JP3039237B2 - 半導体用リードフレームの製造方法 - Google Patents

半導体用リードフレームの製造方法

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JP3039237B2 JP30621193A JP30621193A JP3039237B2 JP 3039237 B2 JP3039237 B2 JP 3039237B2 JP 30621193 A JP30621193 A JP 30621193A JP 30621193 A JP30621193 A JP 30621193A JP 3039237 B2 JP3039237 B2 JP 3039237B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅系材料からなるリー
ドフレーム層に、熱可塑性接着剤を用いて、放熱板や電
源層などの金属板層を積層した多層構造の半導体用リー
ドフレームの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体パッケージに用いられる
リードフレームは、金属板から形成されており、ボンデ
ィングワイヤにより半導体素子に接続されるインナーリ
ードと外部に信号を伝達するアウターリードとを有する
ものである。リードフレームの材質は、熱伝導性、電気
伝導性に優れている銅系材料が多く使用されており、リ
ードフレームのインナーリードの先端のボンディングエ
リアには銀めっきが施されている。
【０００３】リードフレームのインナーリードは、ワイ
ヤボンディングにより半導体素子と接続されるものであ
る。ワイヤボンディングは、２００℃から２５０℃の温
度で行われる。そして、半導体素子、ボンディングワイ
ヤおよびインナーリードをモールド樹脂により封止し、
モールド樹脂から突出しているアウターリードを半田め
っきにより被覆し、このアウターリードを曲げ加工し
て、半導体パッケージを製造する。
【０００４】近時、ＬＳＩなどの半導体素子には、大容
量化、多ピン化（処理信号数の増大）、クロック周波数
の増大とともに小型化および低価格化が求められてお
り、半導体パッケージにも、小型化、コンパクト化、低
価格化および半導体素子の大容量化などに伴う多ピン化
が求められている。このため、放熱板あるいはグランド
として用いる金属板を積層した放熱特性の向上した多層
構造のリードフレームを用いたプラスチックパッケージ
が注目されるようになってきた。
【０００５】多層構造のリードフレームは、例えば、イ
ンナーリードおよびアウターリードを備えたリードフレ
ーム層に、放熱板（または電源層）として機能するヒー
トスプレッダを、接着剤により積層したものである。ヒ
ートスプレッダは、半導体素子に発生する熱を半導体パ
ッケージの外部へ放出するための板状体であり、その材
料としては、熱容量の大きい銅系材料が用いられてい
る。多層構造のリードフレームを用いた半導体パッケー
ジは、例えば、ヒートスプレッダに素子付け剤を介して
半導体素子が搭載されており、半導体素子とインナーリ
ードの銀めっきとにボンディングワイヤの端部がボンデ
ィングされている。
【０００６】従来、リードフレーム層とヒートスプレッ
ダとを接合するための接着剤層としては、ポリイミドフ
ィルム等の絶縁材の両面に、例えばフェノール系などの
熱硬化性接着剤を塗布したものが用いられている。リー
ドフレーム層とヒートスプレッダとを積層するに際して
は、まず、リードフレーム層のインナーリードのボンデ
ィングエリアと反対側の面に前記接着剤層を配設する。
そして、接着剤層の上にヒートスプレッダを載置して、
キュアすることにより接着剤を硬化させ、リードフレー
ム層とヒートスプレッダとを接着剤層を介して接合す
る。このような製造方法によれば、硬化温度が１５０℃
程度の熱硬化性接着剤を使用すると、インナーリード等
に加熱による酸化を殆ど生じずに積層することができ
る。
【０００７】しかしながら、上記の熱硬化性接着剤を用
いた多層構造のリードフレームは、キュアによりフェノ
ール等がアウトガスとして発生し、このアウトガスがイ
ンナーリードの銀めっきに吸着してしまい、ワイヤボン
ディング性が低下してしまうという問題がある。
【０００８】このような問題を解決する方法として、熱
可塑性接着剤を用いて接合する方法が考えられる。とこ
ろで、接着剤層の配設位置は、インナーリードのボンデ
