JPH07104312A - Production of liquid crystal display device - Google Patents

Production of liquid crystal display device

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JPH07104312A
JPH07104312A JP24533693A JP24533693A JPH07104312A JP H07104312 A JPH07104312 A JP H07104312A JP 24533693 A JP24533693 A JP 24533693A JP 24533693 A JP24533693 A JP 24533693A JP H07104312 A JPH07104312 A JP H07104312A
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JP
Japan
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formed
active layer
electrode
insulating film
semiconductor active
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Application number
JP24533693A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Kitai
Susumu Ooima
健一 北井
進 大今
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To improve the light transmittance of the pixel parts of the liquid crystal display device and to reduce its electric power consumption.
CONSTITUTION: This process produces the liquid crystal display device in the following manner: Thin-film transistors(TFTs) are arranged in the respective pixel parts for driving the plural pixel parts arranged in a matrix form. Each TFT has a semiconductor active layer 12 formed with a source region 12c, a channel region 12a and a drain region 12b and a gate electrode 14 disposed via a gate insulating film 13a on the channel region 12a of the semiconductor active layer 12. The pixel parts are provided with auxiliary capacitance electrodes 15 facing display electrodes 17 via interlayer insulating films 16. In the process described above, the semiconductor thin films constituting the auxiliary capacitance electrodes 15 and the semiconductor thin films constituting the semiconductor active layers 12 of the TFTs are formed by the same thin film forming stage.
COPYRIGHT: (C)1995,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方法に関するものであり、特にマトリクス状に配置された画素部を薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を用いて駆動するアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, particularly a thin film transistor pixels arranged portion in a matrix (hereinafter, referred to as TFT) liquid crystal display of an active matrix driving using a method for manufacturing a device relates.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、TFTを用いた液晶ディスプレイが、TV、ビデオカメラ、ノート型パソコンの表示ディスプレイ等に用いられてきており、大画面化、高精細化とともに、消費電力の低減等が図られている。 In recent years, the liquid crystal display using a TFT, TV, video camera, have been used in notebook personal computer display such as a display, large screen, along with high definition, such as reduction of power consumption Fig. It is.

【0003】消費電力の低減を図るためにはバックライトに消費される電力を低減させることが有効である。 [0003] To reduce power consumption, it is effective to reduce the power consumed in the backlight. そのためには、液晶ディスプレイにおける光透過率を向上させることが必要となる。 For this purpose, to improve the light transmittance in the liquid crystal display is required.

【0004】図8は、TFTを用いた従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。 [0004] Figure 8 is a sectional view showing a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device using a TFT. 図8(a)を参照して、まずガラス基板等の透明基板1上に、多結晶シリコン等からなる半導体活性層2を形成する。 Referring to FIG. 8 (a), first, on a transparent substrate 1 such as a glass substrate, a semiconductor active layer 2 made of polycrystalline silicon or the like. 次に、図8 Next, as shown in FIG. 8
(b)に示すように、半導体活性層2の上にゲート絶縁膜となる酸化シリコン等の絶縁膜3を形成する。 As shown in (b), an insulating film 3 of silicon oxide or the like serving as a gate insulating film on the semiconductor active layer 2.

【0005】次に、図8(c)を参照して、多結晶シリコン等からなる半導体膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法でパターン化することにより、絶縁膜3上のゲート電極4と、基板1上の補助容量電極5を形成する。 [0005] Next, with reference to FIG. 8 (c), the by a semiconductor film of polycrystalline silicon or the like is formed and patterned it by photolithography, a gate electrode 4 on the insulating film 3, forming an auxiliary capacitor electrode 5 on the substrate 1.

【0006】次に図8(d)を参照して、ゲート電極4 [0006] Next, with reference to FIG. 8 (d), the gate electrode 4
及び補助容量電極5の部分に不純物をドープする。 And doping the impurity into portions of the auxiliary capacitor electrode 5. また、ゲート電極4の下方領域以外の半導体活性層に不純物をドープすることによりドレイン領域2b及びソース領域2cを形成し、これらの間をチャンネル領域2aとする。 Further, the drain region 2b and the source region 2c is formed by doping impurities into the semiconductor active layer other than the lower region of the gate electrode 4 and between these and the channel region 2a. なお、絶縁膜3の除去はドープの前後いずれでもよい。 Incidentally, removal of the insulating film 3 may be either before or after the doping.

