTi ,TFTj を回路接続するための配線層
は、図6に示すように、透明基板9上において、第1の
配線層53と、第2の配線層54および第3の配線層5
5とが層間絶縁膜52を介して2層配線構造を構成する
ように形成されている。
[0006] In these drive circuits 31 and 32, a wiring layer for circuit-connecting TFT i and TFT j is formed on a transparent substrate 9 by a first wiring layer 53, as shown in FIG. Second wiring layer 54 and third wiring layer 5
5 are formed to form a two-layer wiring structure with an interlayer insulating film 52 interposed therebetween.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このような構成の液晶
表示パネルに対しては、表示面の大型化や低価格化に加
えて、表示の高精細化も要求されている状況にあって、
この要求に対応するために、各画素領域を微細化して画
素数を増加させていく傾向にある。しかしながら、従来
の液晶表示パネルにおいて、画素領域を微細化するに
は、以下の問題点がある。
In a liquid crystal display panel having such a configuration, in addition to a large display surface and a low price, a high definition display is required.
In order to respond to this demand, there is a tendency that each pixel area is miniaturized to increase the number of pixels. However, in the conventional liquid crystal display panel, there are the following problems in miniaturizing the pixel region.

【0006】 各画素領域の微細化に対応するには、
データ線駆動回路31およびゲート線駆動回路32を構
成する素子間のピッチを狭める必要がある。それには、
各配線層53,54,55のピッチも、たとえば10μ
m以下にまで縮小する必要があるが、配線層53,5
4,55は、駆動回路を構成するTFTの配置に対応し
て平面的に形成されているため、それらの狭ピッチ化に
は限界がある。
In order to cope with miniaturization of each pixel area,
It is necessary to narrow the pitch between the elements forming the data line driving circuit 31 and the gate line driving circuit 32. To do that,
The pitch of each wiring layer 53, 54, 55 is also, for example, 10 μm.
m or less, but the wiring layers 53, 5
4 and 55 are formed in a plane corresponding to the arrangement of the TFTs constituting the drive circuit, and thus there is a limit to narrowing their pitch.

【0007】 各画素領域の微細化にともなって、デ
ータ線Di およびゲート線Gj に対する制約が増え、従
来の液晶パネルの構造のままでは、それらの信頼性が低
下しやすい。たとえば、データ線Di に断線が発生する
と、それに対応する各画素領域はすべて表示欠陥にな
る。そこで、従来の液晶表示パネルに対して、配線層の
冗長設計を採用することが望まれているが、いずれの冗
長設計を採用しても、工程数が大幅に増加して、液晶表
示パネルの低価格化を妨げてしまう。
With the miniaturization of each pixel region, restrictions on the data lines Di and the gate lines Gj increase, and the reliability of the conventional liquid crystal panel tends to be reduced if the structure is not changed. For example, if disconnection to the data line D i is generated, all the pixel areas display defects corresponding thereto. Therefore, it is desired to adopt a redundant design of the wiring layer with respect to the conventional liquid crystal display panel. This will hinder lower prices.

【0008】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
画素領域の微細化に対応可能なドライバ内蔵型の液晶パ
ネルおよびその製造方法を実現することにある。
[0008] In view of the above problems, an object of the present invention is to provide:
An object of the present invention is to realize a driver-incorporated liquid crystal panel capable of coping with the miniaturization of a pixel region and a method of manufacturing the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にゲー
ト線と、データ線と、前記ゲート線とデータ線に接続さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された画素電極と、駆動回路とを有する液晶パネルにお
いて、前記データ線は第1配線と第2配線とからなり、
前記駆動回路の配線は、前記第1配線と、前記第2配線
と、前記ゲート線と同一材料により構成された多層配線
からなることを特徴とする。
According to the present invention, a gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a driving circuit are provided on a substrate. Wherein the data line comprises a first wiring and a second wiring,
The wiring of the driving circuit includes a multilayer wiring formed of the same material as the first wiring, the second wiring, and the gate line.

【0010】また、本発明は、基板上にゲート線と、デ
ータ線と、前記ゲート線とデータ線に接続された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素
電極と、駆動回路とを有する液晶パネルの製造方法にお
いて、前記ゲート線と前記駆動回路の第1駆動配線とを
同一材料で形成する工程と、前記ゲート線と前記第1駆
動配線の上に、第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1
絶縁膜上に、前記データ線の第1データ配線と前記駆動
回路の第2駆動配線とを形成する工程と、前記第1デー
タ配線と前記第2駆動配線の上に、第2絶縁膜を形成す
る工程と、前記第2絶縁膜上に、前記第2データ配線と
前記駆動回路の第3駆動配線とを形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
Further, the present invention provides a liquid crystal panel having a gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a driving circuit on a substrate. Forming the gate line and the first drive wiring of the drive circuit with the same material; and forming a first insulating film on the gate line and the first drive wiring, The first
Forming a first data line of the data line and a second drive line of the drive circuit on an insulating film, and forming a second insulating film on the first data line and the second drive line And forming the second data wiring and the third driving wiring of the driving circuit on the second insulating film.

【0011】更に、本発明は、基板上にゲート線と、デ
ータ線と、前記ゲート線とデータ線に接続された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素
電極と、駆動回路とを有する液晶パネルにおいて、前記
駆動回路の配線は、前記データ線と、前記ゲート線と、
前記画素電極と同一材料により構成された多層配線から
なることを特徴とする。また更に、本発明は、基板上に
ゲート線と、データ線と、前記ゲート線とデータ線に接
続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された画素電極と、駆動回路とを有する液晶パネル
の製造方法において、前記ゲート線と前記駆動回路の第
1駆動配線とを同一材料で形成する工程と、前記ゲート
線と前記駆動回路の第1駆動配線の上に、第1絶縁膜を
形成する工程と、前記第1絶縁膜上に、前記データ線
と、前記駆動回路の第2駆動配線とを形成する工程と、
前記データ線と前記第2駆動配線上に、第2絶縁膜を形
成する工程と、前記第2絶縁膜上に、前記画素電極と前
記駆動回路の第3駆動配線とを形成する工程とを有する
ことを特徴とする。
Further, the present invention provides a liquid crystal panel having a gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a driving circuit on a substrate. In the above, the wiring of the driving circuit includes the data line, the gate line,
It is characterized by comprising a multilayer wiring composed of the same material as the pixel electrode. Still further, the present invention provides a method of manufacturing a liquid crystal panel having a gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a driving circuit on a substrate. Forming a first insulating film on the gate line and the first driving line of the driving circuit; forming a first insulating film on the gate line and the first driving line of the driving circuit; Forming the data line and a second drive wiring of the drive circuit on the first insulating film;
Forming a second insulating film on the data line and the second driving wiring; and forming a pixel electrode and a third driving wiring of the driving circuit on the second insulating film. It is characterized by the following.