ィングエリアである銀めっき面の裏面であり、前記熱可
塑性接着剤は、ボンディング温度で軟化しないものであ
る必要がある。このため、貼り付け温度が３００℃以上
の熱可塑性接着剤を用いることになる。
【０００９】接着剤層として、ポリイミドフィルム等の
絶縁材の両面に熱可塑性接着剤が付着したフィルム状の
ものを用いて、リードフレーム層とヒートスプレッダと
を積層するには、まずこのフィルム状の接着剤層をリー
ドフレームのインナーリード上に固着し、接着剤層上に
ヒートスプレッダを載置して、加熱するとともに加圧し
て接合する。このような製造方法によれば、アウトガス
が殆ど発生しないので、インナーリードの銀めっき面を
汚染することなく積層することができる。
【００１０】しかしながら、このような熱可塑性接着剤
からなる接着剤層を用いて積層した多層構造のリードフ
レームは、３００℃以上の貼り付け温度がかけられてい
るため、インナーリードおよびヒートスプレッダが高温
となり、銅系材料からなるインナーリード等が酸化す
る。この酸化により生じる酸化膜は非常に脆いものであ
り、酸化膜が形成されると、半導体用リードフレームの
信頼性が著しく低下するという問題がある。
【００１１】このような問題を解決する方法として、リ
ードフレーム層とヒートスプレッダとの接合を、酸化を
生じないようにするために、酸素濃度の低い環境で行う
ことが考えられる。しかしながら、接合の工程を不活性
ガス等で覆うことは、設備上、多量の不活性ガス等が必
要となり、コストがかかりすぎてしまうという欠点があ
る。
【００１２】従来、リードフレームの酸化の問題を解決
する方法として、リードフレーム層にＳｎＮｉめっきを
施す方法が採られている。ＳｎＮｉめっきを全面に施し
たリードフレーム層は、耐食性が良好であり、高温に加
熱しても酸化膜を形成しないものである。
【００１３】このように防錆のための表面処理を施した
後にヒートスプレッダを積層して製造したリードフレー
ムは、上述したと同様に半導体パッケージに組み立てら
れる。すなわち、リードフレームのインナーリードと半
導体素子とをワイヤボンディングにより接続し、半導体
素子、ボンディングワイヤおよびインナーリードをモー
ルド樹脂により封止し、半田めっきによりアウターリー
ドを被覆し、このアウターリードを曲げ加工して、半導
体パッケージを製造する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなＳｎＮｉめっきを施したリードフレームにおい
ては、アウターリードの成形の曲げ半径が小さいと、半
田めっきに覆われているＳｎＮｉめっきが堅いため、Ｓ
ｎＮｉめっきおよび半田めっきに割れが生じ、銅系材料
からなるリードフレーム層が露出してしまうという問題
がある。そのため、ＳｎＮｉめっきが施されていない多
層構造のリードフレームが、強く要望されている。
【００１５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、ワイヤボンディング性が良好で、防
錆めっきなどの表面処理が施されてなく、かつ、酸化膜
のない多層構造のリードフレームの製造方法を提供する
ことにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体用リードフレームの製造方法は、リ
ードフレーム層と金属板層とを接着剤層を介して積層し
て半導体用リードフレームを製造するに際し、銅系材料
からなり、表面に防錆処理が施されていないリードフレ
ーム層および少なくとも一方の面に熱可塑性接着剤層を
有する接着剤層を用意し、前記表面に防錆処理が施され
ていないリードフレーム層の表面が酸化しないように、
該接着剤層の熱可塑性接着剤層に前記リードフレーム層
を前記熱可塑性接着剤のガラス転移温度より高い貼り付
け温度で短時間のうちに貼り付け、次いで前記接着剤層
の他方の面に前記金属板層を前記熱可塑性接着剤のガラ
ス転移温度より高い貼り付け温度で短時間のうちに貼り
付けた後、低酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中で前
記リードフレームの形状修正を行うことを特徴としてい
る。
【００１７】本発明の第２の態様の半導体用リードフレ
ームの製造方法は、リードフレーム層と金属板層とを接
着剤層を介して積層して半導体用リードフレームを製造
するに際し、はじめに前記金属板層の一方の面に少なく
ともリードフレーム層側となる最上表面に熱可塑性接着