【0007】次に、図8(e)を参照して、窒化シリコン(SiN X )膜や酸化シリコン(SiO 2 )等からなる層間絶縁膜6を形成する。 [0007] Next, with reference to FIG. 8 (e), an interlayer insulating film 6 made of silicon nitride (SiN X) film or a silicon oxide (SiO 2) or the like. 次に図8(f)に示すように、層間絶縁膜6のドレイン領域2b及びソース領域2 Next, as shown in FIG. 8 (f), the drain region 2b and the source region of the interlayer insulating film 6 2
cの上方にコンタクトホール6b,6aを形成する。 c above the contact hole 6b, to form the 6a. コンタクトホール6bには、Al等からなるドレイン電極8が埋め込まれるように形成される。 The contact hole 6b, is formed as the drain electrode 8 made of Al or the like is embedded. またコンタクトホール6aには、ITO膜等からなる表示電極7が埋め込まれるように形成される。 Also the contact hole 6a, is formed so that the display electrodes 7 made of ITO film or the like is embedded.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法により製造される液晶表示装置においては、図8(f) [Problems that the Invention is to Solve In the liquid crystal display device produced by such conventional methods, FIG. 8 (f)
に示されるように、表示電極7と補助容量電極5との間で補助容量が形成されるが、補助容量電極5は、図8 As shown in, the auxiliary capacitance is formed between the display electrode 7 and the auxiliary capacitor electrode 5, the auxiliary capacitor electrode 5, FIG. 8
(c)に示されるようにゲート電極4と同一の工程において形成されるものであるため、その膜厚は1000〜 Since those formed in the same step as the gate electrode 4, as shown (c), the film thickness thereof 1000
3000Å程度の厚いものとなった。 It has become a thing thick of about 3000Å. このため、補助容量電極5は半透明であり、この補助容量電極の存在により画素部の光透過率が減少し、光源の明るさを増大する必要があり、消費電力低減の妨げとなっていた。 Therefore, the auxiliary capacitor electrode 5 is translucent, the light transmittance of the pixel portion is reduced by the presence of the auxiliary capacitance electrode, it is necessary to increase the brightness of the light source, which hinders reduction in power consumption .

【0009】本発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、画素部における光透過率を向上させることができ、光源の明るさを増大させる必要がなく、従って消費電力の低減を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to solve such conventional problems, it is possible to improve the light transmittance in the pixel portion, it is not necessary to increase the brightness of the light source, thus reducing the power consumption It is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of achieving.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、マトリクス状に配置された複数の画素部を駆動するため各画素部TFTが配置され、各TFTは、ソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域が形成された半導体活性層と、該半導体活性層のチャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極とを備え、画素部には層間絶縁膜を介して表示電極と対向する補助容量電極が設けられた液晶表示装置を製造する方法であり、補助容量電極を構成する半導体膜と、TFTの半導体活性層を構成する半導体薄膜とが同一の薄膜形成工程で形成されていることを特徴としている。 Production method of the present invention, in order to solve the problems], each pixel portion TFT for driving a plurality of pixel portions arranged in a matrix are arranged, each TFT has a source region, a channel region and a drain region the storage capacitor electrode but includes a semiconductor active layer formed, and a gate electrode provided through a gate insulating film on the channel region of the semiconductor active layer, in the pixel portion corresponding to the display electrode via the interlayer insulating film the method of producing a liquid crystal display device which is provided as a feature of the semiconductor film forming the storage capacitor electrode, that the semiconductor thin film constituting the semiconductor active layer of the TFT are formed in the same thin film formation process there.

【0011】また、本発明に従う液晶表示装置は、TF Further, the liquid crystal display device according to the present invention, TF
Tのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を構成する半導体活性層と、半導体活性層のチャンネル領域上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、半導体活性層と同一の薄膜形成工程で画素部に形成される補助容量電極と、補助容量電極上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されソース領域及びドレイン領域の一方と電気的に接続される表示電極とを備えている。 A semiconductor active layer constituting the source region, the channel region and the drain region T, then a gate insulating film formed on the channel region of the semiconductor active layer, a gate electrode formed on the gate insulating film, a semiconductor active layer a storage capacitor electrode formed in the pixel portion at the same thin film formation process, an interlayer insulating film formed on the storage capacitor electrode is electrically connected to one of a source region and a drain region is formed on the interlayer insulating film and a that display electrodes.

