JP2003076298A - Display device - Google Patents
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置用の駆動回
路に関し、特に該駆動回路の配線パターン構成に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for a display device, and more particularly to a wiring pattern configuration of the drive circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】画素電極毎に薄膜トランジスタ(TF
T)により構成された画素スイッチング素子が配置され
たアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画質が鮮明
で、CRT以上の高密度表示性能を備えており、情報機
器端末や薄型テレビジョンなどに広く利用されている。
通常、TFTの半導体活性層(チャネル領域)には非晶
質シリコン、あるいは多結晶シリコンが使用されてい
る。2. Description of the Related Art A thin film transistor (TF) is provided for each pixel electrode.
The active matrix type liquid crystal display device in which the pixel switching element composed of T) is arranged has a clear image quality and has a high-density display performance higher than that of a CRT, and is widely used in information equipment terminals, thin-screen televisions and the like. ing.
Usually, amorphous silicon or polycrystalline silicon is used for the semiconductor active layer (channel region) of the TFT.
【0003】特に近年では、同一面積の絶縁基板上での
有効画面領域を広げ、かつ製造コストの低減を図るため
に、走査線駆動回路や映像信号線駆動回路等の表示部周
辺回路を画素TFTと同時にガラス等の透明絶縁基板上
に一体形成した駆動回路内蔵TFT−LCDの開発が進
んでいる。Particularly in recent years, in order to expand the effective screen area on the insulating substrate having the same area and to reduce the manufacturing cost, the peripheral circuits of the display section such as the scanning line driving circuit and the video signal line driving circuit are provided as pixel TFTs. At the same time, development of a TFT-LCD with a built-in drive circuit, which is integrally formed on a transparent insulating substrate such as glass, is in progress.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】一般に上記駆動回路等
の表示部周辺回路の配線は層間絶縁膜等を介して上下に
位置する配線パターンにより構成される。該上下の配線
パターンはコンタクトホール(Viaパターン)により
接続される。配線パターンは他の配線パターンあるいは
回路素子を避け、必要であればコンタクトホールを介し
て、一方の電極から他方の電極まで形成される。従って
配線パターンの設計には制約が多く、回路構成が複雑な
ほど配線パターンにより占有される面積が益々増大す
る。In general, the wiring of the peripheral circuit of the display portion such as the driving circuit is formed by wiring patterns which are located above and below via an interlayer insulating film or the like. The upper and lower wiring patterns are connected by a contact hole (Via pattern). The wiring pattern is formed from one electrode to the other electrode through a contact hole if necessary, avoiding other wiring patterns or circuit elements. Therefore, there are many restrictions on the design of the wiring pattern, and the more the circuit configuration is complicated, the more the area occupied by the wiring pattern increases.
【0005】従って本発明は、表示部周辺回路の配線パ
ターン設計に自由度を与え、回路の集積度を上げること
を目的とする。Therefore, it is an object of the present invention to provide a degree of freedom in designing a wiring pattern of a peripheral circuit of a display section and increase the degree of integration of the circuit.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の映像信号線及びこれに直交する複数の走査線と、該
映像信号線及び走査線の交点付近に設けられた画素スイ
ッチング用薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの
ソース電極に電気的に接続される画素電極とが透明絶縁
基板上に設けられた表示部と、前記絶縁基板上に設けら
れ、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、前
記絶縁基板上に設けられ、前記映像信号線を駆動する映
像信号線駆動回路とを具備し、前記映像信号線駆動回路
または走査線駆動回路の配線パターンの少なくとも一部
が前記画素電極と同層で構成されている。A display device according to the present invention includes a plurality of video signal lines, a plurality of scanning lines orthogonal to the video signal lines, and a pixel switching thin film transistor provided near an intersection of the video signal lines and the scanning lines. And a display section in which a pixel electrode electrically connected to a source electrode of the thin film transistor is provided on a transparent insulating substrate, and a scanning line driving circuit provided on the insulating substrate and driving the plurality of scanning lines. And a video signal line drive circuit which is provided on the insulating substrate and drives the video signal line, wherein at least a part of a wiring pattern of the video signal line drive circuit or the scanning line drive circuit is the pixel electrode. It is composed of the same layer.
