KR100652038B1 - Method for fabricating liquid crystal display panel - Google Patents

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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 오버코트층 패터닝공정과 패드 노출을 위한 패터닝공정을 단일화 함으로써 제조공정의 효율을 향상시키는 액정 디스플레이 패널 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 액티브 영역 및 패드 영역으로 정의된 TFT기판을 구비한 액정 디스플레이 패널에 있어서, 상기 TFT기판 상에 블랙매트릭스층을 씨일(Seal) 패턴이 형성될 부위까지 패터닝하는 공정과, 상기 액티브 영역의 화소전극을 제외한 기판 전면에 포토레지스트를 도포하는 공정과, 상기 화소전극에 R, G, B 칼라필터를 형성하는 공정과, 상기 액티브 영역에 오버코트(Over Coat)층을 형성함과 동시에 상기 포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. The present invention is a liquid crystal display provided with a TFT substrate is defined as being to provide a process for producing the liquid crystal display panel, a method of improving the efficiency of manufacturing processes by unifying the patterning process for the top coat layer patterning step and the pad exposed, the active region and a pad region in the panel, a step of applying the step of patterning until the portion to be a black matrix layer seal (seal) pattern formed on the TFT substrate and the photoresist on the substrate surface except for the pixel electrode of said active region and said pixel electrode the R, G, and at the same time forming a step, a top coat (Over Coat) layer in the active region to form a B color filter characterized by comprising the step of removing the photoresist.
패드 접촉, 씨일(Seal)라인 Contact pads, seals (Seal) line

Description

액정 디스플레이 패널 제조방법{Method for fabricating liquid crystal display panel} The liquid crystal display panel manufacturing method {Method for fabricating liquid crystal display panel}

도 1은 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널 제조방법을 설명하기 위한 TFT 기판의 평면도. 1 is a plan view of a TFT substrate for illustrating a liquid crystal display panel manufacturing method according to the prior art.

도 2a 내지 2f는 종래 액정 디스플레이 패널 제조방법을 설명하기 위한 공정 평면도. Figures 2a to 2f are plan views illustrating a prior art process liquid crystal display panel manufacturing method.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 제조방법을 설명하기 위한 공정 평면도. Figures 3a-3g is a process plan view for illustrating a liquid crystal display panel manufacturing method according to the invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 Description of the Related Art

31b : 게이트 패드 35c : 데이터 패드 31b: a gate pad 35c: a data pad

37a : 투명도전막 39 : 블랙매트릭스층 37a: transparent conductive film 39: Black matrix layer

42 : 오버코트(Over Coat)층 42: overcoat (Over Coat) layer

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 액정 디스플레이 패널 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to in particular, the liquid crystal display panel manufacturing method relates to a display device.

최근 칼라필터 온 티에프티(Color filter On TFT, 이하 COT)방식의 TFT-LCD가 제안되어 많은 개발 노력이 수행되고 있다. Recent color filter on tee FT (Color filter On TFT, hereinafter COT) method has been proposed in the TFT-LCD has been done a lot of development effort. COT 구조는 고개구율, 고화소밀도, 저전력소비 및 사진과 같은 고해상도를 구현할 수 있는 장점이 있어 디지털 카메라, 의료장비, GPS와 같은 고해상도를 요구하는 분야에 응용될 수 있다. COT structure is advantageous in that it can be implemented as a high-resolution and high aperture ratio, high pixel density, low power consumption, and photos can be applied to applications requiring high resolution such as digital cameras, medical equipment, GPS.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널의 제조방법을 설명한다. With reference to the drawings will be described a method of manufacturing the liquid crystal display panel according to the prior art.

도 1은 종래 액정 디스플레이 패널을 설명하기 위한 평면도로써, TFT를 완성한 후 즉, 칼라 필터가 전착된 상태를 도시한 것이다. Figure 1 after the completion of the, TFT as a plan view for explaining a conventional liquid crystal display panel, that is, to a color filter showing the deposition state.

