JP3033552B2 - 位置検出装置、アライメント方法、及び露光装置 - Google Patents

位置検出装置、アライメント方法、及び露光装置

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JP3033552B2 JP593998A JP593998A JP3033552B2 JP 3033552 B2 JP3033552 B2 JP 3033552B2 JP 593998 A JP593998 A JP 593998A JP 593998 A JP593998 A JP 593998A JP 3033552 B2 JP3033552 B2 JP 3033552B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハや液
晶ディスプレー用のプレート等に形成されたアライメン
トマークを光電検出してアライメントする方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェハやプレート等の位置合わせ
(アライメント)においては、それら基板上の所定位置
に形成されたアライメントマークを、顕微鏡対物レンズ
を介して光電検出する方式が一般的であった。光電検出
方式にも大別して2種類があり、レーザビーム等のスポ
ットでマークを相対走査し、マークで生じる散乱光や回
折光をフォトマルチプライヤやフォトダイオード等で受
光する光ビーム走査方式と、一様照明されたマークの拡
大像をテレビカメラ(ビジコン管やCCD)で撮像し
て、その画像信号を利用する方式とがある。いずれの場
合にも、得られる光電信号は、波形処理され、マークの
中心位置が求められる。
【0003】光ビーム走査方式と撮像方式とは、その個
々の走査系において全く異なる構成を取るが、ここでは
両者とも電気光学的走査装置(以下、Electric
al−Optical Scanner=E.O.Sと
する)であるとして考える。この様なE.O.Sのう
ち、レーザビームのスポットに対してウェハステージを
一次元移動させて、マーク位置を検出する方式として
は、USP.4,655,598、USP.4,67
7,301、USP.4,702,606等に開示され
た技術が知られている。
【0004】又、ウェハステージを設計値で位置決めし
た後、一次元走査ビームの走査範囲内でマーク位置を検
出する方式としては、USP.4,390,270、U
SP.4,566,795等に開示された技術が知られ
ている。又、撮像方式のE.O.Sとしては、USP.
4,402,596、USP.4,679,942、U
SP.4,860,374等に開示された技術が知られ
ている。
【0005】これらの従来技術では、主に以下の2つの
理由で走査ビーム、又はマーク照明光として単色光を使
っている。 (1)投影型露光装置(ステッパー)において、投影光
学系を介してウェハマークを検出する形式では、投影光
学系の大きい色収差を避けるために単一波長の照明光、
又はレーザビームを使う。 (2)高輝度、高分解能の検出を行うべく微小スポット
に集光するために単色のレーザビームを使う。このよう
に単色照明光(又はビーム)を使うと、比較的S/N比
が大きくとれるが、露光装置で扱うウェハでは、通常ウ
ェハ全面に0.5μm〜2μm程度の厚みでフォトレジ
スト層が形成されている。このため、単色性による干渉
現象が生じ、これによりマーク位置検出時に誤検出が生
じたり、不鮮明な画像となったりしていた。
【0006】そこで近年、レジストによる干渉現象を低
減させるために、照明光の多波長化、あるいは広帯域化
が提案されるようになった。例えば撮像方式のE.O.
Sで、照明光をハロゲンランプ等から作り、その波長帯
域幅を300nm程度(レジストへの感光域を除く)に
すると、レジストの表面とウェハの表面とで反射した光
同志の干渉性がほとんどなくなり、鮮明な画像検出が可
能になる。従って、撮像方式では照明光を白色化(広帯
域化)するとともに、結像光学系を色消ししておくだけ
で、レジストに影響されない極めて高精度なアライメン
トセンサーが得られることになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、照明光の
多色化、又は白色化で干渉縞の発生が押さえられ、鮮明
な画像検出が出来るようになると、いままで埋もれてい
た微小な誤差要因がクローズアップされるようになっ
た。すなわち、アライメントマークの段差構造がより鮮
明に捕らえられることから、マークエッジのプロフィー
ルのわずかな差異が検出精度やアライメント精度を左右
するようになった。
【0008】従来、画像信号の処理アルゴリズムには様
々なものが考えられていたが、いずれの方式でも、マー
クエッジのプロフィールのわずかな変化を考慮したもの
はなく、総合的なアライメント精度の向上には自ずと限
界があった。本発明はこのような問題点に鑑みて成さ
れ、アライメント精度の向上を目指すことを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハ等の基
板上のアライメントマークから生じる光情報をテレビカ
メラやスキャニング・レーザ等の電気光学走査装置によ
って、光電検出し、アライメントマークの相対走査方向
に関して強度変化する時系列的な光電信号(画像信号)
を処理することによってアライメントマークの位置を決
定する方法に関するものである。
【0010】そして本発明では、マーク幅を規定する一
対のマークエッジ部の夫々の位置で極値となる光電信号
波形を得る工程と、光電信号波形中の2つの極値波形の
内側に存在する一対のスロープ波形部分に基づいてマー
クの位置を決定する第1決定工程と、2つの極値波形の
外側に存在する一対のスロープ波形部分に基づいてマー
クの位置を決定する第2決定工程と、2つの極値波形の
内側と外側の両方に存在するスロープ波形部分に基づい
てマークの位置を決定する第3決定工程と、第1決定工
程、第2決定工程、第3決定工程のうちいずれか1の工
程を、基板の目標とするアライメント精度に応じて選択
する工程とを設けるようにした。
【0011】本発明では、基本的に図2に従って信号の
波形処理を行う。図2(A)はウェハW上に形成された
凸状のマークMKの断面構造を示し、表面にはレジスト
層PRが一様に塗布されている。図2(B)は、マーク
MKの両端のエッジE1,E2を横切る様な走査線に沿
ってマークMKの像をテレビカメラで撮像したときのビ
デオ信号VSの波形を示す。このビデオ信号VSは、マ
ークMKの両端のエッジE1,E2の位置で極小値とな
るようなボトム波形部分BW1,BW2になる。ボトム
波形部分BW1とBW2の間の波形レベルはマークMK
自体の反射率によって変化し、ボトム波形部分BW1の
左側の波形レベルと、ボトム波形部分BW2の右側の波
形レベルとは、ウェハ下地の反射率によって変化する。
【0012】図2(C)は2つのボトム波形部分BW
1,BW2を拡大して示したもので、ボトム波形部分B
W1は、走査が進行するにつれて、ボトムレベルBT1
まで落ち込むダウンスロープ部DSL1と、ボトムレベ
ルBT1から立ち上がるアップスロープ部USL1とを
有する。同様にボトム波形部分BW2もボトムレベルB
T2まで落ち込むダウンスロープ部DLS2と、ボトム
レベルBT2から立ち上がるアップスロープ部USL2
とを有する。本発明では、マークMKの両エッジE1,
E2の夫々に対応したボトム波形部分BW1,BW2の
スロープ部DSL1,USL1,DSL2,USL2を
選択的に使用することでマークMKの走査方向に関する
中心位置を決定するようにした。
【0013】これら各スロープ部において、内側に存在
するスロープ部とはアップスロープ部USL1とダウン
スロープ部DSL2であり、外側に存在するスロープ部
とはダウンスロープ部DSL1とアップスロープ部US
L2である。実際の処理においては、一方のボトム波形
部分BW1で、ダウンスロープ部DSL1の肩の部分の
ピーク値とボトムレベルBT1との間を所定の比で(例
えば50%)で分割するスライスレベルS1とスロープ
部DSL1とが一致する走査位置P1、及びアップスロ
ープ部USL1の肩の部分のピーク値とボトムレベルB
T1との間の所定の比で分割するスライスレベルS2と
スロープ部USL1とが一致する走査位置P2を求め
る。
【0014】同様に他方のボトム波形部分BW2に対し
ても、ダウンスロープ部DSL2をスライスレベルS3
で比較して求めた位置P3と、アップスロープ部USL
2をスライスレベルS4で比較して求めた位置P4とを
決定する。従って、マークMKの中心位置Pmの算出
は、基本的に以下の3つの式のいずれか1つに従って行
われる。
【0015】Pm=(P2+P3)/2 …(1) Pm=(P1+P4)/2 …(2) Pm=(P1+P2+P3+P4)/4 …(3) 式(1)は内スロープ決定法、式(2)は外スロープ決
定法、そして式(3)は両スロープ決定法の基本式であ
る。
【0016】そして本発明においては、例えば実際のウ
ェハをアライメントしたときの精度が最もよくなる決定
法を選んで、ウェハのアライメントを実行する。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例による方法
を実施するのに好適な投影露光装置の構成を図1を参照
にして説明する。図1において、レチクルR上のパター