【0007】駆動回路の配線パターンとして従来の金属
配線の他に画素電極と同一の透明導電膜配線が用いられ
ているので、配線パターン構成が従来に比べ簡単にな
る。また、配線パターン設計の自由度が増加し、表示部
周辺回路の集積度を上げることができる。透明導電膜の
配線パターンは前記表示部の画素電極を形成するときに
形成されるので、製造工程の増加は生じない。Since the same transparent conductive film wiring as the pixel electrode is used as the wiring pattern of the driving circuit in addition to the conventional metal wiring, the wiring pattern structure becomes simpler than the conventional one. In addition, the degree of freedom in designing the wiring pattern is increased, and the degree of integration of the display peripheral circuit can be increased. Since the wiring pattern of the transparent conductive film is formed when the pixel electrode of the display section is formed, the manufacturing process does not increase.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0009】図1は本発明が適用される駆動回路内蔵の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の概略構成を示
す。この液晶表示装置は、ガラス等の透明な絶縁基板3
1上に構成された表示部32、走査線駆動回路33、及
び映像信号線駆動回路34を少なくとも含む。FIG. 1 shows a schematic structure of an active matrix type liquid crystal display device incorporating a drive circuit to which the present invention is applied. This liquid crystal display device has a transparent insulating substrate 3 such as glass.
1 includes at least the display unit 32, the scanning line driving circuit 33, and the video signal line driving circuit 34.
【0010】表示部32では、複数本の映像信号線1と
これに直交する複数本の走査線2との交点付近に画素ス
イッチング素子(TFT)3が設けられている。画素ス
イッチング素子3のソース電極には画素電極4が接続さ
れ、画素電極4には液晶容量Clcと補助容量Csが接
続されて表示画素5が形成される。そして、このような
表示画素5が絶縁基板上にマトリクス状に設けられる。In the display section 32, a pixel switching element (TFT) 3 is provided near an intersection of a plurality of video signal lines 1 and a plurality of scanning lines 2 orthogonal to the video signal lines 1. The pixel electrode 4 is connected to the source electrode of the pixel switching element 3, and the liquid crystal capacitance Clc and the auxiliary capacitance Cs are connected to the pixel electrode 4 to form the display pixel 5. Then, such display pixels 5 are provided in a matrix on the insulating substrate.
【0011】走査線駆動回路33は、図示しないシフト
レジスタと走査線駆動バッファにより構成され、各々の
バッファ出力が各走査線2に接続される。そして、この
ような走査線駆動回路33には、基本クロックCLK2
とトリガ信号IN2とが入力される。The scanning line driving circuit 33 is composed of a shift register and a scanning line driving buffer (not shown), and the output of each buffer is connected to each scanning line 2. The scanning line drive circuit 33 as described above is provided with the basic clock CLK2.
And the trigger signal IN2 are input.
【0012】映像信号線駆動回路34は、例えばシフト
レジスタ、サンプリングラッチ、ロードラッチ、DA
C、アナログアンプ、信号線選択回路から構成されてい
る。そして、この映像信号線駆動回路34には、基本ク
ロックCLK1、トリガ信号IN1、デジタル映像信号
DATAが入力される。The video signal line drive circuit 34 includes, for example, a shift register, a sampling latch, a load latch, a DA.
C, an analog amplifier, and a signal line selection circuit. Then, the basic clock CLK1, the trigger signal IN1, and the digital video signal DATA are input to the video signal line drive circuit 34.
【0013】図2(a)及び2(b)は図1の表示部3
2の平面及び断面図である。図1と同一の構成要素には
同一の参照符号が付されている。2 (a) and 2 (b) show the display unit 3 of FIG.
2 is a plan view and a sectional view of FIG. The same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【0014】絶縁基板31上には複数の信号線1及び走
査線2がマトリクス状に形成され、信号線1と走査線2
との交差部には、一端が信号線1に接続され走査線2の
一部をゲート電極として用いている薄膜トランジスタT
FTによるスイッチ素子3が形成されている。スイッチ
素子3としては活性層に多結晶シリコンが用いられた薄
膜トランジスタTFTを用いている。映像信号は信号線
1から供給され、コンタクトホール44を介して薄膜ト
ランジスタに達し、さらにコンタクトホール45を介し
て透明導電膜(ITO)による画素電極4に達する。図
2(b)において信号線1はコンタクトホール44の上
部に位置する。A plurality of signal lines 1 and scanning lines 2 are formed in a matrix on the insulating substrate 31, and the signal lines 1 and the scanning lines 2 are formed.
A thin film transistor T whose one end is connected to the signal line 1 and a part of the scanning line 2 is used as a gate electrode at the intersection with
The switch element 3 of FT is formed. As the switch element 3, a thin film transistor TFT having an active layer made of polycrystalline silicon is used. The video signal is supplied from the signal line 1, reaches the thin film transistor through the contact hole 44, and further reaches the pixel electrode 4 made of a transparent conductive film (ITO) through the contact hole 45. In FIG. 2B, the signal line 1 is located above the contact hole 44.
【0015】そして、絶縁基板31と対向する絶縁基板
49上に形成された対向電極50と画素電極4との間に
液晶51が封入されて液晶セルを構成し、これにより液
晶容量Clsが形成されている。Then, a liquid crystal 51 is enclosed between the counter electrode 50 formed on the insulating substrate 49 facing the insulating substrate 31 and the pixel electrode 4 to form a liquid crystal cell, whereby a liquid crystal capacitance Cls is formed. ing.