【0012】 [0012]

【作用】本発明に従えば、補助容量電極は、TFTのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を構成する半導体活性層と同一の薄膜形成工程で形成される。 According to the invention, the storage capacitor electrode is formed by the same thin film formation process and the semiconductor active layer constituting the source region, the channel region and the drain region of the TFT. この半導体活性層は、通常300〜700Å程度の厚みで形成されるため、この半導体活性層と同一の薄膜形成工程で形成される補助容量電極の厚みも同様の厚みとなる。 The semiconductor active layer is to be formed in a conventional 300~700Å thickness of about, also a similar thickness the thickness of the auxiliary capacitance electrode formed in the semiconductor active layer and the same thin film formation process.
このため、従来に比べ補助容量電極の厚みが薄くなり、 Therefore, the thickness of the auxiliary capacitance electrode is thin compared with the conventional,
画素部における光透過率を向上させることができる。 It is possible to improve the light transmittance in the pixel portion.

【0013】 [0013]

【実施例】図1は、本発明に従う第1の実施例の製造工程を示す断面図である。 DETAILED DESCRIPTION FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process of the first embodiment according to the present invention. 図1(a)を参照して、ガラス基板等の透明基板11上に多結晶シリコン等からなる半導体活性層12及び補助容量電極15(厚み300〜7 Referring to FIG. 1 (a), the semiconductor active layer 12 and the storage capacitor electrode 15 made of polycrystalline silicon or the like on the transparent substrate 11 such as a glass substrate (thickness 300-7
00Å)を同時に形成する。 00Å) at the same time to form. これらの半導体活性層12 These semiconductor active layer 12
及び補助容量電極15は、同時に形成した半導体薄膜をフォトリソグラフィー法等でパターン化することにより形成することができる。 And the auxiliary capacitance electrode 15 may be formed by patterning the semiconductor thin film formed simultaneously by photolithography or the like.

【0014】次に、図1(b)に示すように半導体活性層12上に絶縁膜13、補助容量電極15上に絶縁膜1 [0014] Next, FIG insulating film 13 on the semiconductor active layer 12 (b), the auxiliary capacitor electrode 15 insulating film 1 on
9(厚み800〜1300Å)を同時に形成する。 9 (thickness 800~1300A) are formed simultaneously. 絶縁膜として酸化シリコンを形成する場合には、半導体活性層12及び補助容量電極15の熱酸化によりその表面に酸化シリコン膜を形成させてもよい。 In the case of forming a silicon oxide as the insulating film, it may be formed a silicon oxide film on the surface by thermal oxidation of the semiconductor active layer 12 and the auxiliary capacitance electrode 15. またCVD法等により絶縁膜13及び19を形成させてもよい。 The may be formed an insulating film 13 and 19 by the CVD method or the like.

【0015】次に、図1(c)を参照して、絶縁膜13 Next, with reference to FIG. 1 (c), the insulating film 13
上に多結晶シリコン等からなるゲート電極14(厚み1 Gate electrode 14 made of polycrystalline silicon or the like on (thickness 1
000〜3000Å)を形成する。 000~3000Å) to form. 次に図1(d)に示すように、ゲート電極14の下方部分以外の絶縁膜13 Next, as shown in FIG. 1 (d), other than the lower portion of the gate electrode 14 insulating film 13
をエッチング等で除去しゲート電極14の下方にゲート絶縁膜13aを形成する。 To form a gate insulating film 13a under the gate electrode 14 is removed by etching or the like. また絶縁膜19を同様にエッチング等で除去する。 Similarly removed by etching or the like of the insulating film 19. 次に不純物をドープすることにより、ゲート電極14及び補助容量電極15を電極化する。 Then by doping impurities to the electrode of the gate electrode 14 and the auxiliary capacitance electrode 15. また半導体活性層12に不純物をドープすることにより、ドレイン領域12b及びソース領域12cを形成し、ドレイン領域12bとソース領域12cの間の領域をチャンネル領域12aとする。 Also by doping impurities into the semiconductor active layer 12, to form a drain region 12b and the source region 12c, the region between the drain region 12b and the source region 12c and the channel region 12a.

