JP3061018B2 - 露光シミュレーション方法 - Google Patents
露光シミュレーション方法Info
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- JP3061018B2 JP3061018B2 JP9302260A JP30226097A JP3061018B2 JP 3061018 B2 JP3061018 B2 JP 3061018B2 JP 9302260 A JP9302260 A JP 9302260A JP 30226097 A JP30226097 A JP 30226097A JP 3061018 B2 JP3061018 B2 JP 3061018B2
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- Japan
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- photosensitive group
- light intensity
- calculating
- time
- photoresist
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置のリ
ソグラフィー工程における露光シミュレーション方法に
関する。
ソグラフィー工程における露光シミュレーション方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の露光シミュレーション方
法としては、IEEE Transaction on Electron Devices
誌、第ED-22番，第７号，２月，１９７５年，第４４５
乃至４５２頁に開示されている光の垂直入射モデルを用
いたDillの方法が広く使用されてきた。
法としては、IEEE Transaction on Electron Devices
誌、第ED-22番，第７号，２月，１９７５年，第４４５
乃至４５２頁に開示されている光の垂直入射モデルを用
いたDillの方法が広く使用されてきた。
【０００３】図２は、この従来技術を説明するフローチ
ャート図である。この方法においては、レジストを３次
元座標空間（ｘ，ｙ，ｚ）でとらえ、メッシュ状に分割
する。即ち、先ず、時間ステップΔｔを設定する（ステ
ップ１１）。次に、レジスト表面での位置（ｘa，ｙb）
に対してこれを深さ方向ｚにｎ分割し、P.H.Beringの方
法（Physics of thin film １巻，Academic Press.,１
９６３年，第６９頁〜１２９頁）により、光強度分布を
計算する（ステップ１３）。
ャート図である。この方法においては、レジストを３次
元座標空間（ｘ，ｙ，ｚ）でとらえ、メッシュ状に分割
する。即ち、先ず、時間ステップΔｔを設定する（ステ
ップ１１）。次に、レジスト表面での位置（ｘa，ｙb）
に対してこれを深さ方向ｚにｎ分割し、P.H.Beringの方
法（Physics of thin film １巻，Academic Press.,１
９６３年，第６９頁〜１２９頁）により、光強度分布を
計算する（ステップ１３）。
【０００４】このP.H.Beringの方法においては、多層薄
膜の板幅反射率をγ、板幅透過率をτとすると、レジス
ト底面の第ｎ層の板幅反射率γｎと板幅透過率τｎは、
下記数式１により表される。
膜の板幅反射率をγ、板幅透過率をτとすると、レジス
ト底面の第ｎ層の板幅反射率γｎと板幅透過率τｎは、
下記数式１により表される。
【０００５】
【数１】γn＝（ｎair−ｎsub）／（ｎair＋ｎsub） τｎ＝２（ｎairＲｅ［ｎsub］）1/2／（ｎair＋
ｎsub） 但し、ｎair及びｎsubは夫々空気と基板の複素屈折率で
ある。
ｎsub） 但し、ｎair及びｎsubは夫々空気と基板の複素屈折率で
ある。
【０００６】そして、Fresnel係数Ｆj、光学的厚さφj
を下記数式２により定義する。
を下記数式２により定義する。
【０００７】
【数２】Ｆj＝（ｎair−ｎj-1）／（ｎair＋ｎj-1） φj＝（２π／λ）ｎj-1δｚj-1 ここで、δｚはレジスト各層の厚さであり、ｚ＝Σδｚ
である。
である。
【０００８】このFresnel係数Ｆj、光学的厚さφjを使
用すると、第ｊ−１層の板幅反射率γj-1と板幅透過率