도 1에 도시된 바와 같이, 액정 디스플레이 패널은 크게 액티브 영역과 패드 영역으로 구분된 TFT기판과 칼라 필터 기판(도시하지 않음)으로 구성되며, 상기 패드 영역은 게이트 패드 영역(Gpad)과 데이터 패드 영역(Dpad)으로 구분된다. 1, the liquid crystal display panel is large active area and a TFT substrate and a color filter substrate separated by a pad region (not shown) and is the pad region is a gate pad region (Gpad) and data pad region It is divided into (Dpad).

상기 TFT기판 상에는 데이터 배선(15)과 게이트 배선(11)이 종횡으로 배치되고, 그 교차 부위에는 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 배치된다. The TFT substrate on the data wires 15 and gate wires 11 are arranged in rows and columns, the crossing points, the thin film transistor: are arranged (TFT Thin Film Transistor). 그리고 상기 박막트랜지스터와 연결되도록 화소전극(도시되지 않음)이 배치되며 상기 화소 전극(17)의 상부에는 전착법에 의해 R,G,B 칼라 필터(21a, 21b)가 형성된다. And a pixel electrode (not shown) arranged to be connected to the thin film transistors and to form the R, G, B color filters (21a, 21b) by the electrodeposition method, the upper portion of the pixel electrode 17.

상기 게이트 패드 영역에는 게이트 구동회로(도시되지 않음)와 연결되어 구동신호를 상기 게이트 배선(11)으로 전달하는 게이트 패드(11b)가 구성되고, 상기 데이터 패드 영역에는 데이터 구동회로(도시되지 않음)와 연결되어 영상신호를 데이터 배선(15)으로 전달하는 데이터 패드(15c)가 구성된다. A gate driving circuit includes the gate pad region is connected to the (not shown), a gate pad (11b) to pass the gate wiring 11, wherein the drive signal is configured, the data pad area to the data driving circuit (not shown) It is connected with the data pad (15c) to pass the video signal to the data line 15 are formed.

참고적으로, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 게이트 패드(11b) 및 데이터 패드(15c)는 복수개 구성되며 그들 각각은 기판의 에지 부위에서 쇼팅 바(shorting bar)(도시하지 않음)에 의해 연결되어 있으며, 상기 쇼팅 바는 TFT기판이 제작된 후에 제거된다. For reference, though not shown, the gate pad (11b), and a data pad (15c) is composed of a plurality of the each of them is connected by a shorting bar (shorting bar) (not shown) in the edge region of the substrate, and the shorting bar is removed after the TFT substrate is produced.

한편, 액티브 영역의 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15) 그리고 박막트랜지스터(TFT)으로의 빛의 투과를 방지하기 위한 블랙 매트릭스(19)가 더 배치된다. On the other hand, a black matrix 19 for preventing the gate wires 11 and data wires 15 and the light transmission of a thin film transistor (TFT) of an active region is further arranged.
여기서, 미설명한 도면부호 17a는 투명 도전막으로서, 상기 투명 도전막(17a)은 각각 패드와 외부의 구동회로를 전기적으로 연결하여 외부의 구동회로에서 인가되는 구동신호 및 영상신호를 상기 게이트 패드(11b) 및 데이터 패드(15c)를 통해 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)으로 전달한다 Here, a non-described reference numeral 17a is a transparent conductive film, the transparent conductive film (17a) by electrically connecting the back to the pad and the external drive circuit wherein the driving signal and the video signal applied from the back to the external drive circuit gate pads, respectively ( through 11b) and data pad (15c) is transmitted to the gate wiring 11 and the data wirings 15

이와 같은 종래 액정 디스플레이 패널 제조방법을 도 2a 내지 2f를 참조하여 설명하면 다음과 같다. This will be described with the conventional liquid crystal display panel manufacturing method with reference to Fig. 2a to 2f as follows.