【0012】[0012]

【作用】本発明においては、マトリクスアレイと同一透
明基板上に形成された駆動回路の配線層が3層配線構造
になっているため、配線層の配置に対する自由度が大き
い。従って、駆動回路用素子間のピッチを狭くできるの
で、駆動回路側はマトリクスアレイの微細化に十分に対
応できる。また、駆動回路が3層配線構造であること、
すなわち、駆動回路の配線層を形成する工程が3回行わ
れるため、そのうち、データ線を形成するのに適した工
程を援用して、第1のデータ線または第2のデータ線を
形成する。それ故、第1のデータ線および第2のデータ
線を個々の工程により形成して、データ線を多重配線構
造とする製造方法と異なり、多重配線構造、すなわち冗
長配線構造を備えたデータ線を、少ない工程数で形成で
きる。
In the present invention, since the wiring layers of the driving circuit formed on the same transparent substrate as the matrix array have a three-layer wiring structure, the degree of freedom in the arrangement of the wiring layers is large. Accordingly, the pitch between the drive circuit elements can be reduced, so that the drive circuit side can sufficiently cope with miniaturization of the matrix array. The drive circuit has a three-layer wiring structure;
That is, since the step of forming the wiring layer of the driver circuit is performed three times, the first data line or the second data line is formed with the help of the step suitable for forming the data line. Therefore, unlike the manufacturing method in which the first data line and the second data line are formed in individual steps to form the data line in a multiple wiring structure, a data line having a multiple wiring structure, that is, a data line having a redundant wiring structure is formed. , Can be formed with a small number of steps.

【0013】[0013]

【実施例】次に、本発明の実施例について、添付図面を
参照して説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0014】〔実施例1〕図1は本発明の実施例1に係
るドライバ内蔵型液晶表示パネルのマトリックスアレイ
の一部を示す平面図、図2はそのI−I線における断面
図である。ここで、図6に示した従来のマトリクスアレ
イの各部分と同じ機能を有する部分には、同符号を付し
てある。
FIG. 1 is a plan view showing a part of a matrix array of a liquid crystal display panel with a built-in driver according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II. Here, portions having the same functions as those of the conventional matrix array shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.

【0015】この実施例は、図1に示すように、垂直方
向のデータ線2a,2b・・・(信号線)と、水平方向
のゲート線3a,3b・・・(走査線)とが格子状に配
線され、それらの間にマトリクスアレイの各画素領域1
a,1b・・が形成されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, vertical data lines 2a, 2b... (Signal lines) and horizontal gate lines 3a, 3b. And each pixel region 1 of the matrix array is arranged between them.
a, 1b... are formed.

【0016】以下に画素領域1aを例にとって、その構
造を説明する。この画素領域1aにおいて、データ線2
aが導電接続するソース4、ゲート線3bが導電接続す
るゲート5、および画素電極6が導電接続するドレイン
7によって、TFT8が形成されている。ここで、画素
電極6は、ITOからなる透明電極であって、画素領域
1aのほぼ全面にわたって形成されている。また、デー
タ線2aは、下層側のクロム層(第1のデータ線)およ
び上層側のアルミニウム層(第2のデータ線)からなる
2層構造になっている一方、ゲート線3bは、不純物ド
ープ型の多結晶シリコン層から構成されている。
Hereinafter, the structure of the pixel region 1a will be described by way of example. In this pixel region 1a, the data line 2
The TFT 8 is formed by the source 4 to which a is conductively connected, the gate 5 to which the gate line 3b is conductively connected, and the drain 7 to which the pixel electrode 6 is conductively connected. Here, the pixel electrode 6 is a transparent electrode made of ITO, and is formed over substantially the entire surface of the pixel region 1a. The data line 2a has a two-layer structure including a lower chromium layer (first data line) and an upper aluminum layer (second data line), while the gate line 3b has an impurity doped layer. It is composed of a polycrystalline silicon layer.

