JP3062627B2 - 高赤外感度を有する超小型構造体 - Google Patents
高赤外感度を有する超小型構造体Info
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Classifications
-
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- C12P—FERMENTATION OR ENZYME-USING PROCESSES TO SYNTHESISE A DESIRED CHEMICAL COMPOUND OR COMPOSITION OR TO SEPARATE OPTICAL ISOMERS FROM A RACEMIC MIXTURE
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- C12P7/62—Carboxylic acid esters
-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、約80％以上の吸収度レベルを達成すること
ができ、かつ８及至14ミクロンの波長範囲にわたって高
いIR（赤外線）感度を得ることができる高感度２レベル
超小型構造の赤外線ボロメータ・アレイに関するもので
ある。
ができ、かつ８及至14ミクロンの波長範囲にわたって高
いIR（赤外線）感度を得ることができる高感度２レベル
超小型構造の赤外線ボロメータ・アレイに関するもので
ある。
発明の背景及び概要 本発明は、本発明と同じ譲受人に譲渡された「熱セン
サ」という名称の1986年７月16日出願の同時係属になる
米国特許出願一連番号第887,495号の発明を改良したも
のである。この出願の開示内容は、参照することによっ
て本願中に組み込まれる。上記出願の発明は、集積素子
及びバス線が形成されたシリコン表面の上方の第２の平
面に検出器マイクロブリッジを配置することによって達
成される高集積度（fill facter）の赤外線マイクロブ
リッジ構造用のセンサアレイのピクセルサイズ・センサ
に関するものである。本発明は、このようなセンサの感
度を高めるための構造の改良にある。
サ」という名称の1986年７月16日出願の同時係属になる
米国特許出願一連番号第887,495号の発明を改良したも
のである。この出願の開示内容は、参照することによっ
て本願中に組み込まれる。上記出願の発明は、集積素子
及びバス線が形成されたシリコン表面の上方の第２の平
面に検出器マイクロブリッジを配置することによって達
成される高集積度（fill facter）の赤外線マイクロブ
リッジ構造用のセンサアレイのピクセルサイズ・センサ
に関するものである。本発明は、このようなセンサの感
度を高めるための構造の改良にある。
図面の簡単な説明 図１及び２は、それぞれ本発明による超小型構造体の
正面図及び上面図である。
正面図及び上面図である。
図３は、８及至14ミクロンの範囲を含む選択された波
長範囲にわたる本発明のデバイスの全吸収度対波長の関
係をプロットしたグラフである。
長範囲にわたる本発明のデバイスの全吸収度対波長の関
係をプロットしたグラフである。
図４は、抵抗層の透光度、吸収度及び反射率を示すグ
ラフである。
ラフである。
図５は、吸収度対エアギャップ厚さ（間隔）の関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
図６は、構造全体の吸収度対金属吸収材厚さの関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
図７は、Si3N4の光学的性質の測定結果を示すグラフ
である。
である。
詳細な説明 本発明による２レベル型マイクロブリッジ・ボロメー
タ・ピクセル10の一実施例の断面図を図１に示す。この
デバイス10は、２つのレベル、すなわち上段のマイクロ
ブリッジ検出器レベル11及び下段レベル12を有する。下
段レベルは、単結晶シリコン・サブストレートのような