τj-1は下記数式３により求まる。
用すると、第ｊ−１層の板幅反射率γj-1と板幅透過率
τj-1は下記数式３により求まる。
【０００９】
【数３】γj-1＝［｛ｅｘｐ（−２λφj）｝（Ｆj−
γj）−Ｆj（１−Ｆjγj）］／［Ｆj｛ｅｘｐ（−２λ
φj）｝（Ｆj−γj）−（１−Ｆjγj）］ τj-1＝（Ｆj 2−１）｛ｅｘｐ（−λφj）｝／［Ｆ
j｛ｅｘｐ（−２λφj）｝（Ｆj−γj）−（１−Ｆ
jγj）］ エネルギ吸収比Ｐj／Ｐj-1は下記数式４により求まる。
γj）−Ｆj（１−Ｆjγj）］／［Ｆj｛ｅｘｐ（−２λ
φj）｝（Ｆj−γj）−（１−Ｆjγj）］ τj-1＝（Ｆj 2−１）｛ｅｘｐ（−λφj）｝／［Ｆ
j｛ｅｘｐ（−２λφj）｝（Ｆj−γj）−（１−Ｆ
jγj）］ エネルギ吸収比Ｐj／Ｐj-1は下記数式４により求まる。
【００１０】
【数４】（Ｐj／Ｐj-1）＝（｜τj-1｜2／｜τj｜2）・
（１−｜γj｜2）／（１−｜γj- 1｜2） ｊ層における光吸収量Ａjは下記数式５により表され
る。
（１−｜γj｜2）／（１−｜γj- 1｜2） ｊ層における光吸収量Ａjは下記数式５により表され
る。
【００１１】
【数５】 Ａj＝（１−Ｒ）｛１−Ｐj／Ｐj-1｝Π（Ｐq／Ｐq-1） 但し、レジストの表面反射率ＲはＲ＝｜γ0｜2とした。
【００１２】Dillの方法により深さ方向の第ｊ層による
光強度は下記数式６により与えられる。
光強度は下記数式６により与えられる。
【００１３】
【数６】Ｉj＝Ｉ0Ａj／｛（ＡＭj＋Ｂ）δｚj｝ 但し、Ｉ0はレジスト表面での光強度、Ａ，Ｂはレジス
トの露光反応パラメータである。
トの露光反応パラメータである。
【００１４】次いで、時刻ｔでの深さ方向の光強度をＩ
（ｚ，ｔ）＝Ｉjで表した場合に、感光基濃度の値Ｍを
感光基の反応速度Ｃを使用して下記数式７により算出す
る（ステップ１４）。
（ｚ，ｔ）＝Ｉjで表した場合に、感光基濃度の値Ｍを
感光基の反応速度Ｃを使用して下記数式７により算出す
る（ステップ１４）。
【００１５】
【数７】Ｍ（ｚ，ｔ＋Δｔ）＝Ｍ（ｚ，ｔ）ｅｘｐ（−
Ｉ（ｚ，ｔ）ＣΔｔ） 但し、ｚはレジスト表面から垂直方向の深さ、ｔは露光
開始からの時刻である。次に、次の点（ｘa，ｙb）に進
み（ステップ１５）、この計算を全ての位置（ｘa，
ｙb）に対して行い、レジスト全領域を計算する（ステ
ップ１６）。
Ｉ（ｚ，ｔ）ＣΔｔ） 但し、ｚはレジスト表面から垂直方向の深さ、ｔは露光
開始からの時刻である。次に、次の点（ｘa，ｙb）に進
み（ステップ１５）、この計算を全ての位置（ｘa，
ｙb）に対して行い、レジスト全領域を計算する（ステ
ップ１６）。
【００１６】レジストに光を照射した場合に、その透過
率の時間変化、所謂ブリーチング特性は、時間ステップ
Δｔずつ増加させながら（ステップ１７）、所定の時刻
になるまで繰り返し計算を行う（ステップ１８）。
率の時間変化、所謂ブリーチング特性は、時間ステップ
Δｔずつ増加させながら（ステップ１７）、所定の時刻
になるまで繰り返し計算を行う（ステップ１８）。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来の露光シミュレーション法においては、ブリーチ
ングを精度よく計算するために、１ステップあたりの感
光基濃度変化ΔＭを小さくする必要がある。
の従来の露光シミュレーション法においては、ブリーチ
ングを精度よく計算するために、１ステップあたりの感
光基濃度変化ΔＭを小さくする必要がある。
【００１８】そのためには、予めΔｔを十分小さくとる
必要があり、計算時間が極めて長くなるという大きな問
題点を有していた。
必要があり、計算時間が極めて長くなるという大きな問
題点を有していた。
【００１９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、リソグラフィー工程のシミュレーションを
行う場合に、ブリーチングの計算時間を短縮することが
できる露光シミュレーション方法を提供することを目的
とする。
のであって、リソグラフィー工程のシミュレーションを
行う場合に、ブリーチングの計算時間を短縮することが
できる露光シミュレーション方法を提供することを目的
とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光シミュ
