JP3056787U - 相補型クロック発生器 - Google Patents
相補型クロック発生器Info
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- JP3056787U JP3056787U JP1998006260U JP626098U JP3056787U JP 3056787 U JP3056787 U JP 3056787U JP 1998006260 U JP1998006260 U JP 1998006260U JP 626098 U JP626098 U JP 626098U JP 3056787 U JP3056787 U JP 3056787U
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロック発生器に対称性を付与して正常クロ
ック信号と反転クロック信号間の時間差を最小化するこ
とにより、正常クロック信号と反転クロック信号を同時
に必要とする回路に安定なクロック信号を提供し得る相
補型クロック発生器を提供することである。 【解決手段】 外部クロック信号(CLKin)に応じ
て電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさ
せてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するイ
ンバータ部と、外部クロック信号(CLKin)に応じ
て電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさ
せてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力する第
1バッファーと、前記インバータ部と第1バッファーか
らVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を入力受け、C
MOSレベルの信号に復元して出力するレベル変換器
と、前記レベル変換器の出力を反転させ正常クロック信
号(CLKout)と反転クロック信号(CLKout
B)をそれぞれ出力する第2、第3バッファーとを含
む。
ック信号と反転クロック信号間の時間差を最小化するこ
とにより、正常クロック信号と反転クロック信号を同時
に必要とする回路に安定なクロック信号を提供し得る相
補型クロック発生器を提供することである。 【解決手段】 外部クロック信号(CLKin)に応じ
て電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさ
せてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するイ
ンバータ部と、外部クロック信号(CLKin)に応じ
て電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさ
せてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力する第
1バッファーと、前記インバータ部と第1バッファーか
らVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を入力受け、C
MOSレベルの信号に復元して出力するレベル変換器
と、前記レベル変換器の出力を反転させ正常クロック信
号(CLKout)と反転クロック信号(CLKout
B)をそれぞれ出力する第2、第3バッファーとを含
む。
Description
【0001】
本考案はクロック発生器に関するもので、特に正常クロック信号と反転クロッ ク信号を出力する回路が互いに対称構造を成すようにして、正常クロック信号と 反転クロック信号間で発生される時間差を最小化し得る相補型クロック発生器に 関するものである。
【0002】
従来の相補型クロック発生器は、図2に示すように、外部クロック信号(CL Kin)を反転して出力するインバータ部1と、外部クロック信号(CLKin )を入力受けて二つのインバータI3、I4で反転して出力するバッファー2と 、前記インバータ部1とバッファー2の出力を反転してそれぞれ正常クロック信 号(CLKout)と反転クロック信号(CLKoutB)を出力するインバー タI2、I3とから構成される。
【0003】 このように構成される従来の相補型クロック発生器の動作を図2を参照して説 明すると次のようである。
【0004】 先ず、外部からクロック信号(CLKin)がインバータ部1とバッファー2 に入力されると、インバータI1はクロック信号(CLKin)を反転してクロ ック信号を出力し、インバータI3、I4は入力されたクロック信号(CLKi n)を順次反転させて正常クロック信号を出力する。
【0005】 次いで、インバータI2は前記インバータ部1から出力される反転クロック信 号を入力受け、再び反転させて正常クロック信号(CLKout)を出力し、イ ンバータI5は前記バッファー2から出力される正常クロック信号を再び反転さ せて反転信号(CLKoutB)を出力する。
【0006】
しかしながら、従来の相補型クロック発生器はインバータ部1が奇数のインバ ータで、バッファー2が偶数のインバータで構成される非対称構造を成すため、 インバータの数による遅延率差によって、前記正常クロック信号(CLKout )と反転クロック信号(CLKoutB)間には必然的に時間差が発生する。
【0007】 従って、設計時に前記時間差を補償するために各端の駆動能力を調節するのに 細心な配慮が必要であり、一旦各端の駆動能力を調節した後にも前記時間差は行 程変数、温度、電圧等の多くの要因の変化により易しく大きくなってしまう問題 点があった。
【0008】 従って、本考案の目的は非対称構造を有するクロック発生器に対称性を付与し て正常クロック信号と反転クロック信号間の時間差を最小化することにより、正 常クロック信号と反転クロック信号を同時に必要とする回路に安定なクロック信 号を提供し得る相補型クロック発生器を提供することにある。
【0009】