表面が平らな半導体サブストレート13を有する。シリコ
ン・サブストレートの表面14には、通常のシリコンIC技
術によってダイオード、バス線、接続配線及びコンタク
ト・パット（具体的には図示されていない）のような集
積回路15の通常の素子が作り込まれている。このICに
は、窒化ケイ素の保護層16が塗工されている。
タ・ピクセル10の一実施例の断面図を図１に示す。この
デバイス10は、２つのレベル、すなわち上段のマイクロ
ブリッジ検出器レベル11及び下段レベル12を有する。下
段レベルは、単結晶シリコン・サブストレートのような
表面が平らな半導体サブストレート13を有する。シリコ
ン・サブストレートの表面14には、通常のシリコンIC技
術によってダイオード、バス線、接続配線及びコンタク
ト・パット（具体的には図示されていない）のような集
積回路15の通常の素子が作り込まれている。このICに
は、窒化ケイ素の保護層16が塗工されている。
上段の検出器レベル11は、窒化ケイ素（SIN）層20、
好ましくは酸化バナジウムまたは酸化チタン（例えばV2
O3、TiOx、VOx等）、すなわちABxで表されるバナジウム
またはチタンの酸化物よりなる薄膜抵抗層21、これらの
層20及び21の上に形成された窒化ケイ素層22、及びこの
窒化ケイ素層22の上に設けられたIR吸収材コーティング
層23を有する。この薄い吸収材コーティング層（厚さ約
20A）は、例えばしばしばパーマロイと呼ばれるニッケ
ル−鉄合金で形成することができる。製造時に窒化ケイ
素層20及び22と同時に被着される下方に延びた窒化ケイ
素層20′及び22′は、上段の検出器レベル11のための傾
斜支持部30をなしている。上記２つのレベル間のキャビ
ティまたはギャップ26（高さ約１〜２ミクロン）は周囲
大気よりなる。ただし、製造プロセスにおいては、最初
キャビティ26は、あらかじめ被着された容易に溶解可能
な可溶性ガラスまたはその他の可溶性材料で満たされて
おり、その可溶性材料は層20、20′、22、22′を被着し
た後取り除される。可溶性ガラス以外の容易に溶解可能
な材料としては、クオーツ、ポリイミド及びレジストが
ある。次工程においては、ガラスを溶解させて取り除
き、断熱キャビティまたはエアギャップを得る（すなわ
ち、エアギャップは、実際には真空ギャップとして作用
する）。図１においては、水平寸法は大きく縮小して示
されている。すなわち、図１においては、本発明による
構造を詳細に示すため、高さが横方向の長さに比して拡
大して示されている。
好ましくは酸化バナジウムまたは酸化チタン（例えばV2
O3、TiOx、VOx等）、すなわちABxで表されるバナジウム
またはチタンの酸化物よりなる薄膜抵抗層21、これらの
層20及び21の上に形成された窒化ケイ素層22、及びこの
窒化ケイ素層22の上に設けられたIR吸収材コーティング
層23を有する。この薄い吸収材コーティング層（厚さ約
20A）は、例えばしばしばパーマロイと呼ばれるニッケ
ル−鉄合金で形成することができる。製造時に窒化ケイ
素層20及び22と同時に被着される下方に延びた窒化ケイ
素層20′及び22′は、上段の検出器レベル11のための傾
斜支持部30をなしている。上記２つのレベル間のキャビ
ティまたはギャップ26（高さ約１〜２ミクロン）は周囲
大気よりなる。ただし、製造プロセスにおいては、最初
キャビティ26は、あらかじめ被着された容易に溶解可能
な可溶性ガラスまたはその他の可溶性材料で満たされて
おり、その可溶性材料は層20、20′、22、22′を被着し
た後取り除される。可溶性ガラス以外の容易に溶解可能
な材料としては、クオーツ、ポリイミド及びレジストが
ある。次工程においては、ガラスを溶解させて取り除
き、断熱キャビティまたはエアギャップを得る（すなわ
ち、エアギャップは、実際には真空ギャップとして作用
する）。図１においては、水平寸法は大きく縮小して示
されている。すなわち、図１においては、本発明による
構造を詳細に示すため、高さが横方向の長さに比して拡
大して示されている。