ン領域PAの像は投影レンズPLを介してウェハW上に
結像投影される。ウェハWはX,Y方向にステップアン
ドリピート法で移動するステージST上に載置され、ス
テージSTの座標位置は干渉計IFX,IFYで計測さ
れる。レチクルRは、パターン領域PAの両脇に設けら
れたレチクルアライメントマークRM1,RM2をレチ
クルアライメント顕微鏡RAS1,RAS2に対して位
置決めすることで、装置(投影レンズPLの光軸)に対
してアライメントされる。又パターン領域PAの周囲の
ストリートライン相当領域内には、ダイ・バイ・ダイア
ライメント用のマーク(窓)が形成されており、各マー
ク(窓)は、ウェハW上の1つのショット領域に付随し
たダイ・バイ・ダイ用のウェハマークとともに、TTR
(スルーザレチクル)方式のアライメント顕微鏡DAS
1,DAS2,DAS3,DAS4によって検出され
る。
【0018】さて、本実施例による方法は、ここではウ
ェハW上のマークのみをオフ・アクシス方式で検出する
ウェハアライメントセンサーに対して適用される。この
ウェハアライメントセンサーは、投影レンズPLの下部
直近に配置されたミラー10、対物レンズ12、ビーム
スプリッタ14、結像レンズ16、共役指標板18、撮
像レンズ20、及びCCD2次元撮像素子22によって
構成される。さらにウェハW上のマーク領域を照明する
ために、ハロゲンランプ、光輝度多色LED等からの広
帯域波長の光を導くオプチカルファイバー24、コンデ
ンサーレンズ26、照明視野絞り28、レンズ系39,
及び先のビームスプリッタ14とで構成された照明光学
系が設けられる。
【0019】以上の構成において、ウェハWは対物レン
ズ12と結像レンズ12と結像レンズ16との合成系に
関して指標板18と光学的に共役に配置され、指標板1
8とCCD22の受光面とは撮像用レンズ20に関して
共役に配置される。従ってCCD22は、ウェハW上の
マークの拡大像と指標板18上の固定(参照)マークの
拡大像とを同時に撮像する。また照明光学系のファイバ
ー24の射出端面は2次光源像として、対物レンズ12
とレンズ系30との間の瞳面(開口絞り位置)にリレー
され、ウェハWに対してケーラ照明を行う。更に視野絞
り28は対物レンズ12とレンズ系30との合成系によ
ってウェハWと共役になっており、視野絞り28のアパ
ーチャ像がウェハWと共役になっており、視野絞り28
のアパーチャ像がウェハW上に投影されることになる。
本実施例では、少なくとも対物レンズ12、結像レンズ
16、撮像用レンズ20の夫々に対して色消しがなされ
ており、色収差による結像特性の劣化を押さえている。
【0020】又、本実施例の装置では、ステージST上
に基準マークFMが設けられ、ウェハアライメントセン
サー内の指標板18上の指標マークのウェハWへの投影
点と、レチクルR上のレチクルアライメントマークRM
1,RM2あるいはダイ・バイ・ダイ用のマークの投影
点との間の距離(ベースライン)を計測するのに使われ
る。
【0021】次に図3を参照して、図1中のCCD22
からのビデオ信号の処理回路について説明する。CCD
22は2次元撮像素子であり、水平走査方向と垂直走査
方向とに画素(ピクセル)が配列されるが、本実施例の
CCD22では、ウェハW上のマークのエッジを横切る
方向を水平走査方向に一致させるものとする。さて、C
CD22からは水平同期信号と垂直同期信号とが混合し
たコンポジットビデオ信号が得られる。このビデオ信号
は、周波数フィルターやAGC等の前処理回路40を介
してアナログ−デジタル変換器(ADC)42に送られ
る。一方、CCD22からのビデオ信号は、同期信号分
離回路やクロック発生回路等を含む制御回路44に送ら
れる。この制御回路44はCCD22の水平同期信号に
基づいて、1画素の電気走査(読み出し走査)あたり1
つのクロックパルスとなるようなクロック信号SCLを
出力する。このクロック信号SCLは、CCD22の電
気的走査が1フレーム中でのサンプリング範囲(水平走
査線の垂直方向の本数)になったか否かを検出する比較
部46と、ADC42の出力データを記憶するためのメ
モリ(RAM)43に対してアドレス値を出力するアド
レスカウンタ48とに送られる。従って、RAM43内
には、CCD22の所定の水平走査線から指定された本
数分だけのデジタル波形データが記憶される。RAM4
3内の波形データは、プロセッサー50によって管理さ
れるアドレスバスA−BUSとデータバスD−BUSと
によってプロセッサー50に読み込まれ、所定の波形処
理演算が行われる。プロセッサー50のアドレスバスA
−BUSとデータバスD−BUSには、ステージSTを
制御するためのステージコントローラ52がつながれ、
このコントローラ52は干渉計IFX,IFYの座標計
測値を入力してステージSTの駆動モータ54を制御す
る。
【0022】次に、本実施例に好適なマーク形状や配置
を図4、図5、図6を参照にして説明する。図4はウェ
ハW上のショット配列を示し、レチクルRのパターン領
域PAの投影像はショット領域SAの夫々とアライメン
トされる。そして露光時には、各ショット領域SAの中
心CCがレチクルRのパターン領域PAの中心と一致す
る中心CCで直交する中心線はウェハステージSTの干
渉計で規定される直交座標系のX軸、Y軸と平行にな
る。
【0023】さて、各ショット領域SAにはダイ・バイ
・ダイ用のウェハマークMD1,MD2,MD3,MD
4が形成されている。本実施例では、このマークMD1
〜MD4をオフ・アクシス方式のウェハアライメントセ
ンサー(10〜30)で検出するものとする。各マーク
MDnは、図6(A)に示すように、4本のバーマーク
BPM1,BPM2,BPM3,BPM4が同一間隔で
平行に並んだマルチマークとする。また、図6(B)に
示すようにバーマークBPMnはウェハ下地に対して凸
状に形成されているものとする。このマークMDnの中
心Clは、バーマークBPM2とBPM3との間に存在
する。
【0024】また、図5は共役指標板18上の指標マー
クTL,TRの配置を示し、指標マークTL,TRの夫
々は透明ガラス板の上にクロム層で形成された2本の細
線からなる。アライメントの際は、2つの指標マークT
L,TRの間にマークMDnを挟み込むようにステージ
STを位置決めする。こうして得られるビデオ信号波形
の一例を図7に示す。
【0025】図7(A)は指標マークTL,TRにウェ
ハマークMDnを挟み込んだ様子を示し、ウェハマーク
MDnの中心Clと指標マークTL,TRの中心Ctと
がわずかにずれている。このずれ量を精密に算出するの
が、図3に示したプロセッサー50である。図7(B)
に示すように、CCD22の水平走査線SLに沿って得
られるビデオ信号波形は、広帯域照明光を使ってレジス
ト層での干渉現象を低減させているため、各マークのエ
ッジ位置でのみボトム(極小値)になる。図7(B)
で、指標マークTL,TRはそれぞれ微細な2本のバー
マークであるため、そのバーマーク1本について1つの
ボトム波形BL1,BL2,BR1,BR2になる。ま
たウェハマークMDnの4本のバーマークBPM1〜B
PM4の各エッジ位置で、計8つのボトム波形WL1,
WR1,WL2,WR2,WL3,WR3,WL4,W
R4が得られる。
【0026】ところが、指標マークTL,TRの位置で
現れるボトム波形と、ウェハマークMDnの各エッジ位
置で現れるボトム波形とでは、光学的な現象が全く異な
っている。即ち指標マークTL,TRは、ウェハ表面で
反射した照明光によって透過照明されるために、CCD
22上では暗部として撮像される。これに対してウェハ
マークの各エッジは、照明光が対物レンズ12等の開口
数(N.A.)よりも大きな角度で散乱されて、CCD2
2への結像光路内に戻ってこないために暗部(暗線)と
して撮像されるのである。
【0027】尚、図7(B)の信号波形は、図7(A)
に示すように、N本の走査線SLに沿って得られた信号
波形を垂直方向の画素列で加算平均したものである。こ
の加算平均はプロセッサー50がRAM43からN本分
の波形データを読み出して実行する。次に本実施例のア
ライメント方法を説明するが、その前提として、いくつ
かのパラメータが予めプロセッサー50内に設定されて
いるものとする。そのパラメータの代表的なものは以下
の通りである。 (1)指標マークTLとTRの中心アドレス値ACC (2)指標マークTLとTRのウェハ上での間隔Lt(μ
m) (3)指標マークTL,TRの夫々の本数Kt (4)ウェハマークMDnの本数Km (5)指標マークTL,TRの中心アドレス値ACCから
のポイント(番地)の数HL,HR (6)指標マークTL,TRの各処理幅のポイント(番
地)数Pt (7)ウェハマークMDnの中心アドレス値ACCからの
処理幅のポイント(番地)数Pm これらのパラメータのうち、ポイント数HL,HR,P
t,Pmの意味については図7(A)中に図示してあ
る。
【0028】また本実施例では、ウェハWのグローバル
アライメントが完了した後に、ウェハアライメントセン
サーを用いてよりファインな位置検出を行うことを前提
としいる。従ってグローバルアライメント後にウェハW
上のショット配列の設計値のみに基づいてステージST
を位置決めして指標マークTL,TRとウェハマークM
Dnとを検出すると、グローバルアライメント時の残留
誤差(±1μm以下)分、ショット配列の僅かな不規則
性、又はウェハWの伸縮分等を含んだアライメント誤差