도 2a 내지 2f는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널이 제조방법을 설명하기 위한 평면 공정도이다. 2a to 2f is a plan flow chart for explaining a liquid crystal display panel manufacturing method according to the prior art.

도 2a에 도시된 바와 같이, 액티브 영역과 게이트 패드 영역(Gpad) 및 데이터 패드 영역(도시되지 않음)으로 정의된 절연기판 상에 금속을 스퍼터링(Sputtering)법으로 형성한 후 패터닝하여 액티브 영역에는 게이트 배선(11) 및 게이트 전극(11a)을 형성하고, 게이트 패드 영역에는 상기 게이트 배선(11)과 일체형으로 연장되는 게이트 패드(11b)를 형성한다. As shown in Figure 2a, the active region and the gate pad region (Gpad) and data pad region after forming a metal on an insulating substrate defined by (not shown) by a sputtering (Sputtering) method is patterned active area to the gate forming the wiring 11 and the gate electrode (11a), and the gate pad area to form a gate pad (11b) extending in the gate wire 11 and one-piece.

이후, 게이트 패드(11b)를 포함한 절연기판 상에 게이트 절연막(도시하지 않음)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한 후, 액티브 영역의 상기 게이트 전극(11a) 상부에 박막트랜지스터의 채널로 사용되는 반도체층(13)을 형성한다. Then, the gate pad (11b) (not shown), a gate insulating film on an insulating substrate including a CVD (Chemical Vapor Deposition) after the formation of the method, the gate electrode (11a) of the active region as a channel of a thin film transistor on an upper which forms the semiconductor layer 13.

이후, 상기 게이트 절연막 상에 금속을 스퍼터링법으로 형성한 후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 금속을 패터닝하여 상기 게이트 배선(11)과 교차하는 방향으로 데이터 배선(15)을 형성하고, 상기 반도체층(13) 상에 소스/드레인 전극(15a/15b)을 패터닝하며, 데이터 패드 영역(Dpad)에는 상기 데이터 배선(15)과 일체형으로 연장되는 데이터 패드(15c)를 형성한다. Then, after forming the metal on the gate insulating film by a sputtering method, as shown in Figure 2b, to form a data line (15) by patterning the metal in a direction crossing the gate wiring 11, the patterning the semiconductor layer 13, the source / drain electrodes (15a / 15b) to and the data pad region (Dpad) to form a data pad (15c) that extends in the data line 15 and one-piece.

이어서, 액티브 영역 및 패드 영역 상에 보호막(도시하지 않음)을 형성한 후, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 드레인 전극(15b)이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 상기 게이트 패드(11b) 및 데이터 패드(15c)가 노출되도록 오픈(Open)시킨 후, 전면에 투명한 도전성 물질을 형성한 후 패터닝하여 상기 드레인 전극(15b)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(17) 및 상기 게이트 패드(11b) 및 데이터 패드(15c)와 전기적으로 연결되는 투명도전막(17a)을 형성하면 TFT기판의 제작이 완료된다. Then a solution (not shown), the protective film on the active region and a pad region for forming later, the said gate pad (11b),, to form a contact hole so that the drain electrode (15b) is exposed as shown in Figure 2c, and data pads (15c) are to be opened (open), by patterning after forming the transparent conductive material over the pixel electrodes 17 and the gate pads (11b) electrically connected to the drain electrode (15b), and after exposure forming a data pad (15c) and the electrically transparent conductive film (17a) is connected to the production of the TFT substrate is completed. 이때, 상기 투명한 도전성 물질로서는 통상 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용한다. At this time, as the transparent conductive material is used for conventional ITO (Indium Tin Oxide).

이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(17)을 제외한 모든 영역에 블랙매트릭스층(19)을 형성한다. Then, to form a black matrix layer 19 in all areas, except for the pixel electrode 17 as shown in Figure 2d.

