JP3046931B2 - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

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JP3046931B2
JP3046931B2 JP24756695A JP24756695A JP3046931B2 JP 3046931 B2 JP3046931 B2 JP 3046931B2 JP 24756695 A JP24756695 A JP 24756695A JP 24756695 A JP24756695 A JP 24756695A JP 3046931 B2 JP3046931 B2 JP 3046931B2
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protective film
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置お
よびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶表示装置には、画素電極,非
線形素子の薄膜トランジスタおよびブラックマトリクス
等を形成したTFT基板と、このTFT基板と液晶を挟
んで対向配置され対向電極を形成した対向基板とを備え
たものがある。この従来の液晶表示装置のTFT基板の
製造方法について、図5を用いて説明する。
2. Description of the Related Art A conventional liquid crystal display device includes a TFT substrate on which a pixel electrode, a thin film transistor of a non-linear element, a black matrix and the like are formed, and a counter substrate on which the TFT substrate and a liquid crystal are interposed to form a counter electrode. Some have. A method for manufacturing a TFT substrate of this conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIG.

【0003】まず、絶縁性透明基板1上に、ゲート電極
2をパターン形成する(図5(a))。次に、ゲート絶
縁膜3,シリコン半導体層4およびチャネル保護膜5を
成膜し、ゲート電極2上のチャネル保護膜5をパターニ
ングする。次に、リンなどの不純物を含むn+ シリコン
膜(図示せず)を形成し、このn+ シリコン膜およびシ
リコン半導体層4をパターニングする(図5(b))。
First, a gate electrode 2 is patterned on an insulating transparent substrate 1 (FIG. 5A). Next, a gate insulating film 3, a silicon semiconductor layer 4, and a channel protective film 5 are formed, and the channel protective film 5 on the gate electrode 2 is patterned. Next, an n + silicon film (not shown) containing an impurity such as phosphorus is formed, and the n + silicon film and the silicon semiconductor layer 4 are patterned (FIG. 5B).

【0004】次に、画素電極6としてITO透明導電膜
を成膜しパターン形成した後、ソース・ドレイン電極7
をパターン形成する。次に、絶縁保護膜8となるSiN
X 膜を成膜しパターン形成して、画素電極6が露出し、
ソース電極7およびゲート電極2の延長端部の実装電極
部が露出された構成を得る(図5(c))。最後に、遮
光層として黒色レジストのパターン形成によりブラック
マトリクス9を形成し、TFT基板が完成する(図5
(d))。
Next, after forming a transparent conductive film of ITO as a pixel electrode 6 and forming a pattern, a source / drain electrode 7 is formed.
Is patterned. Next, SiN to be the insulating protective film 8
An X film is formed and patterned to expose the pixel electrode 6,
A configuration is obtained in which the mounting electrode portions at the extended ends of the source electrode 7 and the gate electrode 2 are exposed (FIG. 5C). Finally, a black matrix 9 is formed by forming a pattern of a black resist as a light shielding layer, and the TFT substrate is completed (FIG. 5).
(D)).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶表示装
置は、画素電極6にITO、ゲート電極2およびソース
・ドレイン電極7にAlもしくはAl化合物が用いら
れ、図5(c)に示すように、絶縁保護膜8をパターン
形成して、画素電極6と、ゲート電極2およびソース電
極7の延長端部の実装電極部(ゲート電極2の延長端部
の実装電極部は図示せず)とを露出した後、図5(d)
に示すように、ブラックマトリクス9を形成している。
ブラックマトリクス9は黒色レジストをパターン形成し
ているが、黒色レジストのような感光性着色レジストを
用い、フォトプロセスでパターン形成すると、現像液が
電解液となってITOとAl間で電池反応が生じ、透明
のITOが還元して画素電極6が着色されたり、Alの
腐食が生じるという問題があった。
In the above-mentioned conventional liquid crystal display device, ITO is used for the pixel electrode 6 and Al or an Al compound is used for the gate electrode 2 and the source / drain electrode 7, as shown in FIG. The insulating protection film 8 is formed by patterning, and the pixel electrode 6 and the mounting electrode portions at the extended ends of the gate electrode 2 and the source electrode 7 (the mounting electrode portions at the extended ends of the gate electrode 2 are not shown). After exposure, FIG.
The black matrix 9 is formed as shown in FIG.
The black matrix 9 is formed by patterning a black resist. When a photosensitive colored resist such as a black resist is used and a pattern is formed by a photo process, a developing solution becomes an electrolytic solution and a battery reaction occurs between ITO and Al. In addition, there is a problem that the transparent ITO is reduced and the pixel electrode 6 is colored, and corrosion of Al occurs.

【0006】また、ネガ型の感光基を有する黒色レジス
トでは、ブラックマトリクス9のパターン加工におい
て、厚膜の黒色レジストに光が進入し難く、膜中に均一
な光架橋が得られないことから、現像後のブラックマト
リクス9のパターン形状が所望の形状でなくなるという
問題があった。この発明の第1の目的は、ブラックマト
リクス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素
子に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できる
液晶表示装置およびその製造方法を提供することであ
る。
In the case of a black resist having a negative photosensitive group, light hardly penetrates into a thick black resist in pattern processing of the black matrix 9 and uniform photocrosslinking cannot be obtained in the film. There is a problem that the pattern shape of the black matrix 9 after development is not a desired shape. A first object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing a battery reaction between a pixel electrode and a conductive layer for supplying a signal to a non-linear element when a light shielding layer such as a black matrix is formed, and a method of manufacturing the same. It is.

