JP3042970B2 - ドライレジストフィルムのラミネート方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レジスト層が設けられ
たドライレジストフィルムを基板上に積層するラミネー
ト方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ドライレジストフィルム１は、
図１２に示すような構成になっている。すなわち、ベー
スとなるベースフィルム６１上に１層あるいは２層以上
の中間層６２が形成され、さらに該中間層６２上には、
紫外線光によって硬化するレジスト層６３が形成され
る。そして、最後にレジスト層６３を保護するカバーフ
ィルム６４がレジスト層６３上に形成される。なお、中
間層６２の無いレジストフィルムも見られる。実際に、
上述したような構成からなるドライレジストフィルムを
基板上にラミネートする場合には、まず、カバーフィル
ム６４を巻き取る等してレジスト層６３を露出させ、こ
のレジスト層６３が基板に密着するようにラミネートす
る。

【０００３】従来、ドライレジストフィルムを基板に貼
付する方法として、一対のヒートローラの間に、基板と
ドライレジストフィルムを挟み込み、次いで前記ヒート
ローラにてドライレジストフィルムを加熱すると共に基
板に圧着させるという方法が用いられていた。この方法
においては、通常、ドライレジストフィルムは基板の長
さに合わせて自動的に切断される。しかしながら、切断
されてフリーの状態になったドライレジストフィルム
は、しわが寄り易く、また、ヒートローラに圧着される
前にドライレジストフィルムが基板と接触することがあ
る。その結果、基板とドライレジストフィルムとの間
に、気泡をかみ込む場合がある。

【０００４】上記問題を解決する方法として、例えば、
特開昭６１−２０５１４０号公報には、ドライレジスト
フィルムを吸着保持しながらヒートローラにて熱圧着す
る方法が開示されている。また、ドライレジストフィル
ムを基板の長さ毎に切断せず、連続的に貼付する方法が
特開平４−３２３０３１号公報に開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−２０５１４０号公報に記載された方法では、ドラ
イレジストフィルムのベースに用いられるベースフィル
ム（ポリエステル等からなる）の厚みが、２０〜５０μ
ｍの範囲であれば、基板の長さに切断されたドライレジ
ストフィルムを吸着保持することは可能であるが、ベー
スフィルムの厚みが上記範囲以上になると、図１３
（ａ）〜（ｃ）に示すように、ラミネートローラ７０と
同軸回転するフィルム吸引部材７１の先端に設けられた
フィルム吸着面７２に負圧により吸着しているドライレ
ジストフィルム１は、フィルム吸着部材７１が回転する
につれて、フィルム吸着面７２から離れてしまう。すな
わち、ドライレジストフィルム１のベースフィルムが固
くなり過ぎたために、フィルム吸着面７２における吸引
力ではドライレジストフィルム１を吸着保持することが
できなくなるからである。その結果、ドライレジストフ
ィルム１は、ヒートローラ７０により基板２に圧着され
る前に、基板２と接触し、基板２とドライレジストフィ
ルム１との間に気泡をかみ込んでしまうという問題があ
る。

【０００６】特に、液晶表示装置のカラーフィルター製
造用として市販されているドライレジストフィルムのベ
ースフィルムとしては、レジスト層の厚みを均一に保つ
必要性から、厚さ７５μｍのものが使用されている。し
たがって、上記方法では、通常のドライレジストフィル
ムを保持するのに十分な吸引力を得ることができず、ヒ
ートローラによりドライレジストフィルムが基板に圧着
される前に、ドライレジストフィルムは基板と接触し、
基板とドライレジストフィルムとの間に気泡をかみ込ん
でしまう。

【０００７】また、特開平４−３２３０３１号公報に開
示された積層方法では、ドライレジストフィルムを基板
の長さ毎に切断せず、連続的に貼り付けているので、ド
ライレジストフィルムに常に張力をかけることができ、
基板とドライレジストフィルムとの間で生じる気泡のか
みこみを防げると考えられる。しかしながら、図１４
（ａ）〜（ｄ）に示すように、ベースフィルム６１を剥
離する際に、ベースフィルム６１の剥離開始点にレジス
ト層６３および中間層６２のケバ立ち６６が生じたり、
あるいは、図１５（ａ）〜（ｄ）に示すように、ベース
フィルム６１の剥離終了点にレジスト層６３や中間層６
２の残り６７が発生するという問題がある。