レーション方法は、感光基濃度変化ΔＭを一定として、
光の垂直入射モデルによりフォトレジスト内の深さ方向
の光強度分布を求める工程と、深さ方向の光強度をその
表面での光強度で近似し、感光基濃度Ｍを表面の感光基
濃度で近似して時間ステップΔｔを計算する工程と、感
光基濃度Ｍを計算する工程と、累計露光時間にΔｔを加
算する工程と、累計露光時間が所定値になるまで上記各
計算を繰り返す工程と、を有することを特徴とする。
レーション方法は、感光基濃度変化ΔＭを一定として、
光の垂直入射モデルによりフォトレジスト内の深さ方向
の光強度分布を求める工程と、深さ方向の光強度をその
表面での光強度で近似し、感光基濃度Ｍを表面の感光基
濃度で近似して時間ステップΔｔを計算する工程と、感
光基濃度Ｍを計算する工程と、累計露光時間にΔｔを加
算する工程と、累計露光時間が所定値になるまで上記各
計算を繰り返す工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】本発明に係る他の露光シミュレーション方
法は、感光基濃度変化ΔＭを一定として、光の垂直入射
モデルによりフォトレジスト内の深さ方向の光強度分布
を求める工程と、フォトレジストを深さ方向に分割した
各層についてその光強度及び感光基濃度から時間ステッ
プΔｔiを計算しその最小値を時間ステップΔｔとする
工程と、感光基濃度Ｍを計算する工程と、累計露光時間
にΔｔを加算する工程と、累計露光時間が所定値になる
まで上記各計算を繰り返す工程と、を有することを特徴
とする。
法は、感光基濃度変化ΔＭを一定として、光の垂直入射
モデルによりフォトレジスト内の深さ方向の光強度分布
を求める工程と、フォトレジストを深さ方向に分割した
各層についてその光強度及び感光基濃度から時間ステッ
プΔｔiを計算しその最小値を時間ステップΔｔとする
工程と、感光基濃度Ｍを計算する工程と、累計露光時間
にΔｔを加算する工程と、累計露光時間が所定値になる
まで上記各計算を繰り返す工程と、を有することを特徴
とする。
【００２２】これらの露光シミュレーション方法におい
て、レジスト表面の位置をｘ−ｙ座標でとらえ、各座標
位置（ｘa，ｙb）について、上記各計算を実施し、レジ
スト表面の全域について感光基濃度Ｍを計算することが
好ましい。
て、レジスト表面の位置をｘ−ｙ座標でとらえ、各座標
位置（ｘa，ｙb）について、上記各計算を実施し、レジ
スト表面の全域について感光基濃度Ｍを計算することが
好ましい。
【００２３】本発明に係る更に他の露光シミュレーショ
ン方法は、半導体製造におけるリソグラフィー工程の露
光シミュレーション方法において、フォトレジストの感
光基濃度の変化量ΔＭを設定する工程と、前記フォトレ
ジスト内の光強度分布を計算する工程と、前記感光基濃
度の変化量ΔＭの設定値を用いて時間ステップΔｔを計
算する工程と、前記感光基濃度の値Ｍを計算する工程
と、累計露光時間ｔに前記時間ステップΔｔを加算する
工程と、前記累計露光時間ｔが一定値ｔmax以上か否か
を判定する工程と、フォトレジスト面の座標点（ｘa，
ｙb）を更新する工程とを有し、前記レジストの全体に
対し前記感光基濃度の値Ｍを求めることを特徴とする。
ン方法は、半導体製造におけるリソグラフィー工程の露
光シミュレーション方法において、フォトレジストの感
光基濃度の変化量ΔＭを設定する工程と、前記フォトレ
ジスト内の光強度分布を計算する工程と、前記感光基濃
度の変化量ΔＭの設定値を用いて時間ステップΔｔを計
算する工程と、前記感光基濃度の値Ｍを計算する工程
と、累計露光時間ｔに前記時間ステップΔｔを加算する
工程と、前記累計露光時間ｔが一定値ｔmax以上か否か
を判定する工程と、フォトレジスト面の座標点（ｘa，
ｙb）を更新する工程とを有し、前記レジストの全体に
対し前記感光基濃度の値Ｍを求めることを特徴とする。
【００２４】前記時間ステップΔｔを計算する工程は、
深さ方向の光強度をその表面での光強度で近似し、感光
基濃度Ｍを表面の感光基濃度で近似して時間ステップΔ
ｔを計算する工程を有するか、又は、フォトレジストを
深さ方向に分割した各層についてその光強度及び感光基
濃度から時間ステップΔｔiを計算し、その最小値を時
間ステップΔｔとする工程を有するものとすることがで
きる。
深さ方向の光強度をその表面での光強度で近似し、感光
