JP3050546B1 - 太陽電池の短絡部除去方法 - Google Patents
太陽電池の短絡部除去方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 電極間に印加した逆方向電圧によって、薄膜
太陽電池に生じた短絡部以外の部分を破壊することなく
確実に短絡部分を除去する方法を提供する。 【解決手段】 基板上に第１の電極層、半導体層、第２
の電極層が順次形成された１又は複数の太陽電池セルを
含む太陽電池における該太陽電池セルの正負の両極に対
し、逆方向に耐電圧以下の逆方向電圧を印加し、短絡部
を除去する太陽電池の短絡部除去方法であって、前記逆
方向印加電圧を図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す値が時間とと
もに周期的に連続して変化する略交流（正弦波、正弦波
の半波、ノコギリ波）の電圧とした。
太陽電池に生じた短絡部以外の部分を破壊することなく
確実に短絡部分を除去する方法を提供する。 【解決手段】 基板上に第１の電極層、半導体層、第２
の電極層が順次形成された１又は複数の太陽電池セルを
含む太陽電池における該太陽電池セルの正負の両極に対
し、逆方向に耐電圧以下の逆方向電圧を印加し、短絡部
を除去する太陽電池の短絡部除去方法であって、前記逆
方向印加電圧を図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す値が時間とと
もに周期的に連続して変化する略交流（正弦波、正弦波
の半波、ノコギリ波）の電圧とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質半導体など
を用いた薄膜太陽電池に生じた短絡部を除去する方法に
関する。さらに詳しくは、本発明は、上記薄膜太陽電池
において、発電に寄与する光電変換半導体層を挾む基板
側電極と裏面側電極の電極間に短絡部が発生した場合
に、耐電圧以下の逆方向電圧を印加して、その際に発生
したジュール熱により短絡部を除去あるいは酸化して絶
縁する方法に関する。
を用いた薄膜太陽電池に生じた短絡部を除去する方法に
関する。さらに詳しくは、本発明は、上記薄膜太陽電池
において、発電に寄与する光電変換半導体層を挾む基板
側電極と裏面側電極の電極間に短絡部が発生した場合
に、耐電圧以下の逆方向電圧を印加して、その際に発生
したジュール熱により短絡部を除去あるいは酸化して絶
縁する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すように、薄膜太陽電池１０
は、絶縁性基板１の一つの面に所定のパターンで形成し
た、第１の電極２と、該第１の電極２の表面に設けた非
晶質半導体からなる光電変換半導体層３と、該光電変換
半導体層３の表面に設けた第２の電極４とから構成され
た太陽電池セル５ａ，５ｂ，５ｃを、一つの基板１上に
複数個設け、太陽電池セル５ａの第１の電極２ａと隣接
する太陽電池セル５ｂの第２の電極４ｂ、太陽電池セル
５ｂの第１の電極２ｂと隣接する太陽電池セル５ｃの第
２の電極４ｃを直列に接続して構成されている。
は、絶縁性基板１の一つの面に所定のパターンで形成し
た、第１の電極２と、該第１の電極２の表面に設けた非
晶質半導体からなる光電変換半導体層３と、該光電変換
半導体層３の表面に設けた第２の電極４とから構成され
た太陽電池セル５ａ，５ｂ，５ｃを、一つの基板１上に
複数個設け、太陽電池セル５ａの第１の電極２ａと隣接
する太陽電池セル５ｂの第２の電極４ｂ、太陽電池セル
５ｂの第１の電極２ｂと隣接する太陽電池セル５ｃの第
２の電極４ｃを直列に接続して構成されている。
【０００３】このような太陽電池の絶縁性基板１とし
て、硝子基板や透明性樹脂基板などを用いた場合、第１
の電極２としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化錫を混
入した酸化インジウム）などの透明電極材料が、第２の
電極４として金属電極材料が用いられる。また、絶縁性
基板１として、透光性を有さない基板材料を用いた場
合、第１の電極２として金属電極材料が、第２の電極４