ΔXが存在する。このアライメント誤差ΔXは図7中に
示した中心位置ClとCtの差である。
【0029】さて、プロセッサー50はCCD22で撮
像された走査線N本分の波形データがRAM43に取り
込まれると、図8に示した手順で波形処理を実行する。
そこで以下、図8の各ステップに沿って説明する。 〔ステップ100〕ここでは、RAM43に取り込まれ
たN本分の原波形データから任意の本数を選んで垂直方
向に画素毎の加算平均を行い、1本の平均波形データを
作る。作られた平均波形データはRAM43内に一時的
に記憶される。
【0030】尚、加算平均すべき走査線は垂直方向に連
続している必要はなく、1本おき、又は2本おきでもよ
い。 〔ステップ102〕次にプロセッサー50は、平均波形
データをスムージングする。このスムージングは平均波
形データを数値フィルターに通すことによって行われ
る。
【0031】図9(A)は、RAM43内の平均波形デ
ータの一例を示したもので、横軸はRAM43のアドレ
スポイント、縦軸はレベルを表す。この波形に対して図
9(B)のような数値フィルターFNaをかける。これ
によって平均波形データ中に存在する高周波成分が除去
されたスムージング波形データR(n)が得られる。こ
の波形データR(n)もRAM43内に一時的に記憶さ
れる。
【0032】〔ステップ104〕次にプロセッサー50
は平均波形データを微分する。この微分は図9(C)に
示したように傾きが一定の数値フィルターFNbに平均
波形データを通すことによって行われる。これによって
図9(A)のようなボトム波形は図9(D)のような微
分波形データP(n)になる。この微分波形データ上で
ボトム点となるアドレスポイントPXDは、平均波形デ
ータ(又はスムージング波形データ)上のダウンスロー
プ部DWSの中点位置と一致し、微分波形データ上でピ
ーク点となるアドレスポイントPXUは、平均波形デー
タ上でのアップスロープ部UPSの中点位置と一致して
いる。
【0033】従って、微分処理を行うことによって、ス
ムージング波形データ上での全てのスロープ位置が特定
できることになる。尚、図9(D)においてアドレスポ
イントPXDとPXUの間で微分波形が零クロスする点
は、図9(A)の波形中でのボトム点に一致している。 〔ステップ106〕次にプロセッサー50は、この微分
波形データP(n)中の全てのピーク点とボトム点、及
びそれらの位置を抽出する。この場合、図9(D)に示
すように、本来のボトム、ピーク以外の小さなボトム、
ピークDup,Dubも抽出され得る。
【0034】〔ステップ108〕そこでプロセッサー5
0は、これら小さなボトム、ピークDup,Dubは小
さい順に切り捨てて、指標マークの本数Ktとウェハマ
ークの本数Kmとに対応した数のボトム点とピーク点を
選ぶ。先の図7に示したように、左右の指標マークT
L,TRに対応した波形処理幅Pt内では、スムージン
グ波形データR(n)上で2つのボトム波形が得られる
ことが分かっている(指標マーク本数Kt=2)。従っ
て、処理幅Pt内では、微分波形データP(n)上で2
つのピーク点と2つのボトム点とが得られることにな
る。
【0035】一方、ウェハマークMDnに対応した処理
幅2Pm内ではスムージング波形データR(n)上で8
つ(2Km)のボトム波形が得られることが分かってい
る。従って、処理幅2Pm内では微分波形データP
(n)上で8つのピーク点と8つのボトム点とが得られ
ることになる。以上の処理によって、スムージング波形
データ上の各マークに対応したダウンスロープ部とアッ
プスロープ部とが特定されたことになる。
【0036】図10はその様子を表し、図10(A)は
スムージング波形データを表し、図10(B)は微分波
形データを表す。ここで図10の横軸は、スムージング
波形データのアドレスポイントを表し、微分波形データ
上のピーク点、ボトム点に対応して、スムージング波形
データ中の各スロープの中心位置が求められる。左側の
指標マークTLに対応したスムージング波形(BL1,
BL2)上の各スロープ中心位置は、ダウンスロープR
D(1)、RD(2)の2つと、アップスロープRU
(1)、RU(2)の2つである。また右側の指標マー
クTRに対応したスムージング波形(BR1,BR2)
上の各スロープ中心位置は、ダウンスロープRD
(3)、RD(4)の2つと、アップスロープRU
(3)、RU(4)の2つである。
【0037】同様に、4本のバーマークBPM1〜BP
M2の各エッジで生じたスムージング波形上の各スロー
プの中心位置は、ダウンスロープWD(1)〜WD
(8)とアップスロープWU(1)〜WU(8)であ
る。ところで、ダウンスロープやアップスロープを特定
する手法として、実際にはスムージング波形と微分波形
の各コントラスト値(レベル)を用いてコントラストリ
ミットを定め、そのリミット値に基づいてスムージング
波形中の各スロープ位置を特定するのがよい。
【0038】図11(A)は図10(A)中のボトム波
形WL1のみを拡大して示し、図11(B)は図11
(A)の微分波形のみを拡大して示したものである。ま
ず、微分波形データ中のボトム位置WD(1)に対応し
た微分レベル(コントラスト値)CWD(1)の絶対値
を求め、位置WD(1)に対応するスムージング波形中
のレベルCDS(1)を求める。このレベルCDS
(1)は位置CWD(1)で決まるダウンスロープ中の
レベルよりも少し小さな値として取り込まれる。
【0039】次にプロセッサーは、次式によってコント
ラスト値CVW(1)を算出する。 CVWd(1)=A・CDS(1)+B・CWD(1) 同様に、微分波形データ中のピーク位置WU(1)に対
応した微分レベルCWU(1)の絶対値を求め、さらに
位置WU(1)に対するスムージング波形中のレベルC
US(1)を求める。
【0040】そして次式によってコントラスト値CVW
u(1)を求める。 CVWu(1)=A・CUS(1)+B・CWU(1) ここでA,Bは定数であるが、ノイズを区別する場合に
はA=1,B=0.5程度に設定する。以上の動作を、
ウェハマークの信号処理範囲内で行うとともに、指標マ
ークの信号波形に対しても全く同様に行う。
【0041】指標マークについては、図10(A)中の
ボトム波形BL1を例にとると、その微分波形中のボト
ム位置はRD(1)、ピーク位置はRU(1)である。
そこで、位置RD(1)での微分波形中のレベル(ボト
ム)をCFD(1)、位置RU(1)での微分波形中の
レベル(ピーク)をCFU(1)、そしてスムージング
波形中のボトム波形BL1でのダウンスロープの中心付
近のレベルをCDR(1)、アップスロープの中心付近
のレベルをCUR(1)とすると、指標マークのコント
ラスト値CVRd(1)、CVRu(1)はそれぞれ以
下のようにして求められる。
【0042】 CVRd(1)=A・CDR(1)+B・CFD(1) CVRu(1)=A・CUR(1)+B・CFU(1) そしてプロセッサーは指標マークに対するウェハマーク
のコントラスト比GGを次式によって求める。 GG=CVWd(1)/CVRd(1)×100(%) 又は、 GG=CVWu(1)/CVRu(1)×100(%) そしてこのコントラスト比GGが所定の比以下になって
いる場合は、ウェハマークのエッジに対応したボトム波
形ではないと判断していく。
【0043】〔ステップ110〕次に、プロセッサー5
0はスムージング波形中の各スロープ部を所定のスライ
スレベルと比較してその交点を求める。このステップ1
10は、場合によっては省略してもよい。それは、図1
0のようにして求まったスムージング波形上の各スロー
プの中心位置をそのまま以後の処理に使えることもある
からである。さて、このステップ110では先の図2
(C)で説明したように、各スロープ毎に最適なスライ
スレベルを決める。このスライスレベルの決定にあたっ
ては、先に図10で求め指標マークのアップスロープ位
置RU(1)〜RU(4)、ダウンスロープ位置RD
(1)〜RD(4)、ウェハマークのアップスロープ位
置WU(1)〜WU(4)、ダウンスロープ位置WD
(1)〜WD(8)の夫々を使う。そこで、具体的な一
例を図12によって説明する。先ず図12(A)のよう
にスムージング波形上の1つのボトム波形WL1のダウ
ンスロープ位置WD(1)から一定のポイント数(アド
レス)分だけ波形データを前後にサーチする。そして、
ダウンスロープ下部の最小値BTと、ダウンスロープの
肩の部分の最大値SPdとを求め、図12(B)に示す
ように最小値BTと最大値SPdとの間を所定の比率で
分割するところにスライスレベルS1を決定する。
【0044】ここでその比率をα(%)とすると、スラ
イスレベルS1は次式で演算される。 S1=(SPd−BT)×(α/100)+BT 次にこのスライスレベルS1と一致するダウンスロープ
部のレベルの位置を求める。この際、スライスレベルS
1と一致するレベルがサンプリング点の間に存在する場
合は、直線補間等の手法で、交点位置SWD(1)を求
める。この位置SWD(1)は、例えばアドレスポイン
トの間を1/10で補間した実数で表すものとする。
【0045】以上と同様にして、スムージング波形上の
ボトム波形WL1のアップスロープについても、位置W
U(1)から前後にサーチ(ここでは最小値BT)が分
かっているので、サーチは一方向のみでもよい)を行
い、次式によってスライスレベルS2を決定する。 S2=(SPu−BT)×(α/100)+BT そして、このスライスレベルS2と一致するアップスロ