【0017】このTFT8の断面構造は、図2に示すよ
うに、液晶表示パネル全体を支持する透明基板9(ガラ
ス基板)の表面側に多結晶シリコン層10が形成されて
おり、多結晶シリコン層10には、真性の多結晶シリコ
ン領域であるチャネル領域11を除いて、n型の不純物
としてのリンが導入されて、ソース4およびドレイン7
が形成されている。ここで、リンの導入は、多結晶シリ
コン層10の表面側に形成されたゲート酸化膜12の上
のゲート5をマスクとするイオン注入を利用することに
より、ソース4およびドレイン7がセルフアラインとな
るように行われる。このTFT8の表面側には、シリコ
ン酸化膜からなる第1の層間絶縁膜13(下層側層間絶
縁膜)が堆積されており、それには第1の接続孔13a
と第2の接続孔13bとが開口されている。そのうちの
第1の接続孔13aを介して、クロム層から構成された
第1のデータ線14がソース4に導電接続し、さらに、
それらの表面側に形成された第2の層間絶縁膜17(上
層側層間絶縁膜)の接続孔17aを介して、アルミニウ
ム層から構成された第2のデータ線15が第1のデータ
線14の表面に導電接続している。このように形成され
た第1および第2のデータ線14,15によってデータ
線2aが構成され、データ線2aは2重構造からなる冗
長配線構造になっている。一方、第1の層間絶縁膜13
の第2の接続孔13bを介しては、クロム層から構成さ
れた積み上げ電極層16が導電接続しており、その表面
側においては、第2の層間絶縁膜17および第3の層間
絶縁膜18を貫通する接続孔18aを介して、ITOか
らなる画素電極6が積み上げ電極層16に導電接続して
いる。これにより、ドレイン7から画素電極6に対して
電位が印加可能になっている。ここで、画素電極6とド
レイン7の接続構造については、積み上げ電極層16と
して、クロム層などの金属層から構成されているもの、
またはITO層から構成されているものなどを利用で
き、その他、画素電極6がドレイン7に対して直接に導
電接続する構造なども採用できる。
As shown in FIG. 2, the cross-sectional structure of this TFT 8 is such that a polycrystalline silicon layer 10 is formed on the surface side of a transparent substrate 9 (glass substrate) that supports the entire liquid crystal display panel. Except for the channel region 11 which is an intrinsic polycrystalline silicon region, phosphorus as an n-type impurity is introduced into the source 10 and the source 4 and the drain 7.
Are formed. Here, the source 4 and the drain 7 are self-aligned by utilizing ion implantation using the gate 5 on the gate oxide film 12 formed on the surface side of the polycrystalline silicon layer 10 as a mask. It is done to become. A first interlayer insulating film 13 (lower interlayer insulating film) made of a silicon oxide film is deposited on the front side of the TFT 8, and a first connection hole 13 a is formed in the first interlayer insulating film 13.
And the second connection hole 13b are opened. The first data line 14 made of a chromium layer is conductively connected to the source 4 through the first connection hole 13a among them.
The second data line 15 made of an aluminum layer is connected to the first data line 14 through the connection hole 17a of the second interlayer insulating film 17 (upper interlayer insulating film) formed on the surface side. Conductive connection to the surface. The first and second data lines 14 and 15 thus formed constitute a data line 2a, and the data line 2a has a redundant wiring structure having a double structure. On the other hand, the first interlayer insulating film 13
A stacked electrode layer 16 made of a chromium layer is conductively connected through the second connection hole 13b, and a second interlayer insulating film 17 and a third interlayer insulating film 18 The pixel electrode 6 made of ITO is conductively connected to the stacked electrode layer 16 via a connection hole 18a penetrating through the contact hole 18a. Thus, a potential can be applied from the drain 7 to the pixel electrode 6. Here, regarding the connection structure between the pixel electrode 6 and the drain 7, the stacked electrode layer 16 is formed of a metal layer such as a chromium layer,
Alternatively, a structure composed of an ITO layer can be used, and a structure in which the pixel electrode 6 is directly conductively connected to the drain 7 can be employed.

【0018】この液晶表示パネルにおいては、後述のと
おり、データ線2aは、クロム層14と、このクロム層
14とは別工程で形成されたアルミニウム層15とで構
成されているため、それぞれに断線部分があったと仮定
しても、その断線部分の位置が重ならない限り、データ
線2aとしては断線状態にはならない。すなわち、一方
側の断線状態を他方側が補完する関係にある冗長配線構
造になっているため、画素領域2aが微細化され、デー
タ線2aの幅が狭くなるなどの制約が加わっても、デー
タ線2aが接続する全ての画素領域に対し、確実にデー
タ信号が印加されるので、この液晶表示パネルには表示
のライン欠陥が極めて発生しにくい。
In this liquid crystal display panel, as will be described later, since the data lines 2a are composed of the chromium layer 14 and the aluminum layer 15 formed in a step different from the chromium layer 14, the data lines 2a are disconnected. Even if it is assumed that there is a portion, the data line 2a will not be in a disconnected state unless the positions of the disconnected portions overlap. In other words, since the redundant wiring structure has a relationship in which the disconnection state of one side is complemented by the other side, even if restrictions such as the pixel region 2a being miniaturized and the width of the data line 2a being narrowed are added, the data line 2a is not affected. Since data signals are reliably applied to all the pixel regions to which 2a is connected, display line defects are extremely unlikely to occur in this liquid crystal display panel.

【0019】さらに、この透明基板9の表面側には、マ
トリクスアレイを駆動するための駆動回路(図示せず)
も形成されている。この駆動回路は、その等価回路の一
例をマトリクスアレイの等価回路と共に図5に示すよう
に、いずれの画素領域に対しても、データ線Di を介し
て所定の信号電位がTFTijのソースに印加可能な状態
になっている。そして、TFTijのゲートにゲート線G
j からの駆動電位が印加されて、所定の信号電位が画素
電極と共通電極とによって構成された液晶表示素子Cij
に印加されると、液晶表示素子Cijの液晶に電位がかか
り、この液晶の配向状態が変化して、情報を表示する。
ここで、データ線Di にデータ信号を供給するデータ線
駆動回路31およびゲート線Gj にゲート信号を供給す
るゲート線駆動回路32は、いずれも透明基板の外周領
域に形成されており、その構成は、たとえば、データ線
駆動回路31においては、ラインメモリ31aを制御す
るためのTFTi のソースには画像信号Sp が印加され
るようになっている一方、垂直同期パルスSv と垂直シ
フトパルスφ1 ,φ2 とによって、垂直シフトレジスタ
31bの各段が、図5の左から右に向かって、順次、パ
ルス持続期間だけ導通状態に移行可能になっている。こ
れにより、画像信号Sp は、1画素毎に区切られてライ
ンメモリ用コンデンサCi に順次蓄えられる。そして、
これらの画像信号は、ラインスイッチTFTLiに印加さ
れたラインスイッチ信号SL に基づいて各データ線に転
送される。一方、ゲート駆動回路32の側も略同様な回
路構成であるため、その説明は省略するが、データ線駆
動回路31およびゲート駆動回路32は、いずれも所定
の回路構成に配線接続されたTFTなどから構成されて
いる。
Further, a driving circuit (not shown) for driving the matrix array is provided on the front side of the transparent substrate 9.
Is also formed. The driving circuit is an example of the equivalent circuit as shown in FIG. 5 with an equivalent circuit of the matrix array, for any pixel regions through the data line D i is a predetermined signal potential to the source of the TFT ij It can be applied. The gate line G is connected to the gate of the TFT ij.
The driving potential from j is applied, and a predetermined signal potential is applied to the liquid crystal display element C ij constituted by the pixel electrode and the common electrode.
Is applied, a potential is applied to the liquid crystal of the liquid crystal display element C ij , and the alignment state of the liquid crystal changes to display information.
Here, the data line D i gate line drive circuit 32 supplies a gate signal to the data line driving circuit 31 and the gate line G j supplying a data signal, the both are formed in the outer peripheral region of the transparent substrate, its For example, in the data line drive circuit 31, the image signal Sp is applied to the source of the TFT i for controlling the line memory 31a, while the vertical synchronization pulse Sv and the vertical shift pulse Sv are applied. With the pulses φ 1 and φ 2 , each stage of the vertical shift register 31b can be sequentially turned on for the pulse duration from left to right in FIG. Thus, the image signal S p is sequentially stored in separated by capacitor C i line memory for each pixel. And
These image signals are transferred to the data lines based on the applied line switch signal S L to the line switch TFT Li. On the other hand, the gate drive circuit 32 also has a substantially similar circuit configuration, and a description thereof will be omitted. However, each of the data line drive circuit 31 and the gate drive circuit 32 includes a TFT or the like connected to a predetermined circuit configuration. It is composed of