【0016】走査線2の一部46は層間絶縁膜53を介
して画素電極4と対向し補助容量Csを形成している。
画素電極4の一部は信号線1及び走査線2と重なってお
り、画素電極以外の部分から透過する光は信号線1及び
走査線2によって遮光される。画素電極4の下には、
赤、緑、青のカラーフィルター47R、47G、47B
が設けられ、カラー表示が可能になっている。ゲート絶
縁膜52はSiO2により形成されている。A part 46 of the scanning line 2 faces the pixel electrode 4 via the interlayer insulating film 53 to form an auxiliary capacitance Cs.
Part of the pixel electrode 4 overlaps with the signal line 1 and the scanning line 2, and the light transmitted from the part other than the pixel electrode is blocked by the signal line 1 and the scanning line 2. Below the pixel electrode 4,
Red, green, and blue color filters 47R, 47G, 47B
Is provided to enable color display. The gate insulating film 52 is made of SiO2.
【0017】図3はこの実施形態の映像信号線駆動回路
34の詳細な構成を示すブロック図である。映像信号線
駆動回路34は同一構成の回路グループG1〜Gnから
構成される。各回路グループは、シフトレジスタ(S-Reg
ister)SR、サンプリングラッチ(S-Latch)SL、ロー
ドラッチ(L-latch A)LLA、ロードラッチ(L-latch B)
LLB、D/Aコンバータ(DAC)24、25、アナ
ログアンプ(Amp)26、27、それぞれ3本の信号
線に対応して画像信号を振り分ける信号線選択回路(S
el)28、29を含む。FIG. 3 is a block diagram showing a detailed structure of the video signal line drive circuit 34 of this embodiment. The video signal line drive circuit 34 is composed of circuit groups G1 to Gn having the same configuration. Each circuit group has a shift register (S-Reg
Sister) SR, sampling latch (S-Latch) SL, load latch (L-latch A) LLA, load latch (L-latch B)
LLB, D / A converters (DAC) 24 and 25, analog amplifiers (Amp) 26 and 27, and a signal line selection circuit (S) that distributes image signals corresponding to three signal lines, respectively.
el) 28, 29.
【0018】即ち、この実施形態によれば、1シフトレ
ジスタSRのブロックに対して6本の信号線が対応す
る。図4はサンプリングラッチSL、ロードラッチLL
A、LLBの詳細を示すブロック図である。以下、映像
データDATAが6ビットの場合について説明する。1
回路のサンプリングラッチSLは各ビットデータをラッ
チするために1ビットサンプリングラッチが6回路(S
−L1〜S−L6)設けられ、各回路はデータバス30
上の各データ線に接続される。ロードラッチLLA、L
LBも各ビットデータをラッチするために1ビットロー
ドラッチが夫々6回路(L−LA1〜L−LA6、L−
LB1〜L−B6)設けられる。That is, according to this embodiment, six signal lines correspond to one shift register SR block. FIG. 4 shows the sampling latch SL and the load latch LL.
It is a block diagram which shows the detail of A and LLB. Hereinafter, the case where the video data DATA is 6 bits will be described. 1
The sampling latch SL of the circuit has six 1-bit sampling latches (S) for latching each bit data.
-L1 to S-L6), and each circuit includes a data bus 30
Connected to each data line above. Load latch LLA, L
The LB also has 6 circuits (L-LA1 to L-LA6, L-LA) each having 1-bit load latch to latch each bit data.
LB1 to L-B6) are provided.
【0019】図5は映像信号線駆動回路34の動作を示
すタイムチャートである。このタイムチャートに示すS
R1等の参照符号が付された信号は、図3において同一
の参照符号が記載されるブロックから出力される信号で
あることを示す。FIG. 5 is a time chart showing the operation of the video signal line drive circuit 34. S shown in this time chart
A signal having a reference numeral such as R1 indicates that it is a signal output from a block having the same reference numeral in FIG.
【0020】クロック信号CLK(図1のCLK1に対
応)に同期してデータバス30には各々6ビットの映像
データData1a、Data2a、…、Data(n
−1)a、Data na、Data1b、Data2
b、…、Data nb、Data1c、Data2
c、…、Data nc、Data1d、Data2
d、…、Data nd、Data1e、Data2
e、…、Data ne、Data1f、Data2
f、…、Data nfが1水平走査期間(H)にわた
り順次入力される。このnは上記回路グループGの数n
に対応する。各シフトレジスタSR1〜SRnからは、
n×CLK周期+ブランキング(Blanking)期間の周期で
ラッチパルスが出力される。この例の場合、1シフトレ
ジスタSRを6本の信号線に対応させることから該ラッ
チパルスの周期の6(信号線選択回路28及び29の出
力信号数)倍の周期が1水平走査周期(H)に対応す
る。つまり、ラッチパルスの周期はH/6である。6-bit video data Data1a, Data2a, ..., Data (n) on the data bus 30 in synchronization with the clock signal CLK (corresponding to CLK1 in FIG. 1).