として透明電極材料が用いられる。
て、硝子基板や透明性樹脂基板などを用いた場合、第１
の電極２としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化錫を混
入した酸化インジウム）などの透明電極材料が、第２の
電極４として金属電極材料が用いられる。また、絶縁性
基板１として、透光性を有さない基板材料を用いた場
合、第１の電極２として金属電極材料が、第２の電極４
として透明電極材料が用いられる。
【０００４】半導体層３として、非晶質シリコン系半導
体の場合、非晶質シリコン、水素化非晶質シリコン、水
素化非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイト
ライドなどのほか、シリコンと炭素、ゲルマニウム、錫
等の他の金属との合金からなる非晶質シリコンなどが用
いられ、さらに、これら非晶質または微結晶をｐｉｎ
型、ｎｉｐ型、ｎｉ型、ｐｎ型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合
型、ホモ接合型、ショットキーバリアー型あるいはこれ
らを組み合わせた形などに構成した半導体材料が用いら
れる。また、半導体層は、シリコン系に限られず、Ｃd
Ｓ系、ＧaＡs系、ＩnＰ系などを用いて構成してもよ
い。
体の場合、非晶質シリコン、水素化非晶質シリコン、水
素化非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイト
ライドなどのほか、シリコンと炭素、ゲルマニウム、錫
等の他の金属との合金からなる非晶質シリコンなどが用
いられ、さらに、これら非晶質または微結晶をｐｉｎ
型、ｎｉｐ型、ｎｉ型、ｐｎ型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合
型、ホモ接合型、ショットキーバリアー型あるいはこれ
らを組み合わせた形などに構成した半導体材料が用いら
れる。また、半導体層は、シリコン系に限られず、Ｃd
Ｓ系、ＧaＡs系、ＩnＰ系などを用いて構成してもよ
い。
【０００５】このような太陽電池において、例えば、製
造時に光電変換半導体層３ｂに生起したピンホールに起
因して、太陽電池セル５ｂの第１の電極２ｂと第２の電
極４ｂの間に短絡を生じた場合には、短絡部を除去した
り短絡部を酸化させて絶縁することが行われている。
造時に光電変換半導体層３ｂに生起したピンホールに起
因して、太陽電池セル５ｂの第１の電極２ｂと第２の電
極４ｂの間に短絡を生じた場合には、短絡部を除去した
り短絡部を酸化させて絶縁することが行われている。
【０００６】このような太陽電池セル５ｂの基板側に設
けた第１の電極２ｂと光電変換半導体層３ｂの裏面側に
設けた第２の電極４ｂ間に生じた短絡部を除去する場合
には、電極４ｂ，４ｃにプローブ電極６ａ，６ｂを接触
させ、発電に寄与する光電変換半導体層３ｂを挾む第１
の電極２ｂと第２の電極４ｂ間に、図２（Ｄ）に示すよ
うな逆耐圧（逆バイアス電圧）以下（０Ｖ側）の直流あ
るいはパルス状の矩形波の逆方向電圧を印加して、短絡
部に電流を集中させ、発生したジュール熱によって短絡
部の金属を酸化させて絶縁体としたり、金属を飛散させ
て短絡部を除去している。
けた第１の電極２ｂと光電変換半導体層３ｂの裏面側に
設けた第２の電極４ｂ間に生じた短絡部を除去する場合
には、電極４ｂ，４ｃにプローブ電極６ａ，６ｂを接触
させ、発電に寄与する光電変換半導体層３ｂを挾む第１
の電極２ｂと第２の電極４ｂ間に、図２（Ｄ）に示すよ
うな逆耐圧（逆バイアス電圧）以下（０Ｖ側）の直流あ
るいはパルス状の矩形波の逆方向電圧を印加して、短絡
部に電流を集中させ、発生したジュール熱によって短絡
部の金属を酸化させて絶縁体としたり、金属を飛散させ
て短絡部を除去している。
【０００７】しかしながら、太陽電池はダイオードと等
価であり、電極２と電極４間に逆方向の電圧を印加した
場合には、第１の電極２と光電変換半導体層３と第２の
電極４からなる太陽電池セル５は、コンデンサーとして
働き、電荷を蓄積する。
価であり、電極２と電極４間に逆方向の電圧を印加した