【0016】次に、図1(e)に示すように、窒化シリコンまたは酸化シリコン等からなる層間絶縁膜16(厚み3000〜6000Å)を全面に形成する。 [0016] Next, as shown in FIG. 1 (e), formed interlayer insulating film 16 made of silicon nitride or silicon oxide or the like (thickness 3000~6000A) on the entire surface. 次に、図1(f)に示すように、層間絶縁膜16のソース領域1 Next, as shown in FIG. 1 (f), the source region 1 of the interlayer insulating film 16
2c及びドレイン領域12b上に、コンタクトホール1 On 2c and the drain region 12b, the contact hole 1
6a及び16bを形成する。 Forming a 6a and 16b. コンタクトホール16bには、ドレイン領域12bと電気的に接続されるドレイン電極18(5000Å程度)をAl等の金属から形成する。 The contact hole 16b, the drain electrode 18 is the drain region 12b electrically connected (about 5000 Å) is formed from a metal such as Al. コンタクトホール16aには、ITO等からなる表示電極17(1000Å程度)が埋め込まれソース領域12cと電気的に接続するように形成される。 In the contact holes 16a, (about 1000 Å) display electrodes 17 made of ITO or the like is formed so as to connect the source region 12c and the electrically embedded.

【0017】図1(f)に示されるように、この実施例では補助容量電極15と表示電極17との間で補助容量が形成される。 [0017] As shown in FIG. 1 (f), an auxiliary capacitance between the display electrodes 17 and the auxiliary capacitance electrode 15 in this embodiment is formed. 補助容量電極15は、図1(a)に示すように半導体活性層12と同時に形成される半導体薄膜から形成されるものであるので、その厚みが従来よりも薄くなり、より透明な電極として形成される。 Auxiliary capacitance electrode 15, since those formed from a semiconductor thin film to be formed at the same time as the semiconductor active layer 12 as shown in FIG. 1 (a), its thickness is made thinner than before, formed as a more transparent electrodes It is. このため、画素部の光透過率を従来よりも高めることができる。 Therefore, the light transmittance of the pixel portion can be made higher than the conventional.

【0018】図2は、図1に示す工程で製造されるTF [0018] Figure 2, TF produced in the step shown in FIG. 1
Tを備えた液晶表示装置の画素領域部分の一部を示す模式的平面図である。 T is a schematic plan view showing a part of a pixel area portion of the liquid crystal display device provided with. 図3は液晶表示装置の各領域の配置を模式的に示しており、画素領域30の回りに端子領域31が存在し、その回りにドライバー領域32が存在している。 Figure 3 is the arrangement of the regions of the liquid crystal display device is shown schematically, the terminal region 31 is present around the pixel area 30, the driver region 32 exists around it. 図2に示す部分は、図3において参照番号33 Portion shown in FIG. 2, reference numeral 3 33
として示される部分である。 Is a portion indicated as. また、図1に示す断面は、 Also, the cross-section shown in FIG. 1,
図2に示すA−A線に沿う断面である。 It is a section along the line A-A shown in FIG.

【0019】図2を参照して、TFT20のゲート電極14はゲート端子23を備えたゲートバスライン24に接続されている。 [0019] With reference to FIG. 2, the gate electrode 14 of the TFT20 is connected to the gate bus line 24 with the gate terminal 23. TFT20のドレイン電極18はドレイン端子21を備えたドレインバスライン22に接続されている。 A drain electrode 18 of the TFT20 is connected to the drain bus line 22 provided with a drain terminal 21. また各画素部の補助容量電極15は、隣接する列方向または行方向の画素部間で互いに接続され、補助容量共通電極25に接続されている。 The auxiliary capacitance electrodes 15 of the pixel portions are connected to each other between the pixels of the adjacent column or row direction, are connected to the storage capacitor common electrode 25. このような補助容量電極15の接続ライン及び補助容量共通電極25 Connection lines and the auxiliary capacitor of such a storage capacitor electrode 15 common electrode 25
は、補助容量電極15をパターニングする際に補助容量電極15と同じ半導体薄膜をパターニングして形成することができるものである。 Are those that can be formed by patterning the same semiconductor thin film and the auxiliary capacitor electrode 15 when patterning the storage capacitor electrode 15.