ープ部の位置SWU(1)を実数で算出する。
【0046】以下、同様にしてスムージング波形中の各
ボトム波形について最適なスライスレベルを決めて、そ
の交点位置SRU(1)〜SRU(4)、SRD(1)
〜SRD(4)、SWU(1)〜SWU(8)、SWD
(1)〜SWD(8)を求める。 〔ステップ112〕次にプロセッサー50は、ウェハア
ライメントセンサーの光学系の倍率誤差等をキャンセル
するために、CCD22の1画素(スムージング波形デ
ータのサンプリング間隔)がウェハ面上で何μmに相当
するのかを算出して、その換算値UNT(μm/ポイン
ト)を実数で求めておく。ここでは、安定性の良い指標
マークTL,TRの設計上の間隔Lt(μm)を用いる
ものとする。間隔Ltはウェハ面上の値として登録され
ているので、次式によって換算値UNTを演算する。
【0047】尚、指標マークTL,TRはともにKt本
(本実施例ではKt=2)とする。
【0048】
【数1】
【0049】〔ステップ114〕次に、プロセッサー5
0は指標マークTLとTRの間の中心位置Ct(μm)
を次式に基づいて実数で求める。
【0050】
【数2】
【0051】〔ステップ116〕ここでは予め指定され
た処理モードに従ってウェハマークの中心位置Clの演
算アルゴリズムを選択する。このステップ116から次
にどのステップ(118,120,122のいずれか)
に進むかはオペレータによって指定されたり、或いはオ
ートセットアップシステムによって自動的に切り換えら
れる。
【0052】〔ステップ118〕ここでは内スロープ検
出法によってウェハマークの中心位置Cl(μm)を実
数で算出する。ここで先の図10を参照すると、ウェハ
マークの波形上の内スロープ位置は、SWU(1)、S
WD(2)、SWU(3)、SWD(4)、SWU
(5)、SWD(6)、SWU(7)、SWD(8)で
ある。
【0053】従って、ここではウェハマークの本数をK
m(本実施例ではKm=4)として、次式に基づいて中
心位置Clを算出する。
【0054】
【数3】
【0055】〔ステップ120〕ここでは外スロープ検
出法によってウェハマークの中心位置Cl(μm)を実
数で算出する。ここで先の図10を参照すると、ウェハ
マークの波形上の外スロープ位置は、SWD(1)、S
WU(2)、SWD(3)、SWU(4)、SWD
(5)、SWU(6)、SWD(7)、SWU(8)で
ある。
【0056】従ってここでは次式に基づいて中心位置C
lを算出する。
【0057】
【数4】
【0058】〔ステップ122〕ここでは両スロープ検
出法によってウェハマークの中心位置Cl(μm)を実
数で算出する。先の図10から明らかなように、ウェハ
マークの波形上のダウンスロープ、アップスロープの全
ての加算平均位置が中心Clになるので、次式に基づい
て演算される。
【0059】
【数5】
【0060】〔ステップ124〕次にプロセッサー50
は、指標マークの中心位置Ctとウェハマークの中心位
置Clとの差を算出してアライメント誤差ΔA(μm)
を決定する。このアライメント誤差ΔAは、RAM43
にビデオ信号波形を取り込んだ時のウェハステージST
の残留アライメント誤差であり、以後のステージSTの
位置決めにあたっては、グローバルアライメントによっ
て決定されたステージ位置決め座標の設計値をΔAだけ
オフセットさせればよい。
【0061】以上、本実施例の基本的なアライメント手
順について説明したが、次に本実施例のステップ116
でどの処理モードを選択するかの決め方についての一例
を説明する。通常、半導体ウェハ上にデバイスを形成す
る工程には、素子間の配線等の為にアルミニウム層を一
様に蒸着する工程があり、ウェハ上の凹凸のアライメン
トマークはアルミ層で被覆された状態でアライメントセ
ンサーで検出される。すなわちアルミ層そのものででき
たマークを検出することになる。
【0062】従ってマーク上にアルミ層がきれいに蒸着
されずに非対称になった場合、マークの両端のエッジ部
に対応したビデオ信号波形(ボトム波形)も非対称にな
る。図13(A)はアルミ層Alで被覆されたアライメ
ントマークWMの断面構造を示し、CCD22で撮像さ
れ、テレビモニター上に映し出されたマーク像は図13
(B)に示すように、左右のエッジ部に生じる暗線の幅
が互いに異なっている。
【0063】これは、図13(A)に示すように、マー
クWMの左右のエッジ部でアルミ層Alが非対称に蒸着
しているからである。可視域の照明光を用いてこのマー
クWMを観察すると、通常はアルミ層Alの表面しか見
えない。そのため、CCD22から出力されるビデオ信
号波形は図13(C)のようになり、左右のエッジ部に
対応したボトム波形は互いに異なったものになる。
【0064】このような波形に対して本実施例の信号波
形処理アルゴリズムを適用して、外スロープ位置SWD
(1)、SWU(2)と内スロープ位置SWU(1)、
SWD(2)を求め、図8のステップ122で両スロー
プ検出法を選ぶと、図13のマークWMの中心位置Cl
は次式で得られる。Cl={SWD(1)+SWU
(2)+SWU(1)+SWD(2)}/4ところが、
このような非対称性の強いマークを両スロープ検出法で
検出してアライメントしても、その精度が必ずしも十分
に得られないことが実験により確かめられた。この原因
は、1つにはアライメント(重ね合わせ)精度を調べる
バーニアに問題がある。
【0065】バーニアによる重ね合わせ精度の検査に
は、予めウェハ上に形成されたバーニア主尺に対してレ
チクル上のバーニア副尺を、アライメントセンサーを使
って位置決めして、重ね焼きするものであり、その重ね
焼きによって作られたバーニアのずれ量を読むことで、
アライメント精度が判定できる。従来、この検査はステ
ッパーを用いて重ね焼きされたウェハを現像した後、レ
ジストで形成されたバーニア副尺と下地のバーニア主尺
とを別の光学顕微鏡等で観察してバーニアのずれ量を目
視で読み取っている。
【0066】図14(A)、(B)と図15(A)、
(B)はアルミ層におけるバーニアの一例を示し、図1
4(A)、(B)はバーニア主尺WBMの上のレジスト
層PRにバーニア副尺WBSをぬきで形成する場合であ
り、図15(A)、(B)はバーニア主尺WBMの両脇
のレジスト層PRに2本のバーニア副尺WBSをぬきで
形成する場合である。
【0067】ここではバーニア主尺WBMが非対称にな
っているものとする。目視でこれらバーニアを計測する
場合、レジストによる副尺WBSのエッジ部と、それに
隣接した主尺のエッジ部の距離a,bを読み取り、その
距離が目測で等しくなっている位置をアライメント精度
としている。具体的には、図16に示すように主尺WB
Mを計測方向に一定ピッチで作っておき、これに重ね焼
きされる副尺WBSは主尺WBMのピッチに対して、例
えば0.02μmだけ大きなピッチにしておく。理想的
にアライメントされていれば、バーニアに付随して表示
された数値の0のところで主尺WBMと副尺WBSとが
中心同志で重なる。図16の場合、主尺WBMと副尺W
BSとが中心同志で重なっているのは、数値−02の位
置であるので、アライメント精度としては−0.02μ
mが得られていることになる。尚、図16は図14に示
した方式のバーニアパターンであるが、図15に示した
方式でも同様である。
【0068】さて、図14のバーニア形式の場合、距離
a,bを規定する主尺WBM上のエッジ位置は、図13
(C)の波形上に対応させると内スロープ位置SWU
(1)、SWD(2)になる。一方、図15のバーニア
形式の場合は、距離a,bを規定する主尺WBM上のエ
ッジ位置は図13(C)の波形上に対応させると外スロ
ープ位置SWD(1)、SWU(2)になる。
【0069】即ち、アライメント精度をチェックしたと
きのバーニアの形式によって、実際のアライメント時に
は内スロープ検出法を使うか外スロープ検出法を使うか
を選択しなければならないことになる。従って、図14
(図16)のバーニア形状でアライメントチェックする
場合は内スロープ検出法(図8のステップ118)を選
択し、図15のバーニア形式では外スロープ検出法(図
8のステップ120)を選択すればよい。
【0070】このようにすると、目視でバーニア計測し
たアライメント精度と、ウェハアライメントセンサーで
検出されたアライメント誤差との対応付けが正確にな
る。ところで、プロセスによってはアルミ層Alの下の
マークWMに対してアライメントを行うこともある。こ
の場合、マークWMの上のアルミ層Alがどの程度非対
称に形成されているかが特定し難い。そこで、マーク断
面構造を調べることによって、その非対称性を確認した
ら、非対称性の程度に応じて内スロープ検出法に重み付
けするか、外スロープ検出法に重み付けするかを自動的
に選ぶようにする。例えば図13(C)のようなシング
ルマークの波形に対しては次式によってマーク中心位置
Clを決定する。
【0071】
【数6】
【0072】この式は両スロープ検出法の演算式を変更
して重み付けの定数A、Bを入れたものであり、定数
A,Bは次の条件を同時に満たしていればよい。 0<A<2、0<B<2、A+B=2 ここで、重み付け定数A,Bをともに1にしたときが両
スロープ検出法である。
【0073】尚、マーク断面構造を調べる方法として
は、走査型電子顕微鏡(SEM)測長器、超音波顕微鏡
を使う方法、赤外域のレーザスポットや照明光等のアル