基濃度Ｍを表面の感光基濃度で近似して時間ステップΔ
ｔを計算する工程を有するか、又は、フォトレジストを
深さ方向に分割した各層についてその光強度及び感光基
濃度から時間ステップΔｔiを計算し、その最小値を時
間ステップΔｔとする工程を有するものとすることがで
きる。
【００２５】本発明の垂直入射モデルを用いた露光シミ
ュレーション方法は以下に示す手段を有する。 （１）レジスト内光強度分布計算から感光基濃度Ｍを求
める。 （２）Ｍの値を用いて、与えられた感光基の変化量ΔＭ
より時間ステップΔｔを計算する。 （３）Δｔ後のＭの値を求める。
ュレーション方法は以下に示す手段を有する。 （１）レジスト内光強度分布計算から感光基濃度Ｍを求
める。 （２）Ｍの値を用いて、与えられた感光基の変化量ΔＭ
より時間ステップΔｔを計算する。 （３）Δｔ後のＭの値を求める。
【００２６】このように、本発明においては、ΔＭが一
定となるように、時間変化Δｔを決定し、これによりＭ
の値を求める。光強度のｚ方向分布Ｉ（ｚ）はレジスト
のように吸収が小さく、また定在波の影響が小さいとき
に、表面光強度Ｉ0で近似できる。このとき、Ｍ（ｚ）
も一定となる。そうすると、ΔＭの値がほぼ一定となる
ので、Δｔの値を計算でき、毎回Δｔを計算しながら、
Ｍの厳密な値を計算していく。
定となるように、時間変化Δｔを決定し、これによりＭ
の値を求める。光強度のｚ方向分布Ｉ（ｚ）はレジスト
のように吸収が小さく、また定在波の影響が小さいとき
に、表面光強度Ｉ0で近似できる。このとき、Ｍ（ｚ）
も一定となる。そうすると、ΔＭの値がほぼ一定となる
ので、Δｔの値を計算でき、毎回Δｔを計算しながら、
Ｍの厳密な値を計算していく。
【００２７】このように本発明においては、ΔＭが一定
となるΔｔを各ｘ位置に対して求め、各位置で独立に露
光計算することにより、時間及び空間の離散を行ってい
る。そして、ΔＭが一定となるように、Δｔを決定して
いるので、計算時間を例えば従来の３０％短縮すること
ができる。
となるΔｔを各ｘ位置に対して求め、各位置で独立に露
光計算することにより、時間及び空間の離散を行ってい
る。そして、ΔＭが一定となるように、Δｔを決定して
いるので、計算時間を例えば従来の３０％短縮すること
ができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の実施例に係る露光シミュレーション方法を示す露光計
算のフローチャート図である。先ず、ブリーチング時の
１ステップあたりの感光基の変化量ΔＭを設定する（ス
テップ１）。
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明
の実施例に係る露光シミュレーション方法を示す露光計
算のフローチャート図である。先ず、ブリーチング時の
１ステップあたりの感光基の変化量ΔＭを設定する（ス
テップ１）。
【００２９】次に、レジスト表面での位置（ｘa，ｙb）
を選択し（ステップ２）、この位置（ｘa，ｙb）で光の
垂直入射モデルを用いて、従来と同様に深さ方向の光強
度Ｉ（ｚ、ｔ）を計算する（ステップ３）。
を選択し（ステップ２）、この位置（ｘa，ｙb）で光の
垂直入射モデルを用いて、従来と同様に深さ方向の光強
度Ｉ（ｚ、ｔ）を計算する（ステップ３）。
【００３０】レジストのように吸収が小さい場合は、レ
ジスト内の光強度分布は深さ方向に比べて、マスクによ
る遮光があるため、表面方向に大きな差が生じることか
ら、（ｘa，ｙb）における深さ方向の光強度Ｉ（ｚ，
ｔ）はその表面での光強度Ｉ0（ｔ）でほぼ近似し、同
じくＭ（ｚ、ｔ）は表面の感光基濃度Ｍ0（ｔ）で近似
し、時間ステップΔｔを下記数式８に設定する（ステッ
プ４）。
ジスト内の光強度分布は深さ方向に比べて、マスクによ
る遮光があるため、表面方向に大きな差が生じることか
ら、（ｘa，ｙb）における深さ方向の光強度Ｉ（ｚ，
ｔ）はその表面での光強度Ｉ0（ｔ）でほぼ近似し、同
じくＭ（ｚ、ｔ）は表面の感光基濃度Ｍ0（ｔ）で近似
し、時間ステップΔｔを下記数式８に設定する（ステッ
プ４）。
【００３１】
【数８】Δｔ＝−［１／｛Ｉ0（ｔ）Ｃ｝］・ｌｎ
［｛Ｍ0（ｔ）＋ΔＭ｝／Ｍ0（ｔ）］ 次に、ｚ方向分布のＭ（ｚ、ｔ）の厳密値を前述の式
（７）を使用して求める（ステップ５）。その後、時間