場合には、第１の電極２と光電変換半導体層３と第２の
電極４からなる太陽電池セル５は、コンデンサーとして
働き、電荷を蓄積する。
【０００８】このように、電極２，４間に直流の電圧を
印加した場合は、印加した電圧を急激に除いた後でも、
電極２，４間に電荷が残留し、この電荷による電圧に起
因して、光電変換半導体層３の欠陥以外の弱い部分に破
壊を生起させるという問題がある。
印加した場合は、印加した電圧を急激に除いた後でも、
電極２，４間に電荷が残留し、この電荷による電圧に起
因して、光電変換半導体層３の欠陥以外の弱い部分に破
壊を生起させるという問題がある。
【０００９】このような蓄積電荷による問題を避けるた
めに、電極２，４間にパルス状の矩形波電圧を印加する
手法では、太陽電池セルに高い電圧が蓄積されることを
防ぐために耐電圧に近い充分な電圧を印加することがで
きず４Ｖ程度の逆方向の電圧パルスを印加している。し
かしながら、このような低い電圧では、短絡部分にエネ
ルギーを十分に与えることができなくなり、発生したジ
ュール熱で短絡部を除去したり酸化することができない
部分を生じるという問題があるとともに、蓄積された電
荷が半導体の耐圧の低い部分を介して放電することによ
って短絡部以外の正常部分が破壊する現象が発生してい
た。
めに、電極２，４間にパルス状の矩形波電圧を印加する
手法では、太陽電池セルに高い電圧が蓄積されることを
防ぐために耐電圧に近い充分な電圧を印加することがで
きず４Ｖ程度の逆方向の電圧パルスを印加している。し
かしながら、このような低い電圧では、短絡部分にエネ
ルギーを十分に与えることができなくなり、発生したジ
ュール熱で短絡部を除去したり酸化することができない
部分を生じるという問題があるとともに、蓄積された電
荷が半導体の耐圧の低い部分を介して放電することによ
って短絡部以外の正常部分が破壊する現象が発生してい
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑み、薄膜太陽電池に生じた短絡部を除去する場合に、
電極間に印加した逆方向電圧によって、短絡部以外の部
分を破壊することなく、確実に短絡部分を除去すること
ができる方法を提供することを目的とする。
鑑み、薄膜太陽電池に生じた短絡部を除去する場合に、
電極間に印加した逆方向電圧によって、短絡部以外の部
分を破壊することなく、確実に短絡部分を除去すること
ができる方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、値が時間とと
もに周期的に連続して変化する略交流の電圧を電極２，
４間に印加することによって、短絡部除去時に印加する
逆方向電圧による太陽電池セルに蓄積された電荷を放電
して太陽電池セルを保護するようにした。また、上記印
加電圧波形が正弦波の半波もしくはノコギリ波の場合
は、逆耐圧にピークが来るように印加する。
もに周期的に連続して変化する略交流の電圧を電極２，
４間に印加することによって、短絡部除去時に印加する
逆方向電圧による太陽電池セルに蓄積された電荷を放電
して太陽電池セルを保護するようにした。また、上記印
加電圧波形が正弦波の半波もしくはノコギリ波の場合
は、逆耐圧にピークが来るように印加する。
【００１２】請求項１の発明は、基板上に第１の電極
層、半導体層、第２の電極層が順次形成された１または
複数の太陽電池セルを含む太陽電池における該太陽電池
セルの正負の両極に対し、０ボルトから逆方向に耐電圧
以下の逆方向電圧を印加し、短絡部を除去する太陽電池
の短絡部除去方法であって、前記逆方向印加電圧を、値
が時間とともに周期的に連続して変化する正弦波の半波
とした。
層、半導体層、第２の電極層が順次形成された１または
複数の太陽電池セルを含む太陽電池における該太陽電池
セルの正負の両極に対し、０ボルトから逆方向に耐電圧
以下の逆方向電圧を印加し、短絡部を除去する太陽電池
の短絡部除去方法であって、前記逆方向印加電圧を、値
が時間とともに周期的に連続して変化する正弦波の半波
とした。
【００１３】請求項２の発明は、基板上に第１の電極
層、半導体層、第２の電極層が順次形成された１または
複数の太陽電池セルを含む太陽電池における該太陽電池