【0007】この発明の第2の目的は、ブラックマトリ
クス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素子
に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できると
ともに、ブラックマトリクス等の遮光層を所望の形状に
形成できる液晶表示装置の製造方法を提供することであ
る。
A second object of the present invention is to prevent a battery reaction between a pixel electrode and a conductive layer for supplying a signal to a non-linear element when a light shielding layer such as a black matrix is formed, and to prevent a light shielding layer such as a black matrix from being formed. Is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which can form a liquid crystal in a desired shape.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の液晶表示
装置は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板
が、絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非
線形素子に信号を供給する導電体層を形成し、画素電極
および導電体層の実装部分を除く領域を覆うように絶縁
保護膜を形成し、絶縁保護膜上の全面に透明のレジスト
を着色してなる遮光層を形成したことを特徴とする。し
たがって、絶縁保護膜と遮光層とは略同一形状であり、
遮光層形成後に、遮光層をマスクとして基板全面に形成
した絶縁保護膜をエッチングして画素電極および導電体
層の実装部分を露出させることができ、遮光層のパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。また、遮光層のパターン形成を、透明のレジス
トを着色する前に行うことにより、厚膜のレジストでも
光が進入し易く、所望のパターン形状を得ることができ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device, wherein one of two substrates sandwiching a liquid crystal layer has a pixel electrode, a non-linear element, and a signal applied to the non-linear element on an insulating substrate. A conductive layer for supplying the conductive layer, an insulating protective film is formed so as to cover a region excluding a mounting portion of the pixel electrode and the conductive layer, and a transparent resist is formed on the entire surface of the insulating protective film.
Is characterized in that a light-shielding layer formed by coloring is formed. Therefore, the insulating protective film and the light-shielding layer have substantially the same shape,
After forming the light-shielding layer, the insulating protective film formed on the entire surface of the substrate can be etched using the light-shielding layer as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrode and the conductive layer. In addition, since the conductive layer is covered, a battery reaction between the pixel electrode and the conductive layer can be prevented. Also, the pattern formation of the light-shielding layer is performed using a transparent resist.
By performing this before coloring the resist, even thick resist
Light can easily enter, and a desired pattern shape can be obtained.
You.

【0009】請求項2記載の液晶表示装置は、液晶層を
挟持した2つの基板のうち一方の基板が、絶縁性基板上
に画素電極,非線形素子およびこの非線形素子に信号を
供給する導電体層を形成し、画素電極および導電体層の
実装部分を除く領域を覆うように絶縁保護膜を形成し、
絶縁保護膜上の全面に透明導電膜に電着塗料を凝固析出
させてなる遮光層を形成したことを特徴とする。したが
って、絶縁保護膜と遮光層とは略同一形状であり、遮光
層形成後に、遮光層をマスクとして基板全面に形成した
絶縁保護膜をエッチングして画素電極および導電体層の
実装部分を露出させることができ、遮光層のパターン形
成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆って
いるため、画素電極と導電体層との電池反応を防止でき
る。また、遮光層は透明導電膜を用いているため薄膜に
できる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device having a liquid crystal layer.
One of the two substrates sandwiched is on the insulating substrate
The pixel electrode, the nonlinear element, and the signal to this nonlinear element.
Forming a conductive layer to be supplied, and forming a pixel electrode and a conductive layer;
Form an insulating protective film so as to cover the area excluding the mounting part,
Electrodeposition paint solidifies and deposits on the transparent conductive film on the entire surface of the insulating protective film
It is characterized in that a light-shielding layer formed by this is formed. But
Therefore, the insulating protective film and the light shielding layer have substantially the same shape,
After forming the layer, it was formed on the entire surface of the substrate using the light-shielding layer as a mask.
Etch the insulating protective film to remove the pixel electrode and conductive layer.
The mounting part can be exposed and the light shielding layer pattern
At the time of formation, the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer
Battery reaction between the pixel electrode and the conductive layer can be prevented.
You. The light-shielding layer is made of a transparent conductive film,
it can.

【0010】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極,非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極,非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストを着色して遮光層と
する工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチ
ングして画素電極および導電体層の実装部分を露出させ
る工程とを含むことを特徴とする。このように、画素電
極,非線形素子および導電体層を覆う絶縁保護膜上に透
明のレジストを着色して遮光層を形成した後、遮光層を
マスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極およ
び導電体層の実装部分を露出させることにより、遮光層
となる透明のレジストのパターン形成時には絶縁保護膜
が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極
と導電体層との電池反応を防止できる。また、遮光層
は、パターン形成時には、透明のレジストであるため、
厚膜のレジストでも光が進入し易く、所望のパターン形
状を得ることができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a signal to the non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductive layer for supplying the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer, and forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer; A step of forming a transparent resist, a step of coloring the transparent resist to form a light shielding layer, and a step of exposing the pixel electrode and the conductive layer by etching the insulating protective film using the light shielding layer as a mask. It is characterized by including. As described above, after forming a light-shielding layer by coloring a transparent resist on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductor layer, the insulating protective film is etched using the light-shielding layer as a mask to form the pixel electrode and the conductive layer. By exposing the mounting part of the body layer, the battery protection reaction between the pixel electrode and the conductor layer is prevented because the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer when forming the transparent resist pattern that will be the light shielding layer. it can. Also, since the light-shielding layer is a transparent resist at the time of pattern formation,
Light easily enters even a thick resist, and a desired pattern shape can be obtained.