-1) a, Data na, Data1b, Data2
b, ..., Data nb, Data1c, Data2
c, ..., Data nc, Data1d, Data2
d, ..., Data and Data1e, Data2
e, ..., Data ne, Data1f, Data2
, f, ..., Data nf are sequentially input during one horizontal scanning period (H). This n is the number n of the circuit group G
Corresponding to. From each shift register SR1 to SRn,
The latch pulse is output in a cycle of (n × CLK cycle) + (Blanking) period. In the case of this example, since one shift register SR is associated with six signal lines, a period which is 6 times (the number of output signals of the signal line selection circuits 28 and 29) times the period of the latch pulse is one horizontal scanning period (H ) Corresponds to. That is, the cycle of the latch pulse is H / 6.
【0021】各シフトレジスタSRから出力されるラッ
チパルスに応答して、各サンプリングラッチSL1〜S
Lnはデータバス30上のデータをラッチする。In response to the latch pulse output from each shift register SR, each sampling latch SL1 to S
Ln latches the data on the data bus 30.
【0022】ロードパルスA(Load A)に応答し
て各ロードラッチLLA1〜LLAnは各サンプリング
ラッチSL1〜SLnの出力を同時にラッチする。ロー
ドパルスB(Load B)に応答して各ロードラッチ
LLB1〜LLBnは各ロードラッチLLA1〜LLA
nの出力を同時にラッチする。In response to the load pulse A (Load A), the load latches LLA1 to LLAn simultaneously latch the outputs of the sampling latches SL1 to SLn. In response to the load pulse B (Load B), the load latches LLB1 to LLBn are connected to the load latches LLA1 to LLA.
Latch the outputs of n at the same time.
【0023】各ロードラッチLLB1〜LLBnがデー
タをラッチした後、ロードパルスA(Load A)に
応答してロードラッチLLA1〜LLAnは次のデータ
Data1b〜Data nbをラッチする。この時点
で、ロードラッチLLA1〜LLAn及びロードラッチ
LLB1〜LLBnのデータは確定(更新)され、D/
Aコンバータ24及び23によるD/A変換が行われ
る。After each of the load latches LLB1 to LLBn latches the data, the load latches LLA1 to LLAn latch the next data Data1b to Datanb in response to the load pulse A (Load A). At this point, the data of the load latches LLA1 to LLAn and the load latches LLB1 to LLBn are confirmed (updated), and D /
D / A conversion is performed by the A converters 24 and 23.
【0024】アナログ信号に変換された映像信号はアン
プ26及び27により増幅され、信号線選択回路28及
び29により選択され、例えば信号線28a及び29a
に出力される。The video signal converted into an analog signal is amplified by amplifiers 26 and 27 and selected by signal line selection circuits 28 and 29. For example, signal lines 28a and 29a.
Is output to.
【0025】このように、1水平走査周期(H)の1/
6の周期(H/6)毎に映像データDATAがラッチさ
れ、1水平走査周期(H)の2/6の周期(2H/6)
毎にD/A変換された映像信号が信号線選択回路28及
び29により選択され信号線28a〜28c及び29a
〜29cに出力される。As described above, 1 / (1) of one horizontal scanning period (H)
The video data DATA is latched every 6 cycles (H / 6), and 2/6 cycles (2H / 6) of one horizontal scanning cycle (H)
The video signal D / A converted for each is selected by the signal line selection circuits 28 and 29, and the signal lines 28a to 28c and 29a are selected.
To 29c.
【0026】図6(a)は図4の1ビットロードラッチ
L−LAの構成を示す図である。1ビットロードラッチ
はクロックドインバータ35、36、インバータ37、
38により構成される。ロードラッチL−LAの場合、
クロックドインバータ35、36にはCLK入力として
信号LoadAが入力される。1ビットロードラッチL
−LBの構成は1ビットロードラッチL−LAと同一で
あり、CLK入力として信号LoadBが入力される。FIG. 6A is a diagram showing the configuration of the 1-bit load latch L-LA shown in FIG. The 1-bit load latch is a clocked inverter 35, 36, an inverter 37,
38. In the case of load latch L-LA,
The signal LoadA is input to the clocked inverters 35 and 36 as the CLK input. 1-bit load latch L
The configuration of -LB is the same as that of the 1-bit load latch L-LA, and the signal LoadB is input as the CLK input.
