JP3050340B2 - ガーネット導波路の製造方法 - Google Patents
ガーネット導波路の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガーネット膜を用いた
導波路、例えば導波型アイソレータや導波型光増幅器等
を形成するためのガーネット膜導波路の製造方法に関す
る。
導波路、例えば導波型アイソレータや導波型光増幅器等
を形成するためのガーネット膜導波路の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガーネット膜を用いて光ファイバ
等との接続が容易な５μｍ□程度の断面を有する導波路
デバイスを作製する場合、ガーネットの化学的安定性、
高硬度であること及び形成温度の高さ〜９００℃によ
り、滑らかな側壁を有する低損失のガーネット導波路の
形成が著しく困難であった。まずガーネットが化学的に
安定であることから、低損失の石英系導波路の加工に用
いられている反応性イオンエッチングを利用しようとし
ても、ガーネットを構成する元素を昇華させて除去しう
るだけの昇華性を提供できる反応性ガスがない。一般に
用いられているフルオロカーボン系のガスや塩素を用い
ても格段の効果は認められない。溶液による化学的エッ
チングを用いる場合、ガーネットを溶解しうるのは、熱
リン酸及び臭化水素酸しか知られていない。熱リン酸あ
るいは臭化水素酸を用いれば、ガーネットの加工は一応
可能であるが、等方的なエッチングであるため、導波路
の側面がテーパを持ち、いわゆるアスペクト比を大きく
することができない。しかも、３μｍ以上深くエッチン
グしようとすると、パターンの上部がリン酸あるいは臭
化水素酸にさらされる時間が長くなるため、凸部の形状
が丸みを帯びてきて、光ファイバ等との接続を考えた場
合の５μｍ□程度の断面を有する導波路の形成が本質的
に困難であった。ガーネットの形成温度は〜９００℃と
高温であるため、あらかじめパターニングを行うための
有機・無機のレジストステンシルを形成しておいて、そ
の後ガーネット膜を成長させ、最後にレジストステンシ
ルを溶解して不要な箇所を取去るという、いわゆるリフ
トオフ法を適用することはできない。そこで、従来は導
波路デバイス向けに磁性ガーネット膜を加工するのにア
ルゴンや塩素を用いたイオンビームエッチングを適用し
てきた。イオンビームエッチングは、イオン源により加
速されたイオンを衝突させることにより、イオンが衝突
した部分を構成する物質を物理的に叩き出す、いわゆる
スパッタリングによりエッチングを行うものである。
等との接続が容易な５μｍ□程度の断面を有する導波路
デバイスを作製する場合、ガーネットの化学的安定性、
高硬度であること及び形成温度の高さ〜９００℃によ
り、滑らかな側壁を有する低損失のガーネット導波路の
形成が著しく困難であった。まずガーネットが化学的に
安定であることから、低損失の石英系導波路の加工に用
いられている反応性イオンエッチングを利用しようとし
ても、ガーネットを構成する元素を昇華させて除去しう
るだけの昇華性を提供できる反応性ガスがない。一般に
用いられているフルオロカーボン系のガスや塩素を用い
ても格段の効果は認められない。溶液による化学的エッ
チングを用いる場合、ガーネットを溶解しうるのは、熱
リン酸及び臭化水素酸しか知られていない。熱リン酸あ
るいは臭化水素酸を用いれば、ガーネットの加工は一応
可能であるが、等方的なエッチングであるため、導波路
の側面がテーパを持ち、いわゆるアスペクト比を大きく
することができない。しかも、３μｍ以上深くエッチン
グしようとすると、パターンの上部がリン酸あるいは臭
化水素酸にさらされる時間が長くなるため、凸部の形状
が丸みを帯びてきて、光ファイバ等との接続を考えた場
合の５μｍ□程度の断面を有する導波路の形成が本質的
に困難であった。ガーネットの形成温度は〜９００℃と
高温であるため、あらかじめパターニングを行うための
有機・無機のレジストステンシルを形成しておいて、そ
の後ガーネット膜を成長させ、最後にレジストステンシ
ルを溶解して不要な箇所を取去るという、いわゆるリフ
トオフ法を適用することはできない。そこで、従来は導
波路デバイス向けに磁性ガーネット膜を加工するのにア
ルゴンや塩素を用いたイオンビームエッチングを適用し
てきた。イオンビームエッチングは、イオン源により加
速されたイオンを衝突させることにより、イオンが衝突
した部分を構成する物質を物理的に叩き出す、いわゆる
スパッタリングによりエッチングを行うものである。
【０００３】従来のイオンビームエッチングにおける問