セルの正負の両極に対し、０ボルトから逆方向に耐電圧
以下の逆方向電圧を印加し、短絡部を除去する太陽電池
の短絡部除去方法であって、前記逆方向印加電圧は、値
が時間とともに周期的に連続して変化するノコギリ波と
した。
層、半導体層、第２の電極層が順次形成された１または
複数の太陽電池セルを含む太陽電池における該太陽電池
セルの正負の両極に対し、０ボルトから逆方向に耐電圧
以下の逆方向電圧を印加し、短絡部を除去する太陽電池
の短絡部除去方法であって、前記逆方向印加電圧は、値
が時間とともに周期的に連続して変化するノコギリ波と
した。
【００１４】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２の太陽電池の短絡部除去方法において、前記逆方向印
加電圧の繰返し周波数を２０〜１０００Ｈｚとした。
２の太陽電池の短絡部除去方法において、前記逆方向印
加電圧の繰返し周波数を２０〜１０００Ｈｚとした。
【００１５】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３のいずれか１項の太陽電池の短絡部除去方法におい
て、太陽電池素子の逆方向電圧印加時の容量と抵抗で規
定される時定数の周波数の略交流波形の電圧を逆方向印
加するようにした。
３のいずれか１項の太陽電池の短絡部除去方法におい
て、太陽電池素子の逆方向電圧印加時の容量と抵抗で規
定される時定数の周波数の略交流波形の電圧を逆方向印
加するようにした。
【００１６】請求項５の発明は、請求項４の太陽電池の
短絡部除去方法において、時間とともに周期的に連続し
て変化する逆方向印加電圧の繰返し周波数を５０〜１２
０Ｈzとした。
短絡部除去方法において、時間とともに周期的に連続し
て変化する逆方向印加電圧の繰返し周波数を５０〜１２
０Ｈzとした。
【００１７】請求項６の発明は、請求項１ないし請求項
５のいずれか１項の太陽電池の短絡部除去方法において
前記逆方向印加電圧のピーク値を太陽電池の逆方向の耐
圧に等しい値とした。
５のいずれか１項の太陽電池の短絡部除去方法において
前記逆方向印加電圧のピーク値を太陽電池の逆方向の耐
圧に等しい値とした。
【００１８】本発明の方法によれば、電極間に印加する
逆方向電圧を瞬間的に８Ｖ程度まで高めることができる
ようになり、短絡部分のみを発熱させて除去することが
できる。
逆方向電圧を瞬間的に８Ｖ程度まで高めることができる
ようになり、短絡部分のみを発熱させて除去することが
できる。
【００１９】さらに、本発明によれば、電極２，４間に
蓄積された電荷は電源電圧が０Ｖの期間及びピーク値か
ら０Ｖに近づく期間に放電され、蓄積電荷に起因して短
絡部分以外の個所に破壊を生起するおそれがなくなる。
蓄積された電荷は電源電圧が０Ｖの期間及びピーク値か
ら０Ｖに近づく期間に放電され、蓄積電荷に起因して短
絡部分以外の個所に破壊を生起するおそれがなくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる太陽電池の短絡部
除去方法について説明する。 短絡部を有する太陽電池に
電流を流す方法は、図２に示した方法と同じである。本
発明においては、プローブ電極６ａとプローブ電極６ｂ
間に印加する電圧を、直流ではなく値が時間とともに周
期的に変化する略交流の電圧とした点に特徴を有してい
る。 すなわち、プローブ電極６ａとプローブ電極６ｂに
印加する電圧は、図１（Ａ）に示すように、正弦波形の
電圧とし、一方のピーク値を０Ｖとし、他のピーク値を
太陽電池の逆バイアス電圧に略近い値の逆方向電圧まで
印加するようにした。 このような波形の逆方向電圧を印
加することによって、他方のピーク時に逆バイアス電圧
に略近い逆方向電圧を印加した後、徐々に印加電圧を０
Ｖ近傍に近付けていく（逆方向電圧を低下させていく）
ので、電極２，４間に蓄積された電荷は電源電圧（印加
電圧）の低下にともなって減少し、正常な部分に破壊を
起こすことがなくなる。
除去方法について説明する。 短絡部を有する太陽電池に
電流を流す方法は、図２に示した方法と同じである。本
発明においては、プローブ電極６ａとプローブ電極６ｂ
