JP3044105B2 - 強誘電体キャパシタの製造方法 - Google Patents
強誘電体キャパシタの製造方法Info
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- JP3044105B2 JP3044105B2 JP3284760A JP28476091A JP3044105B2 JP 3044105 B2 JP3044105 B2 JP 3044105B2 JP 3284760 A JP3284760 A JP 3284760A JP 28476091 A JP28476091 A JP 28476091A JP 3044105 B2 JP3044105 B2 JP 3044105B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強誘電体キャパシタの製
造方法、特に多数の強誘電体キャパシタを直列乃至並列
に接続するに好適な強誘電体キャパシタの製造方法に関
する。
造方法、特に多数の強誘電体キャパシタを直列乃至並列
に接続するに好適な強誘電体キャパシタの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光センサや熱センサ、圧力センサや風力
センサ等は測定すべき光や熱あるいは圧力の量に応じた
電位を発生させるが、これらの電位が所定値以上になっ
たか否かをモニタするためには、例えば図９に示される
ようなコンパレータ１０が用いられる。コンパレータ１
０は通常カレントミラー回路１０ａ及び差動回路１０ｂ
を含んで構成され、非反転入力端子と反転入力端子との
差に応じた電圧が出力として取り出される。そして、非
反転入力端子に光センサや熱センサ等の電位を発生する
装置を接続し、反転入力端子に基準電圧を印加すること
により、光センサや熱センサ等の外部電圧が基準電圧以
上になったか否かがモニタされる。
センサ等は測定すべき光や熱あるいは圧力の量に応じた
電位を発生させるが、これらの電位が所定値以上になっ
たか否かをモニタするためには、例えば図９に示される
ようなコンパレータ１０が用いられる。コンパレータ１
０は通常カレントミラー回路１０ａ及び差動回路１０ｂ
を含んで構成され、非反転入力端子と反転入力端子との
差に応じた電圧が出力として取り出される。そして、非
反転入力端子に光センサや熱センサ等の電位を発生する
装置を接続し、反転入力端子に基準電圧を印加すること
により、光センサや熱センサ等の外部電圧が基準電圧以
上になったか否かがモニタされる。
【０００３】しかしながら、従来のコンパレータ等の電
圧測定装置は、外部から電源１０ｃが供給されないと動
作できない問題があり、また常時最大電圧をモニタする
ためには、コンパレータの出力に更に外部メモリを接続
しなければならず装置構成が複雑化してしまう問題があ
った。
圧測定装置は、外部から電源１０ｃが供給されないと動
作できない問題があり、また常時最大電圧をモニタする
ためには、コンパレータの出力に更に外部メモリを接続
しなければならず装置構成が複雑化してしまう問題があ
った。
【０００４】そこで、コンパレータを用いず、不揮発の
強誘電体キャパシタを用いて電圧を測定することが提案
されている。周知の如く、強誘電体は永久双極子モーメ
ントに基づく自発分極を有する誘電体のうち、電界を加
えることにより分極方向の反転可能なものであり、強磁
性体のＢ−Ｈ曲線と極めて類似した特性を示すことが知
られている（強誘電体のＰ−Ｅヒステリシスループ）。
強誘電体キャパシタを用いて電圧を測定することが提案
されている。周知の如く、強誘電体は永久双極子モーメ
ントに基づく自発分極を有する誘電体のうち、電界を加
えることにより分極方向の反転可能なものであり、強磁
性体のＢ−Ｈ曲線と極めて類似した特性を示すことが知
られている（強誘電体のＰ−Ｅヒステリシスループ）。
【０００５】そして、強誘電体の厚さが異なる場合、自
発分極を反転させるために必要な抗電界の値は厚さに比
例して増大することが知られている。
発分極を反転させるために必要な抗電界の値は厚さに比
例して増大することが知られている。
【０００６】そこで、強誘電体のこのような性質を利用
し、厚さの異なる複数の強誘電体素子に外部電圧を印加
して反転分極が生じたか否かを測定することにより、無
電源で最大電圧を測定することが可能となる。
し、厚さの異なる複数の強誘電体素子に外部電圧を印加
して反転分極が生じたか否かを測定することにより、無
電源で最大電圧を測定することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、強誘電体