図２は、上段の検出器レベル11の上面図である。この
図は、薄膜抵抗層21が見えるように、その上層の吸収材
コーティング層23及び上側窒化ケイ素層22が透明である
かの如く描いてある。本発明の一実施例においては、抵
抗層21の材料は酸化バナジウム、好ましくはV2O3であ
る。酸化バナジウムは、温度による抵抗変化が非常に大
きく、これを用いると高感度のマイクロボロメータ動作
が可能になる。また、酸化バナジウマは、８〜14ミクロ
ンの範囲のIRに対する反射率が低い。この実施例におい
ては、V2O3は半導体相で使用される。その被着は、50〜
75nmというような非常に薄い層を被着することが可能な
イオンビーム・スパッタ法によることが望ましい。この
ようにこの実施例でV2O3が反射材として選ばれたのは、
比較的抵抗温度係数（TCR）が高いことと相俟って、IR
反射率が低いことによる。抵抗層21の端部には、抵抗性
経路21a及び21bが設けられ、これらの経路は下方に延び
る窒化ケイ素層20′及び22′に埋込まれた形で斜面部
（傾斜支持部）30沿いに下方に延びて、下段レベルのコ
ンタクト・パッド31及び32と電気的に接続されている。
図は、薄膜抵抗層21が見えるように、その上層の吸収材
コーティング層23及び上側窒化ケイ素層22が透明である
かの如く描いてある。本発明の一実施例においては、抵
抗層21の材料は酸化バナジウム、好ましくはV2O3であ
る。酸化バナジウムは、温度による抵抗変化が非常に大
きく、これを用いると高感度のマイクロボロメータ動作
が可能になる。また、酸化バナジウマは、８〜14ミクロ
ンの範囲のIRに対する反射率が低い。この実施例におい
ては、V2O3は半導体相で使用される。その被着は、50〜
75nmというような非常に薄い層を被着することが可能な
イオンビーム・スパッタ法によることが望ましい。この
ようにこの実施例でV2O3が反射材として選ばれたのは、
比較的抵抗温度係数（TCR）が高いことと相俟って、IR
反射率が低いことによる。抵抗層21の端部には、抵抗性
経路21a及び21bが設けられ、これらの経路は下方に延び
る窒化ケイ素層20′及び22′に埋込まれた形で斜面部
（傾斜支持部）30沿いに下方に延びて、下段レベルのコ
ンタクト・パッド31及び32と電気的に接続されている。
また、やはり図２に示すように、窒化ケイ素層20及び
22には、これらの層を貫通させて、検出器の平面の下側
からホスガラス（phos−glass）を溶解させて取り除く
ための流出口として窓状開口部35、36及び37が形成され
ている。上記の傾斜支持部は、上段レベル（検出器レベ
ル）11に対して十分な支持強度と断熱性を持つように形
成すればよい。
22には、これらの層を貫通させて、検出器の平面の下側
からホスガラス（phos−glass）を溶解させて取り除く
ための流出口として窓状開口部35、36及び37が形成され
ている。上記の傾斜支持部は、上段レベル（検出器レベ
ル）11に対して十分な支持強度と断熱性を持つように形
成すればよい。
基本的に個別の検出器ピクセルについて説明するが、
本発明は、撮像用検出器アレイまたはモザイク検出器ア
レイを形成するよう多数のピクセルを隣接させて配列し
たxyピクセルアレイ・アセンブリに使用するためのもの
である。ピクセルアレイ・アセンブリの各ピクセルが占
める面積は、例えば一辺約50ミクロンである。
本発明は、撮像用検出器アレイまたはモザイク検出器ア
レイを形成するよう多数のピクセルを隣接させて配列し
たxyピクセルアレイ・アセンブリに使用するためのもの
である。ピクセルアレイ・アセンブリの各ピクセルが占
める面積は、例えば一辺約50ミクロンである。
次に、上段レベルを形成するための一連のステップを
やはり図１を参照しつつ説明する。下段レベル12の形成
過程で窒化ケイ素層16を被着した後、Pt（白金）または
Au（金）等の金属薄膜のような反射材の薄膜層（反射
層）18を被着する。次に、上段レベルの形成工程に移
る。ここで説明する実施例の検出器は、８〜14ミクロン
の赤外線波長で使用するためのものである。反射層18は
