JP3050361B2 - 金属部材のイオン窒化方法 - Google Patents
金属部材のイオン窒化方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、金属部材の表面をイ
オン窒化することによって金属の表面の耐摩耗性、耐食
性並びに硬度を向上させる金属部材のイオン窒化方法に
関する。
オン窒化することによって金属の表面の耐摩耗性、耐食
性並びに硬度を向上させる金属部材のイオン窒化方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】金属部材のイオン窒化方法は、金属の表
面をイオン窒化して表面にその金属の窒化物層を形成
し、金属の表面の耐摩耗性や耐食性を向上させる方法で
あり、減圧窒化雰囲気中でのグロー放電を用いるのが一
般的である。しかし、イオン窒化処理を行うと、処理が
行われた金属部材の表面粗度が悪化し、必要に応じて窒
化処理後当該金属部材の表面を再度研磨しなければなら
なかった。その場合、微細なスリットや孔、溝等を有す
る金属部材においては、研磨がほとんど不可能な部材も
あった。
面をイオン窒化して表面にその金属の窒化物層を形成
し、金属の表面の耐摩耗性や耐食性を向上させる方法で
あり、減圧窒化雰囲気中でのグロー放電を用いるのが一
般的である。しかし、イオン窒化処理を行うと、処理が
行われた金属部材の表面粗度が悪化し、必要に応じて窒
化処理後当該金属部材の表面を再度研磨しなければなら
なかった。その場合、微細なスリットや孔、溝等を有す
る金属部材においては、研磨がほとんど不可能な部材も
あった。
【０００３】そこで、本発明者らは、金属部材の表面粗
度を可及的に平滑に保持したままイオン窒化する方法を
先に提案した（特願平５−２７２４８号）。この方法
は、金属部材を３００〜６５０℃の温度に保持して、ア
ンモニアガスと水素ガスを用い、金属部材の表面に０．
００１〜２．０ mA/cm2 の電流密度のグロー放電を行い
イオン窒化することを特徴とするものである。
度を可及的に平滑に保持したままイオン窒化する方法を
先に提案した（特願平５−２７２４８号）。この方法
は、金属部材を３００〜６５０℃の温度に保持して、ア
ンモニアガスと水素ガスを用い、金属部材の表面に０．
００１〜２．０ mA/cm2 の電流密度のグロー放電を行い
イオン窒化することを特徴とするものである。
【０００４】この窒化法は、（１）金属部材のうち、複
雑形状で立体的なもの、表面が細密な溝構造を有するも
の、異種形状のものを複雑混載してこれらの全表面を均
一にイオン窒化処理できる、（２）グロー放電はほとん
どガスのプラズマ化のみに使用するので、低電流密度で
イオン窒化処理ができ、消費電力を少なくできるととも
に、低電流密度のためプラズマ化ガスが安定して溝の隅
々まで拡散しイオン窒化できる、（３）加熱は専用の加
熱装置によって金属部材のイオン窒化反応を合理的な速
度で行わせるためにのみ用いるので、完全に自動制御で
きる、（４）大電流密度に起因するアーク放電による金
属部材表面への放電痕が発生しないので製品化の収率が
高い、等の優れた特徴を有する。
雑形状で立体的なもの、表面が細密な溝構造を有するも
の、異種形状のものを複雑混載してこれらの全表面を均
一にイオン窒化処理できる、（２）グロー放電はほとん
どガスのプラズマ化のみに使用するので、低電流密度で
イオン窒化処理ができ、消費電力を少なくできるととも
に、低電流密度のためプラズマ化ガスが安定して溝の隅
々まで拡散しイオン窒化できる、（３）加熱は専用の加
熱装置によって金属部材のイオン窒化反応を合理的な速
度で行わせるためにのみ用いるので、完全に自動制御で
きる、（４）大電流密度に起因するアーク放電による金
属部材表面への放電痕が発生しないので製品化の収率が
高い、等の優れた特徴を有する。
【０００５】また、上記のイオン窒化法は処理条件を選
択することにより金属部材の表面状態を変化させること
なく窒化処理を行わせたり、金属部材の表面に金属窒化
物の化合物層を形成することも可能である。しかし、処
理実験により化合物層を可及的に効率的な速度で形成す
るための最適処理条件を見いだすことは容易ではなく、
多くの時間と労力を要する。
択することにより金属部材の表面状態を変化させること
なく窒化処理を行わせたり、金属部材の表面に金属窒化
物の化合物層を形成することも可能である。しかし、処
理実験により化合物層を可及的に効率的な速度で形成す