【0020】本例において、これらのデータ線駆動回路
31およびゲート線駆動回路32の各TFTを配線接続
する各配線層は、図2に示すように、透明基板9の表面
上に形成された第1の配線層19と、その表面側に形成
された第1の層間絶縁膜13(下層側層間絶縁膜)上の
第2の配線層20と、その表面側に形成された第2の層
間絶縁膜17(上層側層間絶縁膜)上の第3の配線層2
1とからなる3層配線構造になっている。従って、デー
タ線2a,2b・・・またはゲート線3a,3bに導電
接続するこれらの配線層19,20,21間のピッチが
狭い。それ故、表示画面の高精細化に向けて画素領域を
微細化した場合であっても、微細化された画素領域のピ
ッチに駆動回路側が十分に対応することができる。しか
も、駆動回路の形成領域自身を狭くできるので、パネル
サイズの縮小化をも実現できる。
In this embodiment, each wiring layer for connecting the respective TFTs of the data line driving circuit 31 and the gate line driving circuit 32 is formed on the surface of the transparent substrate 9 as shown in FIG. The first wiring layer 19, the second wiring layer 20 on the first interlayer insulating film 13 (lower interlayer insulating film) formed on the surface side, and the second interlayer insulating film formed on the surface side Third wiring layer 2 on film 17 (upper interlayer insulating film)
1 has a three-layer wiring structure. Therefore, the pitch between these wiring layers 19, 20, 21 electrically connected to the data lines 2a, 2b... Or the gate lines 3a, 3b is narrow. Therefore, even when the pixel region is miniaturized for higher definition of the display screen, the drive circuit side can sufficiently cope with the pitch of the miniaturized pixel region. In addition, since the region for forming the driving circuit itself can be narrowed, the panel size can be reduced.

【0021】ここで、第1の配線層19は、ゲート5お
よびゲート線3bと同時形成された不純物ドープ型の多
結晶シリコン層から構成され、第2の配線層20は、第
1のデータ線14と同時形成されたクロム層から構成さ
れ、第3の配線層21は、第2のデータ線15と同時形
成されたアルミニウム層から構成されている。
Here, the first wiring layer 19 is formed of an impurity-doped polycrystalline silicon layer formed simultaneously with the gate 5 and the gate line 3b, and the second wiring layer 20 is formed of the first data line. The third wiring layer 21 is formed of an aluminum layer formed simultaneously with the second data line 15.

【0022】かかる構造の液晶表示パネルのマトリック
スアレイの製造方法を、図3を参照して説明する。
A method for manufacturing a matrix array of a liquid crystal display panel having such a structure will be described with reference to FIG.

【0023】図3は、液晶パネル表示の製造方法の一部
を示す工程断面図である。
FIG. 3 is a process sectional view showing a part of a method of manufacturing a liquid crystal panel display.

【0024】まず、図3(a)に示すように、ガラス基
板9の表面上にCVD法により、真性の多結晶シリコン
層10aを堆積させた後に、熱酸化を施して、ゲート酸
化膜12を形成する。
First, as shown in FIG. 3A, an intrinsic polycrystalline silicon layer 10a is deposited on the surface of a glass substrate 9 by a CVD method, and then thermal oxidation is performed to form a gate oxide film 12. Form.

【0025】次に、図3(b)に示すように、これらの
表面側にリンドープの多結晶シリコン層をCVD法によ
り形成した後、パターニングしてゲート5,ゲート線3
a,3b・・・および第1の配線層19を残す。この後
に、ゲート5をマスクとしてリンをイオン注入して、ソ
ース4およびドレイン7を導電化する。ここで、ゲート
5の直下には真性の多結晶シリコン部分が残され、これ
がチャネル領域11となる。
Next, as shown in FIG. 3 (b), a phosphorus-doped polycrystalline silicon layer is formed on these surface sides by a CVD method, and then patterned to form a gate 5 and a gate line 3.
a, 3b... and the first wiring layer 19 are left. Thereafter, phosphorus is ion-implanted using the gate 5 as a mask to make the source 4 and the drain 7 conductive. Here, an intrinsic polycrystalline silicon portion is left immediately below the gate 5, and this becomes the channel region 11.

【0026】このようにして、TFT8を、駆動回路側
のTFT(図示せず)と共に形成した後に、これらの表
面側に、図3(c)に示すように、CVD法などにより
第1の層間絶縁膜13を堆積させる。その後に、ソース
4およびドレイン7の上方位置に第1の接続孔13aお
よび第2の接続孔13bを形成する。同様に、駆動回路
側にも所定の位置に接続孔が形成される。次に、これら
の表面側にクロム層をスパッタ法により被着して、全面
クロム層を形成した後、所定の領域が窓開けされたレジ
ストマスク層を形成した状態で、第2硝酸セリウムアン
モニウムなどを配合したクロム用エッチング液で、全面
クロム層に化学エッチングを施して第1のデータ線1
4,第2の配線層20および積み上げ電極層16を残
す。
After forming the TFT 8 together with the TFT (not shown) on the drive circuit side in this way, as shown in FIG. 3C, the first interlayer is formed on the surface side by a CVD method or the like. An insulating film 13 is deposited. After that, a first connection hole 13a and a second connection hole 13b are formed above the source 4 and the drain 7. Similarly, a connection hole is formed at a predetermined position on the drive circuit side. Next, a chromium layer is deposited on these surface sides by a sputtering method to form a chromium layer on the entire surface, and then, in a state where a resist mask layer having a predetermined region opened in a window is formed, cerium ammonium nitrate or the like is formed. 1st data line 1 by chemically etching the entire chromium layer with an etching solution for chromium containing
4. The second wiring layer 20 and the stacked electrode layer 16 are left.