題点に次のものがある。図２に、従来の方法の工程を模
式的に示す。すなわち、図２は従来のガーネット膜の製
造方法を示す工程図であり、符号１は基板、例えばガド
リニウムガリウムガーネット等、２はクラッド部のガー
ネット膜、例えば約５μｍの厚さのイットリウム鉄ガー
ネット膜、３はマスク材例えば窒化シリコン等、４はガ
ーネットの凹凸、７は２と同様のクラッド部となるガー
ネット膜、８は導波部を形成するためのガーネット膜で
ある。図２に示すように、基板（例えばガドリニウムガ
リウムガーネット結晶）上に成長したガーネット膜（例
えばイットリウム鉄ガーネットＹＩＧ）の上に必要な部
分を保護するためのマスク材をフォトレジストにより１
〜８μｍの厚さに形成する（図２Ａの工程）。続いて、
イオンビームエッチング装置内に基板を持ち込み、アル
ゴン、酸素、窒素あるいは塩素イオン等を基板に照射す
ることにより、ガーネット膜を掘り下げる（図２Ｂ）。
この時、ガーネット膜が化学的に除去できないため、物
理的に叩き出されたガーネットの再付着やマスク材との
エッチング選択比が小さいことからマスク材が後退し、
導波路部分の外周部が直接イオンビームにさらされるこ
とに伴い、導波路側壁の凹凸が極めて大きくなるのが避
けられなかった（図２Ｃ）。次に、マスク材を除去し、
オーバークラッド部となるガーネット膜７を設けて、導
波路の形成を終了する（図２Ｄ）。
題点に次のものがある。図２に、従来の方法の工程を模
式的に示す。すなわち、図２は従来のガーネット膜の製
造方法を示す工程図であり、符号１は基板、例えばガド
リニウムガリウムガーネット等、２はクラッド部のガー
ネット膜、例えば約５μｍの厚さのイットリウム鉄ガー
ネット膜、３はマスク材例えば窒化シリコン等、４はガ
ーネットの凹凸、７は２と同様のクラッド部となるガー
ネット膜、８は導波部を形成するためのガーネット膜で
ある。図２に示すように、基板（例えばガドリニウムガ
リウムガーネット結晶）上に成長したガーネット膜（例
えばイットリウム鉄ガーネットＹＩＧ）の上に必要な部
分を保護するためのマスク材をフォトレジストにより１
〜８μｍの厚さに形成する（図２Ａの工程）。続いて、
イオンビームエッチング装置内に基板を持ち込み、アル
ゴン、酸素、窒素あるいは塩素イオン等を基板に照射す
ることにより、ガーネット膜を掘り下げる（図２Ｂ）。
この時、ガーネット膜が化学的に除去できないため、物
理的に叩き出されたガーネットの再付着やマスク材との
エッチング選択比が小さいことからマスク材が後退し、
導波路部分の外周部が直接イオンビームにさらされるこ
とに伴い、導波路側壁の凹凸が極めて大きくなるのが避
けられなかった（図２Ｃ）。次に、マスク材を除去し、
オーバークラッド部となるガーネット膜７を設けて、導
波路の形成を終了する（図２Ｄ）。
【０００４】側壁の凹凸は、散乱損失を大きくする主た
る要因であり、このような従来技術においては、導波路
の散乱損失を低減化することが極めて困難であった。
る要因であり、このような従来技術においては、導波路
の散乱損失を低減化することが極めて困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示す、従来のガ
ーネット膜加工方法では、散乱損失の小さいガーネット
導波路を形成することは困難であった。本発明の目的
は、この問題点を解決すべく、ガーネット膜を用いて、
低損失の導波路を製造する方法を提供することにある。
ーネット膜加工方法では、散乱損失の小さいガーネット
導波路を形成することは困難であった。本発明の目的
は、この問題点を解決すべく、ガーネット膜を用いて、
低損失の導波路を製造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は、ガーネット導波路の製造方法に関する発明であ
って、一般式Ｒ3 Ｆｅ5 Ｏ12で示される磁性ガーネット
膜、又は該ガーネットの酸素以外の構成元素の一部を等
価な価数を有する一種以上の元素で置き換えた置換型ガ
ーネット膜で形成される導波路の製造方法において、導
波部分を形成する前工程として、イオンビームによりあ
らかじめ所望の幅と深さを有する溝を形成し、次に、リ
ン酸、臭化水素酸、リン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸ト
リクレシル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種
以上を含む溶液を用いて溝の形状を整えるための処理を
行い、次いで、その溝の部分に選択的に導波部分を形成
することを特徴とする。
発明は、ガーネット導波路の製造方法に関する発明であ