下段レベル12上にある。反射層18と上段レベル11との間
の垂直距離は、層18から上向きに反射される赤外線が広
い波長範囲（８〜14ミクロン）及び発射器の検出器構造
との間のエアギャップ間隔に対して十分な吸収が達成さ
れるような干渉性を有するように選択される。
やはり図１を参照しつつ説明する。下段レベル12の形成
過程で窒化ケイ素層16を被着した後、Pt（白金）または
Au（金）等の金属薄膜のような反射材の薄膜層（反射
層）18を被着する。次に、上段レベルの形成工程に移
る。ここで説明する実施例の検出器は、８〜14ミクロン
の赤外線波長で使用するためのものである。反射層18は
下段レベル12上にある。反射層18と上段レベル11との間
の垂直距離は、層18から上向きに反射される赤外線が広
い波長範囲（８〜14ミクロン）及び発射器の検出器構造
との間のエアギャップ間隔に対して十分な吸収が達成さ
れるような干渉性を有するように選択される。
次に、約１〜２ミクロンの範囲の厚さのホスガラスの
層または他の容易に溶解可能な材料の層を被着する。そ
の上記斜面部30及び30′に対応する部分は、斜面に対す
る被着上の問題をなくすために十分な丸みを付ける。次
に、上段レベルの窒化ケイ素層（ベース）20を被着し、
薄膜抵抗層21を被着し、その端部を斜面沿いに下段レベ
ルのコンタクト・パッドに接続した後、これら層21及び
20の上に窒化ケイ素層（パッシベーション層）22を被着
する。この後、上段レベルの最上層として金属薄膜の吸
収材コーティング層23（約15〜40A）を被着する。次
に、前述のスロット（窓状開口部）35、36及び37を形成
し、検出器のある平面の下側からホスガラスを溶解させ
て取り除く。前に述べたように、上記の積層構造を形成
する前にサブストレート上にPt、Auまたは他の薄膜反射
層18を被着することによって、吸収材コーティング層を
透過した赤外線を薄膜反射層から逆に吸収材コーティン
グ層へ反射させることができる。
層または他の容易に溶解可能な材料の層を被着する。そ
の上記斜面部30及び30′に対応する部分は、斜面に対す
る被着上の問題をなくすために十分な丸みを付ける。次
に、上段レベルの窒化ケイ素層（ベース）20を被着し、
薄膜抵抗層21を被着し、その端部を斜面沿いに下段レベ
ルのコンタクト・パッドに接続した後、これら層21及び
20の上に窒化ケイ素層（パッシベーション層）22を被着
する。この後、上段レベルの最上層として金属薄膜の吸
収材コーティング層23（約15〜40A）を被着する。次
に、前述のスロット（窓状開口部）35、36及び37を形成
し、検出器のある平面の下側からホスガラスを溶解させ
て取り除く。前に述べたように、上記の積層構造を形成
する前にサブストレート上にPt、Auまたは他の薄膜反射
層18を被着することによって、吸収材コーティング層を
透過した赤外線を薄膜反射層から逆に吸収材コーティン
グ層へ反射させることができる。
構造全体の光学的性質は、適切な光学的性質及び電気
的性質を有する光学材料を注意深く選択することによっ
て達成される。最上層の薄膜は、赤外線をほとんど反射
しないものでなければならず、かつ吸収されなかった赤
外線の相当部分をエアギャップ距離（間隔）によって決
定される薄膜中の節点位置の反射光に伝えなければなら
ない。さらに、この吸収薄膜は、全体的な構造に合わせ
て非常に薄くなければならない（従って質量が小さくな
ければならない）という条件が要求される。
的性質を有する光学材料を注意深く選択することによっ
て達成される。最上層の薄膜は、赤外線をほとんど反射
しないものでなければならず、かつ吸収されなかった赤
外線の相当部分をエアギャップ距離（間隔）によって決
定される薄膜中の節点位置の反射光に伝えなければなら
ない。さらに、この吸収薄膜は、全体的な構造に合わせ
て非常に薄くなければならない（従って質量が小さくな
ければならない）という条件が要求される。
検出器構造における吸収を最適化するためには、全て
の吸収層の厚さ及びエアギャップ距離を厳密に管理しけ