るための最適処理条件を見いだすことは容易ではなく、
多くの時間と労力を要する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のイ
オン窒化法において、効率的に化合物層が形成されるグ
ロー放電による処理条件をプラズマ発光分光分析法によ
り見いだすことにより、金属部材の表面に金属窒化物の
化合物層を効率的に形成するとともに、この化合物層と
窒素原子の拡散層との相乗効果により硬度を高めること
が可能なイオン窒化方法を提案しようとするものであ
る。
オン窒化法において、効率的に化合物層が形成されるグ
ロー放電による処理条件をプラズマ発光分光分析法によ
り見いだすことにより、金属部材の表面に金属窒化物の
化合物層を効率的に形成するとともに、この化合物層と
窒素原子の拡散層との相乗効果により硬度を高めること
が可能なイオン窒化方法を提案しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属部材を
３００〜６５０℃の温度に保持し、アンモニアガスと水
素ガスを用い、金属部材の表面に０．００１〜２．０ m
A/cm2 の電流密度のグロー放電を行いイオン窒化する金
属部材のイオン窒化方法において、該金属部材の表面近
傍のグロー放電の発光分光分析を行い、ＮＨラジカルの
発光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度Ｉ
N2 + の比（ＩNH／Ｉ N2 + ）が１／５以上で１０／１
未満となるプラズマ状態でイオン窒化する方法を要旨と
するものである。
３００〜６５０℃の温度に保持し、アンモニアガスと水
素ガスを用い、金属部材の表面に０．００１〜２．０ m
A/cm2 の電流密度のグロー放電を行いイオン窒化する金
属部材のイオン窒化方法において、該金属部材の表面近
傍のグロー放電の発光分光分析を行い、ＮＨラジカルの
発光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度Ｉ
N2 + の比（ＩNH／Ｉ N2 + ）が１／５以上で１０／１
未満となるプラズマ状態でイオン窒化する方法を要旨と
するものである。
【０００８】
【作用】この発明において、金属部材の反応温度を３０
０〜６５０℃に限定しているのは、以下に示す理由によ
る。すなわち、金属部材を、窒素イオンと速やかに反応
させ、経済性が成り立つ収率で反応する反応温度まで加
熱するためには金属部材の温度を３００〜６５０℃に加
熱する必要がある。その理由は、３００℃未満ではイオ
ン窒化反応が極めて遅く、６５０℃を超えるといったん
形成された窒化物が分解し、イオン窒化が起こらないと
いう問題が生ずるからである。例えば、Ｓ４５Ｃ構造用
鋼の場合では、５５０〜６００℃が適している。加熱手
段としては、電気加熱、ガス加熱等があるが、電気加熱
が使い易い。加熱源としては、イオン窒化処理を行う真
空チャンバー内に配置するか、その外側に配置して加熱
すると、自動制御システムと組合わせてプログラムされ
た昇温や温度保持が容易にできる。
０〜６５０℃に限定しているのは、以下に示す理由によ
る。すなわち、金属部材を、窒素イオンと速やかに反応
させ、経済性が成り立つ収率で反応する反応温度まで加
熱するためには金属部材の温度を３００〜６５０℃に加
熱する必要がある。その理由は、３００℃未満ではイオ
ン窒化反応が極めて遅く、６５０℃を超えるといったん
形成された窒化物が分解し、イオン窒化が起こらないと
いう問題が生ずるからである。例えば、Ｓ４５Ｃ構造用
鋼の場合では、５５０〜６００℃が適している。加熱手
段としては、電気加熱、ガス加熱等があるが、電気加熱
が使い易い。加熱源としては、イオン窒化処理を行う真
空チャンバー内に配置するか、その外側に配置して加熱
すると、自動制御システムと組合わせてプログラムされ
た昇温や温度保持が容易にできる。
【０００９】また、イオン窒化ガスとして、アンモニア
ガス（ＮＨ３）と水素ガス（Ｈ２）を用いるのは、アン
モニアガスはＮとＨに分解し、直ちにＮ２とＨ２になる
ためイオン窒化反応が十分に起こらないが、アンモニア
ガスはプラズマ化電流密度が低い範囲においてアンモニ
アラジカルとして安定であり、水素ガスは放電によるア
ンモニアガスのラジカル化を安定に行うための補助ガス
として作用するからである。ＮＨ３／Ｈ２体積比は１／
１００〜１／０がよく、１／１０〜５／１が好適であ
る。ＮＨ３／Ｈ２体積比が１／１００未満ではイオン窒