前記目的を達成するため、本考案は、外部から入力されるクロック信号(CL Kin)に応じて電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさせてVCC −VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するインバータ部と、外部から入力され るクロック信号(CLKin)に応じて電源電圧及び接地電圧をプルアップ及び プルダウンさせてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力する第1バッファ ーと、前記インバータ部と第1バッファーからVCC−VTN、VSS+VTPレベルの 電圧を入力受け、CMOSレベルの信号に復元して出力するレベル変換器と、前 記レベル変換器の出力を反転させ正常クロック信号(CLKout)と反転クロ ック信号(CLKoutB)をそれぞれ出力する第2、第3バッファーとを含む ことを特徴とする。
【0010】
【考案の実施の形態】 以下、本考案を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【0011】 本考案の技術による相補型クロック発生器は、図1に示すように、外部クロッ ク信号(CLKin)に応じて電源電圧(VCC)及び接地電圧(VSS)をプルア ップ(Pull−up)及びプルダウン(Pull−down)させてVCC−V TN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するインバータ部10と、前記外部クロック 信号(CLKin)に応じて電源電圧(VCC)及び接地電圧(VSS)をプルアッ プ及びプルダウンさせてVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するバッフ ァー20と、前記インバータ部10とバッファー20から出力されるVCC−VTN 、VSS+VTPレベルの電圧を入力受け、CMOSレベルの信号に復元して出力す るレベル変換器30と、前記レベル変換器30の出力を反転させそれぞれ正常ク ロック信号(CLKout)と反転クロック信号(CLKoutB)を出力する バッファー40、50とから構成される。
【0012】 前記インバータ部10において、電源電圧(VCC)端子がプルアップ用NMO Sトランジスター11とPMOSトランジスター12とNMOSトランジスター 13とプルダウン用PMOSトランジスター14を介して接地電圧(VSS)端子 に直列され、PMOSトランジスター12とNMOSトランジスター13のゲー トは共通にクロック入力端子(CLKin)に連結され、共通ドレーン接点が出 力端子を構成する。
【0013】 前記バッファー20は電源電圧(VCC)端子がNMOSトランジスター21と プルアップ用PMOSトランジスター22とプルダウン用NMOSトランジスタ ー23とPMOSトランジスター24を介して接地電圧(VSS)端子に直列連結 され、NMOSトランジスター21とPMOSトランジスター24のゲートは共 通にクロック入力端子(CLKin)に連結され、プルアップ用PMOSトラン ジスター22とプルダウン用NMOSトランジスター23の共通ドレーン接点が 出力端子を構成する。
【0014】 そして、レベル変換器30において、インバータI6の入力端子とインバータ I7の出力端子が互いに共通に連結されインバータ部10の出力端子に連結され 、インバータI6の出力端子とインバータI7の入力端子が互いに共通連結され てバッファー20の出力端子に連結される。
【0015】 このように構成された本考案の相補型クロック発生器の動作を図1を参照して 説明すると次のようである。
【0016】 先ず、ハイレベルのクロック信号(CLKin)がインバータ部10とバッフ ァー20に入力されると、インバータ部10のNMOSトランジスター13とバ ッファー20のNMOSトランジスター21がターンオンされる。
【0017】 この時、プルアップ用NMOSトランジスター11、プルダウン用PMOSト ランジスター14、プルアップ用トランジスター22及びプルダウン用NMOS トランジスター23はゲートに入力される電源電圧(VCC)と接地電圧(VSS) によってターンオン状態にある。
【0018】 従って、プルダウン用PMOSトランジスター14のドレーンにはNMOSト ランジスター13がターンオンされると接地電圧(VSS)が、ターンオフされる とVSS+VTP電圧が掛かり、プルアップ用PMOSトランジスター22のドレー ンはソースの電圧と同一であるため、前記プルダウン用PMOSトランジスター 14のドレーン電圧(VSS+VTP)がインバータ10の出力端子に出力され、N MOSトランジスター21のドレーン電圧(VCC−Vtn)がバッファー20の出 力端子に出力される。
【0019】 次いで、レベル変換器30はインバータ10とバッファー20から出力される TTLレベルのVSS+VTP電圧とVCC−Vtn電圧を入力受け、インバータI6、 I7を用いて前記TTLレベルの電圧をそれぞれCMOSレベルの信号に復元し て出力する。
【0020】 従って、バッファー40は前記復元されたCMOSレベルの信号を反転させて 正常クロック信号(CLKout)を出力し、バッファー50は前記復元された CMOSレベルの信号を反転させて反転クロック信号(CLKoutB)を出力 することにより、正常クロック信号(CLKout)と反転クロック信号(CL KoutB)が時間差なしに同時に出力される。
【0021】 反面、ローレベルのクロック信号(CLKin)がインバータ部10とバッフ ァー20に入力されると、インバータ部10のPMOSトランジスター12とバ ッファー20のPMOSトランジスター24がターンオンされる。
【0022】 この時、プルアップ用NMOSトランジスター11、プルダウン用PMOSト ランジスター14、プルアップ用PMOSトランジスター22及びプルダウン用 NMOSトランジスター23はゲートに入力される電源電圧(VCC)と接地電圧 (VSS)によって常にターンオン状態にある。
【0023】 従って、プルアップ用PMOSトランジスター11のドレーンにかかるVCC− Vtn電圧がPMOSトランジスター12を介して出力端子に出力され、PMOS トランジスター24のドレーンにかかるVSS+VTP電圧がプルダウン用NMOS トランジスター23を介して出力端子に出力される。
【0024】 次いで、レベル変換器30はインバータ10とバッファー20からそれぞれT TLレベルのVCC−Vtn電圧とVSS+VTP電圧を入力受け、インバータI6、I 7を用いて前記TTLレベルの電圧をそれぞれCMOSレベルの信号に復元して 出力する。