【0020】図4は、本発明に従う第2の実施例の製造工程を示す断面図である。 [0020] FIG. 4 is a sectional view showing a manufacturing process of the second embodiment according to the present invention. 図4(a)を参照して、上記第1の実施例と同様にして、透明基板41の上に、半導体活性層42及び補助容量電極45を形成する。 Figure 4 (a), the in the same manner as in the first embodiment, on a transparent substrate 41, a semiconductor active layer 42 and the auxiliary capacitor electrode 45. 次に、 next,
半導体活性層42の上に、図4(b)に示すようにレジスト43を形成し、この状態で不純物をドープすることにより、ドレイン領域42b及びソース領域42cを形成し、これらの間の半導体活性層をチャンネル領域42 On the semiconductor active layer 42, a resist 43 as shown in FIG. 4 (b), by doping an impurity in this state to form a drain region 42b and the source region 42c, the semiconductor active between them channel layer region 42
aとする。 And a. また不純物のドープにより補助容量電極45 The auxiliary capacitor electrode 45 by doping impurities
を形成する。 To form.

【0021】次に、図4(c)を参照して、全面に絶縁膜46を形成し、ソース領域42c上の絶縁膜46にコンタクトホール46aを形成する。 Next, with reference to FIG. 4 (c), the entire surface to form an insulating film 46, contact holes 46a in the insulating film 46 on the source region 42c. 次に、図4(d)を参照して、チャンネル領域42aの上方の絶縁膜46上に多結晶シリコン等からなるゲート電極44を形成する。 Next, referring to FIG. 4 (d), a gate electrode 44 made of polycrystalline silicon or the like on the upper insulating film 46 of the channel region 42a. また、これと同時にコンタクトホール46aを埋め込むように多結晶シリコン等からなる表示電極47を絶縁膜46の上に形成する。 At the same time to form a display electrode 47 made of polycrystalline silicon or the like so as to bury the contact hole 46a on the insulating film 46. 図4(d)に示されるように、絶縁膜46は、層間絶縁膜であるとともに、ゲート絶縁膜としての機能も有している。 As shown in FIG. 4 (d), the insulating film 46, together with an interlayer insulating film also has a function as a gate insulating film. 従って、このような絶縁膜46の厚みとしては、ゲート絶縁膜の一般的な厚みより厚く、層間絶縁膜の一般的に厚みよりも薄い厚みとなり、一般には2000〜3000Å程度が適当である。 Accordingly, the thickness of the insulation layer 46, thicker than the general thickness of the gate insulating film, becomes thinner than the general thickness of the interlayer insulating film is generally suitable about 2,000-3,000Å. その他の膜厚については、第1の実施例と同様の膜厚で形成させることができる。 For other thicknesses can be formed in a similar thickness as the first embodiment.

【0022】本実施例においても、図4(a)に示されるように、補助容量電極45を半導体活性層42の形成工程において形成しているので、その膜厚を従来の約半分にすることができ、光透過率を著しく向上させることができる。 [0022] Also in this embodiment, as shown in FIG. 4 (a), since the auxiliary capacitance electrodes 45 are formed in the step of forming the semiconductor active layer 42, to the thickness of about half of the conventional can be, it can be the light transmittance is remarkably improved.