化反応が十分に起こらない。
ガス（ＮＨ３）と水素ガス（Ｈ２）を用いるのは、アン
モニアガスはＮとＨに分解し、直ちにＮ２とＨ２になる
ためイオン窒化反応が十分に起こらないが、アンモニア
ガスはプラズマ化電流密度が低い範囲においてアンモニ
アラジカルとして安定であり、水素ガスは放電によるア
ンモニアガスのラジカル化を安定に行うための補助ガス
として作用するからである。ＮＨ３／Ｈ２体積比は１／
１００〜１／０がよく、１／１０〜５／１が好適であ
る。ＮＨ３／Ｈ２体積比が１／１００未満ではイオン窒
化反応が十分に起こらない。
【００１０】この発明において、プラズマ発光分光分析
法により最適なプラズマ状態を決定するのに用いるＮＨ
ラジカルと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度比の測
定のために着目するＮＨラジカルと窒素分子イオン（Ｎ
２ ＋）の各々の発光線は、用いるプラズマにおいて測定
されたプラズマ発光スペクトルの中に多数存在するが、
その中において、それぞれ最も強度の高いものを用い
る。窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の代りに測定される窒素
分子（Ｎ２）の発光線の中でも最も発光強度の高い発光
線の強度を測定に用いても差支えない。
法により最適なプラズマ状態を決定するのに用いるＮＨ
ラジカルと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度比の測
定のために着目するＮＨラジカルと窒素分子イオン（Ｎ
２ ＋）の各々の発光線は、用いるプラズマにおいて測定
されたプラズマ発光スペクトルの中に多数存在するが、
その中において、それぞれ最も強度の高いものを用い
る。窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の代りに測定される窒素
分子（Ｎ２）の発光線の中でも最も発光強度の高い発光
線の強度を測定に用いても差支えない。
【００１１】この発明においては、金属部材の表面近傍
のグロー放電の発光分光分析を行い、ＮＨラジカルの発
光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度Ｉ N
2 +の比（ＩNH／Ｉ N2 + ）が１／５以上で１０／１未
満となり、好ましくは強度比Ｉが１／３以上〜５／１以
下となるプラズマ状態を調査し、そのプラズマ状態範囲
内において金属部材の表面をイオン窒化することによ
り、効率的に速い形成速度において化合物層を形成する
ことが可能である。
のグロー放電の発光分光分析を行い、ＮＨラジカルの発
光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度Ｉ N
2 +の比（ＩNH／Ｉ N2 + ）が１／５以上で１０／１未
満となり、好ましくは強度比Ｉが１／３以上〜５／１以
下となるプラズマ状態を調査し、そのプラズマ状態範囲
内において金属部材の表面をイオン窒化することによ
り、効率的に速い形成速度において化合物層を形成する
ことが可能である。
【００１２】一方、窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）あるいは
活性化された窒素分子（Ｎ２）は、イオン窒化される金
属部材の表面を加熱、活性化し、場合によってはそのス
パッタリング作用により表面粗度を上昇させる。高濃度
のＮＨラジカルが形成され、かつ適度な窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）が形成されたプラズマ状態が最も化合物層を
形成するのに好都合なプラズマ状態であり、その状態を
窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）に対するＮＨラジカルの発光
強度比により推察することが可能である。
活性化された窒素分子（Ｎ２）は、イオン窒化される金
属部材の表面を加熱、活性化し、場合によってはそのス
パッタリング作用により表面粗度を上昇させる。高濃度
のＮＨラジカルが形成され、かつ適度な窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）が形成されたプラズマ状態が最も化合物層を
形成するのに好都合なプラズマ状態であり、その状態を
窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）に対するＮＨラジカルの発光
強度比により推察することが可能である。
【００１３】ここで、ＮＨラジカル／窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）の発光強度比が１０／１以上となるプラズマ
状態では、金属部材の表面状態を保持したまま拡散層を
形成することは可能であるが、化合物層の形成は容易で
はない。他方、１０／１未満となると化合物層の形成が
可能となるが、１／５未満の範囲では、ＮＨラジカルの
濃度が低くなり過ぎ、化合物層の形成には好ましくない
プラズマ状態となる。
（Ｎ２ ＋）の発光強度比が１０／１以上となるプラズマ
状態では、金属部材の表面状態を保持したまま拡散層を
形成することは可能であるが、化合物層の形成は容易で
はない。他方、１０／１未満となると化合物層の形成が
可能となるが、１／５未満の範囲では、ＮＨラジカルの
濃度が低くなり過ぎ、化合物層の形成には好ましくない
プラズマ状態となる。
【００１４】また、この発明において、金属部材の表面
にかけるプラズマ化電流を０．００１〜２．０ mA/cm2
とするのは、この電流密度の範囲においてのみグロー放
電はアンモニアガスおよび水素ガスをプラズマ化するこ
とのみに使用でき、余剰熱を発生させることがないから
である。なお、電流密度が０．００１ mA/cm2 未満で
は、プラズマ化を十分に起こすことができず、２．０ m
A/cm2 を超えると金属部材の表面で局部的な過熱状態が
生じたり、スリット内や溝内部に有効なイオン窒化処理
が行われない。
にかけるプラズマ化電流を０．００１〜２．０ mA/cm2
とするのは、この電流密度の範囲においてのみグロー放
電はアンモニアガスおよび水素ガスをプラズマ化するこ
とのみに使用でき、余剰熱を発生させることがないから
である。なお、電流密度が０．００１ mA/cm2 未満で
は、プラズマ化を十分に起こすことができず、２．０ m
A/cm2 を超えると金属部材の表面で局部的な過熱状態が
生じたり、スリット内や溝内部に有効なイオン窒化処理
が行われない。
【００１５】プラズマ化のためのグロー放電を発生する
放電は、直流放電、高周波放電のいずれでもよい。イオ
ン窒化を行う真空チャンバーは基本的にグロー放電用電
極、プラズマ化ガス用配管とを備え、真空ポンプに接続
された排気管を備えたものであれば特に限定されない。
放電は、直流放電、高周波放電のいずれでもよい。イオ
ン窒化を行う真空チャンバーは基本的にグロー放電用電
極、プラズマ化ガス用配管とを備え、真空ポンプに接続
された排気管を備えたものであれば特に限定されない。
【００１６】この発明において対象とする金属部材の材
料としては、主としてＳ１５ＣＫ等の肌焼鋼、Ｓ４５Ｃ
等の構造用鋼、ＳＵＰ１０等のばね鋼、ＳＵＪ２等の軸
受鋼、ＳＡＣＭ６４５等の窒化鋼、ＳＫＤ６１等の熱間
加工用鋼、ＳＫＤ１１等の冷間加工用鋼、ＳＫＨ５１等
の高速度鋼、ＳＵＳ３０１等の耐熱鋼、ＳＣｒ２０等の
機械部品鋼、ＳＵＳ４１０等の耐熱耐酸鋼等、各種あ
る。
料としては、主としてＳ１５ＣＫ等の肌焼鋼、Ｓ４５Ｃ
等の構造用鋼、ＳＵＰ１０等のばね鋼、ＳＵＪ２等の軸
受鋼、ＳＡＣＭ６４５等の窒化鋼、ＳＫＤ６１等の熱間
加工用鋼、ＳＫＤ１１等の冷間加工用鋼、ＳＫＨ５１等
の高速度鋼、ＳＵＳ３０１等の耐熱鋼、ＳＣｒ２０等の
機械部品鋼、ＳＵＳ４１０等の耐熱耐酸鋼等、各種あ
る。
【００１７】また、イオン窒化法によって、表面に化合
物層を形成することが求められる金属部材としては、例
えばＳＫＤ６１等の熱間加工用鋼を用いたアルミニウム
押出用ダイス等、耐焼付摩耗性を要求される各種金属部
材やＳ４５Ｃ等の構造用鋼を用いた各種部品がある。
物層を形成することが求められる金属部材としては、例
えばＳＫＤ６１等の熱間加工用鋼を用いたアルミニウム
押出用ダイス等、耐焼付摩耗性を要求される各種金属部
材やＳ４５Ｃ等の構造用鋼を用いた各種部品がある。
【００１８】
【実施例】図１はこの発明を実施するためのイオン窒化
装置を示す概略図で、１は真空チャンバー、２は加熱ヒ
ーター、３は直流電極、４は金属部材、５は直流電源、
６は排気管、７は真空ポンプ、８はバルブ、９はノズ
ル、１０は導入管、１１はバルブ、１２はマスフローコ
ントローラー、１３は窓、１４はレンズ、１５は光ファ
イバー、１６は分光器である。
装置を示す概略図で、１は真空チャンバー、２は加熱ヒ