キャパシタを用いた電圧測定装置では、無電源かつ不揮
発で最大電圧を測定することができるが、厚さの異なる
複数の強誘電体キャパシタを形成することは困難であ
り、特に強誘電体として優れた物性を有するＰＺＴ（ジ
ルコン酸チタン酸鉛）を用いる場合には、その加工が困
難であり、ひいては装置コストの増大につながる問題が
あった。
キャパシタを用いた電圧測定装置では、無電源かつ不揮
発で最大電圧を測定することができるが、厚さの異なる
複数の強誘電体キャパシタを形成することは困難であ
り、特に強誘電体として優れた物性を有するＰＺＴ（ジ
ルコン酸チタン酸鉛）を用いる場合には、その加工が困
難であり、ひいては装置コストの増大につながる問題が
あった。
【０００８】本発明は上記従来技術の有する課題に鑑み
なされたものであり、その目的は、強誘電体キャパシタ
を複数個製造する際に強誘電体の加工工程を最小限にお
さえ、歩留まりやコスト低下を図ることが可能な強誘電
体キャパシタの製造方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、強誘電体キャパシタ
を複数個製造する際に強誘電体の加工工程を最小限にお
さえ、歩留まりやコスト低下を図ることが可能な強誘電
体キャパシタの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る強誘電体キャパシタの製造方法は、半
導体基板上に第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成ス
テップと、前記第１の絶縁膜上に第１の金属膜を形成す
る第１金属膜形成ステップと、前記第１の金属膜をエッ
チングして下部電極を形成する下部電極形成ステップ
と、前記下部電極上に層間絶縁膜を形成する第２絶縁膜
形成ステップと、前記層間絶縁膜をエッチングして前記
下部電極とのコンタクトホールを形成するコンタクトホ
ール形成ステップと、前記層間絶縁膜上に強誘電体膜を
形成する強誘電体膜形成ステップと、前記強誘電体膜を
エッチングし、前記コンタクトホール内の前記強誘電体
膜を互いに分離させる強誘電体膜加工ステップと、前記
加工された強誘電体膜上に第２の金属膜を形成する第２
金属膜形成ステップと、前記第２の金属膜をエッチング
して前記コンタクトホール上に上部電極を形成する上部
電極形成ステップと、を有することを特徴とする。
に、本発明に係る強誘電体キャパシタの製造方法は、半
導体基板上に第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成ス
テップと、前記第１の絶縁膜上に第１の金属膜を形成す
る第１金属膜形成ステップと、前記第１の金属膜をエッ
チングして下部電極を形成する下部電極形成ステップ
と、前記下部電極上に層間絶縁膜を形成する第２絶縁膜
形成ステップと、前記層間絶縁膜をエッチングして前記
下部電極とのコンタクトホールを形成するコンタクトホ
ール形成ステップと、前記層間絶縁膜上に強誘電体膜を
形成する強誘電体膜形成ステップと、前記強誘電体膜を
エッチングし、前記コンタクトホール内の前記強誘電体
膜を互いに分離させる強誘電体膜加工ステップと、前記
加工された強誘電体膜上に第２の金属膜を形成する第２
金属膜形成ステップと、前記第２の金属膜をエッチング
して前記コンタクトホール上に上部電極を形成する上部
電極形成ステップと、を有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】前述したように、例えば強誘電体キャパシタを
用いて最大電圧を測定する場合には、厚さの異なる複数
の強誘電体キャパシタを用いる必要があるが、ほぼ同一
の厚さを有する強誘電体キャパシタを直列接続し、この
直列接続する強誘電体キャパシタの個数を変化させるこ
とによっても実質的に膜厚を変化することが可能であ
る。本発明はこのことに着目し、ほぼ同一な厚さを有す
る多数の強誘電体キャパシタを半導体基板上に形成する
ものである。
用いて最大電圧を測定する場合には、厚さの異なる複数
の強誘電体キャパシタを用いる必要があるが、ほぼ同一
の厚さを有する強誘電体キャパシタを直列接続し、この
直列接続する強誘電体キャパシタの個数を変化させるこ
とによっても実質的に膜厚を変化することが可能であ
る。本発明はこのことに着目し、ほぼ同一な厚さを有す
る多数の強誘電体キャパシタを半導体基板上に形成する
ものである。
【００１１】すなわち、強誘電体キャパシタは２つの金
属膜及びその金属膜間に配置された強誘電体により構成
されるが、本発明では半導体基板上にまず下部電極を形