【0011】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極,非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極,非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストをマスクとして絶縁
保護膜をエッチングして画素電極および導電体層の実装
部分を露出させる工程と、透明のレジストを着色して遮
光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを形成し
た後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜をエッ
チングして画素電極および導電体層の実装部分を露出さ
せることにより、遮光層となる透明のレジストのパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。また、遮光層は、パターン形成時には、透明の
レジストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易
く、所望のパターン形状を得ることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a signal to the non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductive layer for supplying the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer, and forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer; Forming a transparent resist, etching the insulating protective film using the transparent resist as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrodes and the conductive layer, and coloring the transparent resist to form a light-shielding layer. And characterized in that: As described above, after forming a transparent resist to be a light-shielding layer by coloring on the insulating protective film covering the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer, the insulating protective film is etched using the transparent resist as a mask to form the pixel electrode. In addition, by exposing the mounting portion of the conductive layer, the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductive layer at the time of forming a transparent resist pattern serving as a light shielding layer, so that the battery reaction between the pixel electrode and the conductive layer is performed. Can be prevented. Further, since the light-shielding layer is a transparent resist at the time of pattern formation, light can easily enter even a thick resist, and a desired pattern shape can be obtained.

【0012】請求項5記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極,非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極,非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて
遮光層とする工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させる工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした後、遮
光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電
極および導電体層の実装部分を露出させることにより、
遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護
膜が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電
極と導電体層との電池反応を防止できる。また、透明導
電膜を用いているため、薄膜の遮光層が得られる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a signal to the non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductive layer for supplying the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer, and forming an insulating protective film on the insulating protective film in a region excluding a mounting portion of the pixel electrode and the conductive layer. Forming a transparent conductive film on the transparent conductive film, solidifying and depositing an electrodeposition paint on the transparent conductive film to form a light-shielding layer, and etching the insulating protective film using the light-shielding layer as a mask to mount the pixel electrode and the conductor layer. And exposing a. As described above, after the transparent conductive film is formed on the insulating protective film covering the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer by the electrodeposition method, the insulating protective film is etched using the light shielding layer as a mask to etch the pixel electrode and the conductive film. By exposing the mounting part of the body layer,
Since the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductive layer when forming the pattern of the transparent conductive film serving as the light shielding layer, a battery reaction between the pixel electrode and the conductive layer can be prevented. Further, since a transparent conductive film is used, a thin light-shielding layer can be obtained.

【0013】請求項6記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極,非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極,非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜をマスクとして絶縁保護膜を
エッチングして画素電極および導電体層の実装部分を露
出させる工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させ
て遮光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよ
うに、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う絶縁
保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明導電
膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極
および導電体層の実装部分を露出させた後、透明導電膜
を電着法により遮光層とすることにより、遮光層となる
透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極
および導電体層を覆っているため、画素電極と導電体層
との電池反応を防止できる。また、透明導電膜を用いて
いるため、薄膜の遮光層が得られる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a signal to the non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductive layer for supplying the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer, and forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductive layer; Forming a transparent conductive film on the substrate, etching the insulating protective film using the transparent conductive film as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrodes and the conductive layer, and solidifying and depositing an electrodeposition paint on the transparent conductive film. Forming a light shielding layer. As described above, the transparent conductive film is patterned on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductive layer, and the insulating protective film is etched using the transparent conductive film as a mask to mount the pixel electrode and the conductive layer. After exposing the portion, the transparent conductive film is formed into a light-shielding layer by an electrodeposition method, so that when the pattern of the transparent conductive film serving as the light-shielding layer is formed, the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer. A battery reaction between the electrode and the conductor layer can be prevented. Further, since a transparent conductive film is used, a thin light-shielding layer can be obtained.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】〔発明の実施の形態の基礎となる
提案例〕 まず、発明の実施の形態を説明する前にその基礎となる
提案例 について、図1を参照しながら説明する。図1は
提案例の液晶表示装置におけるTFT基板の製造方法を
示す工程順断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [ Embodiment of the Invention
Proposal example] First, before explaining the embodiment of the invention,
A proposal example will be described with reference to FIG. Figure 1
It is a process order sectional view showing a manufacturing method of a TFT substrate in a liquid crystal display of a proposal example .

【0015】従来例同様に、絶縁性透明基板1上に、ゲ
ート電極2,ゲート絶縁膜3,シリコン半導体層4,チ
ャネル保護膜5,n+ シリコン膜(図示せず),画素電
極6,ソース・ドレイン電極7を順次形成して、画素電
極6および非線形素子のTFTを完成した後、絶縁保護
膜8として例えばSiNX 膜を基板全面に製膜する(図
1(a))。
As in the conventional example, a gate electrode 2, a gate insulating film 3, a silicon semiconductor layer 4, a channel protective film 5, an n + silicon film (not shown), a pixel electrode 6, and a source After the drain electrode 7 is sequentially formed and the pixel electrode 6 and the TFT of the non-linear element are completed, for example, a SiN x film is formed as an insulating protective film 8 on the entire surface of the substrate (FIG. 1A).