ミ層Alを透過し得る光を使って光学的に計測する方法
等が考えられる。ところで、アルミ層Alを蒸着したと
きの非対称は、ウェハ中心から当方的に広がっていく傾
向があり、ウェハ上の周辺に位置するショット(チッ
プ)のマークをウェハアライメントセンサーを介して目
視観察すると、その位置での非対称性が例えば図17の
ように認識できる。
【0074】図17は、ウェハ中心をほぼ原点としたシ
ョット配列座標XY上の周囲4カ所のショットの位置を
示したもので、各ショットには、X方向アライメント用
とY方向アライメント用の各マークが設けられている。
座標系XY上でY軸方向に離れて位置する2つのショッ
トについては、Y方向アライメント用のマークMDyを
観察し、X軸方向に離れた2つのショットについては、
Y方向のアライメント用のマークMDxを観察する。
【0075】この際、各マークをCCD22で撮像した
信号波形を処理して、マークエッジ部でのボトム波形の
幅、すなわち図13(C)で示した位置SWD(1)と
SWU(1)との差、及び位置SWD(2)とSWU
(2)との差を求める。これによって、その差の大きい
方のエッジに非対称性が強く生じていることがわかる。
この非対称性の量ΔUは次式によって定量的に求めるこ
とができる。
【0076】
【数7】
【0077】このことから、ウェハの周辺のいくつかの
ショットのマークを検出して、その位置での非対称量Δ
Uを求めると、アルミ層蒸着時における非対称性をウェ
ハ全面でおおむね特定することができる。そこで図1に
示したように、レチクルR上のダイ・バイ・ダイマーク
とウェハW上の1ショット分のマークとをTTRアライ
メント系DAS1〜DAS4で検出するシステムを備え
たステッパーにおいては、TTRアライメント系でアラ
イメントされるウェハマークの位置を、マークの非対称
性に応じて補正することが可能となる。
【0078】ここで、TTRアライメント系の1つの例
として特開昭63−283129号公報に開示された干
渉アライメント方式を考えてみる。図18は、特開昭6
3−283129号公報に開示された系とは若干異なる
が、原理的には同じ干渉アライメント方式を説明する概
略図である。レチクルR上には、ダイ・バイ・ダイマー
クとして透明窓内の2カ所に回折格子Gr1、Gr2が
格子ピッチ方向に離れて設けられ、露光光と異なる波長
の2本のレーザビームLf1、Lf2の夫々が、格子G
r1、Gr2を斜めに照射する。ビームLf1、Lf2
の主光線はレチクルRの上方空間で交差しており、その
交点とレチクルRとの光軸方向の間隔は、ビームLf
1、Lf2の波長における投影レンズの軸上色収差量に
対応している。レチクルR上の格子Gr1、Gr2の横
の透明部を透過したビームLf1、Lf2は投影レンズ
を介してウェハW上で交差する。その交差領域には、ウ
ェハW上の回折格子Gwと平行に一次元の干渉縞が作ら
れる。ウェハWの格子Gwからは±1次回折光が干渉し
た干渉光BTLが垂直に発生し、この干渉光BTLは投
影レンズを逆進して、レチクルRの透明窓内の中央を通
って光電変換される。ここで、2本のビームLf1、L
f2にわずかな周波数差Δfを与えると、ウェハWの格
子Gw上に形成される干渉縞はその周波数差Δfに応じ
た速度で流れ、干渉光BTLの光電検出信号(計測信
号)は周波数Δfで正弦波状に変化する交流信号とな
る。
【0079】一方、レチクルRの格子Gr1、Gr2か
らは送光ビームLf1、Lf2と逆向きに±1次回折光
DL1、DL2を発生させるようにし、これら±1次回
折光DL1、DL2を干渉させた干渉光を光電検出し
て、参照信号を作る。この参照信号も周波数Δfで正弦
波状に変化する交流信号となり、参照信号と計測信号と
の位相差Δφ(±180°以内)が、レチクルRの格子
Gr1、Gr2とウェハWの格子Gwとのピッチ方向の
ずれ量になる。このように2本のビームLf1、Lf2
に周波数差Δfを与える方式は特にヘテロダイン干渉ア
ライメント方式と呼ばれ、格子Gwのピッチを4μm程
度(2μm幅のライン・アンド・スペース)にすると、
最大位相差±180°が±1μmに対応することから、
位相差計測分解能として±2°が得られるものとして、
約±0.01μmの位置ずれ検出能力が得られる。
【0080】さて、このような高精度、高分解能のTT
Rアライメントセンサーを用いた場合、ウェハW上の格
子マークGwの各格子要素に非対称性が生じていると、
当然のことながらマーク位置検出結果に誤差(オフセッ
ト)が含まれてしまう。そこで、次に、この種のTTR
アライメント系で問題となるマークの非対称性を、広帯
域照明光を用いたウェハアライメントセンサーによって
推定してオフセット補正する方法を説明する。
【0081】図19(A)はウェハW上の格子マークG
wの断面形状を示し、各格子要素の右側のエッジがだれ
ている。このため、図18に示したTTRアライメント
方式を使い、干渉縞IFを流してヘテロダイン検出で格
子マークGwを検出し、レチクルRの格子Gr1,Gr
2とのアライメントを行っても、個々の格子要素の非対
称性の量を平均化したようなオフセットが残留する。
【0082】そこで、先の実施例と同様にして、CCD
22で格子マークGwを撮像する。このとき、CCDの
水平走査方向を格子マークGwのピッチ方向と平行にす
る。これによって、CCD22からのビデオ信号波形は
図19(B)に示すように、各格子要素の両側のエッジ
部で非対称なボトム波形となる。そして、図13で説明
したように、各ボトム波形からダウンスロープ位置SW
D(n)とアップスロープ位置SWU(n)とを求め、
さらに各格子要素毎に非対称性量ΔU(n)を算出して
平均化すると、格子マークGw全体としての非対称性量
がわかる。従って、ダイ・バイ・ダイアライメント時に
は、この算出量に基づいて、TTRアライメント系での
マーク位置検出結果にオフセットをのせてアライメント
を行うと、単一波長の照明ビームを用いたTTRアライ
メント系であっても、マーク非対称性による誤差を低減
させることができる。
【0083】次に、信号処理のアルゴリズム上、アライ
メントマークのエッジ部から明確なボトム波形がでない
場合について、図20を参照にして説明する。図20
(A)はウェハ上のマルチマークMD(凸部)の反射率
が周囲の反射率と比べて極端に異なる場合を示し、この
ときの信号波形はマークと下地とのコントラスト差に応
じた波形形状になる。
【0084】図20(B)はマルチマークMDのライン
・アンド・スペースのデューティを50%以外の値にし
た場合で、隣接する凸状のバーマークのライン幅が狭い
と、左右のエッジでのボトム波形が分離せずに単一のボ
トム波形になってしまう。また、図20(C)はマルチ
マークMDの各バーマークを正方形のドットで構成して
格子にした場合を示し、この場合もエッジ部では明確な
ボトム波形が得られず、短形波状になる。
【0085】これら図20の場合は何れも内スロープ検
出法が利用できず、外スロープ検出法のみを利用するこ
とになる。先の実施例で説明した通り、アルゴリズム上
の動作として、ウェハマーク本数Kmが予め設定されて
いて、信号波形上で一定のコントラストを持ったボトム
波形が2Km個だけ得られるものとしているから、マー
クエッジ部で明確なボトム波形が発生しない場合は、ア
ルゴリズム(演算)上でエラーを起こし易くなる。
【0086】そこで、図8に示したフローチャート上
に、コントラスト判定ルーチンを付加して、図20のよ
うな信号波形になったときには自動的に図8中のステッ
プ120を選択するようにする。図21は、そのコント
ラスト判定ルーチンの一例を示すフローチャートであっ
て、図8中のステップ116の代わりに実行される。
【0087】以下、図21の各ステップを説明する。 〔ステップ200〕ここではプロセッサーの内部カウン
タ(ソフトウェアカウンタ)FNに零をセットする。こ
のカウンタFNは図20のような波形と図10のような
正常な波形とを区別するためのものである。
【0088】〔ステップ202〕ここでは、例えば図2
2のような波形が得られたものとして説明する。先ず、
図22の波形で、ダウンスロープ位置SWD(n)、又
はWD(n)が求まっているので、そこから左右に一定
距離の位置でのコントラスト値(レベル)CVlとCV
rを求める。この一定距離はエッジでの正常なボトム波
形の幅と同程度、若しくはそれよりも少し長めにしてお
く。
【0089】〔ステップ204〕次にプロセッサーはコ
ントラスト値CVlとCVrとの差を計算し、その差値
が一定の値GC以上であるか否かを判断する。図22中
の最初のボトム波形はマークエッジ部のみに対応した正
常なものであるため、コントラスト値CVlとCVrの
差値はそれ程大きくならず、ステップ206に進む。
【0090】〔ステップ206〕ここではカウンタFN
の内容をインクリメント(+1)する。 〔ステップ208〕プロセッサーは全てのダウンスロー
プ位置SWD(n)についてチェックしたかどうかを判
断し、チェックが終わっていなければ、次のダウンスロ
ープに対して同様の処理をすべくステップ202へ飛
ぶ。
【0091】〔ステップ210〕ここでプロセッサーは
カウンタFNの内容が零のままだったか否かを判断す
る。カウンタFNは、図22中のダウンスロープ位置S
WD(2)のような状態、即ち位置SWD(2)の前後
のコントラスト値CVl、CVrの差が値GCよりも大
きくなるときには、インクリメントされない。このため