成し、その下部電極上に層間絶縁膜を形成する。そし
て、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホール内に強誘電体膜を形成する。
属膜及びその金属膜間に配置された強誘電体により構成
されるが、本発明では半導体基板上にまず下部電極を形
成し、その下部電極上に層間絶縁膜を形成する。そし
て、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホール内に強誘電体膜を形成する。
【００１２】そして、このコンタクトホール上に上部電
極を形成することにより上部電極と下部電極に挟まれた
コンタクトホール内の強誘電体膜で構成される強誘電体
キャパシタを多数形成することができる。
極を形成することにより上部電極と下部電極に挟まれた
コンタクトホール内の強誘電体膜で構成される強誘電体
キャパシタを多数形成することができる。
【００１３】そして、これら多数の強誘電体キャパシタ
を直列乃至並列に接続する場合には、上部電極あるいは
下部電極を必要に応じ隣接する強誘電体キャパシタと接
続するだけでよい。
を直列乃至並列に接続する場合には、上部電極あるいは
下部電極を必要に応じ隣接する強誘電体キャパシタと接
続するだけでよい。
【００１４】
【実施例】以下、図面を用いながら本発明に係る強誘電
体キャパシタの製造方法の一実施例を説明する。
体キャパシタの製造方法の一実施例を説明する。
【００１５】図１には本実施例の製造方法の説明図が示
されている。まず、図１（Ａ）に示されるように、シリ
コン基板１００上に第１の絶縁膜としてシリコン酸化膜
１０２を熱酸化により形成する。そして、このシリコン
酸化膜１０２上にスパッタ法を用いて第１の金属膜とし
てＰｔ金属膜を形成し、不要な部分をエッチング除去し
て下部電極１０４を形成する。
されている。まず、図１（Ａ）に示されるように、シリ
コン基板１００上に第１の絶縁膜としてシリコン酸化膜
１０２を熱酸化により形成する。そして、このシリコン
酸化膜１０２上にスパッタ法を用いて第１の金属膜とし
てＰｔ金属膜を形成し、不要な部分をエッチング除去し
て下部電極１０４を形成する。
【００１６】次に、図１（Ｂ）に示されるように層間絶
縁膜としてシリコン酸化膜１０６をＣＶＤ法等により成
膜し、前述した下部電極１０４上にコンタクトホール１
０６ａをエッチング形成する。このとき、コンタクトホ
ールの大きさは強誘電体キャパシタが必要とする残留分
極が得られる程度の開口面積に設定する。
縁膜としてシリコン酸化膜１０６をＣＶＤ法等により成
膜し、前述した下部電極１０４上にコンタクトホール１
０６ａをエッチング形成する。このとき、コンタクトホ
ールの大きさは強誘電体キャパシタが必要とする残留分
極が得られる程度の開口面積に設定する。
【００１７】そして、図１（Ｃ）に示されるようにシリ
コン酸化膜１０６上に強誘電体膜としてＰＺＴ膜１０８
を形成する。本実施例において、このＰＺＴ膜１０８を
形成する方法としてｓｏｌ−ｇｅｌ法を用いた。すなわ
ち、ＰＺＴのｓｏｌ溶液をスピンコートによりシリコン
酸化膜１０６上に塗布形成し、所定温度（７０℃）で３
０分程及び４００℃で３０分程ベイキングを行ってＰＺ
Ｔの溶剤を蒸発させる。その後、温度を６００℃程度に
上昇させてＰＺＴを結晶化させ、最終的にＰＺＴ膜１０
８をシリコン酸化膜１０６上に形成する。
コン酸化膜１０６上に強誘電体膜としてＰＺＴ膜１０８
を形成する。本実施例において、このＰＺＴ膜１０８を
形成する方法としてｓｏｌ−ｇｅｌ法を用いた。すなわ
ち、ＰＺＴのｓｏｌ溶液をスピンコートによりシリコン
酸化膜１０６上に塗布形成し、所定温度（７０℃）で３
０分程及び４００℃で３０分程ベイキングを行ってＰＺ
Ｔの溶剤を蒸発させる。その後、温度を６００℃程度に
上昇させてＰＺＴを結晶化させ、最終的にＰＺＴ膜１０
８をシリコン酸化膜１０６上に形成する。
【００１８】更に、図１（Ｄ）に示されるようにＰＺＴ
膜１０８をエッチングし、コンタクトホール１０６ａ内
に形成されたＰＺＴ膜１０８が互いに分離されるまでＰ
ＺＴ膜１０８を一様に除去する。なお、このときコンタ
クトホール外にＰＺＴ膜１０８が残留してもかまわな
い。
膜１０８をエッチングし、コンタクトホール１０６ａ内
に形成されたＰＺＴ膜１０８が互いに分離されるまでＰ
ＺＴ膜１０８を一様に除去する。なお、このときコンタ
クトホール外にＰＺＴ膜１０８が残留してもかまわな
い。
【００１９】最後に、図１（Ｅ）に示されるように、第
２の金属膜としてＰｔ膜をスパッタ法等により形成し、
不要部分をエッチング除去してコンタクトホール１０６