【0027】図6(b)はクロックドインバータ35の
詳細構成を示す。クロックドインバータ35はPchト
ランジスタT1、T2、NchトランジスタT3、T4
から構成される。クロックドインバータ35はクロック
信号(CLK及び/CLK)の後縁で入力データをラッ
チする。PchトランジスタT2及びNchトランジス
タT3のゲートには1ビットサンプルラッチS−Lから
提供される1ビットデータが入力される。Pchトラン
ジスタT1のゲートにはCLK入力としてLoadA信
号が入力され、NchトランジスタT4には/Load
A信号(LoadAの逆相信号)が入力される。クロッ
クドインバータ36はクロックドインバータ35と構成
は同一であるが、CLK入力が逆相で入力される。FIG. 6B shows the detailed structure of the clocked inverter 35. The clocked inverter 35 includes Pch transistors T1 and T2 and Nch transistors T3 and T4.
Composed of. The clocked inverter 35 latches the input data at the trailing edge of the clock signals (CLK and / CLK). The 1-bit data provided from the 1-bit sample latch SL is input to the gates of the Pch transistor T2 and the Nch transistor T3. The LoadA signal is input as the CLK input to the gate of the Pch transistor T1, and / Load is input to the Nch transistor T4.
An A signal (a reverse phase signal of LoadA) is input. The clocked inverter 36 has the same configuration as the clocked inverter 35, but the CLK inputs are input in opposite phases.
【0028】図7は図4のロードラッチ回路部20の従
来の配線パターンを示す図である。ハッチングで示され
る濃度の薄い配線パターンは下層(絶縁基板31側)の
配線パターンを示し、例えばモリブデン・タングステン
合金(Mo/W)配線であり、トランジスタのゲート電
極や走査線2と同層に構成されている。濃度の濃い配線
パターンは下層の配線パターンに対して層間絶縁膜等を
介して配置される上層の配線パターンを示し、例えばア
ルミニウム(Al)配線であり、信号線1と同層に構成
されている。FIG. 7 is a diagram showing a conventional wiring pattern of the load latch circuit section 20 of FIG. A wiring pattern with a low concentration shown by hatching shows a wiring pattern of a lower layer (on the side of the insulating substrate 31), which is, for example, a molybdenum-tungsten alloy (Mo / W) wiring, and is formed in the same layer as the gate electrode of the transistor and the scanning line 2. Has been done. The wiring pattern having a high density indicates an upper wiring pattern which is arranged with respect to the lower wiring pattern via an interlayer insulating film or the like, and is, for example, an aluminum (Al) wiring and is formed in the same layer as the signal line 1. .
【0029】各1ビットロードラッチL−LAには電源
配線としてドレイン配線7a及びソース配線9a、及び
出力信号用配線10aが上層に設けられる。またロード
ラッチ回路L−LAには信号入力用配線(ゲート配線)
8a及びCLK(LoadA)入力用配線6aが、配線
7a、9a、10aに対して層間絶縁膜を介して下層に
設けられる。In each 1-bit load latch L-LA, a drain wiring 7a, a source wiring 9a, and an output signal wiring 10a are provided in the upper layer as power supply wiring. In addition, the signal line (gate line) is connected to the load latch circuit L-LA.
8a and CLK (Load A) input wiring 6a are provided in a lower layer with respect to the wirings 7a, 9a, and 10a via an interlayer insulating film.
【0030】各1ビットロードラッチ回路L−LBには
電源配線としてドレイン配線7b及びソース配線9b、
出力信号用配線10b、及びCLK(LoadB)入力
用配線6bが上層に設けられる。配線10bはコンタク
トホール11bを介して下層の配線12bに接続され、
配線12bは次段のDACの信号入力に接続される。ま
たロードラッチ回路L−LBには信号入力用配線8b及
びCLK(LoadB)入力用配線6cが、配線7b、
9b、10bに対して層間絶縁膜を介して下層に設けら
れる。Each 1-bit load latch circuit L-LB has a drain wire 7b and a source wire 9b as power supply wires,
The output signal wiring 10b and the CLK (LoadB) input wiring 6b are provided in the upper layer. The wiring 10b is connected to the wiring 12b in the lower layer through the contact hole 11b,
The wiring 12b is connected to the signal input of the DAC at the next stage. Further, the load latch circuit L-LB includes a signal input wiring 8b and a CLK (LoadB) input wiring 6c, a wiring 7b,
9b and 10b are provided in a lower layer via an interlayer insulating film.
【0031】配線12aは配線8bに上記下層で接続さ
れる。また配線12aはコンタクトホール13を介して
上層の配線14に接続され、配線14はゲート配線・ソ
ース配線コンタクトホール15を介して下層の配線16
に接続され、配線16は次段のDACの信号入力に接続
される。The wiring 12a is connected to the wiring 8b in the lower layer. The wiring 12a is connected to the upper wiring 14 through the contact hole 13, and the wiring 14 is lower wiring 16 through the gate wiring / source wiring contact hole 15.