って、一般式Ｒ3 Ｆｅ5 Ｏ12で示される磁性ガーネット
膜、又は該ガーネットの酸素以外の構成元素の一部を等
価な価数を有する一種以上の元素で置き換えた置換型ガ
ーネット膜で形成される導波路の製造方法において、導
波部分を形成する前工程として、イオンビームによりあ
らかじめ所望の幅と深さを有する溝を形成し、次に、リ
ン酸、臭化水素酸、リン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸ト
リクレシル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種
以上を含む溶液を用いて溝の形状を整えるための処理を
行い、次いで、その溝の部分に選択的に導波部分を形成
することを特徴とする。
【０００７】前記のような目的を達成するために、本発
明では、あらかじめ導波路を形成する部分に溝を物理的
エッチング等の手法を用いて形成し、その溝部の側面及
び底面をリン酸、臭化水素酸、あるいはリン酸と同等の
効果を有するリン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸トリクレ
シル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種以上を
含む溶液により処理することにより物理的エッチングに
よってもたらされた側壁への付着物あるいは歪みを除去
し、もって滑らかで凹凸のないかつ歪みのない溝部を形
成し、その溝部にのみ導波部を選択的にエピタキシャル
成長するためのマスク材で成長部以外を被覆したままエ
ピタキシャル成長を実施することによって低損失のガー
ネット導波路を提供できることを特徴とする。
明では、あらかじめ導波路を形成する部分に溝を物理的
エッチング等の手法を用いて形成し、その溝部の側面及
び底面をリン酸、臭化水素酸、あるいはリン酸と同等の
効果を有するリン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸トリクレ
シル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種以上を
含む溶液により処理することにより物理的エッチングに
よってもたらされた側壁への付着物あるいは歪みを除去
し、もって滑らかで凹凸のないかつ歪みのない溝部を形
成し、その溝部にのみ導波部を選択的にエピタキシャル
成長するためのマスク材で成長部以外を被覆したままエ
ピタキシャル成長を実施することによって低損失のガー
ネット導波路を提供できることを特徴とする。
【０００８】また、当然にこれらの溶液を複数含む溶液
あるいはこれら溶液以外の溶液を含む溶液をもって溝部
の処理を行うのは、本発明の領域に含まれる。更に、選
択的に導波部を成長させるためのマスク材としては、高
融点の材料であれば、ほとんどの材料が使用可能であ
り、これを特定する必要はない。
あるいはこれら溶液以外の溶液を含む溶液をもって溝部
の処理を行うのは、本発明の領域に含まれる。更に、選
択的に導波部を成長させるためのマスク材としては、高
融点の材料であれば、ほとんどの材料が使用可能であ
り、これを特定する必要はない。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例について説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００１０】実施例１ 図１は、本発明によるガーネット膜導波路の製造方法の
一例を示す工程図であり、符号１〜４及び７は図２と同
義、５はリン酸等の溶液、６は選択的に成長した導波部
ガーネットである。まず、例えばガドリニウムガリウム
ガーネット〔ＧＧＧ基板（１１１）方向〕上にクラッド
層となるべきやや屈折率が導波部より小さく制御された
イットリウム鉄ガーネット膜を液層エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ法）により、約５μｍの厚さに形成した。次
に溝部を形成するため、及び導波部を選択的に成長させ
るための窒化シリコンからなるマスク材を形成した後、
イオンビームによりガーネット膜の加工を行い、導波部
を形成するための溝部を形成した。次に、図１Ｃに示す
様に熱リン酸に基板を浸し、溝部の側面及び底面に再付
着したガーネットの粒子及び歪みの入った部分を除去し
た。この際、窒化シリコンからなるマスク材は残存した
ままである。その後、その窒化シリコンをマスクとし
て、クラッド層に比較してやや屈折率を大きく制御した
導波部となるべきイットリウム鉄ガーネット膜をＬＰＥ