ａ上に上部電極１１０を形成する。すると、コンタクト
ホール１０６ａが形成された領域では、ＰＺＴ膜１０８
が上部電極１１０と下部電極１０４とに挟まれた構成と
なり、従ってこの部分が強誘電体キャパシタとして機能
することになる。なお、この強誘電体キャパシタの容量
は前述したようにＰＺＴ膜の誘電率及びコンタクトホー
ル１０６ａの開口面積によって決定される。そして、図
１（Ｅ）に示されるように、隣接する強誘電体キャパシ
タが共通の上部電極１１０を有するか、あるいは共通の
下部電極１０４を有するように上部電極１１０乃至下部
電極１０４を形成することにより、各強誘電体キャパシ
タを直列接続することが可能となる（本実施例において
は、４つの強誘電体キャパシタが直列接続されてい
る）。
２の金属膜としてＰｔ膜をスパッタ法等により形成し、
不要部分をエッチング除去してコンタクトホール１０６
ａ上に上部電極１１０を形成する。すると、コンタクト
ホール１０６ａが形成された領域では、ＰＺＴ膜１０８
が上部電極１１０と下部電極１０４とに挟まれた構成と
なり、従ってこの部分が強誘電体キャパシタとして機能
することになる。なお、この強誘電体キャパシタの容量
は前述したようにＰＺＴ膜の誘電率及びコンタクトホー
ル１０６ａの開口面積によって決定される。そして、図
１（Ｅ）に示されるように、隣接する強誘電体キャパシ
タが共通の上部電極１１０を有するか、あるいは共通の
下部電極１０４を有するように上部電極１１０乃至下部
電極１０４を形成することにより、各強誘電体キャパシ
タを直列接続することが可能となる（本実施例において
は、４つの強誘電体キャパシタが直列接続されてい
る）。
【００２０】そして、このようにほぼ同一の厚さ（コン
タクトホール１０６ａの高さによって決定される）を有
する強誘電体キャパシタを複数個シリコン基板１００上
に形成し、更にこれら強誘電体キャパシタを所望個数だ
け直列接続することにより、実質的に強誘電体の厚さを
変えることができ、後述する最大電圧測定装置を容易に
製造することが可能となる。
タクトホール１０６ａの高さによって決定される）を有
する強誘電体キャパシタを複数個シリコン基板１００上
に形成し、更にこれら強誘電体キャパシタを所望個数だ
け直列接続することにより、実質的に強誘電体の厚さを
変えることができ、後述する最大電圧測定装置を容易に
製造することが可能となる。
【００２１】なお、本実施例においては、ＰＺＴ膜１０
８をｓｏｌ−ｇｅｌ法で形成する場合を示したが、例え
ばシリコン酸化膜１０６上にＰＺＴを何らかの方法で製
膜した後、レジストまたはＳＯＧで表面を平坦化し、そ
の後表面を一様にエッチングすることによってコンタク
トホール内にＰＺＴ膜１０８を形成することもできる。
８をｓｏｌ−ｇｅｌ法で形成する場合を示したが、例え
ばシリコン酸化膜１０６上にＰＺＴを何らかの方法で製
膜した後、レジストまたはＳＯＧで表面を平坦化し、そ
の後表面を一様にエッチングすることによってコンタク
トホール内にＰＺＴ膜１０８を形成することもできる。
【００２２】図２には、本実施例の製造方法を用いて製
造される強誘電体キャパシタの一応用例が最大電圧測定
装置を例にとり示されている。
造される強誘電体キャパシタの一応用例が最大電圧測定
装置を例にとり示されている。
【００２３】前述の製造方法で製造された複数の強誘電
体素子列（図２では３個の強誘電体素子列）が互いに並
列に接続されて強誘電体ユニット２０を構成している。
ここで、第１の強誘電体素子列は個々の強誘電体素子Ｆ
1 で構成され、第２の強誘電体素子列は２個の強誘電体
素子Ｆ1 ，Ｆ2が直列に接続されて構成されている。ま
た、第３の強誘電体素子列は３個の強誘電体素子列
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 が直列に接続されて構成されている。
そして、各強誘電体素子列には直列にスイッチＳ1〜Ｓ
3 が接続されている。
体素子列（図２では３個の強誘電体素子列）が互いに並
列に接続されて強誘電体ユニット２０を構成している。
ここで、第１の強誘電体素子列は個々の強誘電体素子Ｆ
1 で構成され、第２の強誘電体素子列は２個の強誘電体
素子Ｆ1 ，Ｆ2が直列に接続されて構成されている。ま
た、第３の強誘電体素子列は３個の強誘電体素子列
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 が直列に接続されて構成されている。
そして、各強誘電体素子列には直列にスイッチＳ1〜Ｓ
3 が接続されている。
【００２４】また、この強誘電体ユニット２０を自発分