And the wiring 16 is connected to the signal input of the DAC in the next stage.
【0032】図8は図4のロードラッチ回路部20の本
発明の一実施例による配線パターンを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a wiring pattern of the load latch circuit section 20 of FIG. 4 according to an embodiment of the present invention.
【0033】ロードラッチLLA(L−LA1〜L−L
A6)に関する配線パターンは図7の従来例と同様な構
成であるが、ロードラッチLLB(L−LB1〜L−L
B6)に関する配線パターンとして画素電極4と同層で
構成されるITO(透明導電膜)配線17が用いられ、
これにより従来に比べ大幅に回路幅Wが縮小された。I
TO配線17は上記したように画素電極と同一材料で、
図2で示した表示部32にITOの画素電極4を形成す
るときに同時に形成される。ここでは、光透過型の液晶
表示装置を例にとったため配線パターンをITOで構成
したが、反射型の液晶表示装置、あるいは有機EL表示
装置においてはアルミニウム(Al)等の低抵抗金属を
用いることができ、配線抵抗による波形の歪みもいっそ
う軽減される。各1ビットロードラッチ回路L−LAに
は、図8と同様に電源配線としてドレイン配線7a及び
ソース配線9a、及び出力信号用配線10aが上層に設
けられ、入力信号用配線8a及びCLK(LoadA)
入力用配線6aが下層に設けられる。Load latch LLA (L-LA1 to L-L
The wiring pattern for A6) has the same configuration as that of the conventional example of FIG. 7, except that the load latches LLB (L-LB1 to L-L) are used.
An ITO (transparent conductive film) wiring 17 formed in the same layer as the pixel electrode 4 is used as a wiring pattern for B6),
As a result, the circuit width W has been significantly reduced compared to the conventional one. I
The TO wiring 17 is made of the same material as the pixel electrode as described above,
It is formed at the same time when the pixel electrode 4 of ITO is formed on the display unit 32 shown in FIG. Here, since the light transmission type liquid crystal display device is taken as an example, the wiring pattern is made of ITO, but in the reflection type liquid crystal display device or the organic EL display device, a low resistance metal such as aluminum (Al) is used. The waveform distortion due to the wiring resistance is further reduced. In each 1-bit load latch circuit L-LA, a drain wiring 7a and a source wiring 9a and an output signal wiring 10a are provided in the upper layer as power supply wirings as in FIG. 8, and an input signal wiring 8a and CLK (LoadA)
The input wiring 6a is provided in the lower layer.
【0034】各1ビットロードラッチ回路L−LBには
電源配線としてドレイン配線7b及びソース配線9b、
及び出力信号用配線10bが上層に設けられる。またロ
ードラッチ回路L−LBには入力信号用配線8b及びC
LK(LoadB)入力用配線6dが、配線7b、9
b、10bに対して層間絶縁膜を介して下層に設けられ
る。Each 1-bit load latch circuit L-LB has a drain wire 7b and a source wire 9b as power supply wires,
And the output signal wiring 10b is provided in the upper layer. In addition, the load latch circuit L-LB has input signal wirings 8b and C.
The LK (LoadB) input wiring 6d is connected to the wirings 7b and 9
b and 10b are provided as a lower layer via an interlayer insulating film.
【0035】配線12aは配線8bに上記下層で接続さ
れる。また配線12aはソース配線・ITO配線コンタ
クトホール18を介して最上層のITO配線17に接続
され、ITO配線17は次段のDACの信号入力に接続
される。このITO配線17は電源配線7b、9b等の
配線に対して層間絶縁膜を介して更に上層に設けられ
る。ITO配線はAlあるいはMo/W配線に比べ電気
抵抗が大きいので、信号を伝送する場合に信号品質が劣
化することが有る。従ってITO配線は2値信号を伝送
する場合に用いるのが良い。The wiring 12a is connected to the wiring 8b in the lower layer. The wiring 12a is connected to the uppermost ITO wiring 17 through the source wiring / ITO wiring contact hole 18, and the ITO wiring 17 is connected to the signal input of the DAC in the next stage. The ITO wiring 17 is provided further above the power wiring 7b, 9b and the like via an interlayer insulating film. Since the ITO wiring has a larger electric resistance than the Al or Mo / W wiring, the signal quality may deteriorate when transmitting the signal. Therefore, the ITO wiring is preferably used when transmitting a binary signal.