成長法により、約５μｍの厚さに形成した。この際、ガ
ーネット膜は窒化シリコンで覆われていない部分すなわ
ち溝部にのみ選択的に成長する。その後、窒化シリコン
を除去し、最後に、上部クラッド層を前述のクラッド層
と同様の方法で形成して埋め込み型のイットリウム鉄ガ
ーネット膜導波路を形成した（図１Ｅ）。線幅４μｍの
導波路の伝搬損失を測定したところ、０．２ｄＢ／ｃｍ
以下の低損失であり、極めて滑らかな側壁及び底面を有
する導波路が形成されていることが分かった。
一例を示す工程図であり、符号１〜４及び７は図２と同
義、５はリン酸等の溶液、６は選択的に成長した導波部
ガーネットである。まず、例えばガドリニウムガリウム
ガーネット〔ＧＧＧ基板（１１１）方向〕上にクラッド
層となるべきやや屈折率が導波部より小さく制御された
イットリウム鉄ガーネット膜を液層エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ法）により、約５μｍの厚さに形成した。次
に溝部を形成するため、及び導波部を選択的に成長させ
るための窒化シリコンからなるマスク材を形成した後、
イオンビームによりガーネット膜の加工を行い、導波部
を形成するための溝部を形成した。次に、図１Ｃに示す
様に熱リン酸に基板を浸し、溝部の側面及び底面に再付
着したガーネットの粒子及び歪みの入った部分を除去し
た。この際、窒化シリコンからなるマスク材は残存した
ままである。その後、その窒化シリコンをマスクとし
て、クラッド層に比較してやや屈折率を大きく制御した
導波部となるべきイットリウム鉄ガーネット膜をＬＰＥ
成長法により、約５μｍの厚さに形成した。この際、ガ
ーネット膜は窒化シリコンで覆われていない部分すなわ
ち溝部にのみ選択的に成長する。その後、窒化シリコン
を除去し、最後に、上部クラッド層を前述のクラッド層
と同様の方法で形成して埋め込み型のイットリウム鉄ガ
ーネット膜導波路を形成した（図１Ｅ）。線幅４μｍの
導波路の伝搬損失を測定したところ、０．２ｄＢ／ｃｍ
以下の低損失であり、極めて滑らかな側壁及び底面を有
する導波路が形成されていることが分かった。
【００１１】その後、熱リン酸処理を行わなかった溝部
も含めて、ＬＰＥ法によりイットリウムの一部をランタ
ンに、鉄の一部をガリウムに置換した導波路層を形成し
て導波損失を調べたところ、リン酸等での処理を行った
導波路は〜０．２ｄＢ／ｃｍの低損失導波路であった
が、リン酸等での処理行わなかった溝に形成した導波路
では、＞１０ｄＢ／ｃｍと損失が大きく、リン酸等での
処理の効果が確認できた。なお、本方法により、線幅１
μｍの導波路まで伝搬損失の測定が可能であり、その値
は〜１．２ｄＢ／ｃｍであった。また、その実際のパタ
ーン幅は導波路の底面で０．７μｍ、上部で１．１μｍ
であった。このことから、本方法が、導波路のパターン
幅の制御性を優れることが確認できた。
も含めて、ＬＰＥ法によりイットリウムの一部をランタ
ンに、鉄の一部をガリウムに置換した導波路層を形成し
て導波損失を調べたところ、リン酸等での処理を行った
導波路は〜０．２ｄＢ／ｃｍの低損失導波路であった
が、リン酸等での処理行わなかった溝に形成した導波路
では、＞１０ｄＢ／ｃｍと損失が大きく、リン酸等での
処理の効果が確認できた。なお、本方法により、線幅１
μｍの導波路まで伝搬損失の測定が可能であり、その値
は〜１．２ｄＢ／ｃｍであった。また、その実際のパタ
ーン幅は導波路の底面で０．７μｍ、上部で１．１μｍ
であった。このことから、本方法が、導波路のパターン
幅の制御性を優れることが確認できた。
【００１２】実施例２ 実施例１で示したガーネット導波路製造方法を用いて、
イットリウム鉄ガーネットのイットリウムの一部をビス
マスあるいは希土類元素に、鉄の一部をガリウムあるい
はアルミに置換したガーネット膜で導波路を形成して、
上部クラッド層まで形成した後、線幅３μｍの導波路に
ついて導波損失の測定を行った。この際、溝部の処理に
対して、リン酸の代りに臭化水素酸を使用し、マスク材
として窒化シリコンの代りに白金あるいはイリジウムを
使用した。その結果を、下記表１に示す。
イットリウム鉄ガーネットのイットリウムの一部をビス
マスあるいは希土類元素に、鉄の一部をガリウムあるい
はアルミに置換したガーネット膜で導波路を形成して、
上部クラッド層まで形成した後、線幅３μｍの導波路に
ついて導波損失の測定を行った。この際、溝部の処理に
対して、リン酸の代りに臭化水素酸を使用し、マスク材
として窒化シリコンの代りに白金あるいはイリジウムを
使用した。その結果を、下記表１に示す。
【００１３】