ーター、３は直流電極、４は金属部材、５は直流電源、
６は排気管、７は真空ポンプ、８はバルブ、９はノズ
ル、１０は導入管、１１はバルブ、１２はマスフローコ
ントローラー、１３は窓、１４はレンズ、１５は光ファ
イバー、１６は分光器である。
【００１９】すなわち、真空チャンバー１には、外周壁
に加熱ヒーター２が埋設され、内部に直流電源５に接続
された直流電極３が配置され、下部に排気管６が圧力調
整用バルブ８を介して真空ポンプ７に接続されている。
Ｈ２ガス、ＮＨ３ガス、Ａｒガス等の原料ガスはそれぞ
れマスフローコントローラー１２、バルブ１１、導入管
１０を介してノズル９から真空チャンバー１内に供給さ
れる。窓１３は金属部材４の表面近傍のプラズマ発光を
観測するために設けられたもので、石英ガラス製でその
外側には同じく石英ガラス製のレンズ１４が設置され、
このレンズの焦点位置に石英ガラス製の光ファイバー１
５の端面が配置され、この光ファイバーの一方は分光器
１６の入光スリット部に接続されている。金属部材４は
直流電極３の上面に設置される。
に加熱ヒーター２が埋設され、内部に直流電源５に接続
された直流電極３が配置され、下部に排気管６が圧力調
整用バルブ８を介して真空ポンプ７に接続されている。
Ｈ２ガス、ＮＨ３ガス、Ａｒガス等の原料ガスはそれぞ
れマスフローコントローラー１２、バルブ１１、導入管
１０を介してノズル９から真空チャンバー１内に供給さ
れる。窓１３は金属部材４の表面近傍のプラズマ発光を
観測するために設けられたもので、石英ガラス製でその
外側には同じく石英ガラス製のレンズ１４が設置され、
このレンズの焦点位置に石英ガラス製の光ファイバー１
５の端面が配置され、この光ファイバーの一方は分光器
１６の入光スリット部に接続されている。金属部材４は
直流電極３の上面に設置される。
【００２０】実施例１ 上記図１に示すイオン窒化装置を用いてイオン窒化処理
を行った結果を以下に示す。本実施例では、金属部材と
して表面を鏡面研磨したＳＫＤ６１鋼の押出成形機用ス
クリュウ４ａとＳＫＨ５１鋼のパンチ４ｂを使用した。
押出成形機用スクリュウ４ａは、直径２３ｍｍ、長さ５
５０ｍｍの棒状、パンチ４ｂは直径３０ｍｍ、長さ２０
０ｍｍの棒状である。
を行った結果を以下に示す。本実施例では、金属部材と
して表面を鏡面研磨したＳＫＤ６１鋼の押出成形機用ス
クリュウ４ａとＳＫＨ５１鋼のパンチ４ｂを使用した。
押出成形機用スクリュウ４ａは、直径２３ｍｍ、長さ５
５０ｍｍの棒状、パンチ４ｂは直径３０ｍｍ、長さ２０
０ｍｍの棒状である。
【００２１】まず、真空ポンプ７により真空チャンバー
１内を１０−３トールまで排気し、排気を続けながら水
素ガスを１０００ｍｌ／分で供給し、１トールに維持し
た。同時に加熱ヒーター２で直流電極３と金属部材４
ａ、４ｂの表面が５３０℃に均一化されるまで１時間加
熱した。
１内を１０−３トールまで排気し、排気を続けながら水
素ガスを１０００ｍｌ／分で供給し、１トールに維持し
た。同時に加熱ヒーター２で直流電極３と金属部材４
ａ、４ｂの表面が５３０℃に均一化されるまで１時間加
熱した。
【００２２】次に、直流電源５からー４００Ｖの電圧を
金属部材に印加して水素ガスによる直流グロー放電プラ
ズマを起こし、真空チャンバー１の内壁と金属部材の表
面を３０分間清浄化した。続いて、真空チャンバー１内
に水素ガスを２０００ｍｌ／分、アナモニアガス５００
ｍｌ／分導入し、圧力を１．５トールに維持し、印加電
圧ー５００Ｖで水素ガスとアンモニアガスの直流グロー
放電プラズマを発生させた。この時、分光器１６によ
り、金属部材表面近傍のプラズマ発光分光分析にてＮＨ
ラジカル（発光波長：３３６ｎｍ）と窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）（発光波長：３９１．４ｎｍ）の発光強度を
速やかに測定しながら、印加電圧を増加させた。この印
加電圧の増加により、ＮＨラジカルと窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）の発光強度比Ｉは急激に減少した。ー５５０
Ｖでの発光強度比Ｉは２０／１となり、ー５５０Ｖでは
１０／１、ー６００Ｖでは５／１、ー６５０Ｖでは２／
１、ー７００Ｖでは１／１、ー７５０Ｖでは１／３、ー
８００Ｖでは１／５以下となった。
金属部材に印加して水素ガスによる直流グロー放電プラ
ズマを起こし、真空チャンバー１の内壁と金属部材の表