【0023】図5は、図4に示すTFTを用いた液晶表示装置の一部を示す平面図であり、図2と同様の図である。 [0023] Figure 5 is a plan view showing a part of a liquid crystal display device using the TFT illustrated in FIG. 4 is a view similar to FIG. 図5を参照して、TFT50のゲート電極44は、 Referring to FIG. 5, the gate electrode 44 of the TFT50 is
ゲート端子53を備えたゲートバスライン54に接続されている。 It is connected to the gate bus line 54 having a gate terminal 53. TFT50のドレイン領域42bは、ドレイン端子51を備えたドレインバスライン52と電気的に接続されている。 Drain region 42b of the TFT50 is electrically connected to the drain bus line 52 provided with a drain terminal 51. なお、ドレイン端子51及びドレインバスライン52は、ドレイン領域42bを構成する半導体薄膜をパターニングする際にこれらをパターニングすることによって形成させることができる。 The drain terminal 51 and the drain bus line 52 may be formed by patterning them when patterning the semiconductor thin film constituting the drain region 42b. 補助容量電極45は、第1の実施例と同様に隣接する列方向または行方向の画素部間で接続されており、補助容量共通電極5 The storage capacitor electrode 45 is connected between the pixel portion in the column direction or the row direction adjacent in the same manner as in the first embodiment, the auxiliary capacitance common electrode 5
5に接続されている。 It is connected to the 5.

【0024】図4に示されるように、本実施例では、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜の両方の機能を有した絶縁膜を形成させ、またゲート電極と表示電極を同一工程で形成し、さらに図5に示されるように、ドレイン電極を接続するドレインバスラインを半導体薄膜のパターニングにより形成させている。 [0024] As shown in FIG. 4, in this embodiment, to form an insulating film having a function of both the gate insulating film and the interlayer insulating film, also to form a gate electrode and the display electrode in the same process, further as shown in FIG. 5, and to form a drain bus line which connects the drain electrode by patterning the semiconductor thin film. このため、工程数が少なくなり、 For this reason, the number of steps is reduced,
製造工程を著しく簡略化することができる。 It can be significantly simplify the manufacturing process.

【0025】図6は、本発明に従う第3の実施例の製造工程を示す断面図である。 FIG. 6 is a sectional view showing a manufacturing process of the third embodiment according to the present invention. 図6(a)を参照して、第1 Referring to FIG. 6 (a), first
の実施例及び第2の実施例と同様に、透明基板61の上に多結晶シリコン等からなる半導体活性層62及び補助容量電極65を形成する。 Similar to the embodiment and the second embodiment, a semiconductor active layer 62 and the auxiliary capacitor electrode 65 made of polycrystalline silicon or the like on a transparent substrate 61. 次に、図6(b)に示すように、半導体活性層62及び補助容量電極65を覆うように絶縁膜63を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (b), an insulating film 63 so as to cover the semiconductor active layer 62 and the storage capacitor electrode 65.

【0026】次に、図6(c)示すように、半導体活性層62の上方の絶縁膜63の上にレジスト膜60を形成し、不純物を補助容量電極65にドープし、補助容量電極65を形成する。 Next, as shown FIG. 6 (c), the resist film 60 is formed on the upper insulating film 63 of the semiconductor active layer 62, doped with impurities to the storage capacitor electrode 65, the auxiliary capacitance electrode 65 Form.

【0027】次に、図6(d)に示すように、補助容量電極65の上の絶縁膜63の一部にコンタクトホール6 Next, the contact hole 6 in a part of the insulating film 63 on the FIG. 6 (d), the auxiliary capacitor electrode 65
3aを形成する。 3a is formed. 次に、図6(e)に示すように、ゲート電極64及び前段のゲート電極と接続されるゲートバスライン74を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (e), to form a gate bus line 74 which is connected to the gate electrode 64 and the previous gate electrode. ゲート電極64は、半導体活性層のチャンネル領域62aとなる部分の上方に形成される。 The gate electrode 64 is formed above the portion to be the channel region 62a of the semiconductor active layer. またゲートバスライン74は、コンタクトホール63aを通り補助容量電極65と電気的に接続されるように形成される。 The gate bus line 74 is formed so as to be connected to the contact hole 63a as an auxiliary capacitance electrode 65 and the electrically. ゲート電極64,ゲートバスライン7 Gate electrode 64, gate bus line 7
4及び半導体活性層62に不純物がドープされ、ゲート電極64,ゲートバスライン74が形成されるとともに、半導体活性層62にドレイン領域62b及びソース領域62cが形成され、それらの間がチャンネル領域6 4 and impurities into the semiconductor active layer 62 is doped, the gate electrode 64, gate with bus lines 74 are formed, the drain region 62b and the source region 62c are formed in the semiconductor active layer 62, between which a channel region 6
2aとなる。 2a become.