なればならない。この実施例のデバイスの薄膜吸収層
は、前述のABx層、SIN層及び金属薄膜の吸収材コーティ
ング層よりなる。実際には、ABx層及びSIN層の厚さは、
電気的及び物理的必要条件によって選択される。これら
のABx層及びSIN層は、どちらも目的とするスペクトル領
域において10〜20％の範囲の吸収レベルを有する（図４
及び７）。これらの材料を組合わせた場合の吸収レベル
は、８〜14ミクロンのスペクトル領域において約30％を
超えることはない。しかしながら、この吸収レベルは、
Ptの反射層、及び吸収層中の場を強めるよう作用するエ
アギャップと組み合わせて使用するのにほぼ理想的であ
り、このような組み合わせの構成においては80％（図
３）を超える吸収度を達成することが可能である。この
実施例においては、従来の標準的な設計では50％の吸収
度が得られる金属薄膜吸収材を用いて、吸収度を効果が
最大となるようさらに微調整する。図６に、この金属薄
膜を使用することにより達成することができる小幅な吸
収度の改善効果を示す。
の吸収層の厚さ及びエアギャップ距離を厳密に管理しけ
なればならない。この実施例のデバイスの薄膜吸収層
は、前述のABx層、SIN層及び金属薄膜の吸収材コーティ
ング層よりなる。実際には、ABx層及びSIN層の厚さは、
電気的及び物理的必要条件によって選択される。これら
のABx層及びSIN層は、どちらも目的とするスペクトル領
域において10〜20％の範囲の吸収レベルを有する（図４
及び７）。これらの材料を組合わせた場合の吸収レベル
は、８〜14ミクロンのスペクトル領域において約30％を
超えることはない。しかしながら、この吸収レベルは、
Ptの反射層、及び吸収層中の場を強めるよう作用するエ
アギャップと組み合わせて使用するのにほぼ理想的であ
り、このような組み合わせの構成においては80％（図
３）を超える吸収度を達成することが可能である。この
実施例においては、従来の標準的な設計では50％の吸収
度が得られる金属薄膜吸収材を用いて、吸収度を効果が
最大となるようさらに微調整する。図６に、この金属薄
膜を使用することにより達成することができる小幅な吸
収度の改善効果を示す。
この２レベル構造においては、熱質量（熱容量）が小
さい検出器構造11は、エアギャップによってPt/サブス
トレート層から離隔されている。この反射層から反射さ
れる干渉特性は、ほとんどの吸収が広い波長範囲及び反
射層と検出器構造との間のエアギャップ間隔に対して達
成されるようなものである。
さい検出器構造11は、エアギャップによってPt/サブス
トレート層から離隔されている。この反射層から反射さ
れる干渉特性は、ほとんどの吸収が広い波長範囲及び反
射層と検出器構造との間のエアギャップ間隔に対して達
成されるようなものである。
検出器でこのような光の干渉を起こさせるためには、
赤外線を反射する他の薄膜が検出器構造中へ入り込むの
を避けなければならない。高いTCRと低いIR反射率を有
するABxの使用は（図４）、これらの条件を満たすのに
理想的である。このように、上記のような吸収現像を高
いTCRと低い反射率を持つ検出器材料を有する検出器構
造と組み合わせることによって、上記の干渉効果を起こ
させることができる。
赤外線を反射する他の薄膜が検出器構造中へ入り込むの
を避けなければならない。高いTCRと低いIR反射率を有
するABxの使用は（図４）、これらの条件を満たすのに
理想的である。このように、上記のような吸収現像を高
いTCRと低い反射率を持つ検出器材料を有する検出器構
造と組み合わせることによって、上記の干渉効果を起こ
させることができる。
検出器の吸収度は構造中のエアギャップの大きさによ
って大きく変化する。左欄のナノメートル単位の各波長
に対して最上行のミクロン単位の各エアギャップにおけ
る吸収度を示した下表を見ると、エアギャップが0.5ミ
クロンしかない構造では、検出器の吸収度は波長によっ
て大きく変化し、あまり高くないということが分かる。
これに対して、１〜２ミクロンのエアギャップ、特に1.