【表１】 表１ 各ガーネット膜導波路の損失 イットリウムを置換する元素 導波損失（ｄＢ／ｃｍ） ビスマス ＜０．３ ランタン ＜０．３ ガドリニウム ＜０．２ ルテチウム ＜０．２
【００１４】表１から分かるように、本発明による導波
路の製造方法により、各種磁性ガーネット膜で十分低損
失の導波路を形成することができる。また、希土類の中
でセリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユ
ーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムが適宜混合
された原料を用いて作製したガーネット膜についても、
０．３ｄＢ／ｃｍ以下の低損失を得た。なお、鉄の一部
を置換していないガーネット膜についても損失が０．４
ｄＢ／ｃｍ以下であろうことは容易に類推できる。
路の製造方法により、各種磁性ガーネット膜で十分低損
失の導波路を形成することができる。また、希土類の中
でセリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユ
ーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムが適宜混合
された原料を用いて作製したガーネット膜についても、
０．３ｄＢ／ｃｍ以下の低損失を得た。なお、鉄の一部
を置換していないガーネット膜についても損失が０．４
ｄＢ／ｃｍ以下であろうことは容易に類推できる。
【００１５】実施例３ 実施例１で示したガーネット膜導波路の製造方法に対し
て、熱リン酸の代りにリン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸
トリクレシル、リン酸トリフェニルを適用してその効果
を調べた。その結果を表２に示す。
て、熱リン酸の代りにリン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸
トリクレシル、リン酸トリフェニルを適用してその効果
を調べた。その結果を表２に示す。
【００１６】
【表２】 表２ リン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸トリクレシル、リン酸 トリフェニル 有機溶媒の種類 導波損失（ｄＢ／ｃｍ） 溝部の凹凸（μｍ） リン酸トリ−ｎ−ブチル ０．３ ＜０．０８ リン酸トリクレシル ０．２ ＜０．０７ リン酸トリフェニル ０．４ ＜０．０７ 無 処 理 ＞４０ ＞１．２
【００１７】表２から分かるように、これら有機溶媒が
溝部の平滑化に十分な効果を持つことが確認できた。
溝部の平滑化に十分な効果を持つことが確認できた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガーネット膜導波路の製造方法において、リン酸、臭化
水素酸、リン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸トリクレシ
ル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種以上の有
機溶媒を含む溶液により、あらかじめ導波部を形成する
ために形成した溝の側面及び底面を処理して、選択的に
溝部に導波部を成長すれば容易に低損失の導波路を形成
でき、ガーネット膜を用いたデバイスの作製が容易にな
り、産業上の利点が大きいものである。
ガーネット膜導波路の製造方法において、リン酸、臭化
水素酸、リン酸トリ−ｎ−ブチル、リン酸トリクレシ
ル、リン酸トリフェニルの中から選ばれた一種以上の有
機溶媒を含む溶液により、あらかじめ導波部を形成する
ために形成した溝の側面及び底面を処理して、選択的に
溝部に導波部を成長すれば容易に低損失の導波路を形成
でき、ガーネット膜を用いたデバイスの作製が容易にな
り、産業上の利点が大きいものである。
【図１】本発明によるガーネット導波路製造方法の一例
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図２】従来のガーネット導波路の製造方法を示す工程
図である。
図である。
１：基板、２：クラッド部のガーネット膜、３：マスク
材、４：ガーネットの凹凸、５：リン酸等の溶液、６：
選択的に成長した導波部ガーネット、７：２と同様のク
ラッド部となるガーネット膜、８：導波部を形成するた
めのガーネット膜
材、４：ガーネットの凹凸、５：リン酸等の溶液、６：
選択的に成長した導波部ガーネット、７：２と同様のク
ラッド部となるガーネット膜、８：導波部を形成するた