ステップを進めて（ステップ６）、露光時間tmaxになる
まで感光基濃度の計算を繰り返す（ステップ７）。垂直
入射モデルでは異なる（xa，yb）は独立に計算され、前
記計算を全ての位置（xa，yb）について繰り返し計算す
る（ステップ８，９）。
［｛Ｍ0（ｔ）＋ΔＭ｝／Ｍ0（ｔ）］ 次に、ｚ方向分布のＭ（ｚ、ｔ）の厳密値を前述の式
（７）を使用して求める（ステップ５）。その後、時間
ステップを進めて（ステップ６）、露光時間tmaxになる
まで感光基濃度の計算を繰り返す（ステップ７）。垂直
入射モデルでは異なる（xa，yb）は独立に計算され、前
記計算を全ての位置（xa，yb）について繰り返し計算す
る（ステップ８，９）。
【００３２】本実施例では、△Ｍが一定となるように△
ｔを決定しているので、１０ループ回数が従来技術より
も少なくなるので、計算時間を短縮できるという利点を
有する。Ｃ＝０．０１である一般的な高解像レジストで
△Ｍを５％以下としたとき、計算時間を従来方法の約１
／１０に低減できる。
ｔを決定しているので、１０ループ回数が従来技術より
も少なくなるので、計算時間を短縮できるという利点を
有する。Ｃ＝０．０１である一般的な高解像レジストで
△Ｍを５％以下としたとき、計算時間を従来方法の約１
／１０に低減できる。
【００３３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。本第２実施例のフローチャート図は基本的には図１
に示した第１の実施例のものと同じであるので、相違点
のみ説明する。この第２の実施例では、垂直入射モデル
によりｚ方向にｎ個に分割したフォトレジストの各層に
ついてΔｔを下記数式９から計算する。
る。本第２実施例のフローチャート図は基本的には図１
に示した第１の実施例のものと同じであるので、相違点
のみ説明する。この第２の実施例では、垂直入射モデル
によりｚ方向にｎ個に分割したフォトレジストの各層に
ついてΔｔを下記数式９から計算する。
【００３４】
【数９】Δｔi＝−［１／｛Ｉi（ｔ）Ｃ｝］・ｌｎ
［｛Ｍi（ｔ）＋ΔＭ｝／Ｍi（ｔ）］ 但し、Ｉi（ｔ），Ｍi（ｔ）は夫々ｉ番目の層における
時刻ｔでの光強度と感光基濃度である。△ｔiのうち最
小となるものを△ｔとする。
［｛Ｍi（ｔ）＋ΔＭ｝／Ｍi（ｔ）］ 但し、Ｉi（ｔ），Ｍi（ｔ）は夫々ｉ番目の層における
時刻ｔでの光強度と感光基濃度である。△ｔiのうち最
小となるものを△ｔとする。
【００３５】この本発明の第２実施例では、定在波効果
によって深さ方向の光強度分布が大きく変化していると
きにも対応でき、計算時間を第１の実施例よりも更に低
減できる。
によって深さ方向の光強度分布が大きく変化していると
きにも対応でき、計算時間を第１の実施例よりも更に低
減できる。
【００３６】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、半導体
製造工程の特にリソグラフィー工程のシミュレーション
を行うプログラムにおいて、ブリーチングの計算時間を
従来の方法と比較して短縮できる。
製造工程の特にリソグラフィー工程のシミュレーション
を行うプログラムにおいて、ブリーチングの計算時間を
従来の方法と比較して短縮できる。
【図１】本発明の実施例に係る露光シミュレーション方
法を示すフローチャート図である。
法を示すフローチャート図である。
【図２】従来の露光シミュレーション方法を示すフロー
チャート図である。
チャート図である。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/00 G03F 7/20 G03F 7/26
Claims (7)
- 【請求項１】 感光基濃度変化ΔＭを一定として、光の
垂直入射モデルによりフォトレジスト内の深さ方向の光
強度分布を求める工程と、深さ方向の光強度をその表面
での光強度で近似し、感光基濃度Ｍを表面の感光基濃度
で近似して時間ステップΔｔを計算する工程と、感光基
濃度Ｍを計算する工程と、累計露光時間にΔｔを加算す
る工程と、累計露光時間が所定値になるまで上記各計算
を繰り返す工程と、を有することを特徴とする露光シミ
ュレーション方法。 - 【請求項２】 レジスト表面の位置をｘ−ｙ座標でとら
え、各座標位置（ｘa，ｙb）について、上記各計算を実
施し、レジスト表面の全域について感光基濃度Ｍを計算