5ミクロンのエアギャップでは、吸収度が所望の波長範
囲の全体にわたって比較的高くなっている。
って大きく変化する。左欄のナノメートル単位の各波長
に対して最上行のミクロン単位の各エアギャップにおけ
る吸収度を示した下表を見ると、エアギャップが0.5ミ
クロンしかない構造では、検出器の吸収度は波長によっ
て大きく変化し、あまり高くないということが分かる。
これに対して、１〜２ミクロンのエアギャップ、特に1.
5ミクロンのエアギャップでは、吸収度が所望の波長範
囲の全体にわたって比較的高くなっている。
エアギャップ間隔が吸収度と目的とする波長との関係
に及ぼす影響が図５のグラフに示されている。1.5ミク
ロンのエアギャップの曲線に見られるように、検出器構
造の吸収度は波長約８ミクロンで90％以上に急激に増加
し、約14ミクロンまで比較的高い状態を維持する。２ミ
クロンのエアギャップの曲線は、IR波長14ミクロンでも
90％よりかなり高い吸収度を示している。図５のグラフ
を得るためのデータの測定においては、積層構造に薄膜
吸収材層23を形成しない状態で測定を行った。
に及ぼす影響が図５のグラフに示されている。1.5ミク
ロンのエアギャップの曲線に見られるように、検出器構
造の吸収度は波長約８ミクロンで90％以上に急激に増加
し、約14ミクロンまで比較的高い状態を維持する。２ミ
クロンのエアギャップの曲線は、IR波長14ミクロンでも
90％よりかなり高い吸収度を示している。図５のグラフ
を得るためのデータの測定においては、積層構造に薄膜
吸収材層23を形成しない状態で測定を行った。
次に、図６には、金属薄膜吸収材層の厚さを各々3nm
及び5nmとした時に、検出器構造の吸収層の全吸収度が
８〜14ミクロンのIR波長に対してどう変化するかを示す
グラフが描かれている。この薄膜積層構造において、窒
化ケイ素層（Si3N4）層22は厚さ250nm、薄膜抵抗層21は
厚さ75nm、窒化ケイ素層（Si3N4層）20は厚さ100nmであ
り、またエアギャップ間隔は1.5ミクロン、Ptの反射層1
8の厚さは50nmである。3nmの曲線は、８〜14ミクロンの
間の波長で吸収度＞90％であることを示している。
及び5nmとした時に、検出器構造の吸収層の全吸収度が
８〜14ミクロンのIR波長に対してどう変化するかを示す
グラフが描かれている。この薄膜積層構造において、窒
化ケイ素層（Si3N4）層22は厚さ250nm、薄膜抵抗層21は
厚さ75nm、窒化ケイ素層（Si3N4層）20は厚さ100nmであ
り、またエアギャップ間隔は1.5ミクロン、Ptの反射層1
8の厚さは50nmである。3nmの曲線は、８〜14ミクロンの
間の波長で吸収度＞90％であることを示している。
図７に、窒化ケイ素層20及び22（厚さ800Å）の反射
率Ｒ、透光度Ｔ及び吸収度Ａ等の光学的性質の測定値
を、縦座標に各測定値（信号％）、横座標にIR波長を取
って示す。この図から明らかなように、波長８ミクロン
及び14ミクロンにおける透光度Ｔは極めて高く（それぞ
れ約90％と80％）、８ミクロン及び14ミクロンの反射率
Ｒはいずれも10％よりかなり低くなっている。
率Ｒ、透光度Ｔ及び吸収度Ａ等の光学的性質の測定値
を、縦座標に各測定値（信号％）、横座標にIR波長を取
って示す。この図から明らかなように、波長８ミクロン
及び14ミクロンにおける透光度Ｔは極めて高く（それぞ
れ約90％と80％）、８ミクロン及び14ミクロンの反射率
Ｒはいずれも10％よりかなり低くなっている。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−196929（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−94127（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−248477（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−500437（ＪＰ，Ａ) 山香英三編 著「ハイテクノロジ・セ ンサ」1986年６月１日 初版１刷発行 （発行所 共立出版株式会社）Ｐ．69− 70，Ｐ．136−138
Claims (14)
- 【請求項１】半導体サブストレートに設けられ、この半
導体サブストレートの表面上の下段部と、この下段部の
直ぐ上に前記下段部から離間して設けられたマイクロブ
リッジ構造の上段部とを有しているピクセルを備え、 前記下段部には、集積回路手段と、それも覆っている、
赤外線を反射する赤外線反射手段とが設けられ、 前記上段部はマイクロブリッジをなす誘電体層を有し、
このマイクロブリッジをなす誘電体層には温度に応答す
る感温性手段が設けられ、この感温性手段は第１及び第
２の端子を有し、そして、前記マイクロブリッジをなす
誘電体層は、それの下方に延びる延長部で構成される誘
電体脚部により前記下段部の上方に支持され、もって、
前記下段部と前記上段部との間に断熱ギャップが形成さ
れており、 前記第１及び第２の端子は前記誘電体脚部に沿う経路で
前記集積回路手段に接続されており、 前記上段部を通過して前記下段部の前記赤外線反射手段
に至った赤外線放射が前記上段部に向けて反射され、赤
外線放射が前記上段部において強まって前記上段部にお
ける所定の赤外波長帯域での赤外線吸収が最適化される
よう、前記上段部と前記下段部との距離で定まる前記断
熱ギャップの間隔はほぼ１〜２ミクロンである ことを特徴とする、マイクロブリッジ赤外線検出器構造
体。 - 【請求項２】請求項１記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、 前記マイクロブリッジをなす誘電体層は、前記感温性手