【0016】次に、ネガ型の感光性を有する黒色レジス
トを用いてパターン形成を施しブラックマトリクス(遮
光層)9を形成する(図1(b))。次に、ブラックマ
トリクス9をマスクとして、画素電極6上やソース電極
7およびゲート電極2の延長端部の実装電極部上の絶縁
保護膜8をSF系ガスでドライエッチングにて除去し、
各電極を露出させる(図1(c))。このようにして絶
縁保護膜8上の全面にブラックマトリクス9が形成さ
れ、絶縁保護膜8とブラックマトリクス9とがほぼ同一
形状となったTFT基板が完成する。
Next, a black matrix (light shielding layer) 9 is formed by forming a pattern using a black resist having negative photosensitivity (FIG. 1B). Next, using the black matrix 9 as a mask, the insulating protective film 8 on the pixel electrode 6 and on the mounting electrode portion at the extended end of the source electrode 7 and the gate electrode 2 is removed by dry etching with SF-based gas,
Each electrode is exposed (FIG. 1 (c)). In this way, the black matrix 9 is formed on the entire surface of the insulating protective film 8, and a TFT substrate in which the insulating protective film 8 and the black matrix 9 have substantially the same shape is completed.

【0017】この提案例によれば、ブラックマトリクス
9のパターン形成時には、その下の絶縁保護膜8が基板
全面を覆っているため、ブラックマトリクス9の現像液
が画素電極6やソース電極7およびゲート電極2と接触
せず、画素電極6のITOとソース電極7およびゲート
電極2のAl等との電池反応は起きない。したがって、
透明なITOの還元による画素電極6の黒化や、ソース
電極7およびゲート電極2のAlの腐食を防止できる。
また、ブラックマトリクス9を絶縁保護膜8のエッチン
グマスクとすることにより、工程の削減が可能になる。
According to this proposed example , when the pattern of the black matrix 9 is formed, the insulating protective film 8 thereunder covers the entire surface of the substrate, so that the developing solution of the black matrix 9 uses the pixel electrode 6, the source electrode 7, and the gate. No battery reaction occurs between the ITO of the pixel electrode 6 and the Al and the like of the source electrode 7 and the gate electrode 2 without contact with the electrode 2. Therefore,
Blackening of the pixel electrode 6 due to reduction of the transparent ITO and corrosion of Al of the source electrode 7 and the gate electrode 2 can be prevented.
Further, by using the black matrix 9 as an etching mask for the insulating protection film 8, the number of steps can be reduced.

【0018】[0018]

【0019】〔第1の実施の形態〕 つぎに、この発明の第1の実施の形態について、図2を
参照しながら説明する。図2はこの発明の第1の実施の
形態の液晶表示装置におけるTFT基板の製造方法を示
す工程順断面図である。提案例と同様に、画素電極6お
よびTFTを完成した後、基板全面に絶縁保護膜8を製
膜する。その後、ブラックマトリクス(遮光層)9Aの
材料として例えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感
光性を有する無色透明のレジスト9aを用いてパターン
形成を施す(図2(a))。
[ First Embodiment] Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a TFT substrate in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention in the order of steps. After completing the pixel electrode 6 and the TFT as in the proposed example , an insulating protective film 8 is formed on the entire surface of the substrate. Thereafter, a pattern is formed using a colorless and transparent resist 9a having negative photosensitivity such as casein or gelatin as a material of the black matrix (light shielding layer) 9A (FIG. 2A).

【0020】次に、無色透明のレジスト9aを染色法に
より黒色に着色してブラックマトリクス9Aを形成する
(図2(b))。この際、黒色になれば単色染めでも多
色重ね染めでも良い。次に、ブラックマトリクス9Aを
マスクとして、画素電極6上やソース電極7およびゲー
ト電極2の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜8を、
提案例と同様にエッチング除去し、各電極を露出させる
ことで、絶縁保護膜8とブラックマトリクス9Aとがほ
ぼ同一形状となったTFT基板が完成する(図2
(c))。
Next, the colorless and transparent resist 9a is colored black by a dyeing method to form a black matrix 9A (FIG. 2B). At this time, as long as the color becomes black, single color dyeing or multi-color dyeing may be used. Next, using the black matrix 9A as a mask, the insulating protective film 8 on the pixel electrode 6 and on the mounting electrode portion at the extended end of the source electrode 7 and the gate electrode 2 is formed.
By etching and removing each electrode in the same manner as in the proposed example, a TFT substrate in which the insulating protective film 8 and the black matrix 9A have substantially the same shape is completed (FIG. 2).
(C)).

【0021】この第1の実施の形態においても、着色し
てブラックマトリクス9Aとなる無色透明のレジスト9
aのパターン形成時には、その下の絶縁保護膜8が基板
全面を覆っているため、提案例と同様の効果が得られ、
また、ブラックマトリクス9Aを絶縁保護膜8のエッチ
ングマスクとすることによる工程の削減も同様である。
Also in the first embodiment, a colorless and transparent resist 9 which is colored to form a black matrix 9A is provided.
When the pattern a is formed, the insulating protective film 8 thereunder covers the entire surface of the substrate, so that the same effect as the proposed example can be obtained.
The same applies to the reduction in the number of steps by using the black matrix 9A as an etching mask for the insulating protective film 8.

【0022】さらに、無色透明のレジスト9aを用いて
いるため、厚膜のレジスト9aでも光が進入し易く、所
望のパターン形状のブラックマトリクス9Aを得ること
ができる。 〔第2の実施の形態〕 つぎに、この発明の第2の実施の形態について、図3を
参照しながら説明する。図3はこの発明の第2の実施の
形態の液晶表示装置におけるTFT基板の製造方法を示
す工程順断面図である。
Further, since the colorless and transparent resist 9a is used, light easily enters even with the thick resist 9a, and a black matrix 9A having a desired pattern shape can be obtained. [ Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a TFT substrate in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention in the order of steps.