めのガーネット膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渋川 篤 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−251912（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−106814（ＪＰ，Ａ) 昭和63年電子情報通信学会春季全国大 会講演論文集（Ｃ−１），ｐ．１−115 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏ ｌ．52（９），29 Ｆｅｂｒｕａｒｙ 1988，ｐｐ．682−684 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 G02F 1/00 - 1/125 H01F 10/00 - 10/30
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式Ｒ3 Ｆｅ5 Ｏ12で示される磁性ガ
ーネット膜、又は該ガーネットの酸素以外の構成元素の
一部を等価な価数を有する一種以上の元素で置き換えた
置換型ガーネット膜で形成される導波路の製造方法にお
いて、導波部分を形成する前工程として、イオンビーム
によりあらかじめ所望の幅と深さを有する溝を形成し、
次に、リン酸、臭化水素酸、リン酸トリ−ｎ−ブチル、
リン酸トリクレシル、リン酸トリフェニルの中から選ば
れた一種以上を含む溶液を用いて溝の形状を整えるため
の処理を行い、次いで、その溝の部分に選択的に導波部
分を形成することを特徴とするガーネット導波路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2596792A JP3050340B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | ガーネット導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2596792A JP3050340B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | ガーネット導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196829A JPH05196829A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3050340B2 true JP3050340B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=12180503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2596792A Expired - Fee Related JP3050340B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | ガーネット導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050340B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100738802B1 (ko) * | 2006-05-15 | 2007-07-12 | 인하대학교 산학협력단 | 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자 및 자기 광학소자의 선택적 포화 자화 방법 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP2596792A patent/JP3050340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５２（９），２９ Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９８８，ｐｐ．６８２−６８４ |
| 昭和６３年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集（Ｃ−１），ｐ．１−１１５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05196829A (ja) | 1993-08-06 |
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