極させるためのリセット回路２２が設けられており、こ
のリセット回路２２の直流電源２２ａにより強誘電体素
子Ｆ1 〜Ｆ3 のＰｔ電極を介してＰＺＴ強誘電体に直流
電圧を印加して、最大自発分極Ｐｒを生じさせる。ここ
で、第１の強誘電体素子列は１個の強誘電体素子Ｆ1 か
ら構成されているので、その強誘電体の膜厚は強誘電体
素子Ｆ1 のＰＺＴ強誘電体の膜厚に等しくなる。一方、
第２の強誘電体素子列は２個の強誘電体素子Ｆ1 ，Ｆ2
から構成されているため、強誘電体の合計膜厚は強誘電
体素子Ｆ1 のＰＺＴ強誘電体の２倍の膜厚となる。更
に、第３の強誘電体素子列は３個の強誘電体素子Ｆ1 ，
Ｆ2 ，Ｆ3 から構成されているため、その強誘電体の膜
厚はＰＺＴ強誘電体の膜厚の３倍となる。
極させるためのリセット回路２２が設けられており、こ
のリセット回路２２の直流電源２２ａにより強誘電体素
子Ｆ1 〜Ｆ3 のＰｔ電極を介してＰＺＴ強誘電体に直流
電圧を印加して、最大自発分極Ｐｒを生じさせる。ここ
で、第１の強誘電体素子列は１個の強誘電体素子Ｆ1 か
ら構成されているので、その強誘電体の膜厚は強誘電体
素子Ｆ1 のＰＺＴ強誘電体の膜厚に等しくなる。一方、
第２の強誘電体素子列は２個の強誘電体素子Ｆ1 ，Ｆ2
から構成されているため、強誘電体の合計膜厚は強誘電
体素子Ｆ1 のＰＺＴ強誘電体の２倍の膜厚となる。更
に、第３の強誘電体素子列は３個の強誘電体素子Ｆ1 ，
Ｆ2 ，Ｆ3 から構成されているため、その強誘電体の膜
厚はＰＺＴ強誘電体の膜厚の３倍となる。
【００２５】図５には各強誘電体素子列のＰ−Ｅヒステ
リシスループが示されている。図において、第１、第２
及び第３強誘電体素子列の最大自発分極Ｐｒの値はほと
んど同じ値であるが、強誘電体の合計膜厚が増大するほ
ど分極を反転させるに必要な電界、すなわち抗電界の値
が増大することがわかる。従って、リセット回路２２の
直流電源２２ａにより最大自発分極Ｐｒを生じさせる場
合には最も膜厚が大きい第３の強誘電体素子列に最大自
発分極を生じさせるに十分な電界を印加する必要があ
る。
リシスループが示されている。図において、第１、第２
及び第３強誘電体素子列の最大自発分極Ｐｒの値はほと
んど同じ値であるが、強誘電体の合計膜厚が増大するほ
ど分極を反転させるに必要な電界、すなわち抗電界の値
が増大することがわかる。従って、リセット回路２２の
直流電源２２ａにより最大自発分極Ｐｒを生じさせる場
合には最も膜厚が大きい第３の強誘電体素子列に最大自
発分極を生じさせるに十分な電界を印加する必要があ
る。
【００２６】このように、リセット回路２２により強誘
電体ユニット２０内の全ての強誘電体素子に最大自発分
極Ｐｒを生じさせた後、測定すべき外部電圧をこの強誘
電体ユニット２０に逆極性となるように接続し、外部電
圧の最大値を測定する。以下、この最大電圧値算出プロ
セスを風力センサからの電圧を測定する場合を例にとり
説明する。
電体ユニット２０内の全ての強誘電体素子に最大自発分
極Ｐｒを生じさせた後、測定すべき外部電圧をこの強誘
電体ユニット２０に逆極性となるように接続し、外部電
圧の最大値を測定する。以下、この最大電圧値算出プロ
セスを風力センサからの電圧を測定する場合を例にとり
説明する。
【００２７】図３には本実施例の測定プロセスのフロー
チャートが示されている。まず、Ｓ１０１にて前述した
リセット回路２２を用いて強誘電体ユニット２０内の各
強誘電体素子Ｆ1 〜Ｆ3 に最大自発分極Ｐｒを生じさせ
る。次に、風力センサから出力された電圧をリセット回
路２２の極性と逆極性になるように強誘電体ユニット２
０に接続する。このとき、各強誘電体素子列に直列に接
続されたスイッチＳ1 〜Ｓ3 は全てＯＮとする。図４に
は風力センサからの出力電圧特性の一例が示されてお
り、横軸は時間、縦軸は出力電圧を表している。本実施
例における風力センサからの出力電圧は時間ｔ1 ，
ｔ2 ，ｔ3 でそれぞれピーク値ｄ，ｅ，ｆを出力する。
このような特性を有する外部電圧が強誘電体ユニット２
０内の各強誘電体素子Ｆ1 〜Ｆ3 に印加されると、各強
誘電体素子はそのＰ−Ｅヒステリシスループに沿って自
発分極が変化してゆく。
チャートが示されている。まず、Ｓ１０１にて前述した
リセット回路２２を用いて強誘電体ユニット２０内の各
強誘電体素子Ｆ1 〜Ｆ3 に最大自発分極Ｐｒを生じさせ
る。次に、風力センサから出力された電圧をリセット回
路２２の極性と逆極性になるように強誘電体ユニット２
０に接続する。このとき、各強誘電体素子列に直列に接
続されたスイッチＳ1 〜Ｓ3 は全てＯＮとする。図４に
は風力センサからの出力電圧特性の一例が示されてお