【０００８】上記問題の原因としては、以下のように考
えられる。レジスト層６３及び中間層６２には弾性があ
るため、ベースフィルム６１剥離時に、加熱圧着手段に
より加熱圧着された部分６５とそうでない部分との境界
でただちに破断が起こらず、レジスト層６３及び中間層
６２は、加熱圧着された部分６５とベースフィルム６１
との間で引き伸ばされた状態になる。その後、弾性限界
を越えたところでレジスト層６３及び中間層６２は破断
し、ケバ立ち６６や残り６７が発生すると考えられる。
なお、図１４及び図１５に示すような方法で、レジスト
層６３と中間層６２とが貼付された基板２は、露光装置
により感光された後、現像装置により所望のパターンが
形成されるが、基板２上に前記ケバ立ち６６や残り６７
が生じていると、これらが露光装置のマスクに付着した
り、あるいは、基板６７端から分離してパターンの形成
されるべき部分に付着したりし、その結果、露光状態に
不具合が生じ、パターン形成に重大な欠陥をもたらすと
いう不都合がある。さらに、加熱圧着手段により加熱し
過ぎた場合、レジスト層で熱重合が発生し、後工程でレ
ジスト層が現像されないという不具合が生じる。

【０００９】本発明は、前記従来の問題点を解決すべく
なされたものであり、ベースフィルムの厚みが５０μｍ
を越えるようなドライレジストフィルムであっても、気
泡やしわ寄りの無い貼り付け状態が容易に得られ、か
つ、ベースフィルム剥離後に基板上にレジスト層のケバ
立ちが生じたり、あるいは、基板上から除去されるべき
レジスト層及び中間層が残ったりする事の無いドライレ
ジストフィルムのラミネート方法を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、所定
の間隔で連続して搬送される複数の基板を予熱する工程
と、予熱された基板と、レジスト層が設けられると共に
連続したドライレジストフィルムとを、該レジスト層が
前記基板に接着するように一対の対向するラミネートロ
ーラにより熱圧着する工程と、ドライレジストフィルム
が熱圧着された基板を冷却する工程と、冷却された基板
上であって該基板の前後両端部近傍で、該基板に接着し
ているドライレジストフィルムを、基板の搬送方向に対
して略直角方向に切断する工程と、切断されたドライレ
ジストフィルムが接着している基板を再加熱する工程
と、基板間を連結し、かつ、前記切断工程で形成された
切断面間のドライレジストフィルムを、再加熱された基
板から除去する工程とを含むことを特徴とするドライレ
ジストフィルムのラミネート方法である。

【００１１】請求項２の発明は、所定の間隔で連続して
搬送される複数の基板を予熱する工程と、予熱された基
板と、レジスト層が設けられると共に連続したドライレ
ジストフィルムとを、該レジスト層が前記基板に接着す
るように一対の対向するラミネートローラにより熱圧着
する工程と、ドライレジストフィルムが熱圧着された基
板を冷却する工程と、冷却された基板間を連結している
ドライレジストフィルムを、基板間であって該基板の搬
送方向に対して略直角方向に切断する工程と、基板間で
ドライレジストフィルムが切断されたことにより、個々
に分離した基板上であって該基板の前後両端部近傍で、
該基板に接着しているドライレジストフィルムを切断す
る工程と、基板上で切断されたドライレジストフィルム
が接着している基板を再加熱する工程と、前記切断工程
で基板上のドライレジストフィルムを切断した際に形成
された切断面を利用して、該基板の前後両端部より突出
しているドライレジストフィルムを、再加熱された基板
から除去する工程とを含むドライレジストフィルムのラ
ミネート方法である。

【００１２】請求項３の発明は、所定の間隔で連続して
搬送される複数の基板を予熱する工程と、予熱された基
板と、レジスト層が設けられると共に連続したドライレ
ジストフィルムとを、該レジスト層が前記基板に接着す
るように一対の対向するラミネートローラにより熱圧着
する工程と、熱圧着された基板間を連結しているドライ
レジストフィルムを、基板間であって該基板の搬送方向
に対して略直角方向に切断する工程と、基板間でドライ
レジストフィルムが切断されたことにより、個々に分離
した基板を冷却する工程と、冷却された基板上であって
該基板の前後両端部近傍で、該基板に接着しているドラ
イレジストフィルムを切断する工程と、基板上で切断さ
れたドライレジストフィルムが接着している基板を再加
熱する工程と、前記切断工程で基板上のドライレジスト
フィルムを切断した際に形成された切断面を利用して、
該基板の前後両端部より突出しているドライレジストフ
ィルムを、再加熱された基板から除去する工程とを含む
ドライレジストフィルムのラミネート方法である。