【0036】上記実施例でITO配線17はロードラッ
チの回路ブロックとDACの回路ブロック間の配線パタ
ーンとして用いられた。しかし、このような回路ブロッ
ク間配線のみならず、回路ブロック内配線にもITO配
線を用いることができるのは明らかである。また上記実
施例では信号線駆動回路の配線にITO配線を用いた
が、走査線駆動回路または他の回路にもITO配線を用
いことができるのは明らかである。また、本発明は上記
したようにITOに代えて、その表示装置の構成に応じ
て種々の配線材料を用いることができる。このように本
発明によれば回路ブロック間配線パターンあるいは回路
ブロック内配線パターンが画素電極と同層で構成される
ので、不要な配線パターンの引き回しが軽減され、従来
に比べ回路幅が削減される。その結果、配線パターン設
計の自由度が増加し、表示部周辺回路の集積度を上げる
ことができる。In the above embodiment, the ITO wiring 17 was used as a wiring pattern between the load latch circuit block and the DAC circuit block. However, it is obvious that the ITO wiring can be used not only for the wiring between the circuit blocks but also for the wiring inside the circuit block. Further, although the ITO wiring is used for the wiring of the signal line driving circuit in the above-mentioned embodiment, it is obvious that the ITO wiring can also be used for the scanning line driving circuit or other circuits. Further, in the present invention, various wiring materials can be used instead of ITO as described above, depending on the configuration of the display device. As described above, according to the present invention, the wiring pattern between circuit blocks or the wiring pattern within the circuit block is formed in the same layer as the pixel electrode, so that unnecessary wiring patterns are alleviated and the circuit width is reduced as compared with the conventional one. . As a result, the degree of freedom in designing the wiring pattern is increased, and the degree of integration of the display peripheral circuit can be increased.
【0037】[0037]
【発明の効果】本発明により表示部周辺回路の集積度を
上げることができる。According to the present invention, the degree of integration of the display peripheral circuit can be increased.
【図1】本発明が適用される駆動回路内蔵TFT−LC
Dの概略構成を示す図。FIG. 1 is a TFT-LC with a built-in drive circuit to which the present invention is applied.
The figure which shows schematic structure of D.
【図2】図1の表示部の平面及び断面図。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of the display unit of FIG.
【図3】映像信号線駆動回路の詳細な構成を示すブロッ
ク図。FIG. 3 is a block diagram showing a detailed configuration of a video signal line drive circuit.
【図4】サンプリングラッチ及びロードラッチの詳細構
成を示すブロック図。FIG. 4 is a block diagram showing a detailed configuration of a sampling latch and a load latch.
【図5】映像信号線駆動回路の動作を示すタイムチャー
ト。FIG. 5 is a time chart showing the operation of the video signal line drive circuit.
【図6】図4の1ビットロードラッチの構成を示す回路
図。FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of the 1-bit load latch of FIG.
【図7】図4のロードラッチ回路部の従来の配線パター
ンを示す図。FIG. 7 is a view showing a conventional wiring pattern of the load latch circuit section of FIG.
【図8】図4のロードラッチ回路部の本発明の一実施例
による配線パターンを示す図。8 is a diagram showing a wiring pattern of the load latch circuit portion of FIG. 4 according to an embodiment of the present invention.
1…信号線、2…走査線、3…薄膜トランジスタ、4…
画素電極、5…表示画素、8〜10、12、14、1
6、17…配線パターン、11、13、15…コンタク
トホール、24、25…D/Aコンバータ、26、27
…アナログアンプ、28、29…信号線選択回路、SR
1〜SRn…シフトレジスタ、SL1〜SLn…サンプ
リングラッチ、LLA1〜LLAn、LLB1〜LLB
n…ロードラッチ、S−L1〜S−L6…1ビットサン
プリングラッチ、L−LA1〜L−LA6、L−LB1
〜L−LBn…1ビットロードラッチ。1 ... Signal line, 2 ... Scan line, 3 ... Thin film transistor, 4 ...