り、横軸は時間、縦軸は出力電圧を表している。本実施
例における風力センサからの出力電圧は時間ｔ1 ，
ｔ2 ，ｔ3 でそれぞれピーク値ｄ，ｅ，ｆを出力する。
このような特性を有する外部電圧が強誘電体ユニット２
０内の各強誘電体素子Ｆ1 〜Ｆ3 に印加されると、各強
誘電体素子はそのＰ−Ｅヒステリシスループに沿って自
発分極が変化してゆく。
【００２８】ここで、図６に示されるように、ＰＺＴ強
誘電体の膜厚が増加するに従い反転分極が生じる抗電界
も膜厚にほぼ比例して増大していくため、風力センサか
らの出力電圧が最大値ｆとなったときにこのｆに相当す
る電界が抗電界以上であるときには反転分極が生じるこ
ととなる。本実施例においては、前述したように第１の
強誘電体素子列の膜厚が最も小さく、第３の強誘電体素
子列の最も膜厚が大きいため、出力電圧ｆの値に応じて
以下の３態様が出現することになる。
誘電体の膜厚が増加するに従い反転分極が生じる抗電界
も膜厚にほぼ比例して増大していくため、風力センサか
らの出力電圧が最大値ｆとなったときにこのｆに相当す
る電界が抗電界以上であるときには反転分極が生じるこ
ととなる。本実施例においては、前述したように第１の
強誘電体素子列の膜厚が最も小さく、第３の強誘電体素
子列の最も膜厚が大きいため、出力電圧ｆの値に応じて
以下の３態様が出現することになる。
【００２９】（１）第１、第２、第３各強誘電体素子列
いずれも反転分極を生じない。
いずれも反転分極を生じない。
【００３０】（２）第１、第２、第３各強誘電体素子列
のうちいずれか（第１、第２、第３強誘電体素子列の順
に分極反転しにくくなる）が分極反転する。
のうちいずれか（第１、第２、第３強誘電体素子列の順
に分極反転しにくくなる）が分極反転する。
【００３１】（３）第１、第２、第３各強誘電体素子列
全てが分極反転する。
全てが分極反転する。
【００３２】そこで、次に強誘電体ユニットの出力端を
分極測定回路２４に接続し、スイッチＳ1 〜Ｓ3 を順次
ＯＮさせていき、分極が反転しているか否かを調べるこ
とにより風力センサの最大出力電圧値を検出することが
できる。
分極測定回路２４に接続し、スイッチＳ1 〜Ｓ3 を順次
ＯＮさせていき、分極が反転しているか否かを調べるこ
とにより風力センサの最大出力電圧値を検出することが
できる。
【００３３】図７には本実施例における分極測定回路２
４の回路図及び分極測定原理説明図が示されている。分
極測定回路２４は強誘電体素子に最大自発分極を生じさ
せる直流電源２４ａ及び抵抗２４ｂから構成され、ＢＣ
間の電圧ないし電流をモニタすることにより残留分極が
検出される。
４の回路図及び分極測定原理説明図が示されている。分
極測定回路２４は強誘電体素子に最大自発分極を生じさ
せる直流電源２４ａ及び抵抗２４ｂから構成され、ＢＣ
間の電圧ないし電流をモニタすることにより残留分極が
検出される。
【００３４】すなわち、強誘電体素子を最大自発分極さ
せるべくＡＢ間に電圧を印加し、その時のＢＣ間の電圧
変動を測定すると、強誘電体素子が分極反転してすでに
最大自発分極Ｐｒを有している場合には図７（Ｂ）にお
いてイのような変化となるが、強誘電体素子の残留分極
が完全に分極反転していない場合にはロのような変化を
示すことになる。これは強誘電体素子がすでに最大自発
分極を有している場合にはＰ−Ｅヒステリシスループ上
で変化を示し、そうでない場合にはＰ−Ｅヒステリシス
ループに沿わずに変化するからである。
せるべくＡＢ間に電圧を印加し、その時のＢＣ間の電圧
変動を測定すると、強誘電体素子が分極反転してすでに
最大自発分極Ｐｒを有している場合には図７（Ｂ）にお
いてイのような変化となるが、強誘電体素子の残留分極
が完全に分極反転していない場合にはロのような変化を
示すことになる。これは強誘電体素子がすでに最大自発
分極を有している場合にはＰ−Ｅヒステリシスループ上
で変化を示し、そうでない場合にはＰ−Ｅヒステリシス
ループに沿わずに変化するからである。
【００３５】従って、最大自発分極以外の残留分極が生
じている場合にはロのような電圧（あるいは電流）変化
を示すので、ＡＢ間に２回所定の電圧を印加し、その２
回の電圧（あるいは電流）変化の差（図中斜線部分）を
求めることにより、残留分極の値を測定することができ
る（すでに最大自発分極Ｐｒのときは差は０となり、そ
うでない場合は残留分極に応じた差を示すことにな
る）。
じている場合にはロのような電圧（あるいは電流）変化
を示すので、ＡＢ間に２回所定の電圧を印加し、その２
回の電圧（あるいは電流）変化の差（図中斜線部分）を
求めることにより、残留分極の値を測定することができ