カウンタFNが零であることは、信号波形が図20の場
合を意味し、プロセッサーは自動的(強制的)に外スロ
ープ検出のためのステップ120を実行する。
【0092】〔ステップ212〕また、カウンタFNが
零でないときは、そのカウント値とウェハマーク本数K
mとを比較し、一致していないときは、その信号波形が
図22の場合であると判断して内スロープ検出のための
ステップ118を実行する。さらに、カウンタFNの値
がマーク本数Kmと等しいときには、全てのマークエッ
ジ部に対応して正常にボトム波形が発生したものと判断
し、予めユーザ(オペレータ)から指定された処理モー
ド(3つのスロープ検出方法のうち何れか1つ)を実行
する。
【0093】以上により、図20のような信号波形が得
られる場合にも、アルゴリズム上でエラーなく処理する
ことができる。しかしながら図20のマークのときは、
外スロープ検出法でのみ処理されるので、先の図14、
図15で説明したように、バーニア形状に基づいて非対
称性を考慮すると内スロープ検出法が最適であることが
分かったとしても、それに対応することができないこと
になる。例えば、図20(C)又は(B)に示したよう
に、1本の凸状バーマークの幅が狭いマルチマークの場
合、バーニア形状による非対称性の影響の違いは顕著に
現れる。
【0094】従ってこのような場合には、凸状バーマー
クを凹状バーマークに変えることによって、バーニア形
状に基づいて決定される最適なスロープ検出法を利用す
ることができる。尚、先の図20(B)に示すようなラ
イン・アンド・スペースのマルチマークの場合、1本の
バーマークに対して1つのボトム波形しか生じないの
で、ライン・アンド・スペースのデューティ比を変えて
いって、1本のバーマークの両側のエッジで分離したボ
トム波形が得られるようにしてもよい。この手法は、図
19で示した干渉アライメント方式用のウェハ格子マー
クGwに対して実施すると効果的である。干渉アライメ
ント方式では、格子マークGwのピッチを小さくすると
それだけ高分解能になる。ところが、CCD22を用い
たウェハアライメントセンサーでは格子マークGwのピ
ッチが小さくなると、ビデオ信号の波形が図20(A)
のようになって、さらにコントラストが悪くなってく
る。そこで、格子マークGwのピッチは変えずにデュー
ティ比を変えることで、ビデオ信号の波形を極力図19
(B)、又は図20(B)のようにすることができる。
本実施例の装置では、ウェハマークの観察用の照明光が
広帯域であることから、レジスト層による干渉現象が皆
無となる。従って、解像力(倍率)を上げるために、C
CD22までの光学系(対物レンズ12)の開口数
(N.A.)を大きくすることも可能であるが、そうする
と実用的な焦点深度が得られなくなる。そこで、対物レ
ンズ12を投影レンズPLの開口数の半分程度、例えば
N.A.=0.2〜0.3程度にする。さらにウェハ面
から共役指標板18までの光学系(12,16)と指標
板18からCCD22までの光学系(20)とによって
決まるトータルの結像倍率を30〜50倍程度にする。
このようにすると、実用的なマルチマークのライン・ア
ンド・スペースを4μm(ピッチ8μm)にした時、マ
ークエッジ部に対応したビデオ信号波形上のボトム波形
に山割れが生じない。山割れとは、図23(A)に示す
ような凸状バーマークの断面を考えたとき、ボトムエッ
ジ(外エッジ)BE1,BE2とトップエッジ(内エッ
ジ)TE1,TE2の夫々が図23(B)のようにボト
ム波形BWB1,BWB2,BWT1,BWT2となっ
て分離してしまう現象である。これは、ボトムエッジB
E1(BE2)とトップエッジTE1(TE2)との間
のエッジテーパ部に、照明光ILが垂直方向から照射さ
れたとしても、対物レンズ12の開口数が大きくて倍率
が高いと、そのテーパ部からの散乱光DFLがCCD2
2まで戻ってくるからである。
【0095】従って、図23(B)のビデオ信号をテレ
ビモニターに供給して画面上で観察すると、バーマーク
のエッジ部が2本の細い黒線になって見える。このよう
に山割れを起こした信号波形を処理すると、分離したボ
トム波形BWB1とBWT1とを2つのエッジと誤認識
することもある。本実施例の装置では、このような山割
れが生じないように、プロセス上のウェハマークの形状
変化を経験的に考慮して、対物レンズ12の開口数を
0.2〜0.3、CCD22までの倍率を30〜50と
比較的小さく定めている。さらに、CCD22のセルサ
イズ(セルピッチ)はウェハ面換算で0.2μm〜0.
3μm程度である。
【0096】次に、本発明の第2の実施例による装置構
成を図24、図25を参照して説明する。本実施例で
は、共役指標板18、CCD22の構成、及びウェハマ
ークのアライメントの仕方が先の実施例と異なる。図2
4は、ウェハW上のX方向マークとY方向マークとを共
通の光学系を介して検出する場合の系を示し、図1と異
なる点は、指標板18上にX方向用とY方向用の2組の
指標マーク群が形成され、結像レンズ系20の後にビー
ムスプリッタ21を設けて結像光束を2つに分岐し、そ
の分割された結像光束の夫々を受光する2つのCCD2
2X,22Yを設けることである。ただし、2つのCC
D22X,22Yは矢印で示したように水平走査方向が
互いに90°になるように設定されている。
【0097】さらに共役指標板18は、図25に示すよ
うにX方向用には、指標マーク群TLA,TRA,TL
B,TRBを含む領域VPBxと、その上方の透明領域
VPAxと、目視用マークVCMxとを有し、Y方向用
には同様に指標マーク群TLA,TRA,TLB,TR
Bと目視用マークVCMyとを有する。CCD22X
は、領域VPAxとVPBx、及びマークVCMxをカ
バーするとともに、Y方向用の指標マークTRA,TL
Aが写り込まないような撮像範囲を有する。CCD22
Yについても同様である。本実施例では、共役指標板1
8、結像レンズ系20までの系がX,Y用に共用されて
いるために、ウェハ面を観察するミラー10、対物レン
ズ12も1カ所に配置するだけでよい。
【0098】尚、X方向用とY方向用のアライメント光
学系を対物レンズから別個に配置する場合は、当然のこ
とながら共役指標板18もX方向用とY方向用とで別体
になる。さて、図25に示した共役指標マーク群のうち
内側の指標マークTLAとTRAは、一例として4μm
幅のバーマークを4μmのスペースで7本配置したマル
チマークを挟み込めるように作られている。このため、
マルチマークでないシングルマークを検出する場合等
は、各指標マークTRA,TLAの下にくるウェハ面は
マークやパターンの禁止領域にならざるを得ない。すな
わち、ウェハマークの形成領域をストリートライン上で
広く定めておかねばならず、デバイス製造上に制約を与
えることになる。
【0099】そこで本実施例では、X方向用のシングル
マークの検出時には、図25の右側の指標マークTRA
とTRBの間にシングルマークを挟み込むようにして、
指標マークTRAとTRBを含むビデオ信号波形部分の
みを処理する。また、幅の広いマークに対しては指標マ
ークTLBとTRBを用いてもよい。具体的には図26
に示すように、シングルマークWDに対しては指標マー
クTRA,TRBで挟み込み、n本の走査線のビデオ信
号を加算平均した波形から、予めパラメータとして与え
られている指標マーク処理範囲R−L,R−Rの波形部
分と、その間のウェハマーク処理範囲W−Aの波形部分
とを選び、先の第1の実施例と同様に信号波形すればよ
い。また、全体として幅が広くなるマルチマークについ
ては、図27に示すように外側の指標マークTLB,T
RBを用いるように指標マーク処理範囲R−L,R−R
を設定し、内側の指標マークTLA,TRAに重なって
いるウェハマークの波形部分は除外されるようにウェハ
マーク処理範囲W−Aを設定する。これら処理範囲の設
定は使用するマーク形状寸法等を事前に登録することに
よって自動的に行われる。
【0100】また、登録したマーク形状によっては、使
用すべき指標マークと重なることもあるので、ウェハグ
ローバルアライメント後に特定されたウェハマーク位置
を故意にX,Y方向(計測方向)にシフトさせて、指標
マークと重ならないようにすることもできる。次に第3
の実施例について説明するが、ここでは図1に示したオ
フ・アクシス方式のウェハアライメントセンサーを、ウ
ェハのグローバルアライメントに利用する場合について
説明する。
【0101】一般に、この種のステッパーでは、ウェハ
のオリエンテーションフラットを検出して機械的にウェ
ハを位置決めして(プリアライメント)してステージS
T上に載置するが、その状態では20μm〜100μm
程度のプリアライメント誤差が存在する。グローバルア
ライメントは、そのプリアライメント誤差を見込んでウ
ェハ上のグローバルアライメント用のマークをサーチ
し、ウェハ上の実際のショット配列と設計上のショット
配列とを±1μm程度の誤差範囲内に対応付ける作業で
ある。従って、CCDカメラを用いてグローバルアライ
メントする場合、設計値でステージSTを位置決めして
も、プリアライメント誤差が大きいとCCDカメラの撮
像範囲内にグローバルマークが存在しないことも起こり
得る。
【0102】そこで、CCDカメラでウェハ面を撮像し
て、ウェハWをグローバルアライメントする場合には、
ウェハ面をCCDで観察してはウェハを一定量ずらして
いくグローバル・サーチが必要となる。そのために、図