【0023】第1の実施の形態と同様に、画素電極6お
よびTFTを完成した後、基板全面に絶縁保護膜8を製
膜し、その後、ブラックマトリクス9Aの材料として例
えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感光性を有する
無色透明のレジスト9aを用いてパターン形成を施す
(図3(a))。次に、無色透明のレジスト9aをマス
クとして、画素電極6上やソース電極7およびゲート電
極2の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜8をエッチ
ング除去して各電極を露出させる(図3(b))。この
とき、絶縁保護膜8と無色透明のレジスト9aとがほぼ
同一形状となる。
As in the first embodiment, after the pixel electrode 6 and the TFT are completed, an insulating protective film 8 is formed on the entire surface of the substrate, and then, as a material of the black matrix 9A, a negative electrode such as casein or gelatin is used. A pattern is formed using a colorless and transparent resist 9a having a mold type photosensitivity (FIG. 3A). Next, using the colorless and transparent resist 9a as a mask, the insulating protective film 8 on the pixel electrode 6 and on the mounting electrode portion at the extended end of the source electrode 7 and the gate electrode 2 is removed by etching to expose each electrode (FIG. 3 (b)). At this time, the insulating protective film 8 and the colorless and transparent resist 9a have substantially the same shape.

【0024】その後、無色透明のレジスト9aを、第1
の実施の形態同様、染色法により黒色に着色することで
ブラックマトリクス9Aを形成して、TFT基板が完成
する(図3(c))。この第2の実施の形態によれば、
第1の実施の形態と同様の効果が得られる。 〔第3の実施の形態〕 つぎに、この発明の第3の実施の形態について、図4を
参照しながら説明する。図4はこの発明の第3の実施の
形態の液晶表示装置におけるTFT基板の製造方法を示
す工程順断面図である。
Thereafter, a colorless and transparent resist 9a is applied to the first resist .
Similarly to the embodiment, the black matrix 9A is formed by coloring in black by the dyeing method, and the TFT substrate is completed (FIG. 3C). According to the second embodiment,
The same effect as in the first embodiment can be obtained. Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a sectional view in the order of steps showing a method for manufacturing a TFT substrate in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【0025】第1の実施の形態と同様に、画素電極6お
よびTFTを完成した後、基板全面に絶縁保護膜8を製
膜する。その後、ブラックマトリクス(遮光層)9Bの
材料として、まずITOからなる透明導電膜9bをマト
リクス状にパターン形成する(図4(a))。次に、透
明導電膜9bに所定の分光特性を有する電着塗料を凝固
析出させて着色したブラックマトリクス9Bを形成する
(図4(b))。具体的には、黒色顔料と高分子樹脂を
有する電着塗料を入れた電着槽にTFTアレイを浸漬
し、透明導電膜9bに陽極を印加することで、透明導電
膜9b上に黒色樹脂粒子を析出させて反射防止膜を設け
る。その後、析出した反射防止膜を乾燥により熱架橋さ
せ、焼成・非導電化させてブラックマトリクス9Bとす
るものである。
After completing the pixel electrode 6 and the TFT as in the first embodiment, an insulating protective film 8 is formed on the entire surface of the substrate. Thereafter, as a material of the black matrix (light shielding layer) 9B, first, a transparent conductive film 9b made of ITO is patterned and formed in a matrix (FIG. 4A). Next, an electrodeposition coating material having a predetermined spectral characteristic is coagulated and deposited on the transparent conductive film 9b to form a colored black matrix 9B (FIG. 4B). Specifically, the TFT array is immersed in an electrodeposition bath containing an electrodeposition coating material having a black pigment and a polymer resin, and an anode is applied to the transparent conductive film 9b, so that the black resin particles are formed on the transparent conductive film 9b. Is deposited to provide an antireflection film. Thereafter, the deposited anti-reflection film is thermally crosslinked by drying, and is baked and rendered non-conductive to form a black matrix 9B.

【0026】次に、ブラックマトリクス9Bをマスクと
して、画素電極6上やソース電極7およびゲート電極2
の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜8を、第1の実
施の形態同様にエッチング除去し、各電極を露出させる
ことで、絶縁保護膜8とブラックマトリクス9Bとがほ
ぼ同一形状となったTFT基板が完成する(図4
(c))。
Next, using the black matrix 9B as a mask, the pixel electrode 6 and the source electrode 7 and the gate electrode 2
The insulating protective film 8 on the mounting electrode portion at the extended end of the above is etched away in the same manner as in the first embodiment to expose each electrode, so that the insulating protective film 8 and the black matrix 9B have substantially the same shape. Completed TFT substrate (Fig. 4
(C)).

【0027】この第3の実施の形態によれば、ブラック
マトリクス9Bとなる透明導電膜9bのパターン形成時
には、その下の絶縁保護膜8が基板全面を覆っているた
め、提案例と同様の効果が得られ、また、ブラックマト
リクス9Bを絶縁保護膜8のエッチングマスクとするこ
とによる工程の削減も同様である。また、透明導電膜9
bを用いているため、薄膜のブラックマトリクス9Bを
得ることができる。なお、透明導電膜9bはITOに限
らず有機導電膜でもよい。
According to the third embodiment, since the pattern formation of the transparent conductive film 9b as a black matrix 9B, an insulating protective film 8 thereunder covers the entire surface of the substrate, proposed examples and a similar effect The same applies to the reduction of the steps by using the black matrix 9B as an etching mask for the insulating protective film 8. Also, the transparent conductive film 9
Since b is used, a thin black matrix 9B can be obtained. The transparent conductive film 9b is not limited to ITO but may be an organic conductive film.