る（すでに最大自発分極Ｐｒのときは差は０となり、そ
うでない場合は残留分極に応じた差を示すことにな
る）。
【００３６】なお、前述したように各強誘電体素子列に
最大自発分極を生じさせるための直流電源２４ａは強誘
電体の膜厚に応じて変化させる必要があり、従って本実
施例の分極測定回路２４の直流電源２４ａの電圧はリセ
ット回路２２の直流電源２２ａと同様の電圧でよいが、
例えば図８に示すように第２の強誘電体素子列及び第３
の強誘電体素子列にそれぞれスイッチＴ1 ，Ｔ2 を設
け、第１の強誘電体素子列の反転分極を測定する場合に
はＳ1 を閉じて強誘電体素子Ｆ1 に直流電圧を印加し、
第２の強誘電体素子列の反転分極を測定する場合にはス
イッチＳ2 及びＴ1 をＯＮとして強誘電体素子Ｆ1 のみ
の反転分極を測定する。また、第３の強誘電体素子列の
反転分極を測定する場合には、スイッチＳ3 及びＴ2 を
ＯＮとして強誘電体素子Ｆ1 のみの反転分極を測定す
る。
最大自発分極を生じさせるための直流電源２４ａは強誘
電体の膜厚に応じて変化させる必要があり、従って本実
施例の分極測定回路２４の直流電源２４ａの電圧はリセ
ット回路２２の直流電源２２ａと同様の電圧でよいが、
例えば図８に示すように第２の強誘電体素子列及び第３
の強誘電体素子列にそれぞれスイッチＴ1 ，Ｔ2 を設
け、第１の強誘電体素子列の反転分極を測定する場合に
はＳ1 を閉じて強誘電体素子Ｆ1 に直流電圧を印加し、
第２の強誘電体素子列の反転分極を測定する場合にはス
イッチＳ2 及びＴ1 をＯＮとして強誘電体素子Ｆ1 のみ
の反転分極を測定する。また、第３の強誘電体素子列の
反転分極を測定する場合には、スイッチＳ3 及びＴ2 を
ＯＮとして強誘電体素子Ｆ1 のみの反転分極を測定す
る。
【００３７】このように、各強誘電体素子列の反転分極
を測定する際に、強誘電体素子列の全ての強誘電体素子
に直流電圧を印加するのではなく、全ての強誘電体素子
列に共通する強誘電体素子Ｆ1 のみに着目して反転分極
を測定することにより、分極測定回路２４の直流電源２
４ａは低電圧ですむことになり、測定の容易化を図るこ
とができる。
を測定する際に、強誘電体素子列の全ての強誘電体素子
に直流電圧を印加するのではなく、全ての強誘電体素子
列に共通する強誘電体素子Ｆ1 のみに着目して反転分極
を測定することにより、分極測定回路２４の直流電源２
４ａは低電圧ですむことになり、測定の容易化を図るこ
とができる。
【００３８】なお、前述の実施例では強誘電体素子列が
３個の場合を示したが、必要に応じ列数を適宜増大して
もよく、また直列接続される強誘電体素子の数も適宜増
大してもよいことはいうまでもない。
３個の場合を示したが、必要に応じ列数を適宜増大して
もよく、また直列接続される強誘電体素子の数も適宜増
大してもよいことはいうまでもない。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る強誘
電体キャパシタの製造方法によれば、直列あるいは並列
接続された複数の強誘電体キャパシタを半導体基板上に
容易に形成することができ、歩留まりの向上、コスト低
下を図ることができる。
電体キャパシタの製造方法によれば、直列あるいは並列
接続された複数の強誘電体キャパシタを半導体基板上に
容易に形成することができ、歩留まりの向上、コスト低
下を図ることができる。
【００４０】また、本発明の製造方法により形成された
強誘電体キャパシタを用いて無電源かつ不揮発で最大電
圧を測定することも可能となる。強誘電体表面も平坦化
されており電界の均一性なども加えられる。
強誘電体キャパシタを用いて無電源かつ不揮発で最大電
圧を測定することも可能となる。強誘電体表面も平坦化
されており電界の均一性なども加えられる。
【図１】本発明の製造方法の説明図である。
【図２】本発明の強誘電体キャパシタを用いた最大電圧
測定装置の全体構成図である。
測定装置の全体構成図である。
【図３】同実施例の測定フロチャートである。
【図４】同実施例の風力センサの出力特性図である。
【図５】同実施例の各強誘電体素子列のＰ−Ｅヒステリ
シスループ図である。
シスループ図である。
【図６】同実施例の強誘電体の厚さと抗電界との関係を
示すグラフ図である。
示すグラフ図である。
【図７】同実施例の残留分極測定の説明図である。
【図８】本発明の他の実施例の構成図である。
【図９】従来装置の回路図である。
１００ シリコン基板 １０２ シリコン酸化膜 １０４ 下部電極 １０６ シリコン酸化膜 １０８ ＰＺＴ膜 １１０ 上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する