【００１３】

【作用】請求項１の発明によれば、ドライレジストフィ
ルムを基板の長さ毎に切断せず、連続的に熱圧着がおこ
なわれているので、ドライレジストフィルムにシワや弛
みが生じることがなく、適切な張力が付与される。次
に、熱圧着された基板は冷却されるため、基板とレジス
ト層との密着力が高まり、その状態において基板上でド
ライレジストフィルムが切断されるので、切断面がシャ
ープになる。そして、基板の再加熱が行われて基板とレ
ジスト層との密着力が弱まり、基板から突出しているド
ライレジストフィルムの除去が容易になる。

【００１４】請求項２の発明によれば、ドライレジスト
フィルムを基板の長さ毎に切断せず、連続的に熱圧着が
おこなわれているので、ドライレジストフィルムにシワ
や弛みが生じることがなく、適切な張力が付与される。
次に、熱圧着された基板は冷却されるため、基板とレジ
スト層との密着力が高まる。そして、基板間を連結して
いるドライレジストフィルムは、基板間で切断されるた
め、その後の処理をそれぞれ独立して行える。また、冷
却工程により基板とレジスト層との密着力が高まった状
態において、基板上でドライレジストフィルムが切断さ
れるので、切断面がシャープになる。さらに、基板の再
加熱が行われて基板とレジスト層との密着力が弱まり、
基板から突出しているドライレジストフィルムの除去が
容易になる。

【００１５】請求項３の発明によれば、ドライレジスト
フィルムを基板の長さ毎に切断せず、連続的に熱圧着が
おこなわれているので、ドライレジストフィルムにシワ
や弛みが生じることがなく、適切な張力が付与される。
次に、基板間を連結しているドライレジストフィルム
は、基板間で切断されるため、その後の処理をそれぞれ
独立して行える。そして、熱圧着された基板は冷却され
るため、基板とレジスト層との密着力が高まり、その状
態において基板上でドライレジストフィルムが切断され
るので、切断面がシャープになる。さらに、基板の再加
熱が行われて基板とレジスト層との密着力が弱まり、基
板から突出しているドライレジストフィルムの除去が容
易になる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明のドライレジストフィルム
のラミネート方法を実施するために使用されるラミネー
ト装置の第一実施例の概要を示す図である。図１に示す
ように、本実施例のラミネート装置は、基板予熱部、ラ
ミネート部、基板冷却部、基板上フィルム切断部及びフ
ィルム除去部から構成されている。

【００１７】ラミネートの工程を図１を参照しながら説
明する。先ず、ラミネートされるべき基板２は搬送ロー
ラにより基板予熱部に送られ、ここで、予熱ヒータ３で
所定の温度（基板材質、レジスト層の材質、基板の搬送
速度、その他の条件により異なるが、一般的に５０〜８
０℃が望ましい）に加熱される。予熱ヒータ３として
は、遠赤外線ヒータ、ニクロム線ヒータ、熱風ヒータそ
の他の適当なものであってよく、予熱ヒータ３は基板２
の上方又は下方あるいは両方の何れに設けられていても
よい。基板２としては、プリント基板用の銅張ガラスエ
ポキシ樹脂基板やガラス基板等を挙げることができる。

【００１８】予熱された後、基板２は搬送ローラ４によ
りラミネート部へ送られる。ラミネート部には、一対の
ラミネートローラ５及び６が、それぞれ基板２の上方及
び下方の対向する位置に設けられている。ラミネートロ
ーラ６はラミネートローラ５と協同して、レジスト層が
設けられたドライレジストフィルム１を基板２に熱圧着
するとともに、基板２を支持して搬送する役割を担う。
ラミネートローラ５及び６は、それぞれ矢印方向に上下
移動可能であり、不作動状態の時は、両ローラはそれぞ
れ５ａ及び６ａの位置にある。ラミネートローラ５及び
６は、ステンレススチール製、ローラ面がシリコーンゴ
ム等のような適当な弾性材料で被覆された銅製等のロー
ラである。また、ローラの温度は、基板材質、レジスト
層の材質、基板の搬送速度、その他の条件により異なる
が、一般的に１００〜１３０℃が望ましい。