【0025】 従って、バッファー40は前記復元されたCMOSレベルの信号を反転させて 反転クロック信号(CLKoutB)を出力し、バッファー50は前記復元され たCMOSレベルの信号を反転させて正常クロック信号(CLKout)を出力 することにより、反転クロック信号(CLKoutB)と正常クロック信号(C LKout)が時間差なしに同時に出力される。
【0026】
以上詳細に説明したように、本考案は、インバータとバッファーが対称構造を 有するように構成し、そのインバータとバッファーから出力されるTTLレベル の電圧をレベル変換器でCMOSレベルの信号に復元した後、インバータで反転 させて出力することにより、正常クロック信号と反転クロック信号間の時間差を 最小化でき、回路の対称性により、トランジスターの駆動能力又は回路の抵抗要 素が変化されても共通的影響を受けるので安定な正常クロック信号と反転クロッ ク信号を提供し得る効果がある。
【図1】本考案の相補型クロック発生器のブロック図で
ある。
ある。
【図2】従来の相補型クロック発生器のブロック図であ
る。
る。
1 インバータ部 2 バッファー I1I2、I3、I4、I5 インバータ 10 インバータ部 11 プルアップ用NMOSトランジスター 12、24 PMOSトランジスター 13、21 NMOSトランジスター 14 プルダウン用PMOSトランジスター 20、40、50 バッファー 22 プルアップ用PMOSトランジスター 23 プルダウン用NMOS重量% 30 レベル変換器 I6、I7 インバータ
Claims (6)
- 【請求項1】外部クロック信号(CLKin)に応じて
電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさせ
てVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するイン
バータ部と、外部クロック信号(CLKin)に応じて
電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさせ
てVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力する第1
バッファーと、前記インバータ部と第1バッファーから
VCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を入力受け、CM
OSレベルの信号に復元して出力するレベル変換器と、
前記レベル変換器の出力を反転させ正常クロック信号
(CLKout)と反転クロック信号(CLKout
B)をそれぞれ出力する第2、第3バッファーとから構
成されることを特徴とする相補型クロック発生器。 - 【請求項2】前記インバータ部は、電源電圧端子がプル
アップ用NMOSトランジスターとPMOSトランジス
ターNMOSトランジスターとプルダウン用PMOSト
ランジスターを介して接地電圧端子に直列連結され、P
MOSトランジスターとNMOSトランジスターのゲー
トは共通にクロック入力端子(CLKin)に連結さ
れ、共通ドレーン接点が出力端子で構成されることを特
徴とする請求項1記載の相補型クロック発生器。 - 【請求項3】前記バッファーは電源電圧端子がNMOS
トランジスターとプルアップ用PMOSトランジスター
とプルダウン用NMOSトランジスターとPMOSトラ
ンジスターを介して接地電圧端子に直列連結され、NM
OSトランジスターとPMOSトランジスターのゲート
は共通にクロック入力端子(CLKin)に連結され、
プルアップ用PMOSトランジスターとプルダウン用N
MOSトランジスターの共通ドレーン接点が出力端子で
構成されることを特徴とする請求項1記載の相補型クロ
ック発生器。 - 【請求項4】前記レベル変換器は、インバータ(I6)
の入力端子とインバータ(I7)の出力端子が互いに共
通連結されてインバータ部の出力端子に連結され、イン
バータ(I6)の出力端子(I7)の入力端子が互いに
共通連結され第1バッファーの出力端子に連結されるこ
とを特徴とする請求項1記載の相補型クロック発生器。 - 【請求項5】前記インバータ部と第1バッファーは互い
に対称性を有することを特徴とする請求項1記載の相補
型クロック発生器。 - 【請求項6】外部クロック信号(CLKin)に応じて
電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさせ
てVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力するイン
バータ部と、外部クロック信号(CLKin)に応じて
電源電圧及び接地電圧をプルアップ及びプルダウンさせ
てVCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を出力する第1
バッファーと、前記インバータ部と第1バッファーから
VCC−VTN、VSS+VTPレベルの電圧を入力受け、正常
クロック信号(CLKout)と反転クロック信号(C
LKoutB)を出力する第2、第3バッファーとから
構成されることを特徴とする相補型クロック発生器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR9551428 | 1995-12-18 | ||
KR95P51428 | 1995-12-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3056787U true JP3056787U (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=43190736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1998006260U Expired - Lifetime JP3056787U (ja) | 1995-12-18 | 1998-08-17 | 相補型クロック発生器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3056787U (ja) |
-
1998
- 1998-08-17 JP JP1998006260U patent/JP3056787U/ja not_active Expired - Lifetime
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