이후, 도 2e에 도시된 바와 같이, 색표현을 위한 칼라 필터를 형성하기 위해 TFT기판을 수용액속에 담근 후, 제 1 색의 칼라 필터를 형성할 부위의 화소 영역내 게이트 전극 및 화소 전극에 전압을 인가하여 해당 화소 전극 상부에 제 1 색의 칼라 필터(21a)를 형성하고, 동일한 방법으로 제 2 색의 칼라 필터(21b) 및 제 3 색의 칼라 필터(도시하지 않음)를 형성한다. Then, the cost, and voltage to the pixel region in the gate electrode and the pixel electrodes of the region to form the color filter of the first color and then dipped in a TFT substrate to form a color filter for color representation in the aqueous solution as shown in Figure 2e applied to form the pixel electrodes on the upper forming a color filter (21a) of a first color and, in the same way a second (not shown), a color filter (21b), and a color filter of the third color of the color.

이어, 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 칼라필터층을 보호하기 위해 포토아크릴과 같은 유기재료를 기판 전면에 형성한 후 액티브영역에만 형성되도록 패터닝하여 오버코트층(Over Coat)(22)을 형성시키고 이어, 상기 게이트 패드(11b) 및 데 이터 패드(15c) 상에 형성되어 있는 투명도전막(17a)을 노출시키기 위해 패드 영역 상에 형성되어 있는 블랙매트릭스층(19)을 포토리소그래피, 식각, 스트립공정을 통해 제거한다. Next, as shown in Fig. 2f, after the formation of an organic material such as a photo acrylic to protect the color filter layer over the entire surface of the substrate is patterned to be formed only in the active region to form a top coat layer (Over Coat) (22) followed by , a photolithography and etching, a strip process, the gate pad (11b), and the data pad transparent conductive film formed on the (15c), (17a), a black matrix layer 19 is formed on the pad area to expose the removed via.

이후, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 칼라 필터가 형성된 TFT기판 상에 씨일 패턴을 형성한 후 대향 기판(도시하지 않음)과 합착한 후, 액정을 봉입하면 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널의 제조공정이 완료된다. Then, the drawing When the manufacturing process of the liquid crystal display panel according to the prior art although not shown, the color filter after the formation of the formed seal pattern on the TFT substrate opposed to the substrate (not shown) and attached to each other and then, sealing the liquid crystal It is completed.

그러나 상기와 같은 종래 액정 디스플레이 패널 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the conventional liquid crystal display panel manufacturing method as described above has the following problems.

액티브 영역 상에 오버코트층을 형성하는 공정은 포토리소그래피 공정만이 요구되는 반면, 패드 노출을 위한 공정은 포토리소그래피 공정, 식각, 박리공정 등 3단계의 공정 수행이 불가피하여 공정의 효율성이 떨어지는 단점이 있었다. A step of forming an overcoat layer on the active region is a drawback process falling the photolithography process, etching and peeling process such as a three stage is inevitable to the process performed process efficiency for the pad exposed while requiring only a photolithography process there was.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 한번의 포토리소그래피 공정으로 패드 노출이 가능하게 하여 공정을 간소화시키는데 적당한 액정 디스플레이 패널 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. The present invention is one made in view the above problems, it aims to provide an appropriate liquid crystal display panel manufacturing method sikineunde to enable the pad exposed in the photolithography step in the process once simplified.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 디스플레이 패널 제조방법은 액티브 영역 및 패드 영역으로 정의된 TFT기판을 구비한 액정 디스플레이 패널에 있어서, 상기 TFT기판 상에 블랙매트릭스층을 씨일(Seal) 패턴이 형성될 부위까지 패터닝하는 공정과, 상기 액티브 영역의 화소전극을 제외한 기판 전면에 포토레지 스트를 도포하는 공정과, 상기 화소전극에 R, G, B 칼라필터를 형성하는 공정과, 상기 액티브 영역에 오버코트(Over Coat)층을 형성함과 동시에 상기 포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. The liquid crystal display panel manufacturing method of the present invention for achieving the above object is according to the liquid crystal display panel having a TFT substrate defined with an active region and a pad region, a black matrix layer on the TFT substrate seal (Seal) pattern a step of patterning to be formed of parts and the steps of applying a photoresist cast on the substrate front, except for the pixel electrode of said active region, and forming the R, G, B color filters on the pixel electrode, the active region and simultaneously forming a top coat (Over Coat) layer characterized by comprising the step of removing the photoresist.