【００１９】なお、ドライレジストフィルム１は、一般
に用いられているものでよく、例えば図１２に示すよう
に、土台となるベースフィルム６１と、このベースフィ
ルム６１上に形成された一層又は二層以上の中間層６２
と、該中間層６２上に設けられ、紫外線光によって硬化
するレジスト層６３と、さらにこのレジスト層６３上に
形成され、該レジスト層６３を保護するカバーフィルム
６４とから構成されている。また、中間層６２の無いも
のでもよい。ベースフィルム６１としては、一般にポリ
エチレンテレフタレート、ポリプロピレンその他のポリ
マーからなり、その厚さは１０〜２００μｍである。中
間層６２としては、例えば、ポリビニルアルコール等か
らなる層であり、その厚さは１０〜５０μｍである。ま
た、レジスト層６３は、光重合レジストで形成されたも
のであり、その厚さは１〜５０μｍである。この光重合
レジストとしては特に限定されず、いかなる材料であっ
てもよい。

【００２０】ラミネート部においては、ドライフィルム
ロール６０から巻き出されたドライレジストフィルム１
のカバーフィルム６４が、カバーフィルム巻き取りロー
ル１９により剥離され、レジスト層（図示せず）が露出
する。このレジスト層を露出したドライレジストフィル
ム１は、張力調整レバー２０を経由して、レジスト層が
基板２側になるように、供給される。次いで、ドライレ
ジストフィルム１は、加熱されたラミネートローラ５及
び６により、基板２と共に熱圧着される。

【００２１】次に、ドライレジストフィルム１が熱圧着
された基板２は、搬送ローラ４により基板冷却部に送ら
れ、基板冷却手段７により冷却される。基板冷却手段７
は、ファン８と、冷却用流体（冷水等）が循環している
冷却コイル９とから構成されている。ファン８により起
こされた風は、冷却コイル９を通過して冷風となり、基
板２を冷却する。ドライレジストフィルム１が熱圧着さ
れた基板２を基板冷却部に送って冷却する理由は、以下
のとおりである。ドライレジストフィルム１のレジスト
層は、高温状態では軟らかく、かつ、基板との密着力が
弱いが、一方、低温状態では硬く、かつ、基板との密着
力が強いという性質を有している。したがって、基板を
冷却することにより、後の工程で、基板上でドライレジ
ストフィルムを切断する際に、切断の応力でレジスト層
の剥離が発生するのを防止している。

【００２２】なお、基板２の表面温度を２０〜４０℃に
冷却するのが望ましい。また、必要以上に冷却すると、
レジスト層、中間層あるいはベースフィルムが硬くなり
すぎ、切断時に切り屑が発生しやすくなるため好ましく
ない。ここで、図１においては、冷風により基板を冷却
する手段を示したが、冷却用流体を循環させた冷却ロー
ルで冷却しながら、基板を搬送させる等の手段を用いて
もよい。

【００２３】続いて、冷却された基板２は、搬送ローラ
４により基板上フィルム切断部に送られる。基板上フィ
ルム切断部において、基板２同士を連結しているドライ
レジストフィルム１は、それぞれの基板２上で基板上フ
ィルム切断手段１０により切断される。すなわち、基板
２に接着しているドライレジストフィルム１は、基板２
上であって該基板２の前後両端部近傍で、基板２の搬送
方向に対して略直角方向に切断される。

【００２４】前記基板上フィルム切断手段１０は、図１
に示すように、カッター１１と、カッター昇降ユニット
１２と、カッタースライドユニット１３とから構成され
ている。図２は、基板上フィルム切断手段の側面図であ
る。図２において、カッター１１は、カッター昇降ユニ
ット１２により上下方向に移動可能であり、また、カッ
ター昇降ユニット１２は、カッタースライドユニット１
３により水平方向に移動可能である。フィルムの切断手
順は以下のとおりである。まず、カッター昇降ユニット
１２にて、カッター１１を基板２上に降下させて、カッ
タースライドユニット１３によりカッター１１を水平方
向にスライドさせることにより、ドライレジストフィル
ム１は基板２上で切断される。

【００２５】上記フィルム切断時においては、基板２が
同時に切断されず、かつ、ドライレジストフィルム１が
確実に切断されるように、カッター１１の材質や切断条
件を設定する必要がある。例えば、基板２がガラス板
で、ベースフィルムが厚さ７５μｍのポリエステル系素
材からなる場合には、ステンレス製のカッターを用い
て、約５００〜８００ｇｆの圧力を加え、１５０〜３０
０ｍｍ／ｓｅｃの速度で切断するのが望ましい。なお、
図１においては、基板２同士を連結しているドライレジ
ストフィルム１を、基板２上で同時に切断しているが、
片側づつ切断してもよい。

【００２６】次に、基板２上で切断されたドライレジス
トフィルム１が接着している基板２は、搬送ロール４に
よりフィルム除去部に送られる。ここでは、先ず、基板
２は加熱ロール１８により再加熱され、そして、フィル
ム剥離手段１４により、基板２間を連結し、かつ、前記
切断工程で形成された切断面間のドライレジストフィル
ム１は、再加熱された基板２から除去される。基板を再
加熱するのは、上述したように、ドライレジストフィル
ムのレジスト層は高温状態では軟らかく、かつ、基板と
の密着力が弱く、一方、低温状態では硬く、かつ、基板
との密着力が強いという性質を有しているので、基板を
加熱して剥離部分にレジスト層や中間層の残りを発生さ
せないためである。加熱温度は、６０〜９０℃が望まし
い。また、必要以上に加熱すると、レジスト層や中間層
で熱重合が発生するおそれがあり、その結果、現像され
難くなる等の不具合を生じるので望ましくない。

【００２７】図３は、図１のフィルム剥離手段の側面図
であり、図４は、図３のフィルム剥離手段の部分斜視図
である。フィルム剥離手段１４は、図１及び図３に示す
ように、基板２間のドライレジストフィルム１を掴み、
剥離するフィルムチャック１５と、該フィルムチャック
１５を上下方向にスライドさせるスライドユニット１７
と、該スライドユニット１７を水平方向にスライドさせ
るスライドユニット１６とから構成されている。ドライ
レジストフィルム１の剥離は以下のように行われる。先
ず、フィルムチャック１５が、剥離すべきドライレジス
トフィルム１ａを掴持し、スライドユニット１６及び１
７により、フィルムチャック１５を斜め上方に移動させ
ながらドライレジストフィルム１ａを剥離する。なお、
図１及び図３並びに図４においては、ドライレジストフ
ィルム１ａを直線的に持ち上げて、剥離を行っている
が、曲線的に持ち上げて、剥離を行ってもよい。あるい
は、ドライレジストフィルムを掴持しているフィルムチ
ャックを旋回させるようにして、剥離をおこなってもよ
い。

【００２８】なお、基板上のフィルム切断及びフィルム
除去に関して、ラミネートされる基板２の切れ間で搬送
ローラ４を一時停止させて、基板２上でのドライレジス
トフィルム１の切断及びドライレジストフィルム１ａの
剥離を行ってもよく、また、搬送ローラ４を作動させ
て、その搬送速度に同期させながら、基板上フィルム切
断手段１０及びフィルム剥離手段１４を作動させてもよ
い。

【００２９】図５及び図６は、本発明のドライレジスト
フィルムのラミネート方法を実施するために使用される
ラミネート装置の第二実施例の概要を示す図である。本
実施例のラミネート装置は、図５及び図６に示すよう
に、基板予熱部、ラミネート部、基板冷却部、基板間フ
ィルム切断部、基板上フィルム切断部及びフィルム除去
部から構成されている。

【００３０】本実施例にかかるラミネートの工程を図５
及び図６を参照しながら説明する。基板２は、基板予熱
ヒータ３により加熱された後、搬送ローラ４によりラミ
ネート部に送られる。ラミネート部において、ドライレ
ジストフィルム１と基板２は、加熱されたラミネートロ
ーラ５及び６により熱圧着される。そして、熱圧着され
た基板２は、基板冷却手段７により冷却される。なお、
基板予熱部、ラミネート部及び基板冷却部の各工程の目
的及び内容は、前記第一実施例で説明したとおりであ
る。