【0028】なお、第3の実施の形態では、透明導電膜
9bを着色した後、絶縁保護膜8をエッチングして各電
極を露出させたが、着色していない透明導電膜9bをマ
スクとして絶縁保護膜8をエッチングし各電極を露出さ
せた後、透明導電膜9bを着色しても同様の効果が得ら
れる。この場合、ソースとゲートがショートしない工夫
をしておけばよい。
In the third embodiment, after the transparent conductive film 9b is colored, the insulating protective film 8 is etched to expose each electrode, but the uncolored transparent conductive film 9b is used as a mask for insulating. After etching the protective film 8 to expose each electrode, the same effect can be obtained by coloring the transparent conductive film 9b. In this case, the source and the gate may be designed so as not to be short-circuited.

【0029】なお、上記の実施の形態では、遮光層パタ
ーンとしてブラックマトリクス9,9A,9Bを明示し
たが、その限りでなく、ブラックストライプでもよい。
また、上記の実施の形態では、画素電極6にITOを、
ソース電極7およびゲート電極2の配線金属材にAlも
しくはAl化合物を用いた電池反応について述べている
が、画素電極材や配線金属材との間での電池反応はIT
OやAlに限らない。したがって、他の金属間でも生じ
得ることは言うまでもなく、この発明の電池反応抑制効
果は有効である。
In the above embodiment, the black matrices 9, 9A and 9B are clearly shown as the light-shielding layer patterns. However, the present invention is not limited to this, and black stripes may be used.
In the above embodiment, ITO is used for the pixel electrode 6,
Although the battery reaction using Al or an Al compound as the wiring metal material of the source electrode 7 and the gate electrode 2 is described, the battery reaction between the pixel electrode material and the wiring metal material is IT.
Not limited to O and Al. Therefore, it is needless to say that the effect of suppressing the battery reaction of the present invention is effective even between other metals.

【0030】さらに、上記の実施の形態において、非線
形素子としてTFTを用いた場合について詳細な説明を
したが、この発明はMIMやダイオード等の非線形素子
を用いた液晶表示装置にも有効である。
Further, in the above embodiment, the case where a TFT is used as a nonlinear element has been described in detail, but the present invention is also effective for a liquid crystal display device using a nonlinear element such as an MIM or a diode.

【0031】[0031]

【発明の効果】請求項1記載の液晶表示装置は、液晶層
を挟持した2つの基板のうち一方の基板の絶縁保護膜上
の全面に遮光層を形成したことにより、絶縁保護膜と遮
光層とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層を
マスクとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチン
グして画素電極および導電体層の実装部分を露出させる
ことができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が
画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極と
導電体層との電池反応を防止できる。また、遮光層は透
明のレジストを着色してなるため、遮光層のパターン形
成を、透明のレジストを着色する前に行うことにより、
厚膜のレジストでも光が進入し易く、所望のパターン形
状を得ることができる。
According to the liquid crystal display device of the present invention, the light-shielding layer is formed on the entire surface of the insulating protective film of one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer, so that the insulating protective film and the light-shielding layer are formed. After the light-shielding layer is formed, the insulating protection film formed on the entire surface of the substrate is etched using the light-shielding layer as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrodes and the conductive layers. Since the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer at the time of formation, a battery reaction between the pixel electrode and the conductor layer can be prevented. The light-shielding layer is transparent.
Since the light resist is colored, the pattern of the light-shielding layer
By performing the formation before coloring the transparent resist,
Light easily penetrates even with thick resist, and the desired pattern shape
Shape can be obtained.

【0032】請求項2記載の液晶表示装置は、液晶層を
挟持した2つの基板のうち一方の基板の絶縁保護膜上の
全面に遮光層を形成したことにより、絶縁保護膜と遮光
層とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層をマ
スクとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチング
して画素電極および導電体層の実装部分を露出させるこ
とができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が画
素電極および導電体層を覆っているため、画素電極と導
電体層との電池反応を防止できる。また、遮光層は透明
導電膜に電着塗料を凝固析出させてなり、透明導電膜を
用いているため薄膜にできる。
In the liquid crystal display device according to the second aspect , the liquid crystal layer is
On the insulating protective film of one of the two substrates sandwiched
By forming a light-shielding layer on the entire surface, insulation protection film and light-shielding
The light-shielding layer has substantially the same shape as the light-shielding layer.
Etch the insulating protective film formed on the entire surface of the substrate as a mask
To expose the mounting parts of the pixel electrode and the conductive layer.
When forming a light-shielding layer pattern, an insulating protective film is
Since the pixel electrode and the conductor layer are covered,
The battery reaction with the electric conductor layer can be prevented. The light shielding layer is transparent
The electrodeposition paint is coagulated and deposited on the conductive film to form a transparent conductive film.
Because it is used, it can be made into a thin film.