25に示した指標板18の透明領域VPAx(又はVP
Ay)を用いる。この領域VPAxはCCD22Xの撮
像面上の予め定められた位置に存在するから、領域VP
Axを走査する走査線の位置や本数も予めわかってい
る。またウェハ上のグローバルマークWGMが図28の
ようにストリートラインSAL内に形成されているもの
とする。
【0103】このグローバルマークWGMはストリート
ラインSALの伸びるY方向に沿って平行に並べられた
3本の格子状マークから成り、ストリートラインSAL
の左側のチップ領域CPAから1本目の格子状マークま
での距離はa、右側のチップ領域CPAから3本目の格
子状マークまでの距離はdである。さらに3本の格子状
マークの間隔はそれぞれb,cである。
【0104】ここで、設計値に従ってウェハステージS
Tを最初に位置決めしたとき、指標板18の透明領域V
PAxが図28のように主に左側のチップ領域CPAに
かかり、グローバルマークWGMの1本目と2本目まで
を取り込んでいるものとする。このとき、領域VPAx
内の走査線の複数本に対応したビデオ信号を加算平均す
ると、図29(A)のような波形データがメモリ上に記
憶される。
【0105】次に、この最初に取り込んだ波形データを
解析して、グローバルマークWGAかどうかを認識す
る。認識のアルゴリズムとしては、例えば特開昭60−
114914号公報に開示された手法が応用できる。す
なわち、図28中に示したマークWGMの設計上の配置
関係(間隔a,b,c,d)に最も近い状態の波形位置
を捜し出す。
【0106】通常は、図29(A)の最初に取り込んだ
波形データ中にマークWGMの3本が同時に入ってくる
が、プリアライメント誤差が極端に大きくなってくる
と、図28のように領域VPAxがマークWGMの3本
目までをカバーしなくなる。そこで、プロセッサーは、
ウェハステージSTをX方向に一定量だけシフトさせた
後、CCDカメラからのビデオ信号波形をメモリ上に取
り込む。このとき、領域VPAxは図28中の右側に最
初の部分と一部重複するようにシフトする。右側にシフ
トした領域VPAxから得られるビデオ信号の加算平均
した波形は図29(B)のようになる。この図29で領
域VPAxのX方向の重複範囲はDBAであり、この長
さはステージSTの干渉計IFXによって正確に設定さ
れ得るが、範囲DBAはマークWGAのX方向の幅(約
b+c)よりも少し大きくなるように定めるとよい。
【0107】次に、プロセッサーは、1回目に取り込ん
だビデオ信号波形の重複範囲DBAのコントラスト値C
Vaと、2回目に取り込んだビデオ信号波形の重複範囲
DBAのコントラスト値CVbとを比較する。一般にC
CDカメラでは、画面内の平均輝度が変化するとAGC
(オードゲインコントロール)が働き、そのため重複範
囲DBAでは2つの波形部分のコントラスト値CVa,
CVbが変化することもある。
【0108】そこで、2つのコントラスト値CVaとC
Vbが大きく異なるときは、それらがほぼ等しくなるよ
うに、1回目と2回目のビデオ信号波形のうちいずれか
一方のゲインを演算により補償した後、2つのビデオ信
号波形を重複範囲DBAでは平均化して継ぎ合わせる。
この動作はメモリ上のデータをプロセッサーが演算する
ことで行われる。
【0109】このように領域VPAxを相対的にX方向
にシフトさせてビデオ信号波形の継ぎ合わせを行ってい
けば、CCDカメラの1画面よりもはるかに広い領域か
らの連続したビデオ信号波形データがメモリ上に記憶さ
れる。このため、ストリートラインSAL内のグローバ
ルマークWGMをデザインルール(間隔a,b,c,
d)に基づいて捜し出すことができる。
【0110】以上、グローバルマークWGMのサーチ
は、3本のマークが認識されればそれで終了し、引き続
いてグローバルファインアライメントに移行する。この
グローバルフエインにはいくつかの変形例があり、大別
すると本実施例で用いたCCDカメラによるウェハアラ
イメントセンサーをそのまま利用する方式と、ファイン
アライメント用に別設されたアライメントセンサーを利
用する方式とがある。
【0111】CCDカメラによるウェハアライメントセ
ンサーを利用する場合は、ウェハステージSTを移動さ
せて、指標板18中の領域VPBx(図25)内にグロ
ーバルマークWGMを配置してビデオ信号波形を取り込
む。そして、指標マークTLAとTRAとの挟み込み、
或いはマークWGMの2本目(シングルマーク)を指標
マークTRAとTRBに挟み込むことによって精密にア
ライメントを行う。
【0112】また、別設したファイングローバルセンサ
ーを使う場合は、マークWGMの2本目のみをただちに
検出し、そのセンサーの検出中心と2本目のマーク中心
とが一致するステージSTの座標値を計測すればよい。
次に第4の実施例について説明する。ここでは図1に示
したオフ・アクシス方式のウェハアライメントセンサー
をE.G.A(エンハンスト・グローバル・アライメン
ト)に利用する場合について説明する。
【0113】E.G.Aについては、詳しくは特開昭6
1−44429号公報、又は特開昭62−84516号
公報に開示されているので、ここでは詳細な演算方法に
ついての説明は省略する。図30はウェハ上のショット
配列のうち、E.G.A方式ではサンプルアライメント
されるショットS1〜S8のみを示したものである。従
来、E.G.A方式は前提としてウェハのX,Y,θ方
向のグローバルアライメントが完了した後にショットS
1〜S8のサンプルアライメントが完了した後にショッ
トS1〜S8のサンプルアライメントを実行していた。
【0114】本実施例では、θ方向のグローバルアライ
メント機能をE.G.Aのシーケンス中に取り込むよう
にして、スループットの向上を計るようにした。通常の
E.G.Aでは、ショットS1〜S8の順に次々に、各
ショットのX方向マークとY方向マークとを検出して、
各ショットの中心座標値を計測しているが、本実施例で
は、最初の2ショットについては、ウェハ上でほぼ点対
称の関係にあるもの同志をサンプルアライメントする。
具体的には、図30中でX方向に並んだショットS3と
S7の2つ、あるいはY方向に並んだショットS1とS
5の2つである。
【0115】そして、2つのショットについてサンプル
アライメントが完了した時点で、ウェハ(ショット配
列)全体のXY座標系に対する回転量Δθを算出する。
そしてこの回転量ΔθがE.G.A方式での総合アライ
メント精度を低下させる程に大きいときは、ウェハステ
ージST上のウェハホルダーをΔθだけ逆方向に微小回
転させる。その後、再び2つのショットをサンプルアラ
イメントして、回転量Δθが十分小さくなったことを確
認したら、残りのショットをサンプルアライメントして
E.G.Aの演算に入る。
【0116】以上のサンプルアライメントには、図1等
に示したウェハアライメントセンサーが使われ、広帯域
照明光のもとでマルチマークを撮像するため、レジスト
層による干渉現象がなく、安定したマーク位置計測が可
能となる。マーク位置計測にあたっては、指標マークT
L,TRの中心Ctとウェハマークの中心Clとのずれ
量Δx,Δyを求めるとともに、そのときのステージS
Tの停止座標値を干渉計IFX,IFYから読み取って
記憶すればよい。
【0117】以上、本発明の各実施例では、ウェハ上の
レジスト層の影響を考えて、広帯域照明光を用いたマー
ク像検出のアライメントセンサーを利用することに主眼
をおいて説明してきた。ところが近年、ウェハのマーク
部分のレジスト層のみを予め剥離しておく手法が提案さ
れている。この場合は、マーク照明光が広帯域である必
要性はなく、レーザ光のような単一波長の照明光を用い
たアライメントセンサーでもよいことになる。本発明
は、そのような単一波長の照明光を使ったアライメント
センサーから得られたビデオ信号や光電信号の波形を解
析する場合にも全く同様に適用できる。その際、マーク
部分のレジスト層が除去されているなら、信号波形は各
実施例で示したように、マークエッジでボトム(又はピ
ーク)となるようなシンプルな波形となり、マークの非
対称性の影響についても同様に対応することができる。
【0118】
【発明の効果】本発明によれば、マーク信号波形中のボ
トム部分のアップスロープ位置とダウンスロープ位置と
を使い分けるようにしたため、マーク中心位置の計測精
度を実際のデバイス製造時の重ね合わせ精度に近似させ
ることができる。さらに、マーク波形中のボトム波形の
非対称性をチェックすることができるので、ウェハプロ
セスによってマークの変形を受け易い層(アルミ層等)
の重ね合わせ精度をより向上させることができる。
【0119】また、本発明は近年開発が進められている
SORX線露光装置用のアライメント方式としても同様
に利用できるが、X線露光ではマスクとウェハとが所定
のギャップで近接するため、マスクのマークとウェハの
マークとを同時に検出できるように2焦点化素子を加え
た対物レンズ系等を用意するとよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例による方法を実施するのに好
適なステッパーの構成を示す斜視図。
【図2】 (A)、(B)、(C)は本発明の原理を説
明するためのマーク断面と信号波形を示す図。
【図3】 CCDカメラの信号処理系の構成を示すブロ
ック図。
【図4】 ウェハ上のショット配列とマーク配置を示す
平面図。
【図5】 指標板上のマーク配置を示す平面図。