第１絶縁膜形成ステップと、 前記第１の絶縁膜上に第１の金属膜を形成する第１金属
膜形成ステップと、 前記第１の金属膜をエッチングして下部電極を形成する
下部電極形成ステップと、 前記下部電極上に層間絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成
ステップと、 前記層間絶縁膜をエッチングして前記下部電極とのコン
タクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップ
と、 前記層間絶縁膜上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜形
成ステップと、 前記強誘電体膜をエッチングし、前記コンタクトホール
内の前記強誘電体膜を互いに分離させる強誘電体膜加工
ステップと、 前記加工された強誘電体膜上に第２の金属膜を形成する
第２金属膜形成ステップと、 前記第２の金属膜をエッチングして前記コンタクトホー
ル上に上部電極を形成する上部電極形成ステップと、 を有することを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284760A JP3044105B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 強誘電体キャパシタの製造方法 |
| US07/958,684 US5325050A (en) | 1991-10-30 | 1992-10-09 | Maximum voltage detecting apparatus using ferroelectric capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284760A JP3044105B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 強誘電体キャパシタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119074A JPH05119074A (ja) | 1993-05-14 |
| JP3044105B2 true JP3044105B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=17682656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3284760A Expired - Fee Related JP3044105B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 強誘電体キャパシタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044105B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101614752B (zh) * | 2008-06-25 | 2010-12-01 | 中国科学院电子学研究所 | 一种微型电容式风速传感器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326239B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-05-09 | 박종섭 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
| JP6269556B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2018-01-31 | 富士電機株式会社 | センサ及び部分放電検出装置 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3284760A patent/JP3044105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101614752B (zh) * | 2008-06-25 | 2010-12-01 | 中国科学院电子学研究所 | 一种微型电容式风速传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05119074A (ja) | 1993-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |