JP3042186B2 - 化合物半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
化合物半導体ウェハの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＨＥＭＴ構造をもつ化
合物半導体ウェハの製造方法、特に、有機金属気相エピ
タキシーによりＩｎＧａＡｓキャリア層を臨界膜厚以下
で成長させてシュードモフィックＨＥＭＴ構造とした化
合物半導体ウェハに関するものである。
合物半導体ウェハの製造方法、特に、有機金属気相エピ
タキシーによりＩｎＧａＡｓキャリア層を臨界膜厚以下
で成長させてシュードモフィックＨＥＭＴ構造とした化
合物半導体ウェハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板に設けたバッファ層上に、不純物を
含まないキャリア走行層と、ｎ型不純物（キャリアの走
行に障害となる）を含むキャリア供給層と、ショットキ
ゲートを積んだ構造はＨＥＭＴ（高電子移動度トランジ
スタ）として広く知られている。これはキャリア走行層
とキャリア供給層とをヘテロ接合によって空間的に切り
離すことで、雑音特性、高周波特性を上げることに成功
しているものである。これには、雑音特性を向上したシ
ュードモフィックＨＥＭＴ（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｉ
ｃ 高電子移動度トランジスタ）と呼ばれるものがあ
る。
含まないキャリア走行層と、ｎ型不純物（キャリアの走
行に障害となる）を含むキャリア供給層と、ショットキ
ゲートを積んだ構造はＨＥＭＴ（高電子移動度トランジ
スタ）として広く知られている。これはキャリア走行層
とキャリア供給層とをヘテロ接合によって空間的に切り
離すことで、雑音特性、高周波特性を上げることに成功
しているものである。これには、雑音特性を向上したシ
ュードモフィックＨＥＭＴ（Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｉ
ｃ 高電子移動度トランジスタ）と呼ばれるものがあ
る。
【０００３】図３に従来のｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系シュードモフィックＨＥＭＴエピタキ
シャルウェハの基本構造を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板
１上にアンドープのＧａＡｓバッファ層２（０．５μｍ
厚）、その上にシュードモフィックとするために臨界膜
厚以下で制御された膜厚の薄いアンドープＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓキャリア走行層３（１０ｎｍ）を、原子レベル
で微細な成長制御が可能な有機金属気相エピタキシー
（以下、ＭＯＶＰＥと略する）で成長させる。この場
合、キャリア走行層３を構成するＩｎＧａＡｓはバッフ
ァ層２を構成するＧａＡｓと格子定数が異なるため、Ｇ
ａＡｓ上への成長では大きく歪んだ結晶となるが、臨界
膜厚と呼ばれるある一定の膜厚を超えない限り界面に転
位が生じないきれいな接合が得られる。このように格子
不整合であっても格子が歪むことによって界面で格子欠
陥が生じないような状態をシュードモフィック状態とい
う。シュードモフィック状態が崩れて転位が発生すると
ＨＥＭＴとして必要なキャリア濃度が得られない。
Ａｓ／ＧａＡｓ系シュードモフィックＨＥＭＴエピタキ
シャルウェハの基本構造を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板
１上にアンドープのＧａＡｓバッファ層２（０．５μｍ
厚）、その上にシュードモフィックとするために臨界膜
厚以下で制御された膜厚の薄いアンドープＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓキャリア走行層３（１０ｎｍ）を、原子レベル
で微細な成長制御が可能な有機金属気相エピタキシー
（以下、ＭＯＶＰＥと略する）で成長させる。この場
合、キャリア走行層３を構成するＩｎＧａＡｓはバッフ
ァ層２を構成するＧａＡｓと格子定数が異なるため、Ｇ
ａＡｓ上への成長では大きく歪んだ結晶となるが、臨界
膜厚と呼ばれるある一定の膜厚を超えない限り界面に転
位が生じないきれいな接合が得られる。このように格子
不整合であっても格子が歪むことによって界面で格子欠
陥が生じないような状態をシュードモフィック状態とい
う。シュードモフィック状態が崩れて転位が発生すると
ＨＥＭＴとして必要なキャリア濃度が得られない。
【０００４】このようなシュードモフィック状態でバッ
ファ層２と接合されたキャリア供給層３上に、さらにア
ンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓスペーサ層４（２ｎｍ
厚）を介してｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓキャリア供給層
５（４０ｎｍ厚）を成長させるようにしたものである。
なお、スペーサ層４は、キャリア供給層５からのクーロ
ン散乱を抑え、電子移動度を向上するために必要に応じ
て挿入するものであり、ＨＥＭＴとして動作上必須のも
のではない。
ファ層２と接合されたキャリア供給層３上に、さらにア
ンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓスペーサ層４（２ｎｍ
厚）を介してｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓキャリア供給層
５（４０ｎｍ厚）を成長させるようにしたものである。
なお、スペーサ層４は、キャリア供給層５からのクーロ
ン散乱を抑え、電子移動度を向上するために必要に応じ
て挿入するものであり、ＨＥＭＴとして動作上必須のも
のではない。
【０００５】キャリア供給層５とキャリア走行層３との
ヘテロ界面のキャリア走行層３側にたまる２次元電子ガ
スをチャネルとして使用するが、この２次元電子ガスの
シートキャリア濃度、電子移動度が高い程、雑音特性の
良好な高性能ＨＥＭＴが作製できる。従来は、常温でシ
ートキャリア濃度として１．６×１０12ｃｍ-2、電子移
動度として６５００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓというのが通常の水
準であった。しかし、これにより作製できるＨＥＭＴの
雑音指数ＮＦは０．７ｄＢ止まりであった。
ヘテロ界面のキャリア走行層３側にたまる２次元電子ガ
スをチャネルとして使用するが、この２次元電子ガスの
シートキャリア濃度、電子移動度が高い程、雑音特性の
良好な高性能ＨＥＭＴが作製できる。従来は、常温でシ
ートキャリア濃度として１．６×１０12ｃｍ-2、電子移
動度として６５００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓというのが通常の水
準であった。しかし、これにより作製できるＨＥＭＴの
雑音指数ＮＦは０．７ｄＢ止まりであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術で雑
音指数ＮＦが０．６ｄＢを下回るＨＥＭＴを実現しよう
とすると、シートキャリア濃度、電子移動度をさらに増
やす必要がある。このためには、Ｉｎ組成が高いほどＩ
ｎＧａＡｓにたまる電子の濃度が増すため増幅率の高く
雑音特性のよいＨＥＭＴデバイスが製作できることか
ら、従来０．１５が主であったＩｎＧａＡｓのＩｎ組成
を、０．２とする一方、成長温度、Ｖ／III比、成長速
度といった成長条件を最適化する必要がある。しかしな
がら、Ｉｎ組成を高くすることは、それだけＩｎＧａＡ
ｓに内在する歪が大きくなり、結晶が壊れ始める臨界膜
厚が薄くなるため製作が難しくなる。また従来、成長温
度、Ｖ／III 比、成長速度といった成長条件の最適化の
検討は全く行われていなかった。
音指数ＮＦが０．６ｄＢを下回るＨＥＭＴを実現しよう
とすると、シートキャリア濃度、電子移動度をさらに増
やす必要がある。このためには、Ｉｎ組成が高いほどＩ
ｎＧａＡｓにたまる電子の濃度が増すため増幅率の高く
雑音特性のよいＨＥＭＴデバイスが製作できることか
ら、従来０．１５が主であったＩｎＧａＡｓのＩｎ組成
を、０．２とする一方、成長温度、Ｖ／III比、成長速
度といった成長条件を最適化する必要がある。しかしな
がら、Ｉｎ組成を高くすることは、それだけＩｎＧａＡ
ｓに内在する歪が大きくなり、結晶が壊れ始める臨界膜
厚が薄くなるため製作が難しくなる。また従来、成長温
度、Ｖ／III 比、成長速度といった成長条件の最適化の
検討は全く行われていなかった。
【０００７】本発明の目的は、シュードモフィックＨＥ
ＭＴ構造の化合物半導体ウェハの特性を決定するＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層の成長条件を最適化することによ
って、前述の欠点を解消し、十分高いシートキャリア濃
度と電子移動度をもち、製造の容易な化合物半導体ウェ
ハの製造方法を提供することにある。
ＭＴ構造の化合物半導体ウェハの特性を決定するＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層の成長条件を最適化することによ
って、前述の欠点を解消し、十分高いシートキャリア濃
度と電子移動度をもち、製造の容易な化合物半導体ウェ
ハの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体ウ
ェハの製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュー
ドモフィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御され
たアンドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を少なくとも
有機金属気相エピタキシーで成長させ、その上にｎ型Ａ
ｌＧａＡｓキャリア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭ
Ｔ構造の化合物半導体ウェハの製造方法において、アン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を成長させるに際し
て、Ｖ／III 比を２０とし、かつ、成長温度を５５０℃
〜６２５℃としたものである。
ェハの製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュー
ドモフィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御され
たアンドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を少なくとも
有機金属気相エピタキシーで成長させ、その上にｎ型Ａ
ｌＧａＡｓキャリア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭ
Ｔ構造の化合物半導体ウェハの製造方法において、アン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を成長させるに際し
て、Ｖ／III 比を２０とし、かつ、成長温度を５５０℃
〜６２５℃としたものである。
【０００９】また、シュードモフィックＨＥＭＴ構造の
半導体ウェハを製造する際に、成長温度を６２５〜６５
０℃とした場合にはＶ／III 比を５０、成長温度を６５
０〜７００℃とした場合にはＶ／III 比を１００以上１
５０以下、成長温度を７００℃以上とした場合にはＶ／
III 比を１５０、そして成長温度を５５０℃以下とした
場合にはＶ／III 比を１００以上１５０以下としたもの
である。
半導体ウェハを製造する際に、成長温度を６２５〜６５
０℃とした場合にはＶ／III 比を５０、成長温度を６５
０〜７００℃とした場合にはＶ／III 比を１００以上１
５０以下、成長温度を７００℃以上とした場合にはＶ／
III 比を１５０、そして成長温度を５５０℃以下とした
場合にはＶ／III 比を１００以上１５０以下としたもの
である。
【００１０】さらに、上記シュードモフィックＨＥＭＴ
構造の半導体ウェハを製造する際に、成長速度を５Å／
ｓ以下とし、かつＶ／III 比を２０としたものである。
成長速度を１０Å／ｓ以上とした場合には、Ｖ／III 比
を２０、成長速度を５〜１０Å／ｓとした場合には、Ｖ
／III 比を５０以上１００以下としたものである。
構造の半導体ウェハを製造する際に、成長速度を５Å／
ｓ以下とし、かつＶ／III 比を２０としたものである。
成長速度を１０Å／ｓ以上とした場合には、Ｖ／III 比
を２０、成長速度を５〜１０Å／ｓとした場合には、Ｖ
／III 比を５０以上１００以下としたものである。
【００１１】なお、ＩｎＧａＡｓキャリア走行層のＩｎ
組成は、組成０のときを除いて（ＧａＡｓは不可）任意
である。Ｉｎ組成が任意である理由は次の２点にある。
組成は、組成０のときを除いて（ＧａＡｓは不可）任意
である。Ｉｎ組成が任意である理由は次の２点にある。
【００１２】シュードモフィックＨＥＭＴは、ＡｌＧ
ａＡｓ（またはＧａＡｓ）とＩｎＧａＡｓとのヘテロ接
合を利用したものであれば、ＩｎＧａＡｓのＩｎ組成に
かかわらず作製できる。Ａｌ組成を特定しないのもこの
理由による。どのような組成であってもシュードモフィ
ックＨＥＭＴを作製できる。ただし、ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓの組合せはできない。
ａＡｓ（またはＧａＡｓ）とＩｎＧａＡｓとのヘテロ接
合を利用したものであれば、ＩｎＧａＡｓのＩｎ組成に
かかわらず作製できる。Ａｌ組成を特定しないのもこの
理由による。どのような組成であってもシュードモフィ
ックＨＥＭＴを作製できる。ただし、ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓの組合せはできない。
【００１３】本成長方法は、ＩｎＧａＡｓ混晶を成長
する際に重要となるものである。これは、従来のＧａＡ
ｓに新たにＩｎ原子を加える際に重要となるもので、加
えるＩｎ原子の多少によるものではない。従って、Ｉｎ
ＧａＡｓ（ＧａＡｓは除く）であれば全て成立する。
する際に重要となるものである。これは、従来のＧａＡ
ｓに新たにＩｎ原子を加える際に重要となるもので、加
えるＩｎ原子の多少によるものではない。従って、Ｉｎ
ＧａＡｓ（ＧａＡｓは除く）であれば全て成立する。
【００１４】また、既述した理由で、ＡｌＧａＡｓキャ
リア供給層のＡｌ組成は、組成０のときも含め（ＧａＡ
ｓでも可）任意である。
リア供給層のＡｌ組成は、組成０のときも含め（ＧａＡ
ｓでも可）任意である。
【００１５】
【作用】ＩｎＧａＡｓキャリア走行層の成長温度に関わ
らずＶ／III 比を一定にしてしまうと、成長温度に応じ
てシートキャリア濃度、電子移動度が大きく変動するた
め、シートキャリア濃度、電子移動度を常に高くするこ
とはできない。これらを高くするためには、成長温度に
応じてＶ／III 比を変えてやる必要がある。また、成長
速度に関しても同様で、シートキャリア濃度、電子移動
度を高くするためには、成長速度に応じてＶ／III 比を
変えてやる必要がある。
らずＶ／III 比を一定にしてしまうと、成長温度に応じ
てシートキャリア濃度、電子移動度が大きく変動するた
め、シートキャリア濃度、電子移動度を常に高くするこ
とはできない。これらを高くするためには、成長温度に
応じてＶ／III 比を変えてやる必要がある。また、成長
速度に関しても同様で、シートキャリア濃度、電子移動
度を高くするためには、成長速度に応じてＶ／III 比を
変えてやる必要がある。
【００１６】本発明では、上述した各成長温度及び成長
速度毎にＶ／III 比を変えて、シートキャリア濃度、電
子移動度が常に高くなるように、Ｖ／III 比条件を最適
化したので、ＩｎＧａＡｓキャリア走行層のＩｎ組成を
０．２またはそれ以上としなくとも、ＨＥＭＴ構造の合
物半導体ウェハの電気的特性が向上する。このことは、
Ｉｎ組成を０．２またはそれ以上に上げると、ＩｎＧａ
Ａｓに内在する歪のため、結晶が壊れ始める臨界膜厚が
薄くなり製作が不可能となるという問題をも回避でき、
製造の容易化が図れる。
速度毎にＶ／III 比を変えて、シートキャリア濃度、電
子移動度が常に高くなるように、Ｖ／III 比条件を最適
化したので、ＩｎＧａＡｓキャリア走行層のＩｎ組成を
０．２またはそれ以上としなくとも、ＨＥＭＴ構造の合
物半導体ウェハの電気的特性が向上する。このことは、
Ｉｎ組成を０．２またはそれ以上に上げると、ＩｎＧａ
Ａｓに内在する歪のため、結晶が壊れ始める臨界膜厚が
薄くなり製作が不可能となるという問題をも回避でき、
製造の容易化が図れる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。既に説明
した図３のシュードモフィックＨＥＭＴエピタキシャル
ウェハと同じ構造のウェハを用い、そのＩｎＧａＡｓキ
ャリア走行層３の成長条件を種々変えて成長させた。こ
の場合もエピタキシャル成長は有機金属気相エピタキシ
ーを用いた。成長後、ホール測定法により常温（３００
Ｋ）でシートキャリア濃度と電子移動度を調べた。その
結果、次のことが分った。
した図３のシュードモフィックＨＥＭＴエピタキシャル
ウェハと同じ構造のウェハを用い、そのＩｎＧａＡｓキ
ャリア走行層３の成長条件を種々変えて成長させた。こ
の場合もエピタキシャル成長は有機金属気相エピタキシ
ーを用いた。成長後、ホール測定法により常温（３００
Ｋ）でシートキャリア濃度と電子移動度を調べた。その
結果、次のことが分った。
【００１８】（１）ＩｎＧａＡｓキャリア走行層のＭＯ
ＶＰＥ成長温度を５００〜７５０℃と変化させたとこ
ろ、図１（Ａ）、（Ｂ）の結果が得られた。Ｖ／III 比
が次の条件をとるとき、凡そシートキャリア濃度ｎs が
２．０ｃｍ-2、電子移動度μが７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ
を示す。すなわち、成長温度５００〜５５０℃ではＶ／
III 比１００以上、５５０〜６２５℃ではＶ／III 比２
０以下、６２５〜６５０℃ではＶ／III 比５０、６５０
〜７００℃ではＶ／III 比１００以上、そして７００℃
以上ではＶ／III 比は１５０以上でないと良好な特性が
得られない。なお、５００〜５５０℃ではシートキャリ
ア濃度ｎs のみについてみれば、Ｖ／III比２０以下で
あっても良いのであるが、その場合、電子移動度μが悪
くなるため採用できない。なお、この時の成長速度によ
る影響は無視した。
ＶＰＥ成長温度を５００〜７５０℃と変化させたとこ
ろ、図１（Ａ）、（Ｂ）の結果が得られた。Ｖ／III 比
が次の条件をとるとき、凡そシートキャリア濃度ｎs が
２．０ｃｍ-2、電子移動度μが７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ
を示す。すなわち、成長温度５００〜５５０℃ではＶ／
III 比１００以上、５５０〜６２５℃ではＶ／III 比２
０以下、６２５〜６５０℃ではＶ／III 比５０、６５０
〜７００℃ではＶ／III 比１００以上、そして７００℃
以上ではＶ／III 比は１５０以上でないと良好な特性が
得られない。なお、５００〜５５０℃ではシートキャリ
ア濃度ｎs のみについてみれば、Ｖ／III比２０以下で
あっても良いのであるが、その場合、電子移動度μが悪
くなるため採用できない。なお、この時の成長速度によ
る影響は無視した。
【００１９】（２）ＭＯＶＰＥの成長速度を４〜１２Å
／ｓと変化させたところ、図２（Ａ）、（Ｂ）の結果が
得られた。Ｖ／III 比が次の値をとるとき、凡そシート
キャリア濃度ｎs が１．６〜２．０ｃｍ-2、電子移動度
μが６５００〜７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓを示す。成長速
度７．５Å／ｓのときは、Ｖ／III 比５０以上が良好だ
が、それ以外は２０以下で良好な結果が得られた。従っ
て、成長速度５Å／ｓ以下および１０Å／ｓ以上ではＶ
／III 比は共に２０以下、５〜１０Å／ｓではＶ／III
比５０以上でないと良好な特性が得られない。なお、こ
のときの成長は、図１から、それぞれで最適と考えられ
る成長温度で行った。
／ｓと変化させたところ、図２（Ａ）、（Ｂ）の結果が
得られた。Ｖ／III 比が次の値をとるとき、凡そシート
キャリア濃度ｎs が１．６〜２．０ｃｍ-2、電子移動度
μが６５００〜７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓを示す。成長速
度７．５Å／ｓのときは、Ｖ／III 比５０以上が良好だ
が、それ以外は２０以下で良好な結果が得られた。従っ
て、成長速度５Å／ｓ以下および１０Å／ｓ以上ではＶ
／III 比は共に２０以下、５〜１０Å／ｓではＶ／III
比５０以上でないと良好な特性が得られない。なお、こ
のときの成長は、図１から、それぞれで最適と考えられ
る成長温度で行った。
【００２０】以上述べたように本実施例によれば、シー
トキャリア濃度として常温で１．６×１０12ｃｍ-2、電
子移動度として常温で６５００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓという従
来の通常水準を上回り、シートキャリア濃度２．５×１
０12ｃｍ-2、電子移動度７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓという
高い値を得ることができる。
トキャリア濃度として常温で１．６×１０12ｃｍ-2、電
子移動度として常温で６５００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓという従
来の通常水準を上回り、シートキャリア濃度２．５×１
０12ｃｍ-2、電子移動度７０００ｃｍ2 ／Ｖ・ｓという
高い値を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ＩｎＧａＡｓキャリア
走行層の成長条件を最適化することによって、十分高い
シートキャリア濃度と電子移動度をもつ化合物半導体ウ
ェハを得ることができ、その結果、化合物半導体ウェハ
の電気特性が大幅に向上し、雑音指数ＮＦが０．６ｄＢ
以下のＨＥＭＴデバイスを実現することが可能となり、
しかも、製造条件の最適化がなされるので製造も容易に
なった。
走行層の成長条件を最適化することによって、十分高い
シートキャリア濃度と電子移動度をもつ化合物半導体ウ
ェハを得ることができ、その結果、化合物半導体ウェハ
の電気特性が大幅に向上し、雑音指数ＮＦが０．６ｄＢ
以下のＨＥＭＴデバイスを実現することが可能となり、
しかも、製造条件の最適化がなされるので製造も容易に
なった。
【図１】本発明の実施例によるシュードモフィックＨＥ
ＭＴ化合物半導体ウェハのＩｎＧａＡｓキャリア走行層
の成長温度およびＶ／III 比を変えた時のシートキャリ
ア濃度と電子移動度の変化を示した特性図。
ＭＴ化合物半導体ウェハのＩｎＧａＡｓキャリア走行層
の成長温度およびＶ／III 比を変えた時のシートキャリ
ア濃度と電子移動度の変化を示した特性図。
【図２】本実施例によるシュードモフィックＨＥＭＴ構
造の化合物半導体ウェハのＩｎＧａＡｓキャリア走行層
の成長速度およびＶ／III 比を変えた時のシートキャリ
ア濃度と電子移動度の変化を示した特性図。
造の化合物半導体ウェハのＩｎＧａＡｓキャリア走行層
の成長速度およびＶ／III 比を変えた時のシートキャリ
ア濃度と電子移動度の変化を示した特性図。
【図３】従来例と本実施例とに共通したシュードモフィ
ックＨＥＭＴエピタキシャルウェハの構造を示す断面
図。
ックＨＥＭＴエピタキシャルウェハの構造を示す断面
図。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ アンドープＧａＡｓバッファ層 ３ アンドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層 ４ アンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層 ５ ｎ型ＡｌＧａＡｓキャリア供給層
Claims (8)
- 【請求項１】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、Ａｓ原料
のモル分率をＧａ原料とＩｎ原料とのモル分率の和で割
った値（以下、Ｖ／III 比と称す）を２０とし、かつ、
成長温度を５５０℃〜６２５℃としたことを特徴とする
化合物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項２】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、Ｖ／III