面を３０分間清浄化した。続いて、真空チャンバー１内
に水素ガスを２０００ｍｌ／分、アナモニアガス５００
ｍｌ／分導入し、圧力を１．５トールに維持し、印加電
圧ー５００Ｖで水素ガスとアンモニアガスの直流グロー
放電プラズマを発生させた。この時、分光器１６によ
り、金属部材表面近傍のプラズマ発光分光分析にてＮＨ
ラジカル（発光波長：３３６ｎｍ）と窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）（発光波長：３９１．４ｎｍ）の発光強度を
速やかに測定しながら、印加電圧を増加させた。この印
加電圧の増加により、ＮＨラジカルと窒素分子イオン
（Ｎ２ ＋）の発光強度比Ｉは急激に減少した。ー５５０
Ｖでの発光強度比Ｉは２０／１となり、ー５５０Ｖでは
１０／１、ー６００Ｖでは５／１、ー６５０Ｖでは２／
１、ー７００Ｖでは１／１、ー７５０Ｖでは１／３、ー
８００Ｖでは１／５以下となった。
【００２３】上記の測定終了後速やかに、ＮＨラジカル
の発光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度
Ｉ N2 + の比が１／１となる印加電圧（ー７００Ｖ）に
戻し、その状態でイオン窒化処理を実施した。その結
果、金属部材４ａ、４ｂの表面温度はプラズマにより若
干上昇して３〜４℃だけ５３０℃よりも高くなった。こ
の間、プラズマが発生している直流電極と金属部材の前
表面を流れる電流は０．９５Ａであり、直流電極と金属
部材の全表面積（７６００ｃｍ２）でその値を割ると、
金属部材の表面に流れる電流密度が計算され、その値は
０．１２５ｍＡ／ｃｍ２と非常に低い値であることが判
明した。また、処理条件ではその状態を一定に維持して
いた。さらに、金属部材の表面でプラズマは均一に発生
していた。また、それぞれの金属部材間の狭い空間部で
は強いプラズマの発生は認められなかった。
の発光強度ＩNHと窒素分子イオン（Ｎ２ ＋）の発光強度
Ｉ N2 + の比が１／１となる印加電圧（ー７００Ｖ）に
戻し、その状態でイオン窒化処理を実施した。その結
果、金属部材４ａ、４ｂの表面温度はプラズマにより若
干上昇して３〜４℃だけ５３０℃よりも高くなった。こ
の間、プラズマが発生している直流電極と金属部材の前
表面を流れる電流は０．９５Ａであり、直流電極と金属
部材の全表面積（７６００ｃｍ２）でその値を割ると、
金属部材の表面に流れる電流密度が計算され、その値は
０．１２５ｍＡ／ｃｍ２と非常に低い値であることが判
明した。また、処理条件ではその状態を一定に維持して
いた。さらに、金属部材の表面でプラズマは均一に発生
していた。また、それぞれの金属部材間の狭い空間部で
は強いプラズマの発生は認められなかった。
【００２４】そして、イオン窒化処理を１時間継続した
後、プラズマを停止し、ガスの供給と加熱を停止して室
温まで冷却し、各金属部材を取出して切断研磨し、断面
組織観察および断面硬度分布測定を行った。その結果、
ＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スクリュウには、約６μｍ
の化合物層と約２９０μｍの拡散層が形成され、ＳＫＨ
５１鋼のパンチには、約５μｍの鉄窒化物の化合物層と
約２５０μｍの拡散層が形成されていることが確認され
た。また、図２に示すＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スク
リュウとＳＫＨ５１鋼のパンチの硬度分布より明らかな
ごとく、いずれも高い硬度が得られている。
後、プラズマを停止し、ガスの供給と加熱を停止して室
温まで冷却し、各金属部材を取出して切断研磨し、断面
組織観察および断面硬度分布測定を行った。その結果、
ＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スクリュウには、約６μｍ
の化合物層と約２９０μｍの拡散層が形成され、ＳＫＨ
５１鋼のパンチには、約５μｍの鉄窒化物の化合物層と
約２５０μｍの拡散層が形成されていることが確認され
た。また、図２に示すＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スク
リュウとＳＫＨ５１鋼のパンチの硬度分布より明らかな
ごとく、いずれも高い硬度が得られている。
【００２５】実施例２ 実施例１では、ＮＨラジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度