剤層を有する接着剤層を形成し、次に該接着剤層の熱可
塑性接着剤層に銅系材料からなり、表面に防錆処理が施
されていないリードフレーム層を前記熱可塑性接着剤の
ガラス転移温度より高い貼り付け温度で短時間で貼り付
けることを特徴としている。
【００１８】本発明の第３の態様の半導体用リードフレ
ームの製造方法は、リードフレーム層と金属板層とを接
着剤層を介して積層して半導体用リードフレームを製造
するに際し、銅系材料からなり、表面に防錆処理が施さ
れていないリードフレーム層および少なくとも一方の面
に熱可塑性接着剤層を有する接着剤層を用意し、前記表
面防錆処理が施されていないリードフレーム層の表面が
酸化しないように、該接着剤層の熱可塑性接着剤層に前
記リードフレーム層を前記熱可塑性接着剤のガラス転移
温度より高い貼り付け温度で短時間のうちに貼り付け、
次いで前記接着剤層の他方の面に前記金属板層を前記熱
可塑性接着剤のガラス転移温度より高い貼り付け温度で
短時間のうちに貼り付けた後、低酸化性雰囲気または非
酸化性雰囲気中で前記リードフレームの形状修正を行う
ことを特徴としている。
【００１９】
【発明の作用】本発明の半導体用リードフレームの製造
方法によれば、リードフレーム層と金属板層とが熱可塑
性接着剤層を介して積層されているので、接合するため
のキュアが不要であり、接合に伴うアウトガスが殆ど生
じず、インナーリードの銀めっきを清浄に保つことがで
きる。また、リードフレーム層が銅系材料からなり、該
リードフレーム層の表面には防錆のための表面処理が施
されていないので、モールド樹脂により封止した後、半
田めっきによりアウターリードを被覆し、このアウター
リードを曲げ加工する際に、防錆のための表面処理によ
り形成された層に発生する割れに起因する半田めっきの
割れが生じないもので、かつ、熱伝導性、電気伝導性に
優れた半導体パッケージを製造することができる。
【００２０】
【００２１】本発明の半導体用リードフレームの製造方
法によれば、銅系材料からなり、表面に防錆処理が施さ
れていないリードフレーム層および少なくとも一方の面
に熱可塑性接着剤層を有する接着剤層を用意し、前記表
面防錆処理が施されていないリードフレーム層の表面が
酸化しないように、該接着剤層の熱可塑性接着剤層に前
記リードフレーム層を前記熱可塑性接着剤のガラス転移
温度より高い貼り付け温度で短時間のうちに貼り付け、
次いで前記接着剤層の他方の面に前記金属板層を前記熱
可塑性接着剤のガラス転移温度より高い貼り付け温度で
短時間のうちに貼り付けた後、低酸化性雰囲気または非
酸化性雰囲気中で前記リードフレームの形状修正を行う
ので、リードフレーム層の表面が殆ど酸化せず、信頼性
が高く、かつ、熱伝導性、電気伝導性に優れている半導
体用リードフレームを製造することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明に関する半導体用リードフレー
ムを、添付の図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説
明する。
【００２３】図１は、本発明の半導体用リードフレーム
の一実施例を示す模式的断面図である。半導体用リード
フレーム２０は、略平板状のもので、リードフレーム層
１０と、ヒートスプレッダ１とが積層されたものであ
る。
【００２４】リードフレーム層１０は、熱伝導性、電気
伝導性に優れている銅系板材からプレス加工等により形
成されたもので、ＳｎＮｉめっき等の表面処理は施され
ていないものである。リードフレーム層１０は、インナ
ーリード３とアウターリード４からなる多数のリードを
有するものであり、図示例のリードフレーム層１０は、
その中央に、半導体素子６を配設するためのデバイスホ
ール１５が設けられており、半導体素子６を搭載するた
めのダイパッドを有しないものである。
【００２５】半導体用リードフレーム２０は、例えば図
３に示すように、ヒートスプレッダ１に熱可塑性接着剤
層２および素子付け剤５を介して半導体素子６が搭載さ
れるものであり、搭載後、この半導体素子６およびリー
ドフレーム層１０のインナーリード３にはボンディング
ワイヤ７の端部がボンディングされる。
【００２６】インナーリード３は、ボンディングワイヤ
７により半導体素子６に接続されるもので、インナーリ
ード３の先端はリードフレーム層１０の中央のデバイス
ホール１５に向かっている。このインナーリード３のそ