이와 같은 본 발명의 액정 디스플레이 패널 제조방법은 상기 화소전극을 제외한 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트와 칼라필터층을 보호하기 위해 형성되는 오버코트층을, 한번의 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트의 제거, 오버코트층의 패터닝을 동시에 수행한다. The liquid crystal display of the same invention the panel manufacturing method is an overcoat layer formed to protect the photoresist and color filter layer, which is applied to the substrate surface except for the pixel electrode, the removal of the photoresist through a photolithography process one time, the overcoat It performs the patterning of the layer at the same time.

이와 같은 본 발명의 액정 디스플레이 패널 제조방법을 도 3a 내지 3g를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereunder described in reference to the liquid crystal display panel manufacturing method. 3a to 3g is also of the present invention.

도 3a 내지 3g는 본 발명의 액정 디스플레이 패널 제조방법을 설명하기 위한 공정평면도이다. Figures 3a to 3g is a process plan view for illustrating a liquid crystal display panel manufacturing method of the present invention;

도 3a에 도시한 바와 같이, 액티브 영역 및 패드 영역(게이트 패드 영역 및 데이터 패드 영역)으로 정의된 절연 기판 상에 Al, Mo, Cr, Ta 또는 Al합금 등과 같은 금속을 스퍼터링(Sputtering)법으로 형성한 후 패터닝하여 액티브 영역에는 게이트 배선(31) 및 게이트 전극(31a)을 형성하고, 게이트 패드 영역(Gpad)에는 상기 게이트 배선(31)과 일체형으로 연장되는 게이트 패드(31b)를 형성한다. As it is shown in Figure 3a, formed in the active region and a pad region Al, Mo, Cr, sputtering a metal (Sputtering) method, such as Ta or Al alloy on the insulating substrate defined by (the gate pad area and a data pad area) by patterning after the active area forming the gate wiring 31 and the gate electrode (31a), and the gate pad region (Gpad) include forming a gate pad (31b) extending in the gate wire 31 and one-piece.

이후, 상기 게이트 배선(31) 및 게이트 전극(31a)을 포함한 절연 기판 전면에 실리콘질화물 또는 실리콘산화물 등을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 증착하여 게이트 절연막(도시하지 않음)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(31a) 상부의 게이트 절연막 상에 박막트랜지스터의 채널로 사용되는 반도체층(33)을 형성한 다. Then, after depositing the gate wiring 31 and the gate electrode of silicon nitride or silicon oxide on the insulating substrate surface including (31a) such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method to form a gate insulating film (not shown), the a gate electrode (31a), a semiconductor layer 33 is used as a channel of a thin film transistor on the top gate insulating film is formed.

이어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(33)을 포함한 절연 기판 전면에 Al, Mo, Cr, Ta 또는 Al합금 등과 같은 금속을 형성한 후 패터닝하여 액티브 영역에는 상기 게이트 배선(31)과 교차하는 방향으로 데이터 배선(35)을 형성하고, 상기 반도체층(33) 상에 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(35a/35b)을 형성한다. Next, one, the front insulating substrate including the semiconductor layer (33), Al, Mo, Cr, Ta, or active area, the gate wiring 31 is patterned after the formation of a metal such as Al alloy as shown in Figure 3b and forming a data line (35) in the cross direction, and forming the source / drain electrodes (35a / 35b) of the thin film transistor on the semiconductor layer (33). 그리고 데이터 패드 영역(Dpad)에는 상기 데이터 배선(35)과 일체형으로 연장되는 데이터 패드(35c)를 형성한다. And the data pad region (Dpad) are to form a data pad (35c) that extends in the data line 35 and one-piece.