段の下の第１の誘電体層と、この第１の誘電体層および
前記感温性手段の上の第２の誘電体層とを含むことを特
徴とするマイクロブリッジ赤外線検出器構造体。 - 【請求項３】請求項１記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記感温性手段は、薄膜抵抗素子
であり、 前記上段部は、前記薄膜抵抗素子を覆う吸収材層を含
み、 前記断熱ギャップは、前記赤外線反射手段からの反射さ
れた赤外線放射が前記吸収材層で強まって、前記上段部
での赤外線放射の吸収が最適化されるよう選択されてい
る ことを特徴とするマイクロブリッジ赤外線検出器構造
体。 - 【請求項４】請求項１記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記赤外線反射手段は金属薄膜コ
ーティングであることを特徴とするマイクロブリッジ赤
外線検出器構造体。 - 【請求項５】請求項１記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記赤外線反射手段は、AU,PT,AL
からなるグループから選択した金属の金属薄膜コーティ
ングであることを特徴とするマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体。 - 【請求項６】請求項２記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記第１および第２の誘電体層
は、窒化シリコンであることを特徴とするマイクロブリ
ッジ赤外線検出器構造体。 - 【請求項７】請求項１記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記感温性手段は、薄膜抵抗素子
であることを特徴とするマイクロブリッジ赤外線検出器
構造体。 - 【請求項８】請求項７記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、酸化
バナジウム及び酸化チタンから成るグループの中から選
択されることを特徴とするマイクロブリッジ赤外線検出
器構造体。 - 【請求項９】請求項７記載のマイクロブリッジ赤外線検
出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、V2O3
であることを特徴とするマイクロブリッジ赤外線検出器
構造体。 - 【請求項１０】請求項７記載のマイクロブリッジ赤外線
検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子の材料が、半
導体相で動作するV2O3であることを特徴とするマイクロ
ブリッジ赤外線検出器構造体。 - 【請求項１１】請求項５記載のマイクロブリッジ赤外線
検出器構造体において、前記金属薄膜コーティングはほ
ぼ50nmの厚さであることを特徴とするマイクロブリッジ
赤外線検出器構造体。 - 【請求項１２】請求項６記載のマイクロブリッジ赤外線
検出器構造体において、前記第１の誘電体層はその厚さ
が100nmのオーダーであり、前記第２の誘電体層はその
厚さが250nmのオーダーである、ことを特徴とするマイ
クロブリッジ赤外線検出器構造体。 - 【請求項１３】請求項８記載のマイクロブリッジ赤外線
検出器構造体において、前記薄膜抵抗素子はその厚さが
50−75nmのオーダーである、ことを特徴とするマイクロ
ブリッジ赤外線検出器構造体。 - 【請求項１４】請求項３記載のマイクロブリッジ赤外線
検出器構造体において、前記吸収材層はその厚さが30nm
のオーダーである、ことを特徴とするマイクロブリッジ
赤外線検出器構造体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/US1992/005699 WO1994001743A1 (en) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | Microstructure design for high ir sensitivity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07509057A JPH07509057A (ja) | 1995-10-05 |
| JP3062627B2 true JP3062627B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=22231224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06503249A Expired - Lifetime JP3062627B2 (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 高赤外感度を有する超小型構造体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0649517B1 (ja) |
| JP (1) | JP3062627B2 (ja) |
| DE (1) | DE69221901T2 (ja) |
| WO (1) | WO1994001743A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449910A (en) * | 1993-11-17 | 1995-09-12 | Honeywell Inc. | Infrared radiation imaging array with compound sensors forming each pixel |