【００３１】続いて、冷却された基板２は、搬送ローラ
４により基板間フィルム切断部に送られる。この基板間
フィルム切断部では、基板間フィルム切断手段２１によ
り、基板２同士を連結しているドライレジストフィルム
１をそれぞれの基板２の間で切断する。図７は、基板間
フィルム切断手段２１の側面図である。図５及び図７に
示すように、基板間フィルム切断手段２１は、基板押さ
え手段とフィルム切断手段からなる。該基板押さえ手段
は、基板２を上方から押さえる基板押さえ２３と、該基
板押さえ２３を上下方向に移動させる基板押さえ昇降ユ
ニット２２とからなる。一方、フィルム切断手段は、基
板２間のドライレジストフィルム１を切断するカッター
２５と、該カッター２５を上下方向に移動させるカッタ
ー昇降ユニット２４と、該カッター昇降ユニット２４を
水平方向に移動させるカッタースライドユニット２６と
からなる。

【００３２】基板間フィルム切断手段２１により、基板
２間のドライレジストフィルム１を切断する工程は以下
のとおりである。先ず、基板押さえ昇降ユニット２２に
て基板押さえ２３を下降させ、フィルム切断時にドライ
レジストフィルム１が基板２から剥離しないように、基
板押さえ２３で基板２を押さえる。次ぎに、カッター昇
降ユニット２４にてカッター２５を上昇させて、カッタ
ースライドユニットにて、カッター２５を基板２の搬送
方向に対して略直角方向にスライドさせ、ドライレジス
トフィルム１を切断する。

【００３３】上述したように、基板２間を連結している
ドライレジストフィルム１を基板２の間で切断すること
で、これ以後の処理をそれぞれ独立して行うことができ
る。したがって、後の工程をラミネート速度に対して必
ずしも同期させる必要がなく、装置の構成が容易にな
る。なお、図５及び図７では、ディスクカッターにてド
ライレジストフィルム１を切断しているが、シャー刃、
ロータリーカッター、電熱線等で切断しても問題ない。

【００３４】続いて、図６に示すように、前工程で独立
した基板２は基板上フィルム切断部に移される。すなわ
ち、基板２は基板固定台に移載され、基板２から突出し
ているドライレジストフィルム１を基板上フィルム切断
手段２７にて基板２上で切断する。図８は、図６の基板
上フィルム切断手段の側面図である。図６及び図８に
て、基板上フィルム切断手段２７は、基板２上に接着し
ているドライレジストフィルム１を基板２上で切断する
カッター３０と、該カッター３０を上下方向に移動させ
るカッター昇降ユニット２９と、該カッター昇降ユニッ
ト２９を水平方向に移動させるカッタースライドユニッ
ト３１とから構成される。基板２上でドライレジストフ
ィルム１を切断する工程は、以下のとおりである。先
ず、カッター昇降ユニット２９にてカッター３０を基板
２上に降下させて、カッタースライドユニット３１にて
カッター３０を水平方向にスライドさせることにより、
基板２から突出しているドライレジストフィルム１を基
板２の端部近傍で切断する。この時の望ましいカッター
の材質や切断条件は、前記第一実施例で説明したとおり
である。

【００３５】次ぎに、基板２はフィルム除去部に移され
る。すなわち、基板２は、加熱プレート３３に移載さ
れ、加熱される。そして、前記基板上フィルム切断工程
で形成されたフィルムの切断面を利用して、基板２の前
後両端部より突出しているドライレジストフィルム１ａ
をフィルム剥離手段３２にて剥離する。なお、この工程
で基板を再加熱する理由や望ましい加熱条件は、前記第
一実施例で説明したとおりである。図９は、図６のフィ
ルム剥離手段の拡大図である。図９に示すように、除去
されるべきドライレジストフィルム１ａの端部をフィル
ムチャック３４で掴持して、該フィルムチャック３４を
旋回させながら切断面に沿ってドライレジストフィルム
１ａを剥離する。

【００３６】図１０及び図１１は、本発明のドライレジ
ストフィルムのラミネート方法を実施するために使用さ
れるラミネート装置の第三実施例の概要を示す図であ
る。本実施例のラミネート装置は、図１０及び図１１に
示すように、基板予熱部、ラミネート部、基板間フィル
ム切断部、基板冷却部、基板上フィルム切断部及びフィ
ルム除去部から構成されている。

【００３７】本実施例にかかるラミネートの工程を図１
０及び図１１を参照しながら説明する。基板２は、基板
予熱ヒータ３により加熱された後、搬送ローラ４により
ラミネート部に送られる。ラミネート部において、ドラ
イレジストフィルム１と基板２は、加熱されたラミネー
トローラ５及び６により熱圧着される。そして、熱圧着
された基板２は、基板間フィルム切断部に送られ、基板
２間を連結しているドライレジストフィルム１を基板２
間で基板間フィルム切断手段２１により切断する。ここ
で、基板２間を連結しているドライレジストフィルム１
を切断することで、これ以後の処理を独立して行うこと
ができ、装置構成が容易になる。