이어, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 소스/드레인 전극(35a/35b)을 포함한 액티브 영역 및 패드 영역 전면에 보호막(도시하지 않음)을 형성한 후, 드레인 전극(35b)이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 상기 패드 영역의 게이트 패드(31b) 및 데이터 패드(35c)를 오픈시킨다. Next, as shown in Figure 3c, the source / drain electrodes (35a / 35b), the protective film on the front active region and a pad region including a formation (not shown) and then, the contact to the drain electrode (35b) is exposed hole a is formed, and open the gate pad (31b), and a data pad (35c) of said pad region.

이후, 액티브 영역 및 패드 영역 전면에 투명한 도전성 물질 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide)를 형성한 후 패터닝하여 콘택홀을 통해 드레인 전극(35b)과 연결되는 화소 전극(37)을 형성하고, 상기 오픈된 게이트 패드(31b) 및 데이터 패드(35c)와 연결되도록 투명도전막(37a)을 형성한다. Then, by patterning after forming a transparent conductive material, e.g., ITO (Indium Tin Oxide) on the front active region and a pad region, and forming a pixel electrode 37 connected to the drain electrode (35b) through a contact hole, wherein the open to be connected to the gate pad (31b), and a data pad (35c) to form a transparent conductive film (37a). 이때, 상기 투명도전막(37a)은 각각 패드와 외부의 구동회로를 전기적으로 연결하여 외부의 구동회로에서 인가되는 구동신호 및 영상신호를 게이트 패드(31b) 및 데이터 패드(35c)를 통해 게이트 배선(31) 및 데이터 배선(35)으로 전달한다. At this time, the gate wiring through the transparent conductive film (37a) are each pad and the external gate pad (31b), and a data pad (35c) a driving signal and a video signal is applied from the back to the external drive circuit to electrically connect the driving circuit of the ( to 31) and data line (35) passes.

이어서, 액티브 영역 및 패드 영역의 전면에 블랙 수지와 같은 차광용 물질층을 형성한 후 패터닝하여 도 3d에 도시한 바와 같이, 액티브 영역에는 상기 게이 트 배선(31) 및 데이터 배선(35) 그리고 박막트랜지스터로 빛이 투과되는 것을 차단하기 위한 블랙매트릭스층(39)을 형성하고, 동시에 게이트 패드 영역(Gpad) 및 데이터 패드 영역(Dpad)에는 씨일(Seal) 패턴이 형성될 부위(43)까지만 블랙매트릭스층을 형성하고 외부의 구동회로와 상기 게이트 패드(31b) 및 데이터 패드(35c)를 전기적으로 연결시키는 투명도전막(37)이 형성되어 있는 부위는 노출시킨다. Then, as shown in Fig. 3d by patterning after forming the shielding for the layer of material such as black resin on the entire surface of the active region and a pad region, the active region has the gated wiring 31 and the data line 35 and the thin film forming a black matrix layer 39 for cutting off that the light is transmitted to the transistor and, at the same time, the gate pad region (Gpad) and data pad region (Dpad), the black matrix up seal (seal) region 43, the pattern is formed forming a layer and then in part transparent conductive film 37 to electrically connect the pad and the gate (31b) and a data pad (35c) to an external driving circuit is formed is exposed.

이어, 도 3e에 도시된 바와 같이, 칼라 필터를 형성하기 위한 안료 전착시 수용액에 노출되어 전기적으로 부식되는 것을 방지하기 위한 부식방지막(40)을 화소전극을 제외한 전 영역에 형성한다. Next, the as shown in Figure 3e, to form a corrosion preventive film 40, for preventing the exposure to the aqueous solution during electrodeposition pigment for forming a color filter which is electrically the corrosion in the entire region except the pixel electrode. 상기 부식 방지막(40)은 포토레지스트와 같은 유기물질이다. Wherein the corrosion preventing film 40 is an organic material such as photoresist.