することを特徴とする請求項１に記載の露光シミュレー
ション方法。 - 【請求項３】 感光基濃度変化ΔＭを一定として、光の
垂直入射モデルによりフォトレジスト内の深さ方向の光
強度分布を求める工程と、フォトレジストを深さ方向に
分割した各層についてその光強度及び感光基濃度から時
間ステップΔｔiを計算しその最小値を時間ステップΔ
ｔとする工程と、感光基濃度Ｍを計算する工程と、累計
露光時間にΔｔを加算する工程と、累計露光時間が所定
値になるまで上記各計算を繰り返す工程と、を有するこ
とを特徴とする露光シミュレーション方法。 - 【請求項４】 レジスト表面の位置をｘ−ｙ座標でとら
え、各座標位置（ｘa，ｙb）について、上記各計算を実
施し、レジスト表面の全域について感光基濃度Ｍを計算
することを特徴とする請求項３に記載の露光シミュレー
ション方法。 - 【請求項５】 半導体製造におけるリソグラフィー工程
の露光シミュレーション方法において、フォトレジスト
の感光基濃度の変化量ΔＭを設定する工程と、前記フォ
トレジスト内の光強度分布を計算する工程と、前記感光
基濃度の変化量ΔＭの設定値を用いて時間ステップΔｔ
を計算する工程と、前記感光基濃度の値Ｍを計算する工
程と、累計露光時間ｔに前記時間ステップΔｔを加算す
る工程と、前記累計露光時間ｔが一定値ｔmax以上か否
かを判定する工程と、フォトレジスト面の座標点
（ｘa，ｙb）を更新する工程とを有し、前記レジストの
全体に対し前記感光基濃度の値Ｍを求めることを特徴と
する露光シミュレーション方法。 - 【請求項６】 前記時間ステップΔｔを計算する工程
は、深さ方向の光強度をその表面での光強度で近似し、
感光基濃度Ｍを表面の感光基濃度で近似して時間ステッ
プΔｔを計算する工程を有することを特徴とする請求項
５に記載の露光シミュレーション方法。 - 【請求項７】 前記時間ステップΔｔを計算する工程
は、フォトレジストを深さ方向に分割した各層について
その光強度及び感光基濃度から時間ステップΔｔiを計
算し、その最小値を時間ステップΔｔとする工程を有す
ることを特徴とする請求項５に記載の露光シミュレーシ
ョン方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302260A JP3061018B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 露光シミュレーション方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302260A JP3061018B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 露光シミュレーション方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145027A JPH11145027A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3061018B2 true JP3061018B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=17906880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9302260A Expired - Lifetime JP3061018B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 露光シミュレーション方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061018B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101774459B1 (ko) * | 2016-01-15 | 2017-09-19 | 주식회사 티앤에스모터스 | 화재진압용 사륜 오토바이 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11145027A (ja) | 1999-05-28 |
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