【0028】次に、図6(f)を参照して、層間絶縁膜66を全面に形成した後、画素部の層間絶縁膜66の上にITO等からなる表示電極67が形成される。 Next, with reference to FIG. 6 (f), the after forming an interlayer insulating film 66 on the entire surface, the display electrodes 67 made of ITO or the like on the interlayer insulating film 66 of the pixel portion is formed. 次にドレイン領域62b上及びソース領域62c上の層間絶縁膜66にコンタクトホール66b及び66aが形成される。 Then the interlayer insulation film 66 on the drain region 62b on and the source region 62c contact holes 66b and 66a are formed.

【0029】次に、図6(g)示すように、コンタクトホール66b内に金属からなるドレイン電極68が埋め込まれるように形成されてドレイン電極68とドレイン領域62bが電気的に接続され、コンタクトホール66 Next, as shown FIG. 6 (g), the formed drain electrode 68 and the drain region 62b as the drain electrode 68 made of a metal in the contact hole 66b is embedded is electrically connected, a contact hole 66
a内に埋め込まれるように金属からなるソース電極69 Source electrode 69 made of a metal to be embedded in a
が形成され、ソース領域62c及び表示電極67と電気的に接続される。 There are formed, it is electrically connected to the source region 62c and the display electrode 67.

【0030】本実施例おいては、表示電極67と補助容量電極65との間で補助容量が形成され、上記第1及び第2の実施例と同様に、補助容量電極65の厚みを薄くすることができるので、光透過率を向上させることができる。 [0030] Keep this embodiment, the auxiliary capacitance between the display electrodes 67 and the auxiliary capacitance electrode 65 is formed, similarly to the first and second embodiments, to reduce the thickness of the auxiliary capacitance electrode 65 it is possible, it is possible to improve the light transmittance.

【0031】図7は、図6に示すTFTを備えた液晶表示装置の一部を示す模式的平面図であり、図2に対応する図である。 FIG. 7 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device including the TFT shown in FIG. 6 is a view corresponding to FIG. 図7に示されるように、TFT70のゲート電極64はゲート端子73を備えたゲートバスライン74に電気的に接続されている。 As shown in FIG. 7, the gate electrode 64 of the TFT70 it is electrically connected to the gate bus line 74 having a gate terminal 73. またTFTのドレイン電極68はドレイン端子71を備えたドレインバスライン72に電気的に接続されている。 The drain electrode 68 of the TFT is electrically connected to the drain bus line 72 provided with a drain terminal 71. また本実施例では、 In this embodiment also,
補助容量電極65は、前段のゲートバスライン74に電気的に接続されている。 The storage capacitor electrode 65 is electrically connected to the previous stage gate bus line 74.

【0032】なお、図4及び図6に示す断面は、それぞれ図5及び図7に示すA−A線に沿う断面である。 [0032] Incidentally, the cross-section shown in FIG. 4 and FIG. 6 is a section along the line A-A shown in FIGS. 5 and 7.

【0033】 [0033]

【発明の効果】本発明に従えば、補助容量電極を構成する半導体薄膜が、TFTの半導体活性層を構成する半導体薄膜と同一の薄膜形成工程で形成される。 According to the present invention, a semiconductor thin film constituting the storage capacitor electrode is formed of a semiconductor thin film and the same thin film formation process of the semiconductor active layer of the TFT. このため、 For this reason,
従来よりも膜厚の薄い半導体薄膜で補助容量電極を構成させることができ、従来問題となっていた補助容量電極による光透過率の低下を少なくすることができ、光透過率を著しく向上させることができる。 Than conventionally can be configured the storage capacitor electrode with a thin semiconductor film of the film thickness, it is possible to reduce the decrease in light transmittance due to the storage capacitor electrode, which has been a conventional problem, can significantly improve the light transmittance can. 従って、本発明に従えば、光透過率の高い液晶ディスプレイを作製することができ、消費電力の低減等を可能にすることができる。 Thus, according to the present invention, it is possible to produce a high light transmittance liquid crystal display, it is possible to allow reduction in power consumption.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に従う第1の実施例の製造工程を示す図。 It shows a manufacturing process of the first embodiment according to the present invention; FIG.