れぞれの先端の一方の面には、ワイヤボンディングのた
めの銀めっき３ａが施されている。インナーリード３の
先端の他方の面とヒートスプレッダ１とは、熱可塑性接
着剤層２によって積層されている。
【００２７】ヒートスプレッダ１は、半導体素子６に発
生する熱を半導体パッケージ３０の外部へ放出するため
の板状体であり、熱容量の大きい銅系材料が多く用いら
れている。このヒートスプレッダ１は、半導体素子６を
配設するためのデバイスホール１５およびインナーリー
ド３の先端を覆うように積層されている。
【００２８】接着剤層２は、絶縁性に優れたもので、単
一の熱可塑性接着剤、あるいは、ポリイミドフィルム等
の絶縁材の両面に熱可塑性接着剤を塗布したものが用い
られる。ここで、熱可塑性接着剤は、ワイヤボンディン
グの際に軟化しないもので、ガラス転移温度が２００℃
程度のもので、貼り付け温度が３００℃以上のものであ
り、充分な接着力を有し、積層するための加熱の際に溶
剤が揮発しないものが好適であり、また、積層後Ｃｌ-
等が溶出しないものが好ましく、例えば、ポリエーテル
アミドイミドからなるＨＭ−１（五井化製）等の接着剤
を用いることができる。なお、図示例では接着剤層２
は、ヒートスプレッダ１の全面に配設されているが、本
発明はこれに限定されず、インナーリード３とヒートス
プレッダ１との間にのみ配設されるように構成してもよ
い。
【００２９】次に、本発明の実施例ではないが、関連す
るリードフレームの製造方法を、添付の図面に示す好適
実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３０】図２（ａ），（ｂ）および（ｃ）は、それ
ぞれ本発明のリードフレームの製造方法の一実施例の、
リードフレーム層１０とヒートスプレッダ１との接合
前、接合時および接合後を示す模式的断面図である。
【００３１】まず、厚さ０．１５ｍｍ程度の銅板を、プ
レス加工あるいはエッチング加工することにより、多数
のリードからなるリードフレーム層１０を形成する。
【００３２】一方、例えば厚さ０．２ｍｍ程度の銅板か
らなるヒートスプレッダ１を用意し、図２（ａ）に示す
ように、このヒートスプレッダ１の片面に接着剤層２を
接合する。接着剤層２としては、例えば、ガラス転移温
度が２００℃程度の熱可塑性接着剤を用いて、この熱可
塑性接着剤を３００℃の高温で軟化させてヒートスプレ
ッダ１の片面に塗布し、ヒートスプレッダ１の片面に接
着剤層２を形成する。また、接着剤層２として、予めフ
ィルム状に成形した熱可塑性接着剤を用いて、ヒートス
プレッダ１の片面に接着剤層２を形成してもよい。予め
フィルム状に成形した熱可塑性接着剤としては、単一の
熱可塑性接着剤、あるいは、ポリイミドフィルム等の絶
縁材の両面に熱可塑性接着剤を塗布したものを用いるこ
とができる。
【００３３】そして、図２（ｂ）に示すように、インナ
ーリード３の銀めっき３ａと反対側の面に、ヒートスプ
レッダ１を前記接着剤層２を介して重設し、ヒートスプ
レッダ１側を接合用パンチ８で押圧するとともに、イン
ナーリード３の銀めっき３ａ側の面を接合用ヒータ９で
押さえるとともに加熱する。この加熱は、３００℃程度
で、２秒以内の短時間であり、熱可塑性接着剤からなる
接着剤層２が軟化する温度および加熱時間で、かつ、イ
ンナーリード３およびヒートスプレッダ１に酸化膜を形
成しない温度および加熱時間とする。すると、図２
（ｃ）に示すように、インナーリード３とヒートスプレ
ッダ１とが接着剤層２を介して接合され、図１に示すよ
うな多層構造の半導体用リードフレーム２０が形成され
る。
【００３４】このような半導体用リードフレーム２０の
製造方法によれば、リードフレーム層１０とヒートスプ
レッダ１との積層において、まずヒートスプレッダ１の
一方の面に接着剤層２を形成し、その後のヒートスプレ
ッダ１とインナーリード３との接合の際の加熱をインナ
ーリード３側からのみの短時間として加圧するので、ヒ
ートスプレッダ１は比較的高温にならず、高温となった
インナーリード３は、加熱後その熱容量がヒートスプレ
ッダ１の熱容量に比べ著しく小さいため比較的早く常温
となり、酸化を殆ど生じずに積層することができ、多層
構造のリードフレーム２０を製造することができる。
【００３５】次に、本発明の実施例に関するリードフレ
ームの製造方法を詳細に説明する。
【００３６】少なくとも一方の面に熱可塑性接着剤層を
有する接着剤層を用意する。この熱可塑性接着剤として