Pixel electrodes, 5 ... Display pixels, 8 to 10, 12, 14, 1
6, 17 ... Wiring pattern, 11, 13, 15 ... Contact hole, 24, 25 ... D / A converter, 26, 27
... Analog amplifier, 28, 29 ... Signal line selection circuit, SR
1-SRn ... Shift register, SL1-SLn ... Sampling latch, LLA1-LLAn, LLB1-LLB
n ... load latch, S-L1 to S-L6 ... 1-bit sampling latch, L-LA1 to L-LA6, L-LB1
~ L-LBn ... 1-bit load latch.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 621 G09G 3/20 621M 5F033 680 680G 5F110 3/36 3/36 H01L 21/3205 H01L 29/78 612C 29/786 21/88 B Fターム(参考) 2H092 GA59 JA25 JA29 JA38 JA42 JB13 JB38 JB51 JB58 JB63 MA05 NA27 NA29 PA06 2H093 NC22 NC23 NC24 NC26 NC34 ND42 ND43 ND52 NE03 NE07 5C006 AA22 AF82 BB16 BC20 BF03 BF04 BF25 EB05 5C080 AA10 BB05 DD25 FF11 JJ02 JJ04 JJ06 5C094 AA15 AA43 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 5F033 GG04 HH08 HH22 HH38 KK22 RR04 VV06 5F110 AA04 BB02 CC02 DD02 EE04 EE06 FF02 GG02 GG13 HL03 NN72 NN73 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G09G 3/20 621 G09G 3/20 621M 5F033 680 680G 5F110 3/36 3/36 H01L 21/3205 H01L 29 / 78 612C 29/786 21/88 BF Term (reference) 2H092 GA59 JA25 JA29 JA38 JA42 JB13 JB38 JB51 JB58 JB63 MA05 NA27 NA29 PA06 2H093 NC22 NC23 NC24 NC26 NC34 ND42 ND43 ND52 NE03 NE07 5C006 AA22 BF52 BB16BF20 BF16 BB16BF20 AA10 BB05 DD25 FF11 JJ02 JJ04 JJ06 5C094 AA15 AA43 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 5F033 GG04 HH08 HH22 HH38 KK22 RR04 VV06 5F110 AA04 BB02 CC02 DD02 EE04 EE06 FF02 GG02 NN72HL0303
Claims (4)
の走査線と、該映像信号線及び走査線の交点付近に設け
られた画素スイッチング用薄膜トランジスタと、該薄膜
トランジスタのソース電極に電気的に接続される画素電
極とが絶縁基板上に設けられた表示部と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記複数の走査線を駆動す
る走査線駆動回路と、 前記絶縁基板上に設けられ、前記映像信号線を駆動する
映像信号線駆動回路とを具備し、 前記映像信号線駆動回路または走査線駆動回路の配線パ
ターンの少なくとも一部が前記画素電極と同層で構成さ
れていることを特徴とする表示装置。1. A plurality of video signal lines and a plurality of scanning lines orthogonal thereto, a pixel switching thin film transistor provided near an intersection of the video signal lines and the scanning lines, and a source electrode of the thin film transistor electrically. A display unit in which a pixel electrode to be connected is provided on an insulating substrate, a scanning line drive circuit provided on the insulating substrate and driving the plurality of scanning lines, and provided on the insulating substrate, the image A video signal line driving circuit for driving a signal line, wherein at least a part of a wiring pattern of the video signal line driving circuit or the scanning line driving circuit is formed in the same layer as the pixel electrode. Display device.
回路の配線パターンは、前記絶縁基板に対して第1のレ
ベルに設けられる第1の金属パターンと、該第1の金属
パターンより層間絶縁膜を介して上方の第2のレベルに
設けられる第2の金属パターンと、該第2の金属パター
ンより層間絶縁膜を介して上方に設けられた前記画素電
極と同層で構成される第3の金属パターンを具備してい
ることを特徴とする請求項1記載の表示装置。2. The wiring pattern of the video signal line driving circuit or the scanning line driving circuit comprises a first metal pattern provided at a first level with respect to the insulating substrate, and an interlayer insulating film formed from the first metal pattern. A second metal pattern provided at a second level above the film via a film, and a third metal pattern formed in the same layer as the pixel electrode provided above the second metal pattern via an interlayer insulating film. The display device according to claim 1, further comprising:
ックから構成され、該回路ブロック内配線には前記第1
または第2の金属パターンが用いられ、回路ブロック間
配線には前記透明導電膜パターンが用いられていること
を特徴とする請求項2記載の表示装置。3. The video signal line drive circuit is composed of a plurality of circuit blocks, and the first wiring is provided in the circuit block.
The display device according to claim 2, wherein a second metal pattern is used, and the transparent conductive film pattern is used for wiring between circuit blocks.
信号は2値信号であることを特徴とする請求項1〜3の
1項に記載の表示装置。4. The display device according to claim 1, wherein the signal transmitted by the transparent conductive film pattern is a binary signal.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005128040A (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | Display device |
JP2006154000A (en) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Wiring substrate and reflective liquid crystal display |
JP2020067509A (en) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | Display element, display device and imaging device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150264A (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal panel with built-in driver and production thereof |
JPH10288797A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Reflection type liquid crystal panel and device using the same |
JP2000338521A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate for liquid crystal display device integrated with driving circuit |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001269293A patent/JP2003076298A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150264A (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal panel with built-in driver and production thereof |
JPH10288797A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Reflection type liquid crystal panel and device using the same |
JP2000338521A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate for liquid crystal display device integrated with driving circuit |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005128040A (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | Display device |
US7550918B2 (en) | 2003-10-21 | 2009-06-23 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
JP2006154000A (en) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Wiring substrate and reflective liquid crystal display |
JP4593246B2 (en) * | 2004-11-25 | 2010-12-08 | シャープ株式会社 | Wiring board and reflective liquid crystal display device |
JP2020067509A (en) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | Display element, display device and imaging device |
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