【図2】図1に示す第1の実施例のTFTを備えた液晶表示装置の一部を示す模式的平面図。 Figure 2 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device including the TFT of the first embodiment shown in FIG.

【図3】図2に示す液晶表示装置の全体を示す模式的平面図。 Figure 3 is a schematic plan view showing the whole of a liquid crystal display device shown in FIG.

【図4】本発明に従う第2の実施例の製造工程を示す図。 It shows a manufacturing process of the second embodiment according to the present invention; FIG.

【図5】図4に示す第2の実施例のTFTを備えた液晶表示装置の一部を示す模式的平面図。 Figure 5 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device including the TFT of the second embodiment shown in FIG.

【図6】本発明に従う第3の実施例の製造工程を示す図。 It shows a manufacturing process of a third embodiment according to the present invention; FIG.

【図7】図6に示す第3の実施例のTFTを備えた液晶表示装置の一部を示す模式的平面図。 Figure 7 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device including the TFT of the third embodiment shown in FIG.

【図8】従来の製造工程を示す断面図。 8 is a cross-sectional view showing a conventional manufacturing process.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11,41,61…透明基板 12,42,62…半導体活性層 13,19,46,63…絶縁膜 14,44,64…ゲート電極 12a,42a,62a…チャンネル領域 12b,42b,62b…ドレイン領域 12c,42c,62c…ソース領域 13a,63a…ゲート絶縁膜 15,45,65…補助容量電極 16,66…層間絶縁膜 11,41,61 ... transparent substrate 12,42,62 ... semiconductor active layer 13,19,46,63 ... insulating film 14,44,64 ... gate electrode 12a, 42a, 62a ... channel region 12b, 42b, 62b ... drain regions 12c, 42c, 62c ... source regions 13a, 63a ... gate insulating film 15,45,65 ... auxiliary capacitance electrodes 16, 66 ... interlayer insulation film

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された複数の画素部を駆動するため各画素部に薄膜トランジスタが配置され、各薄膜トランジスタは、ソース領域、チャンネル領域、及びドレイン領域が形成された半導体活性層と、該半導体活性層のチャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極とを備え、画素部には層間絶縁膜を介して表示電極と対向する補助容量電極が設けられている液晶表示装置の製造方法において、 前記補助容量電極を構成する半導体薄膜と、前記薄膜トランジスタの前記半導体活性層を構成する半導体薄膜とが同一の薄膜形成工程で形成されることを特徴とする、 1. A thin film transistor in each pixel unit for driving a plurality of pixel portions arranged in a matrix are arranged, each of the thin film transistors includes a semiconductor active layer source region, channel region, and a drain region is formed, and a said semiconductor active layer gate electrode formed via a gate insulating film on the channel region of the pixel portion of the liquid crystal display device in which auxiliary capacitance electrode facing the display electrode through the interlayer insulating film is provided in the manufacturing method is characterized in that the semiconductor thin film constituting the auxiliary capacitance electrode, and a semiconductor thin film constituting the semiconductor active layer of the thin film transistor is formed in the same thin film formation process,
    液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a liquid crystal display device.
  2. 【請求項2】 マトリクス状に配置された複数の画素部を駆動するため各画素部に薄膜トランジスタが配置されている液晶表示装置であって、 前記薄膜トランジスタのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を構成する半導体活性層と、 前記半導体活性層のチャンネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、 前記半導体活性層と同一の薄膜形成工程で画素部に形成される補助容量電極と、 前記補助容量電極上に形成される層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域及びドレイン領域の一方と電気的に接続される表示電極とを備える、液晶表示装置。 2. A liquid crystal display device thin film transistor is disposed in each pixel unit for driving a plurality of pixel portions arranged in a matrix, constituting a source region, a channel region and a drain region of the thin film transistor a semiconductor active layer, formed on the semiconductor active layer gate insulating film formed on the channel region, a gate electrode formed on the gate insulating film, the pixel portion in the semiconductor active layer and the same thin film formation process comprising a storage capacitor electrode that is, an interlayer insulating film formed on the storage capacitor electrode, is formed on the interlayer insulating film, and one display electrode being electrically connected to the source region and the drain region , a liquid crystal display device.
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