比の測定によるイオン窒化処理条件の調査を速やかに実
施した後、連続してイオン窒化処理を行ったが、ＮＨラ
ジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比の測定によるイオン
窒化処理条件の調査を実施し、それにより求められた条
件と同様の処理条件により別途、イオン窒化処理を実施
することによっても、全く同様のイオン窒化処理状態を
得ることが可能であった。
比の測定によるイオン窒化処理条件の調査を速やかに実
施した後、連続してイオン窒化処理を行ったが、ＮＨラ
ジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比の測定によるイオン
窒化処理条件の調査を実施し、それにより求められた条
件と同様の処理条件により別途、イオン窒化処理を実施
することによっても、全く同様のイオン窒化処理状態を
得ることが可能であった。
【００２６】比較例１ 実施例１と同じ装置により同じ金属部材を用い、同様の
条件によりＮＨラジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比の
測定を実施した。その際、印加電圧をー５００Ｖ以上に
すると、ＮＨラジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比は２
０／１となり、その状態で３時間処理を行った。処理後
の断面組織観察および断面硬度分布測定の結果、ＳＫＤ
６１鋼の押出成形機用スクリュウは化合物層の形成が確
認されず、約１４０μｍの拡散層のみが形成されている
ことが確認され、またＳＫＨ５１鋼のパンチにおいても
化合物層の形成が確認されず、約１２０μｍの拡散層の
みが形成されていることが確認された。
条件によりＮＨラジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比の
測定を実施した。その際、印加電圧をー５００Ｖ以上に
すると、ＮＨラジカルとＮ２ ＋イオンの発光強度比は２
０／１となり、その状態で３時間処理を行った。処理後
の断面組織観察および断面硬度分布測定の結果、ＳＫＤ
６１鋼の押出成形機用スクリュウは化合物層の形成が確
認されず、約１４０μｍの拡散層のみが形成されている
ことが確認され、またＳＫＨ５１鋼のパンチにおいても
化合物層の形成が確認されず、約１２０μｍの拡散層の
みが形成されていることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したごとく、この発明方法によ
れば、窒化物の化合物層の形成に好ましいイオン窒化処
理を短時間で行うことができるとともに、化合物層と窒
素原子の拡散層との相乗効果により硬度を高めることが
できるという優れた効果を奏する。
れば、窒化物の化合物層の形成に好ましいイオン窒化処
理を短時間で行うことができるとともに、化合物層と窒
素原子の拡散層との相乗効果により硬度を高めることが
できるという優れた効果を奏する。
【図１】この発明を実施するためのイオン窒化装置の全
体構成を示す概略図である。
体構成を示す概略図である。
【図２】この発明の実施例１におけるイオン窒化処理後
のＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スクリュウとＳＫＨ５１
鋼のパンチの硬度分布測定結果を示す図である。
のＳＫＤ６１鋼の押出成形機用スクリュウとＳＫＨ５１
鋼のパンチの硬度分布測定結果を示す図である。
１ 真空チャンバー ２ 加熱ヒーター ３ 直流電極 ４ 金属部材 ５ 直流電源 ６ 排気管 ７ 真空ポンプ ８ バルブ ９ ノズル １０ 導入管 １１ バルブ １２ マスフローコントローラー １３ 窓 １４ レンズ １５ 光ファイバー １６ 分光器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 芳朗 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金 属鉱山株式会社 中央研究所内 (72)発明者 柳沼 良和 東京都府中市住吉町３−４−６ 日本電 子工業株式会社 府中工場内 (56)参考文献 特開 平７−118826（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−13126（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 8/36 - 8/38