比を５０とし、成長温度を６２５〜６５０℃とした化合
物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項３】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、Ｖ／III
比を１００以上１５０以下とし、かつ成長温度を６５０
〜７００℃とした化合物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項４】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキ シーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、Ｖ／III
比を１５０とし、かつ、成長温度を７００℃以上とした
化合物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項５】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、Ｖ／III
比を１００以上１５０以下とし、かつ成長温度を５５０
℃以下とした化合物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項６】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、成長速度
を５Å／ｓ以下とし、かつＶ／III 比を２０とした化合
物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項７】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、成長速度
を１０Å／ｓ以上とし、かつＶ／III 比を２０とした化
合物半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項８】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、シュードモフ
ィック接合を得るために臨界膜厚以下で制御されたアン
ドープＩｎＧａＡｓキャリア走行層を有機金属気相エピ
タキシーで成長させ、その上にｎ型ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層を成長させたｎ型ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
／ＧａＡｓシュードモフィックＨＥＭＴ構造の化合物半
導体ウェハの製造方法において、上記アンドープＩｎＧ
ａＡｓキャリア走行層を成長させるに際して、成長速度
を５〜１０Å／ｓとし、かつＶ／III 比を５０以上１０
０以下とした化合物半導体ウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175530A JP3042186B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 化合物半導体ウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175530A JP3042186B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 化合物半導体ウェハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620966A JPH0620966A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3042186B2 true JP3042186B2 (ja) | 2000-05-15 |
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ID=15997682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4175530A Expired - Fee Related JP3042186B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 化合物半導体ウェハの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042186B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-07-02 JP JP4175530A patent/JP3042186B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620966A (ja) | 1994-01-28 |
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