は、例えば、ガラス転移温度が２００℃程度の熱可塑性
接着剤が用いられる。接着剤層としては、例えば、ポリ
イミドフィルムの両面に前記熱可塑性接着剤が塗布され
たフィルム状のもの、あるいは、前記熱可塑性接着剤の
みからなるものが用いられる。
【００３７】まず、厚さ０．１５ｍｍ程度の銅板を、プ
レス加工あるいはエッチング加工することにより、多数
のリードからなるリードフレーム層を形成する。
【００３８】そして、前記接着剤層の熱可塑性接着剤層
に前記リードフレーム層を、接合用パンチおよび接合用
ヒータを用いて、加熱して貼り付ける。この加熱は、３
００℃程度で、２秒以内の短時間であり、熱可塑性接着
剤からなる接着剤層が軟化する温度および加熱時間で、
かつ、インナーリードに酸化膜を形成しない温度および
加熱時間とする。
【００３９】一方、例えば厚さ０．２ｍｍ程度の銅板か
らなるヒートスプレッダを用意し、前記接着剤層の他方
の面にこのヒートスプレッダを、接合用パンチおよび接
合用ヒータを用いて貼り付ける。このヒータによる加熱
は、３００℃程度で、２秒以内の短時間であり、熱可塑
性接着剤からなる接着剤層が軟化する温度および加熱時
間で、かつ、インナーリードに酸化膜を形成しない温度
および加熱時間とする。
【００４０】リードフレーム層とヒートスプレッダとを
積層し、図１に示すようなリードフレーム２０を形成し
た後に、リードフレーム２０の反りやうねりを取るため
の形状修正工程を行う。この形状修正工程は、酸素濃度
の低い低酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気で行い、一
般に、２５０℃から３５０℃で１分程度加熱するもので
ある。酸素濃度の低い雰囲気としては、例えば、内容積
４リットルの加熱炉内に４０リットル／分〜５０リット
ル／分の流量で、窒素、アルゴン等の不活性ガスを流し
た加熱炉内である。
【００４１】このような半導体用リードフレーム２０の
製造方法によれば、インナーリード等に酸化を殆ど生じ
ずに積層することができ、形状修正工程により酸化を生
じずにリードフレーム２０の反りやうねりを取るととも
にリードフレーム層とヒートスプレッダとを確実に貼り
付けることができ、多層構造のリードフレーム２０を製
造することができる。
【００４２】これらのようにして製造された半導体用リ
ードフレーム２０は、図３に示すような、半導体パッケ
ージ３０に組み立てられるものである。この組み立て
は、ヒートスプレッダ１に貼り付けられた接着剤層２に
素子付け剤５を介して半導体素子６が搭載され、この半
導体素子６とリードフレーム層１０のインナーリード３
の銀めっき３ａとにボンディングワイヤ７の端部がボン
ディングされるもので、半導体素子６、ボンディングワ
イヤ７およびインナーリード３をモールド樹脂１２によ
り封止し、モールド樹脂１２から突出しているアウター
リード４を半田めっき（図示略）により被覆し、このア
ウターリード４を曲げ加工して、半導体パッケージ３０
を製造するものである。
【００４３】以上説明したような半導体用リードフレー
ム２０によれば、熱伝導性、電気伝導性が優れており、
酸化が殆ど生じていないので、信頼性の高い半導体パッ
ケージ３０を製造することができる。また、接着剤層２
が熱可塑性接着剤からなるので、この接着剤層２からア
ウトガスが殆ど発生せず、銀めっき３ａ等を清浄に保つ
ことができ、ワイヤボンディング性を向上させることが
できる。また、リードフレーム層１０にＳｎＮｉめっき
等の防錆のための表面処理を施していないので、半導体
パッケージ３０に組み立てた後のアウターリード４の曲
げ加工に際し、曲げ半径が小さい場合においても表面に
割れが生じることがなく、半導体パッケージ３０とした
時のアウターリード４をコンパクトなものにすることが
できる。
【００４４】以下、本発明の半導体リードフレームの他
の実施例について説明する。他の実施例のリードフレー
ムと上記リードフレーム２０との異なる点は、接着剤層
である。
【００４５】この接着剤層は、リードフレーム層側の熱
可塑性接着剤の層と、この熱可塑性接着剤の貼り付け温
度で軟化しない層との二層を有するものである。リード
フレーム層側の熱可塑性接着剤は、上記リードフレーム
２０の接着剤層２の熱可塑性接着剤と同様のものであ
る。ヒートスプレッダ側の層は、前記熱可塑性接着剤の
貼り付け温度で軟化しないもので、例えば、ポリイミ
ド、あるいは、ガラス転移温度が前記熱可塑性接着剤よ