【0033】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明のレジストを着色して遮光層を形成
した後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチング
して画素電極および導電体層の実装部分を露出させるこ
とにより、遮光層となる透明のレジストのパターン形成
時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆ってい
るため、画素電極と導電体層との電池反応を防止でき
る。また、遮光層は、パターン形成時には、透明のレジ
ストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易く、
所望のパターン形状を得ることができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductor layer. After forming a light-shielding layer by coloring the transparent resist, the insulating protective film is etched using the light-shielding layer as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrode and the conductor layer, thereby forming a pattern of the transparent resist serving as the light-shielding layer. Since the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer at the time of formation, a battery reaction between the pixel electrode and the conductor layer can be prevented. In addition, the light-shielding layer is a transparent resist at the time of pattern formation, so that light easily enters even a thick resist,
A desired pattern shape can be obtained.

【0034】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを
形成した後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させることにより、遮光層となる透明のレジストの
パターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体
層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池反応
を防止できる。また、遮光層は、パターン形成時には、
透明のレジストであるため、厚膜のレジストでも光が進
入し易く、所望のパターン形状を得ることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductive layer. After forming a transparent resist to be a light-shielding layer by coloring, the insulating resist is etched using the transparent resist as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrode and the conductive layer, thereby forming a transparent resist to be the light-shielding layer. When the pattern is formed, the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer, so that a battery reaction between the pixel electrode and the conductor layer can be prevented. Also, the light-shielding layer is
Since it is a transparent resist, light can easily enter even a thick-film resist, and a desired pattern shape can be obtained.

【0035】請求項5記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした
後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして
画素電極および導電体層の実装部分を露出させることに
より、遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶
縁保護膜が画素電極および導電体層を覆っているため、
画素電極と導電体層との電池反応を防止できる。また、
透明導電膜を用いているため、薄膜の遮光層を得ること
ができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductive layer. After the transparent conductive film is formed into a light-shielding layer by an electrodeposition method, the insulating protective film is etched using the light-shielding layer as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrode and the conductor layer, thereby forming a pattern of the transparent conductive film serving as the light-shielding layer. Since the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer during formation,
A battery reaction between the pixel electrode and the conductor layer can be prevented. Also,
Since a transparent conductive film is used, a thin light-shielding layer can be obtained.

【0036】請求項6記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した2つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極,非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明
導電膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素
電極および導電体層の実装部分を露出させた後、電着法
により遮光層とすることにより、遮光層となる透明導電
膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導
電体層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池
反応を防止できる。また、透明導電膜を用いているた
め、薄膜の遮光層を得ることができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, one of the two substrates sandwiching the liquid crystal layer is formed on the insulating protective film covering the pixel electrode, the nonlinear element, and the conductive layer. A transparent conductive film is formed in a pattern, the insulating protective film is etched using the transparent conductive film as a mask to expose the mounting portions of the pixel electrode and the conductive layer, and then the light shielding layer is formed by an electrodeposition method. When the pattern of the transparent conductive film is formed, the insulating protective film covers the pixel electrode and the conductor layer, so that a battery reaction between the pixel electrode and the conductor layer can be prevented. Further, since a transparent conductive film is used, a thin light-shielding layer can be obtained.

【0037】また、遮光層あるいは遮光層となる透明の
レジスト,透明導電膜を、絶縁保護膜のエッチングマス
クとすることにより、工程削減が可能となる。そして、
絶縁保護膜が基板全面を被った状態でブラックマトリク
ス形成を行うことから、ブラックマトリクス形成工程に
おける汚染環境からTFTアレイを保護する。したがっ
て、黒色レジストの加工時における電池反応によるAl
腐食/ITO還元による黒化を防止できる。また、無色
透明のレジストであらかじめブラックマトリクスパター
ンを形成し、後で着色することにより、ブラックマトリ
クスパターンの形状制御性を向上できる。
Further, the number of steps can be reduced by using a light-shielding layer or a transparent resist or a transparent conductive film serving as a light-shielding layer as an etching mask for an insulating protective film. And
Since the black matrix is formed with the insulating protective film covering the entire surface of the substrate, the TFT array is protected from a contaminated environment in the black matrix forming step. Therefore, Al due to the battery reaction during processing of the black resist
Blackening due to corrosion / ITO reduction can be prevented. In addition, by forming a black matrix pattern in advance using a colorless and transparent resist and then coloring the black matrix pattern later, the shape controllability of the black matrix pattern can be improved.

【0038】さらに、電着ブラックマトリクスをTFT
アレイ上に直接形成することで薄膜ブラックマトリクス
を得ることができる。
Further, the electrodeposited black matrix is replaced with a TFT.
A thin-film black matrix can be obtained by forming it directly on the array.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態の基礎となる提案例の液
晶表示装置におけるTFT基板の製造方法を示す工程順
断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view in the order of steps showing a method for manufacturing a TFT substrate in a liquid crystal display device of a proposal example serving as a basis of an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第1の実施の形態の液晶表示装置に
おけるTFT基板の製造方法を示す工程順断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a TFT substrate in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.

【図3】この発明の第2の実施の形態の液晶表示装置に
おけるTFT基板の製造方法を示す工程順断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a TFT substrate in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention in the order of steps.

【図4】この発明の第3の実施の形態の液晶表示装置に
おけるTFT基板の製造方法を示す工程順断面図。
FIG. 4 is a sectional view illustrating a method of manufacturing a TFT substrate in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention in the order of steps.