이후, 절연 기판을 제 1 색의 칼라 필터를 형성하기 위한 수용액 속에 담근 후 제 1 색의 칼라 필터를 형성할 부위의 화소부내 게이트 전극(31a) 및 화소 전극(37)에 전압을 인가하여 도 3f에 도시한 바와 같이, 상기 화소 전극(37) 상부에 제 1 색의 칼라 필터(41a)를 형성하고, 동일한 방법으로 제 2 색의 칼라 필터(41b) 및 제 3 색(도시되지 않음)의 칼라 필터를 형성한다. Then, Figure 3f to a voltage is applied to the insulating substrate in a first color portion pixel portion gate electrode (31a) and the pixel electrode 37 in forming the color filter and then dipped in an aqueous solution for forming a color filter of a color one as shown in, the color of the pixel electrode (37) forming a color filter (41a) of the first color on the top, and in the same manner as the second color of the color filter (41b) and a third color (not shown) to form a filter.

참고로, 도면에는 제 1, 제 2 색의 칼라 필터(41a,41b) 및 제 3 색의 칼라 필터가 스트라이프 타입(Stripe type)으로 형성된 형태를 보여지나, 본 발명의 실시예는 상기 타입에 한정되지 않는다. For reference, the drawings are passed show the shape of the first color filter of the second color filter of the color (41a, 41b) and the third color is formed in a stripe type (Stripe type), the embodiment of the present invention limited to the type no.

이어, 상기 칼라필터층(41a, 41b)을 보호하기 위해 포토아크릴과 같은 유기 물질을 기판 전면에 도포한 후, 도 3g에 도시된 바와 같이, 화소전극을 제외한 기판 전면에 도포되어 있는 부식방지막(40)과 칼라필터층을 보호하기 위해 형성되는 오버코트층(42)을, 한번의 포토리소그래피 공정을 통해 부식방지막(40)의 제거, 오버코트층(42)의 패터닝을 동시에 수행한다. Then, after coating an organic material such as a photo acrylic to protect the color filter layer (41a, 41b) over the entire surface of the substrate, Fig film corrosion, is applied on the substrate surface other than the pixel electrodes, as illustrated in 3g (40 ) and performs the overcoat layer 42 is formed to protect the color filter layer, removal of the corrosion barrier film 40 through the photolithography process one time, at the same time the pattern of the overcoat layer 42.

이후, 상기 절연 기판 상에 씨일 패턴을 형성한 후, 대향 기판과 합착하고 상기 절연 기판과 대향기판과의 사이에 액정층을 형성하면, 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 제조공정이 완료된다. Subsequent, after forming the seal pattern on the insulating substrate, and laminating a counter substrate to form a liquid crystal layer provided between the insulating substrate and the counter substrate, the liquid crystal display panel production process according to the invention is completed.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정 디스플레이 패널 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. Or more, as described above, the liquid crystal display panel manufacturing method of the present invention has the following advantages.

완성된 TFT 기판 위에 블랙매트릭스를 패터닝하는 공정에서 패드 영역의 씨일(Seal) 패턴이 형성될 부위까지만 블랙매트릭스를 형성시킴으로써, 종래 최종 공정에 해당되는 패드 접촉을 위한 블랙매트릭스 식각, 박리 공정을 생략시킬 수 있어 제조공정의 효율을 높일 수 있다. By forming a black matrix up to be a seal (Seal) pattern of the pad region is formed for patterning the black matrix on the finished TFT substrate processing portion, to the conventional skip the black matrix etching, peeling process for pad contact corresponding to the final step it can improve efficiency of the manufacturing process.