【００３８】基板２間で切断されたドライレジストフィ
ルム１が接着している基板２は、搬送ローラ４により基
板冷却部に送られ、基板冷却手段７にて基板２は冷却さ
れる。次に、基板２間でドライレジストフィルム１を切
断したことにより、個々に分離した基板２は、基板上フ
ィルム切断部に移される。すなわち、基板２は、基板固
定台２８に移載され、基板２から突出しているドライレ
ジストフィルム１を基板上フィルム切断手段２７にて基
板２上で切断する。最後に、基板２は、フィルム除去部
に移され、加熱プレート３３に移載される。そして、前
記基板上フィルム切断工程で形成されたフィルムの切断
面を利用して、加熱された基板２の前後両端部より突出
しているドライレジストフィルム１ａをフィルム剥離手
段３２にて剥離する。

【００３９】なお、本実施例にかかる基板予熱部、ラミ
ネート部、基板間フィルム切断部、基板冷却部、基板上
フィルム切断部及びフィルム除去部の各工程の目的、内
容及び設定条件並びに上記各手段の構成は、前記第一実
施例及び第二実施例で説明したとおりである。

【００４０】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、ドライレジス
トフィルムを基板毎に切断せずに連続的に熱圧着を行
い、熱圧着された基板を冷却後、該基板上でドライレジ
ストフィルムを切断し、その後、ドライレジストフィル
ムが切断された基板を再加熱し、かかる基板から突出し
ているドライレジストフィルムを除去することにより、
ベースフィルムの厚みが５０μｍを超えるようなドライ
レジストフィルムであっても、気泡やしわ寄りの無い貼
付状態を容易に得ることができ、かつ、ベースフィルム
剥離後に基板上にレジスト層のケバ立ちが生じたり、あ
るいは、基板上から除去されるべきレジスト層が残った
りする事の無いラミネート方法を得ることができる。

【００４１】請求項２の発明によれば、ドライレジスト
フィルムを基板毎に切断せずに連続的に熱圧着を行い、
熱圧着された基板を冷却後、基板間を連結しているドラ
イレジストフィルムを基板間で切断することにより、ベ
ースフィルムの厚みが５０μｍを超えるようなドライレ
ジストフィルムであっても、気泡やしわ寄りの無い貼付
状態を容易に得ることができると共に、後工程をそれぞ
れ独立して行うことができ、装置構成を容易にすること
ができる。また、該基板上でドライレジストフィルムを
切断し、その後、ドライレジストフィルムが切断された
基板を再加熱し、かかる基板から突出しているドライレ
ジストフィルムを除去することにより、ベースフィルム
剥離後に基板上にレジスト層のケバ立ちが生じたり、あ
るいは、基板上から除去されるべきレジスト層が残った
りする事の無いラミネート方法を得ることができる。

【００４２】請求項３の発明によれば、ドライレジスト
フィルムを基板毎に切断せずに連続的に熱圧着を行い、
基板間を連結しているドライレジストフィルムを基板間
で切断した後、熱圧着された基板を冷却することによ
り、ベースフィルムの厚みが５０μｍを超えるようなド
ライレジストフィルムであっても、気泡やしわ寄りの無
い貼付状態を容易に得ることができると共に、後工程を
それぞれ独立して行うことができ、装置構成を容易にす
ることができる。また、該基板上でドライレジストフィ
ルムを切断し、その後、ドライレジストフィルムが切断
された基板を再加熱し、かかる基板から突出しているド
ライレジストフィルムを除去することにより、ベースフ
ィルム剥離後に基板上にレジスト層のケバ立ちが生じた
り、あるいは、基板上から除去されるべきレジスト層が
残ったりする事の無いラミネート方法を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライレジストフィルムのラミネート
方法を実施するために使用されるラミネート装置の第一
実施例の概要を示す図である。