【図5】従来の液晶表示装置におけるTFT基板の製造
方法を示す工程順断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view in a process order showing a method for manufacturing a TFT substrate in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性透明基板 2 ゲート電極 6 画素電極 7 ソース・ドレイン電極 8 絶縁保護膜9A,9B ブラックマトリクス 9a 無色透明のレジスト 9b 透明導電膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating transparent substrate 2 Gate electrode 6 Pixel electrode 7 Source / drain electrode 8 Insulating protective film 9A, 9B Black matrix 9a Colorless transparent resist 9b Transparent conductive film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−283523(JP,A) 特開 平4−74476(JP,A) 特開 平2−54217(JP,A) 特開 平3−6532(JP,A) 特開 平6−214259(JP,A) 特開 平1−124824(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 G02F 1/1335 500 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-1-283523 (JP, A) JP-A-4-74476 (JP, A) JP-A-2-54217 (JP, A) JP-A-3-283 6532 (JP, A) JP-A-6-214259 (JP, A) JP-A-1-124824 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1368 G02F 1 / 1335 500

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置であって、 前記2つの基板のうち一方の基板は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成し、前記画素電極
および前記導電体層の実装部分を除く領域を覆うように
絶縁保護膜を形成し、前記絶縁保護膜上の全面に透明の
レジストを着色してなる遮光層を形成したことを特徴と
する液晶表示装置。
1. A liquid crystal display device having a liquid crystal layer sandwiched between two substrates, wherein one of the two substrates has a pixel electrode, a non-linear element on an insulating substrate, and signals to the non-linear element. Forming a conductive layer to be supplied, forming an insulating protective film so as to cover a region excluding a mounting portion of the pixel electrode and the conductive layer, and forming a transparent entire surface on the insulating protective film .
A liquid crystal display device comprising a light-shielding layer formed by coloring a resist .
【請求項2】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置であって、 前記2つの基板のうち一方の基板は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成し、前記画素電極
および前記導電体層の実装部分を除く領域を覆うように
絶縁保護膜を形成し、前記絶縁保護膜上の全面に透明導
電膜に電着塗料を凝固析出させてなる遮光層を形成した
ことを特徴とする液晶表示装置。
2. A liquid crystal display having a liquid crystal layer sandwiched between two substrates.
Display device, wherein one of the two substrates has a pixel electrode, a non-linear element, and a non-linear element on an insulating substrate.
Forming a conductor layer for supplying a signal to the element,
And so as to cover an area excluding a mounting portion of the conductor layer.
An insulating protective film is formed, and a transparent conductive film is formed on the entire surface of the insulating protective film.
A light-shielding layer formed by solidifying and depositing an electrodeposition paint on the electrocoat
A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記2つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極,前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明のレジストを形成する工程
と、 前記透明のレジストを着色して遮光層とする工程と、 前記遮光層をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチング
して前記画素電極および前記導電体層の実装部分を露出
させる工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
3. A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates, wherein one of the two substrates is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductor layer for supplying a signal to the non-linear element, forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer; A step of forming a transparent resist on the insulating protective film in a region excluding a mounting portion; a step of coloring the transparent resist to form a light shielding layer; and etching the insulating protective film using the light shielding layer as a mask. Exposing a mounting portion of the pixel electrode and the conductor layer.
【請求項4】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記2つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極,前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明のレジストを形成する工程
と、 前記透明のレジストをマスクとして前記絶縁保護膜をエ
ッチングして前記画素電極および前記導電体層の実装部
分を露出させる工程と、 前記透明のレジストを着色して遮光層とする工程とを含
むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. A method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates, wherein one of the two substrates is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element and a non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductor layer for supplying a signal to the non-linear element, forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer; A step of forming a transparent resist on the insulating protective film in a region excluding a mounting portion; and etching the insulating protective film using the transparent resist as a mask to expose a mounting portion of the pixel electrode and the conductor layer. And a step of coloring the transparent resist to form a light shielding layer.
【請求項5】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記2つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極,前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて遮光層とす
る工程と、 前記遮光層をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチング
して前記画素電極および前記導電体層の実装部分を露出
させる工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
5. A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates, wherein one of the two substrates is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element and a non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductor layer for supplying a signal to the non-linear element, forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer; A step of forming a transparent conductive film on the insulating protective film in a region excluding a mounting portion; a step of solidifying and depositing an electrodeposition paint on the transparent conductive film to form a light shielding layer; and the insulating protection using the light shielding layer as a mask. Exposing a portion where the pixel electrode and the conductive layer are mounted by etching a film.
【請求項6】 2つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記2つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極,非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極,前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチ
ングして前記画素電極および前記導電体層の実装部分を
露出させる工程と、 前記透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて遮光層とす
る工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
6. A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates, wherein one of the two substrates is formed by forming a pixel electrode, a non-linear element, and a non-linear element on an insulating substrate. Forming a conductor layer for supplying a signal to the non-linear element, forming an insulating protective film so as to cover the pixel electrode, the non-linear element, and the conductor layer; Forming a transparent conductive film on the insulating protective film in a region excluding a mounting portion; and etching the insulating protective film using the transparent conductive film as a mask to expose a mounting portion of the pixel electrode and the conductor layer. And a step of solidifying and depositing an electrodeposition paint on the transparent conductive film to form a light-shielding layer.
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US6387600B1 (en) 1999-08-25 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Protective layer during lithography and etch
KR100705629B1 (en) * 2004-12-11 2007-04-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Method for fabricating array substrate in TFT-LCD
KR100754125B1 (en) * 2005-11-23 2007-08-30 삼성에스디아이 주식회사 Fabricating Method of Liquid Crystal Display
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