り高い熱可塑性接着剤からなるものである。
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】なお、本発明の半導体用リードフレームの
製造方法は、上記実施例に限定されるものではなく、積
層に際し、リードフレーム層と接着剤層と金属板層とを
同時に接合してもよい。
【００５０】また、本発明の半導体用リードフレームと
その製造方法は、上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、リードフレーム層と電源層等からなるリー
ドフレームにも、適応可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のリ
ードフレームの製造方法によれば、リードフレーム層と
金属板層との接合のためのキュアが不要であり、接合に
伴うアウトガスが殆ど生じず、インナーリードの銀めっ
き等を清浄に保つことができる。そのため、半導体に組
み立てる際のワイヤボンディング性を向上させることが
できる。また、リードフレーム層が銅系材料からなり、
該リードフレーム層の表面には防錆のための表面処理が
施されていないので、モールド樹脂により封止した後、
半田めっきによりアウターリードを被覆し、このアウタ
ーリードを曲げ加工する際に、曲げ半径が小さい場合に
も、防錆のための表面処理により形成された層に発生す
る割れに起因する半田めっきの割れが生じないもので、
かつ、熱伝導性、電気伝導性に優れた半導体パッケージ
を製造することができる。そのため、従来より多ピンで
かつ小型の半導体パッケージを製造することが可能とな
る。
【００５２】
【００５３】本発明の半導体用リードフレームの製造方
法によれば、リードフレーム層の表面に殆ど酸化が生じ
ずに、熱伝導性、電気伝導性に優れた半導体用リードフ
レームを製造することができる。そのため、信頼性の高
い半導体用リードフレームを低コストで製造することが
できる。
【００５４】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るリードフレームの一実施例の模
式的断面図である。
【図２】 （ａ），（ｂ）および（ｃ）は、リードフレ
ームの製造方法を示す図であり、それぞれリードフレー
ム層とヒートスプレッダとの接合前、接合時および接合
後を示す部分断面図である。
【図３】 本発明の半導体用リードフレームを用いた半
導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大 高 達 也 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 萩 谷 重 男 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 高 萩 茂 治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 秋 野 久 則 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (56)参考文献 特開 平２−15663（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326814（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードフレーム層と金属板層とを接着剤層
    を介して積層して半導体用リードフレームを製造するに
    際し、銅系材料からなり、表面に防錆処理が施されてい
    ないリードフレーム層および少なくとも一方の面に熱可
    塑性接着剤層を有する接着剤層を用意し、前記表面に防
    錆処理が施されていないリードフレーム層の表面が酸化
    しないように、該接着剤層の熱可塑性接着剤層に前記リ
    ードフレーム層を前記熱可塑性接着剤のガラス転移温度
    より高い貼り付け温度で短時間のうちに貼り付け、次い
    で前記接着剤層の他方の面に前記金属板層を前記熱可塑
    性接着剤のガラス転移温度より高い貼り付け温度で短時
    間のうちに貼り付けた後、低酸化性雰囲気または非酸化
    性雰囲気中で前記リードフレームの形状修正を行うこと
    を特徴とする半導体用リードフレームの製造方法。
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