間に印加する電圧を、直流ではなく値が時間とともに周
期的に変化する略交流の電圧とした点に特徴を有してい
る。 すなわち、プローブ電極６ａとプローブ電極６ｂに
印加する電圧は、図１（Ａ）に示すように、正弦波形の
電圧とし、一方のピーク値を０Ｖとし、他のピーク値を
太陽電池の逆バイアス電圧に略近い値の逆方向電圧まで
印加するようにした。 このような波形の逆方向電圧を印
加することによって、他方のピーク時に逆バイアス電圧
に略近い逆方向電圧を印加した後、徐々に印加電圧を０
Ｖ近傍に近付けていく（逆方向電圧を低下させていく）
ので、電極２，４間に蓄積された電荷は電源電圧（印加
電圧）の低下にともなって減少し、正常な部分に破壊を
起こすことがなくなる。
【００２１】図１（Ｂ）は逆方向印加電圧の他の形態を
示す図で、逆方向印加電圧を正弦波の半波とした。この
場合も正弦波のピーク値は太陽電池の逆バイアス電圧に
略近い値逆方向電圧とした。 この場合も、電極２，４間
に蓄積された電荷は電圧の低下にともなって放電される
とともに電圧を印加しない区間（０Ｖの期間）で十分減
少し、正常な部分に破壊を起こすことがなくなる。
示す図で、逆方向印加電圧を正弦波の半波とした。この
場合も正弦波のピーク値は太陽電池の逆バイアス電圧に
略近い値逆方向電圧とした。 この場合も、電極２，４間
に蓄積された電荷は電圧の低下にともなって放電される
とともに電圧を印加しない区間（０Ｖの期間）で十分減
少し、正常な部分に破壊を起こすことがなくなる。
【００２２】図１（Ｃ）は逆方向印加電圧の他の形態を
示す図で、逆方向印加電圧をノコギリ波とした。この場
合もノコギリ波の一方のピーク値を０Ｖとし、他のピー
ク値を太陽電池の逆バイアス電圧に略近い値逆方向電圧
とした。 この場合も、電極２，４間に蓄積された電荷は
電源電圧の低下にともなって減少し、正常な部分に破壊
を起こすことがなくなる。
示す図で、逆方向印加電圧をノコギリ波とした。この場
合もノコギリ波の一方のピーク値を０Ｖとし、他のピー
ク値を太陽電池の逆バイアス電圧に略近い値逆方向電圧
とした。 この場合も、電極２，４間に蓄積された電荷は
電源電圧の低下にともなって減少し、正常な部分に破壊
を起こすことがなくなる。
【００２３】直列に集積した６０個の短絡を生じたセル
に、図１（Ａ）に示した逆方向電圧を電極２，４間に印
加した場合、５７個のセルの短絡が取り除かれて回復し
たが、４Ｖの矩形波パルスを印加する従来法では、５０
個が回復したにすぎず、本発明による短絡部除去方法が
極めて有効であることがわかる。
に、図１（Ａ）に示した逆方向電圧を電極２，４間に印
加した場合、５７個のセルの短絡が取り除かれて回復し
たが、４Ｖの矩形波パルスを印加する従来法では、５０
個が回復したにすぎず、本発明による短絡部除去方法が
極めて有効であることがわかる。
【００２４】また、本発明においては、略交流の逆方向
印加電圧の電源として、６０ｈｚ程 度の交番電源を用い
ることができるが、値が時間とともに周期的に変化する
略交流の周波数を、太陽電池の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒ
で定義される時定数にマッチングする周波数とすると蓄
積電荷の放電が確実に行われ確実に目的を達成すること
ができる。さらに、本発明においては、値が時間ととも
に周期的に変化する略交流の周波数を、２０〜１０００
Ｈｚ、好ましくは５０〜１２０Ｈｚとすることによって
蓄積電荷を確実に放電することができる。
印加電圧の電源として、６０ｈｚ程 度の交番電源を用い
ることができるが、値が時間とともに周期的に変化する
略交流の周波数を、太陽電池の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒ
で定義される時定数にマッチングする周波数とすると蓄
積電荷の放電が確実に行われ確実に目的を達成すること
ができる。さらに、本発明においては、値が時間ととも
に周期的に変化する略交流の周波数を、２０〜１０００
Ｈｚ、好ましくは５０〜１２０Ｈｚとすることによって
蓄積電荷を確実に放電することができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、高い逆方向電圧を印加