Claims (8)

  1. 액티브 영역 및 패드 영역으로 정의되고, 복수개의 화소전극 및 박막트랜지스터를 구비한 TFT 기판을 형성하는 공정; A step of, as defined in the active region and a pad region, forming a TFT substrate having a plurality of pixel electrodes and thin film transistors;
    상기 화소전극 및 패드 영역을 제외한 TFT 기판 상에 차광패턴을 형성하는 공정; The step of forming the light-shielding pattern on the TFT substrate, excluding the pixel electrodes and the pad area;
    상기 TFT기판 전면에 감광성 물질을 도포하는 공정; A step of applying a photosensitive material on the TFT substrate surface;
    상기 화소전극 상에 칼라필터층을 형성하는 공정; A step of forming a color filter layer on the pixel electrode;
    상기 칼라필터층을 포함한 TFT기판 전면에 감광성 오버코트층을 형성하는 공정; A step of forming a photosensitive overcoat layer on the TFT substrate surface, including the color filter layer;
    상기 패드 영역의 오버코트층과 감광성 물질을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법. The liquid crystal display panel manufacturing method, characterized in that comprising the step of removing the overcoat layer and the photosensitive material of the pad region.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 물질은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법. The method of claim 1, wherein the photosensitive material is a liquid crystal display panel manufacturing method, characterized in that the photoresist.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 차광패턴을 형성하는 공정은, The method of claim 1, wherein the step of forming the light-shielding pattern,
    상기 TFT기판 상에 차광용 물질층을 증착하는 공정과, A step of depositing a light blocking material layer for a TFT on the substrate,
    상기 패드 영역 및 화소전극을 제외한 상기 차광용 물질층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 제조방법. The liquid crystal display method, characterized in that comprising the step of removing the light-shielding material for layers other than the pad area and the pixel electrode.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 오버코트층은 포토아크릴로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법. The method of claim 1, wherein the liquid crystal display panel manufacturing method of the overcoat layer so as to form a photo acrylic.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 오버코트층 및 감광성 물질층을 제거하는 공정은, The method of claim 1, wherein the step of removing the overcoat layer and the photosensitive material layer,
    상기 오버코트층 상에 액티브 영역을 마스킹하는 마스크를 형성하는 공정과, A step of forming a mask for masking the active areas on the overcoat layer;
    상기 마스크를 이용하여 노광한 후, 현상하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법 After exposing this resist film by using the mask, the liquid crystal display panel manufacturing method which comprises a step for developing
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 TFT 기판을 형성하는 공정은, The method of claim 1, wherein the step of forming the TFT substrate,
    절연 기판 상에 게이트 배선, 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 공정과, A step of forming a gate electrode and a gate pad of the gate wiring, a thin film transistor on an insulating substrate,
    상기 게이트 패드를 포함한 절연 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, Forming a gate insulating film over the insulating substrate, including the gate pad,
    상기 게이트 절연막 상에 데이터 배선 및 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극을 형성하는 공정과, On the gate insulating film and the step of forming the source / drain electrode of the data line, the thin film transistor,
    상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 공정과, A step of forming a protective film on the front, including the source / drain electrodes,
    상기 드레인 전극과 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 공정과, And a step of exposing the drain electrode and the gate pad and the data pad,
    상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되는 투명도전막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하 는 액정 디스플레이 패널 제조방법. Characterized in that with the method of manufacturing the liquid crystal display panel comprising the step of forming the pixel electrode connected to the drain electrode, the transparent conductive film is connected to the gate pad and a data pad.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 차광용 물질층을 제거하는 공정은, The method of claim 3 wherein the step of removing the light-shielding material for the layer,
    상기 액티브 영역 중 상기 화소전극에 상응하는 영역과 상기 패드 영역 중 씨일 패턴이 형성될 부위를 제외한 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법. The liquid crystal display panel manufacturing method comprising the said active region except in the region to be the seal pattern of the region and the pad regions corresponding to the pixel electrode forming region.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 칼라필터층은 전착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법. The method of claim 1, wherein the color filter layer is a liquid crystal display panel manufacturing method so as to form the electrodeposition method.
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