| US5554849A (en) * | 1995-01-17 | 1996-09-10 | Flir Systems, Inc. | Micro-bolometric infrared staring array |
| US7495220B2 (en) | 1995-10-24 | 2009-02-24 | Bae Systems Information And Electronics Systems Integration Inc. | Uncooled infrared sensor |
| WO1997021250A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Infrared radiation detector having a reduced active area |
| JP2856180B2 (ja) * | 1996-11-27 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出素子とその製造方法 |
| JPH11148861A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-06-02 | Honda Motor Co Ltd | マイクロブリッジ構造 |
| JP3003853B2 (ja) | 1997-09-09 | 2000-01-31 | 本田技研工業株式会社 | ブリッジ構造を有するセンサ |
| WO2000012986A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Bolometer including a reflective layer |
| JP3635937B2 (ja) | 1998-09-10 | 2005-04-06 | 三菱電機株式会社 | 赤外線カメラ |
| GB9919877D0 (en) * | 1999-08-24 | 1999-10-27 | Secr Defence | Micro-bridge structure |
| JP3921320B2 (ja) | 2000-01-31 | 2007-05-30 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出器およびその製造方法 |
| JP3591445B2 (ja) | 2000-10-16 | 2004-11-17 | 三菱電機株式会社 | 赤外線カメラ |
| WO2005034248A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | Ocas Corp. | Bolometric infrared sensor having two layer structure and method for manufacturing the same |
| JP4315832B2 (ja) | 2004-02-17 | 2009-08-19 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイ |
| FR2920872B1 (fr) | 2007-09-10 | 2009-11-06 | Centre Nat Rech Scient | Bolometre a asservissement de chaleur. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0354369B1 (en) * | 1988-08-12 | 1995-07-26 | Texas Instruments Incorporated | Infrared detector |
| GB2236016A (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Philips Electronic Associated | Pyroelectric and other infrared detection devices with thin films |
-
1992
- 1992-07-08 WO PCT/US1992/005699 patent/WO1994001743A1/en active IP Right Grant
- 1992-07-08 DE DE69221901T patent/DE69221901T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-08 EP EP92921187A patent/EP0649517B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-08 JP JP06503249A patent/JP3062627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 山香英三編 著「ハイテクノロジ・センサ」１９８６年６月１日 初版１刷発行（発行所 共立出版株式会社）Ｐ．６９−７０，Ｐ．１３６−１３８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07509057A (ja) | 1995-10-05 |
| WO1994001743A1 (en) | 1994-01-20 |
| EP0649517A1 (en) | 1995-04-26 |
| DE69221901D1 (de) | 1997-10-02 |
| EP0649517B1 (en) | 1997-08-27 |
| DE69221901T2 (de) | 1998-01-29 |
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