することができるので、逆方向電圧を印加して除去でき
る電圧に所定の分布がある短絡部において、従来の技術
では除去できなかった高い逆方向電圧でしか除去できな
い短絡部を除去できるようになった。
することができるので、逆方向電圧を印加して除去でき
る電圧に所定の分布がある短絡部において、従来の技術
では除去できなかった高い逆方向電圧でしか除去できな
い短絡部を除去できるようになった。
【００２６】さらに、本発明によれば、逆方向印加電圧
を交流にし、太陽電池の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒで定義
される時定数にマッチングする周波数とすることで、印
加電圧の波形を電源電圧の波形に追随指せることが可能
となった。
を交流にし、太陽電池の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒで定義
される時定数にマッチングする周波数とすることで、印
加電圧の波形を電源電圧の波形に追随指せることが可能
となった。
【図１】本発明と従来の技術による逆方向印加電圧波形
を示す図。
を示す図。
【図２】太陽電池の構成と短絡部除去方法を説明する
図。
図。
１ 絶縁性基板 ２ 第１の電極 ３ 光電変換半導体層 ４ 第２の電極 ５ 太陽電池セル ６ プローブ電極 １０ 太陽電池
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に第１の電極層、半導体層、第２
の電極層が順次形成された１または複数の太陽電池セル
を含む太陽電池における該太陽電池セルの正負の両極に
対し、０ボルトから逆方向に耐電圧以下の逆方向電圧を
印加し、短絡部を除去する太陽電池の短絡部除去方法で
あって、 前記逆方向印加電圧は、値が時間とともに周期的に連続
して変化する正弦波の半波であることを特徴とする太陽
電池の短絡部除去方法。 - 【請求項２】 基板上に第１の電極層、半導体層、第２
の電極層が順次形成された１または複数の太陽電池セル
を含む太陽電池における該太陽電池セルの正負の両極に
対し、０ボルトから逆方向に耐電圧以下の逆方向電圧を
印加し、短絡部を除去する太陽電池の短絡部除去方法で
あって、 前記逆方向印加電圧は、値が時間とともに周期的に連続
して変化するノコギリ波であることを特徴とする 太陽電
池の短絡部除去方法。 - 【請求項３】 前記逆方向印加電圧の繰返し周波数が２
０〜１０００Ｈｚである請求項１または請求項２に記載
の太陽電池の短絡部除去方法。 - 【請求項４】 太陽電池素子の逆方向電圧印加時の容量
と抵抗で規定される時定数の周波数の略交流波形の電圧
を逆方向印加することを特徴とする請求項１ないし請求
項３のいずれか１項に記載の太陽電池の短絡部除去方
法。 - 【請求項５】 時間とともに周期的に連続して変化する
逆方向印加電圧の繰返し周波数が５０〜１２０Ｈzであ
る請求項４に記載の太陽電池の短絡部除去方法。 - 【請求項６】 前記逆方向印加電圧のピーク値が太陽電
池の逆方向の耐圧に等しい値である請求項１ないし請求
項５のいずれか１項に記載の太陽電池の短絡部除去方
法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079077A JP3050546B1 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 太陽電池の短絡部除去方法 |
| US09/329,526 US6228662B1 (en) | 1999-03-24 | 1999-06-10 | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
| AU36842/99A AU763332B2 (en) | 1999-03-24 | 1999-06-28 | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
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