Claims (1)
- 【請求項１】 金属部材を３００〜６５０℃の温度に保
持し、アンモニアガスと水素ガスを用い、金属部材の表
面に０．００１〜２．０ mA/cm2 の電流密度のグロー放
電を行いイオン窒化する金属部材のイオン窒化方法にお
いて、該金属部材の表面近傍のグロー放電の発光分光分
析を行い、ＮＨラジカルの発光強度ＩNHと窒素分子イオ
ン（Ｎ２ ＋）の発光強度Ｉ N2 + の比（ＩNH／Ｉ
N2 + ）が１／５以上で１０／１未満となるプラズマ状
態でイオン窒化することを特徴とする金属部材のイオン
窒化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188913A JP3050361B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 金属部材のイオン窒化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188913A JP3050361B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 金属部材のイオン窒化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0835053A JPH0835053A (ja) | 1996-02-06 |
| JP3050361B2 true JP3050361B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=16232086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6188913A Expired - Lifetime JP3050361B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 金属部材のイオン窒化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050361B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031291A2 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Plasmaborierung |
| JP2000005904A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 表面処理鋼系切削工具 |
| EP1288329A1 (de) * | 2001-09-03 | 2003-03-05 | C C R GmbH Beschichtungstechnologie | Verfahren zur Herstellung dünner Oxid- oder Nitridschichten |
| KR100560066B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2006-03-15 | 주식회사 플라스포 | 이온질화 처리 장치 및 그 방법 |
| JP4939403B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-05-23 | 本田技研工業株式会社 | エンジンバルブの表面改質処理用治具及びそれを用いた表面改質処理方法 |
| FR2886315B1 (fr) * | 2005-05-31 | 2007-11-23 | Univ Lille Sciences Tech | Procede de controle des processus de nitruration assistee par plasma et systeme mettant en oeuvre ledit procede |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP6188913A patent/JP3050361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0835053A (ja) | 1996-02-06 |
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