【図２】図１のフィルム切断手段の側面図である。

【図３】図１のフィルム剥離手段の側面図である。

【図４】図３のフィルム剥離手段の部分拡大斜視図であ
る。

【図５】本発明のドライレジストフィルムのラミネート
方法を実施するために使用されるラミネート装置の第二
実施例の概要を示す図である。

【図６】図５の後工程の概略を示す図である。

【図７】図５の基板間フィルム切断手段の側面図であ
る。

【図８】図６の基板上フィルム切断手段の側面図であ
る。

【図９】図６のフィルム剥離手段の拡大図である。

【図１０】本発明のドライレジストフィルムのラミネー
ト方法を実施するために使用されるラミネート装置の第
三実施例の概要を示す図である。

【図１１】図１０の後工程の概略を示す図である。

【図１２】一般的なドライレジストフィルムの断面構造
を示す図である。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、従来のドライレジストフ
ィルムと基板との圧着工程を示す図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、従来のフィルム除去工程
を示す図である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、従来のフィルム除去工程
を示す図である。

【符号の説明】

１ ドライレジストフィルム ２ 基板 ３ 予熱ヒータ ４ 搬送ローラ ５ ラミネートローラ ６ ラミネートローラ ７ 基板冷却手段 ８ ファン ９ 冷却コイル １０ 基板上フィルム切断手段 １１ カッター １２ カッター昇降ユニット １３ カッタースライドユニット １４ フィルム剥離手段 １５ フィルムチャック １６ フィルムチャックスライドユニット １７ フィルムチャックスライドユニット １８ 加熱ロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 犬飼 英之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−338040（ＪＰ，Ａ) 実公 平６−11198（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B32B 31/10 G03F 7/16

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の間隔で連続して搬送される複数の
   基板を予熱する工程と、予熱された基板と、レジスト層
   が設けられると共に連続したドライレジストフィルムと
   を、該レジスト層が前記基板に接着するように一対の対
   向するラミネートローラにより熱圧着する工程と、ドラ
   イレジストフィルムが熱圧着された基板を冷却する工程
   と、冷却された基板上であって該基板の前後両端部近傍
   で、該基板に接着しているドライレジストフィルムを、
   基板の搬送方向に対して略直角方向に切断する工程と、
   切断されたドライレジストフィルムが接着している基板
   を再加熱する工程と、基板間を連結し、かつ、前記切断
   工程で形成された切断面間のドライレジストフィルム
   を、再加熱された基板から除去する工程とを含むことを
   特徴とするドライレジストフィルムのラミネート方法。
2. 【請求項２】 所定の間隔で連続して搬送される複数の
   基板を予熱する工程と、予熱された基板と、レジスト層
   が設けられると共に連続したドライレジストフィルムと
   を、該レジスト層が前記基板に接着するように一対の対
   向するラミネートローラにより熱圧着する工程と、ドラ
   イレジストフィルムが熱圧着された基板を冷却する工程
   と、冷却された基板間を連結しているドライレジストフ
   ィルムを、基板間であって該基板の搬送方向に対して略
   直角方向に切断する工程と、基板間でドライレジストフ
   ィルムが切断されたことにより、個々に分離した基板上
   であって該基板の前後両端部近傍で、該基板に接着して
   いるドライレジストフィルムを切断する工程と、基板上
   で切断されたドライレジストフィルムが接着している基
   板を再加熱する工程と、前記切断工程で基板上のドライ
   レジストフィルムを切断した際に形成された切断面を利
   用して、該基板の前後両端部より突出しているドライレ
   ジストフィルムを、再加熱された基板から除去する工程
   とを含むドライレジストフィルムのラミネート方法。
3. 【請求項３】 所定の間隔で連続して搬送される複数の
   基板を予熱する工程と、予熱された基板と、レジスト層
   が設けられると共に連続したドライレジストフィルムと
   を、該レジスト層が前記基板に接着するように一対の対
   向するラミネートローラにより熱圧着する工程と、熱圧
   着された基板間を連結しているドライレジストフィルム
   を、基板間であって該基板の搬送方向に対して略直角方
   向に切断する工程と、基板間でドライレジストフィルム
   が切断されたことにより、個々に分離した基板を冷却す
   る工程と、冷却された基板上であって該基板の前後両端
   部近傍で、該基板に接着しているドライレジストフィル
   ムを切断する工程と、基板上で切断されたドライレジス
   トフィルムが接着している基板を再加熱する工程と、前
   記切断工程で基板上のドライレジストフィルムを切断し
   た際に形成された切断面を利用して、該基板の前後両端
   部より突出しているドライレジストフィルムを、再加熱
   された基板から除去する工程とを含むドライレジストフ
   ィルムのラミネート方法。