【0027】つぎに、図3(d)に示すように、それら
の表面側に、CVD法などにより第2の層間絶縁膜17
を堆積させた後に、接続孔17aを形成する。ここで
も、駆動回路側の所定の位置に接続孔が形成される。さ
らに、これらの表面側にアルミニウム層をスパッタ法に
より被着して、全面アルミニウム層を形成した後に、所
定の領域が窓開けされたレジストマスク層を形成する。
この状態で、燐酸、硝酸などを配合したアルミニウム用
エッチング液で、全面アルミニウム層に化学エッチング
を施して、第2のデータ線15および第3の配線層21
を形成する。
Next, as shown in FIG. 3D, a second interlayer insulating film 17 is
Is deposited, a connection hole 17a is formed. Also in this case, a connection hole is formed at a predetermined position on the drive circuit side. Further, an aluminum layer is deposited on these surface sides by a sputtering method to form an aluminum layer on the entire surface, and then a resist mask layer in which a predetermined region is opened in a window is formed.
In this state, the entire aluminum layer is chemically etched with an etching solution for aluminum containing phosphoric acid, nitric acid, or the like, so that the second data line 15 and the third wiring layer 21 are etched.
To form

【0028】次に、これらの表面上に、CVD法などに
より第3の層間絶縁膜18を堆積させた後に、接続孔1
8aを形成する。そして、スパッタ法によりITO層を
被着した後、その表面上に所定領域を窓開けしたレジス
トマスク層を形成した状態で、塩酸、硝酸などを配合し
たITO用エッチング液により、ITO層に化学エッチ
ングを施して、図2に示すように、画素電極層6を残
す。
Next, a third interlayer insulating film 18 is deposited on these surfaces by a CVD method or the like.
8a is formed. Then, after depositing the ITO layer by the sputtering method, a resist mask layer having a predetermined area opened on the surface thereof is formed on the surface of the ITO layer, and then the ITO layer is chemically etched with an ITO etching solution containing hydrochloric acid, nitric acid and the like. To leave the pixel electrode layer 6 as shown in FIG.

【0029】このように、本例においては、データ線2
aを2重構造とするにあたり、下層側にはクロム層から
なる第1のデータ線14を、上層側にはクロム層に対し
てエッチング能力がない燐酸、硝酸系のエッチング液で
エッチング可能なアルミニウム層からなる第2のデータ
線15を採用している。従って、第2のデータ線15を
形成するためのレジストマスク層に欠陥があって、第2
のデータ線15に断線部分が発生しても、下層側の第1
のデータ線14には、断線部分が発生しない。
As described above, in this example, the data line 2
In order to form a double structure, a first data line 14 made of a chromium layer is provided on the lower layer side, and aluminum which can be etched with a phosphoric acid or nitric acid based etchant having no etching ability on the chromium layer is provided on the upper layer side. A second data line 15 composed of layers is employed. Therefore, the resist mask layer for forming the second data line 15 has a defect,
Even if a disconnection occurs in the data line 15 of the
No disconnection occurs in the data line 14.

【0030】このため、第1および第2のデータ線1
4,15の同位置に断線部分が発生しない限り、データ
線2a自身が断線状態になることがない。従って、本例
の液晶表示パネルにおいては、データ線2aの断線に起
因する表示のライン欠陥が発生しにくい。しかも、第1
および第2のデータ線14,15は、駆動回路を構成す
る配線層のうち、第2の配線層20および第3の配線層
21の形成工程を援用して、それらの配線層20,21
と同時形成している。さらに、ゲート5およびゲート線
3a,3b・・・の形成工程に対しても、第1の配線層
19の形成工程を援用して、それらを同時に形成してい
る。しかも、いずれの層間絶縁膜13,17,18も駆
動回路側とマトリクスアレイ側とで、同様に配置されて
いるため、それらの形成工程も援用し合っている。この
ため、液晶表示パネルのデータ線2a,2b・・・に冗
長配線構造を採用しても、製造工程が増えるのを最小限
に止めているので、コスト対応力をも備える。しかも、
データ線2aの形成領域は拡張されていないため、開口
率が維持されているので、表示品質が低下しない。
For this reason, the first and second data lines 1
Unless a disconnection occurs at the same position of the data lines 4 and 15, the data line 2a itself does not become disconnected. Therefore, in the liquid crystal display panel of this example, a display line defect due to the disconnection of the data line 2a hardly occurs. And the first
And the second data lines 14 and 15 are formed of the wiring layers 20 and 21 with the help of the formation process of the second wiring layer 20 and the third wiring layer 21 among the wiring layers constituting the drive circuit.
Is formed at the same time. Further, the steps for forming the gate 5 and the gate lines 3a, 3b,... Are formed simultaneously with the aid of the step for forming the first wiring layer 19. In addition, since all of the interlayer insulating films 13, 17, and 18 are similarly arranged on the drive circuit side and the matrix array side, their formation steps are also used. For this reason, even if a redundant wiring structure is adopted for the data lines 2a, 2b,... Of the liquid crystal display panel, the increase in the number of manufacturing steps is minimized, so that cost responsiveness is also provided. Moreover,
Since the formation area of the data line 2a is not expanded, the aperture ratio is maintained, so that the display quality does not deteriorate.

【0031】〔実施例2〕次に、本発明の実施例2に係
る液晶表示パネルについて、図4を参照して説明する。
Embodiment 2 Next, a liquid crystal display panel according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.

【0032】図4は実施例2に係るドライバ内蔵型液晶
表示パネルのマトリックスアレイの断面図であり、実施
例1に係るドライバ内蔵型液晶表示パネルの各部分と共
通する機能を有する部分については、同符号を付して、
それらの説明を省略する。なお、このマトリクスアレイ
の平面は図1と略同様な構成になっている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a matrix array of a liquid crystal display panel with a built-in driver according to the second embodiment. Portions having functions common to those of the liquid crystal display panel with a built-in driver according to the first embodiment are described below. With the same sign,
A description thereof will be omitted. The plane of the matrix array has substantially the same configuration as that of FIG.

【0033】本例の液晶表示パネルにおいては、透明基
板9上に形成されたTFT8の表面側には、第1の層間
絶縁膜13(下層側層間絶縁膜)が形成されており、そ
の接続孔13aを介して、クロム層からなる第1のデー
タ線14がTFT8のソース4に導電接続している。そ
して、第1のデータ線14の表面側には、アルミニウム
層からなる第2のデータ線15が直接に導電接続してお
り、第2のデータ線15は層間絶縁膜上には形成されて
いない。ここで、ゲート5およびゲート線3a,3b・
・・はいずれも、実施例1と同様に不純物ドープ型の多
結晶シリコン層からなる。
In the liquid crystal display panel of the present embodiment, a first interlayer insulating film 13 (lower interlayer insulating film) is formed on the front side of the TFT 8 formed on the transparent substrate 9, and a connection hole thereof is provided. A first data line 14 made of a chromium layer is conductively connected to the source 4 of the TFT 8 via 13a. A second data line 15 made of an aluminum layer is directly conductively connected to the front side of the first data line 14, and the second data line 15 is not formed on the interlayer insulating film. . Here, the gate 5 and the gate lines 3a, 3b.
.. Consist of an impurity-doped polycrystalline silicon layer as in the first embodiment.

【0034】一方、駆動回路側においては、第1の配線
層19は、ゲート5およびゲート線3a,3b・・・と
同時形成された不純物ドープ型の多結晶シリコン層から
構成され、その表面側に形成された第1の層間絶縁膜1
3上の第2の配線層20は、第2のデータ線15と同時
形成されたアルミニウム層から構成され、その表面側に
形成された第2の層間絶縁膜17上の第3の配線層21
は、画素電極6と同時形成されたITO層から構成され
ている。すなわち、データ線駆動回路およびゲート線駆
動回路などの駆動回路を構成する各配線層19,20,
21は、3層配線構造になっているため、データ線2
a,2b・・・またはゲート線3a,3bに信号を転送
するための配線層間のピッチが狭い。それ故、表示画面
の高精細化に向けて、画素領域を微細化した場合であっ
ても、微細化された画素領域のサイズに駆動回路側が十
分に対応することができる。しかも、駆動回路の形成領
域が狭いので、パネルサイズの縮小化をも実現できる。
なお、本例において、画素電極6は、第2の層間絶縁膜
17上に形成されて、その接続孔17bを介して、クロ
ム層またはITO層などからなる積み上げ電極層16に
導電接続しているが、この構造に代えて、画素電極6が
ドレイン7に直接に導電接続する構造も可能である。
On the other hand, on the drive circuit side, the first wiring layer 19 is formed of an impurity-doped polycrystalline silicon layer formed simultaneously with the gate 5 and the gate lines 3a, 3b,. First interlayer insulating film 1 formed in
2 is formed of an aluminum layer formed simultaneously with the second data line 15, and the third wiring layer 21 on the second interlayer insulating film 17 formed on the surface side of the second wiring layer 20 is formed.
Is composed of an ITO layer formed simultaneously with the pixel electrode 6. That is, each of the wiring layers 19, 20,... Constituting a driving circuit such as a data line driving circuit and a gate line driving circuit.
The data line 2 has a three-layer wiring structure.
a, 2b... or the pitch between wiring layers for transferring signals to the gate lines 3a, 3b is narrow. Therefore, even when the pixel region is miniaturized for higher definition of the display screen, the driving circuit side can sufficiently cope with the size of the miniaturized pixel region. In addition, since the area for forming the driving circuit is small, the panel size can be reduced.
In this example, the pixel electrode 6 is formed on the second interlayer insulating film 17 and is conductively connected to the stacked electrode layer 16 made of a chromium layer, an ITO layer, or the like via the connection hole 17b. However, instead of this structure, a structure in which the pixel electrode 6 is directly conductively connected to the drain 7 is also possible.

【0035】このような構成の液晶表示パネルにおいて
も、データ線2a,2b・・・は、いずれも第1のデー
タ線14および第2のデータ線15からなる多重配線か
らなる冗長配線構造になっているため、実施例1と同様
に、いずれか一方に断線が発生しても、データ線2a,
2b・・・自身が断線になることがない。
Also in the liquid crystal display panel having such a structure, each of the data lines 2a, 2b,... Has a redundant wiring structure composed of multiple wirings including a first data line 14 and a second data line 15. Therefore, similarly to the first embodiment, even if a disconnection occurs in one of the data lines 2a,
2b... Itself does not break.

【0036】なお、本例の液晶表示パネルの製造方法に
おいても、駆動回路側の各配線層19,20,21およ
びマトリクスアレイ側を形成する工程のうち、同一材料
を用いて層を形成する工程同士については、工程を援用
し合う。すなわち、同じ不純物ドープ型多結晶シリコン
を用いる第1の配線層19の形成工程と、ゲート5およ
びゲート線3a,3b・・・の形成工程とを同一工程と
して、同じアルミニウムを用いる第2のデータ線15の
形成工程と、第2の配線層20の形成工程とを同一工程
として、同じITOを用いる画素電極6の形成工程と、
第3の配線層21の形成工程とを同一工程として行う。
In the method of manufacturing the liquid crystal display panel of this embodiment, the step of forming layers using the same material among the steps of forming the wiring layers 19, 20, and 21 on the drive circuit side and the matrix array side is also performed. About each other, a process is called for. That is, the step of forming the first wiring layer 19 using the same impurity-doped polycrystalline silicon and the step of forming the gate 5 and the gate lines 3a, 3b,. The step of forming the line 15 and the step of forming the second wiring layer 20 are the same step, the step of forming the pixel electrode 6 using the same ITO,
The step of forming the third wiring layer 21 is performed as the same step.

【0037】このように、本例においても、駆動回路を
形成する工程のうちの3工程を援用して、マトリクスア
レイ側の層を形成することができ、それらのうちの1工
程によって、冗長配線構造を構成する第2のデータ線1
5を形成しているため、製造工程数を不必要に増やすこ
となく、冗長配線構造の信号線2a.2b・・・を形成
することができる。
As described above, also in the present embodiment, the layers on the matrix array side can be formed with the aid of three of the steps for forming the drive circuit, and the redundant wiring is formed by one of the steps. Second data line 1 constituting the structure
5, the signal lines 2a... Of the redundant wiring structure are provided without unnecessarily increasing the number of manufacturing steps. 2b... Can be formed.

【0038】なお、実施例1および実施例2に係る液晶
表示パネルに用いた材料の組合せの他に、第1および第
2のデータ線のうちの少なくとも1層が、駆動回路側の
各配線層のうちのいずれかの層と同一材料から構成され
ていれば、たとえば、ゲート5およびゲート線3a,3
b・・・に不純物ドープ型の多結晶シリコン層、第1の
データ線14にクロム層、第2のデータ線15にアルミ
ニウム層を用いる一方、第1の配線層19に、ゲート5
およびゲート線3a,3b・・・とは異なる種類の不純
物ドープ型の多結晶シリコン層、第2の配線層20にゲ
ート5およびゲート線3a,3b・・・と同じ種類の不
純物ドープ型の多結晶シリコン層、第3の配線層21に
第2のデータ線15と同じアルミニウム層を用いてもよ
い。この場合には、第2の配線層20を形成する工程
と、ゲート5およびゲート線3a,3b・・・を形成す
る工程とを同一工程として同時に行い、第3の配線層2
1を形成する工程と、第2のデータ線15を形成する工
程とを同一工程として同時に行う。
In addition to the combination of the materials used for the liquid crystal display panels according to the first and second embodiments, at least one of the first and second data lines is connected to each wiring layer on the drive circuit side. , The gate 5 and the gate lines 3a, 3a
b. use an impurity-doped polycrystalline silicon layer, a chromium layer for the first data line 14, and an aluminum layer for the second data line 15, and a gate 5 for the first wiring layer 19.
, And a different type of impurity-doped polycrystalline silicon layer from the gate lines 3a, 3b..., And the same type of impurity-doped polycrystalline silicon layer as the gate 5 and the gate lines 3a, 3b. The same aluminum layer as the second data line 15 may be used for the crystalline silicon layer and the third wiring layer 21. In this case, the step of forming the second wiring layer 20 and the step of forming the gate 5 and the gate lines 3a, 3b,.
1 and the step of forming the second data line 15 are performed simultaneously as the same step.

【0039】また、ゲート5およびゲート線3a,3b
・・・に不純物ドープ型の多結晶シリコン層、第1のデ
ータ線14にアルミニウム層、第2のデータ線15にも
アルミニウム層を用いる一方、第1の配線層19に、ゲ
ート5およびゲート線3a,3b・・・とは同じ種類の
不純物ドープ型の多結晶シリコン層、第2の配線層20
に第1のデータ線14と同じアルミニウム層、第3の配
線層21に第2のデータ線15と同じアルミニウム層を
用いてもよい。この場合には、第1の配線層19を形成
する工程と、ゲート5およびゲート線3a,3b・・・
を形成する工程、第2の配線層20を形成する工程と、
第1のデータ線14を形成する工程、第3の配線層21
を形成する工程と、第2のデータ線15を形成する工程
とを同一工程として同時に行う。
The gate 5 and the gate lines 3a, 3b
.., An impurity-doped polycrystalline silicon layer, an aluminum layer for the first data line 14 and an aluminum layer for the second data line 15, while the gate 5 and the gate line are used for the first wiring layer 19. 3a, 3b,... Are the same kind of impurity-doped polycrystalline silicon layer, the second wiring layer 20
Alternatively, the same aluminum layer as the first data line 14 and the same aluminum layer as the second data line 15 may be used as the third wiring layer 21. In this case, the step of forming the first wiring layer 19, the gate 5, and the gate lines 3a, 3b,.
Forming a second wiring layer 20;
Step of Forming First Data Line 14, Third Wiring Layer 21
And the step of forming the second data line 15 are performed simultaneously as the same step.

【0040】さらには、第1のデータ線に対しても、不
純物ドープ型の多結晶シリコン層などを用いることもで
きる。
Further, also for the first data line, an impurity-doped polycrystalline silicon layer or the like can be used.

【0041】なお、液晶表示パネルの各領域、各層の配
置、形状などは、製造すべき液晶表示パネルのサイズ、
用途などによって、所定の条件に設定されるべき性質の
ものであり、限定のないものである。
The size of the liquid crystal display panel to be manufactured depends on the size of the liquid crystal display panel to be manufactured.
It is a property that should be set to a predetermined condition depending on the use and the like, and is not limited.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る液晶パネル
においては、同一透明基板上に、第1および第2のデー
タ線からなる2重配線構造のデータ線を備えるマトリク
スアレーと、3層配線構造の駆動回路とが形成されてい
ることを特徴とするので、以下の効果を奏する。
As described above, in the liquid crystal panel according to the present invention, the matrix array having the data lines of the double wiring structure composed of the first and second data lines on the same transparent substrate, and the three-layer wiring Since a driving circuit having a structure is formed, the following effects can be obtained.

【0043】 駆動回路の配線層が3層配線構造にな
っているため、各配線層間のピッチを狭くできるので、
マトリクスアレイの微細化に十分に対応でき、液晶パネ
ルの高精細化を実現できる。また、駆動回路の形成領域
の縮小化も実現でき、マトリクスアレイの占有面積を狭
めることなく、液晶パネルのサイズを縮小できる。
Since the wiring layer of the drive circuit has a three-layer wiring structure, the pitch between the wiring layers can be narrowed.
It can sufficiently cope with miniaturization of the matrix array, and can realize high definition of the liquid crystal panel. Further, the area for forming the driving circuit can be reduced, and the size of the liquid crystal panel can be reduced without reducing the area occupied by the matrix array.

【0044】 駆動回路が3層配線構造であること、
すなわち、駆動回路の配線層を形成する工程を3回行う
ため、そのうち、2重配線構造のデータ線を形成するの
に適した工程を援用して、第1のデータ線または第2の
データ線を形成することができる。従って、第1のデー
タ線および第2のデータ線を個々の工程により形成する
製造方法と異なり、冗長配線構造のデータ線を少ない工
程数で形成できる。
The drive circuit has a three-layer wiring structure,
That is, since the step of forming the wiring layer of the driver circuit is performed three times, the first data line or the second data line is used with the aid of a step suitable for forming a data line having a double wiring structure. Can be formed. Therefore, unlike the manufacturing method in which the first data line and the second data line are formed in individual steps, the data lines having the redundant wiring structure can be formed in a small number of steps.

【0045】 駆動回路側の配線層とマトリクスアレ
イ側の配線層とがそれぞれ同一材料で形成されているた
め、最小限の工程数で、駆動回路の3層配線構造および
データ線の冗長配線構造を形成できる。
Since the wiring layer on the driving circuit side and the wiring layer on the matrix array side are formed of the same material, the three-layer wiring structure of the driving circuit and the redundant wiring structure of the data lines can be realized with a minimum number of steps. Can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1に係るドライバ内蔵型液晶表
示パネルのマトリックスアレイの一部を示す平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view showing a part of a matrix array of a liquid crystal display panel with a built-in driver according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のI−I線における断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II of FIG.

【図3】(a)ないし(d)のいずれも、本発明の実施
例1に係るドライバ内蔵型液晶表示パネルのマトリック
スアレイの製造工程の一部を示す工程断面図である。
FIGS. 3A to 3D are process cross-sectional views each showing a part of a process of manufacturing a matrix array of the liquid crystal display panel with a built-in driver according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例2に係るドライバ内蔵型液晶表
示パネルのマトリックスアレイの一部を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing a part of a matrix array of a liquid crystal display panel with a built-in driver according to a second embodiment of the present invention.

【図5】ドライバ内蔵型液晶表示パネルのマトリクスア
レイおよび駆動回路を模式的に示す等価回路図である。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram schematically showing a matrix array and a driving circuit of a driver-incorporated liquid crystal display panel.

【図6】従来のドライバ内蔵型液晶表示パネルのマトリ
ックスアレイの一部を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a part of a matrix array of a conventional liquid crystal display panel with a built-in driver.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b・・・画素領域 2a,2b・・・データ線 3a,3b・・・ゲート線 4・・・ソース 5・・・ゲート 6・・・画素電極 7・・・ドレイン 8・・・TFT 13・・・第1の層間絶縁膜(下層側層間絶縁膜) 14・・・第1のデータ線 15・・・第2のデータ線 17・・・第2の層間絶縁膜(上層側層間絶縁膜) 19・・・第1の配線層 20・・・第2の配線層 21・・・第3の配線層 1a, 1b: Pixel region 2a, 2b: Data line 3a, 3b: Gate line 4: Source 5, Gate 6: Pixel electrode 7, Drain 8, TFT 13 first interlayer insulating film (lower interlayer insulating film) 14 first data line 15 second data line 17 second interlayer insulating film (upper interlayer insulating film) 19) First wiring layer 20 ... Second wiring layer 21 ... Third wiring layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1368

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上にゲート線と、データ線と、前記
ゲート線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、駆動回
路とを有する液晶パネルにおいて、 前記データ線は第1配線と第2配線とからなり、前記駆
動回路の配線は、前記第1配線と、前記第2配線と、前
記ゲート線と同一材料により構成された多層配線からな
ることを特徴とする液晶パネル。
A gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line on a substrate,
In a liquid crystal panel having a pixel electrode connected to the thin film transistor and a driving circuit, the data line includes a first wiring and a second wiring, and the wiring of the driving circuit includes the first wiring and the second wiring. A liquid crystal panel comprising a wiring and a multilayer wiring formed of the same material as the gate line.
【請求項2】 基板上にゲート線と、データ線と、前記
ゲート線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、駆動回
路とを有する液晶パネルの製造方法において、 前記ゲート線と前記駆動回路の第1駆動配線とを同一材
料で形成する工程と、 前記ゲート線と前記第1駆動配線の上に、第1絶縁膜を
形成する工程と、 前記第1絶縁膜上に、前記データ線の第1データ配線と
前記駆動回路の第2駆動配線とを形成する工程と、 前記第1データ配線と前記第2駆動配線の上に、第2絶
縁膜を形成する工程と、 前記第2絶縁膜上に、前記第2データ配線と前記駆動回
路の第3駆動配線とを形成する工程とを有することを特
徴とする液晶パネルの製造方法。
2. A gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line on a substrate,
In a method for manufacturing a liquid crystal panel having a pixel electrode connected to the thin film transistor and a driving circuit, a step of forming the gate line and a first driving wiring of the driving circuit with the same material; Forming a first insulating film on one drive wiring; forming a first data wiring of the data line and a second drive wiring of the drive circuit on the first insulating film; Forming a second insulating film on the first data wiring and the second driving wiring; and forming the second data wiring and the third driving wiring of the driving circuit on the second insulating film. And a method for manufacturing a liquid crystal panel.
【請求項3】 基板上にゲート線と、データ線と、前記
ゲート線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、駆動回
路とを有する液晶パネルにおいて、 前記駆動回路の配線は、前記データ線と、前記ゲート線
と、前記画素電極と同一材料により構成された多層配線
からなることを特徴とする液晶パネル。
3. A gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line on a substrate,
In a liquid crystal panel including a pixel electrode connected to the thin film transistor and a driving circuit, a wiring of the driving circuit includes the data line, the gate line, and a multilayer wiring formed of the same material as the pixel electrode. A liquid crystal panel characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 基板上にゲート線と、データ線と、前記
ゲート線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、駆動回
路とを有する液晶パネルの製造方法において、 前記ゲート線と前記駆動回路の第1駆動配線とを同一材
料で形成する工程と、 前記ゲート線と前記駆動回路の第1駆動配線の上に、第
1絶縁膜を形成する工程と、 前記第1絶縁膜上に、前記データ線と、前記駆動回路の
第2駆動配線とを形成する工程と、 前記データ線と前記第2駆動配線上に、第2絶縁膜を形
成する工程と、 前記第2絶縁膜上に、前記画素電極と前記駆動回路の第
3駆動配線とを形成する工程とを有することを特徴とす
る液晶パネルの製造方法。
4. A gate line, a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line on a substrate,
In a method for manufacturing a liquid crystal panel having a pixel electrode connected to the thin film transistor and a driving circuit, a step of forming the gate line and a first driving wiring of the driving circuit with the same material; Forming a first insulating film on a first drive wiring of a circuit; forming the data line and a second drive wiring of the drive circuit on the first insulating film; Forming a second insulating film on a line and the second driving wiring; and forming a pixel electrode and a third driving wiring of the driving circuit on the second insulating film. Characteristic liquid crystal panel manufacturing method.
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