【図6】 (A)、(B)はウェハマークの形状と断面
構造とを示す図。
【図7】 (A)、(B)は指標マークとウェハマーク
とのアライメント時の配置とCCDカメラからのビデオ
信号の波形とを示す図。
【図8】 本発明の実施例による方法に従ったアライメ
ント処理の手順を示すフローチャート図。
【図9】 (A)、(B)、(C)、(D)は図8の処
理の過程で演算される信号波形データの様子を示す波形
図。
【図10】 (A)、(B)、(C)、(D)は図8の
処理の過程で演算される信号波形データの様子を示す波
形図。
【図11】 (A)、(B)、(C)、(D)は図8の
処理の過程で演算される信号波形データの様子を示す波
形図。
【図12】 (A)、(B)、(C)、(D)は図8の
処理の過程で演算される信号波形データの様子を示す波
形図。
【図13】 (A)、(B)、(C)は非対称なマーク
の構造とその信号波形とを示す図。
【図14】 バーニア形状の違いを説明する図。
【図15】 バーニア形状の違いを説明する図。
【図16】 バーニアの読み方を説明する図。
【図17】 周辺のショットで非対称になるマークの様
子を示すウェハ平面図。
【図18】 TTRアライメントセンサーの一例を説明
する図。
【図19】 (A)、(B)は干渉アライメント方式に
使用される格子マークの断面構造とその信号波形とを示
す図。
【図20】 (A)、(B)、(C)はそれぞれウェハ
マーク形状の変形を示す図。
【図21】 ウェハマーク本数とエッジボトム波形の数
とを自動的に照合して最適なモードを選択する手順を示
すフローチャート図。
【図22】 図21の工程における信号波形処理の一例
を示す波形図。
【図23】 (A)、(B)はエッジボトム波の山割れ
現象を説明するマーク構造と信号波形とを示す図。
【図24】 図1に示したウェハアライメントセンサー
の他の実施例による構成を示す斜視図。
【図25】 図24の系に好適な共役指標板上のマーク
配置を示す平面図。
【図26】 図25中の指標マークの使い方と信号処理
の方法とを示す図。
【図27】 図25中の指標マークの使い方と信号処理
の方法とを示す図。
【図28】 ウェハ上のグローバルアライメントマーク
配置とサーチアライメント時の撮像範囲との関係を示す
平面図。
【図29】 (A)、(B)は図28に示したウェハを
撮像したときのビデオ信号波形の一例を示す図。
【図30】 E.G.A方式でサンプルアライメントさ
れるショット配置例を示す平面図。
【符号の説明】
R・・・レチクル、W・・・ウェハ、PL・・・投影レ
ンズ、MK,MD1,MD2,MD3,MD4,MD
n,WM,GW,WGM・・・ウェハマーク、TL,T
R・・・指標マーク、ST・・・ウェハステージ、12
・・・対物レンズ、18・・・共役指標板、22・・・
CCD、24・・・広帯域照明光用のファイバー、42
・・・アナログ−デジタル変換器、43・・・メモリ
(RAM)

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上のマークの像を所定面上に形成する
    アライメント光学系と、前記マークの像を受光する撮像
    素子とを備えた位置検出装置において、 前記アライメント光学系内に配置され、ファインアライ
    メント用の第1領域とサーチアライメント用の第2領域
    とを有するとともに、前記第1領域内に指標マークが形
    成された指標板と、 前記アライメント光学系の結像視野内で前記第1及び第
    2領域にそれぞれ対応する第1及び第2位置の一方に前
    記マークを位置付けるように前記基板を移動させるステ
    ージと、 前記ファインアライメント時に前記第1領域を前記撮像
    素子で検出して得られる画像信号を処理する第1モード
    と、前記サーチアライメント時に前記第2領域を前記撮
    像素子で検出して得られる画像信号を処理する第2モー
    ドとを有するプロセッサとを備えたことを特徴とする位
    置検出装置。
  2. 【請求項2】前記撮像素子はその受光面上に水平走査方
    向を有し、前記指標板の前記第1及び第2領域は前記水
    平走査方向と直交した方向に配列されることを特徴とす
    る請求項1記載の位置検出装置。
  3. 【請求項3】前記アライメント光学系は、中間結像面を
    形成する対物光学系と、前記中間結像面と前記所定面と
    をほぼ共役に配置する再結像光学系とを含み、前記撮像
    素子の受光面は前記所定面に配置されることを特徴とす
    る請求項1又は2に記載の位置検出装置。
  4. 【請求項4】前記指標板は前記中間結像面に配置される
    透明板を含み、前記指標マークは前記透明板に形成され
    ることを特徴とする請求項3記載の検出装置。
  5. 【請求項5】前記撮像素子はその受光面上に水平走査方
    向を有し、前記指標マークは、前記水平走査方向に対応
    した方向に分離した一対の第1マークと、前記一対の第
    1マークの外側にそれぞれ配置される第2マークとを含
    むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載
    の位置検出装置。
  6. 【請求項6】前記水平走査方向に関する前記一対の第1
    マークの間隔は、前記水平走査方向に関する前記第1マ
    ークとそれに対応する前記第2マークとの間隔よりも大
    きいことを特徴とする請求項5記載の位置検出装置。
  7. 【請求項7】基板上に形成されたアライメントマークを
    アライメント光学系で検出し、その検出結果に応じて前
    記基板をアライメントする方法において、 前記基板のファインアライメントでは、前記アライメン
    ト光学系によってその最終結像面の第1領域内に形成さ
    れる前記アライメントマークの像と指標マークの像とを
    撮像素子で検出し、前記撮像素子から出力される第1画
    像信号に基づいて前記アライメントマークと前記指標マ
    ークとの位置偏差を決定し、 前記基板のサーチアライメントでは、前記アライメント
    光学系によって前記最終結像面の第2領域内に形成され
    る前記アライメントマークの像を、前記指標マークの像
    に邪魔されることなく前記撮像素子で検出し、前記撮像
    素子から出力される第2画像信号に基づいて前記アライ
    メントマークの位置を決定することを特徴とするアライ
    メント方法。
  8. 【請求項8】前記アライメント光学系は、前記アライメ
    ントマークの中間像を形成する第1光学系と、前記中間
    像を前記最終結像面に再結像する第2光学系とを含み、
    前記最終結像面に受光面が配置されるCCDカメラで前
    記再結像されたアライメントマークの像を検出すること
    を特徴する請求項7記載のアライメント方法。
  9. 【請求項9】前記指標マークは、前記アライメントマー
    クの中間像が形成される面に配置されるとともに、前記
    指標マークの像が前記最終結像面の第1領域の端部に形
    成されるように配列されることを特徴とする請求項8記
    載のアライメント方法。
  10. 【請求項10】前記CCDカメラはその受光面上に水平
    走査方向を有し、前記最終結像面の第1領域と第2領域
    は前記水平走査方向と直交した方向に連続して配置され
    ることを特徴とする請求項8又は9に記載のアライメン
    ト方法。
  11. 【請求項11】前記サーチアライメント時に前記アライ
    メントマークの像が前記最終結像面の第2領域内に位置
    付けられるように前記基板を位置決めすることを特徴と
    する請求項7〜10のいずれか一項に記載のアライメン
    ト方法。
  12. 【請求項12】前記ファインアライメントは、前記サー
    チアライメントによって決定された前記アライメントマ
    ークの位置に基づいて、前記サーチアライメントの実施
    後に実行されることを特徴とする請求項7〜11のいず
    れか一項に記載のアライメント方法。
  13. 【請求項13】基板上に形成されたアライメントマーク
    をアライメント光学系で検出し、その検出結果に応じて
    前記基板をアライメントする方法において、 前記基板のサーチアライメント時とファインアライメン
    ト時とで、前記アライメント光学系によってその結像面
    に形成される前記アライメントマークの像の位置を異な
    らせるとともに、前記ファインアライメント時に前記ア
    ライメントマークの像が形成される前記結像面の所定領
    域に指標マークの像を形成することを特徴とするアライ
    メント方法。
  14. 【請求項14】前記ファインアライメントでは、前記所
    定領域を撮像素子で検出して得られる画像信号を処理す
    る第1モードを利用し、前記サーチアライメントでは、
    前記所定領域と異なる前記アライメントマークの像を含
    む領域を前記撮像素子で検出して得られる画像信号を処
    理する第2モードを利用することを特徴とする請求項1
    3記載のアライメント方法。
  15. 【請求項15】基板上のマークの像を撮像素子で検出す
    るアライメント系を備え、前記基板上にマスクのパター
    ンを転写する露光装置において、 前記アライメント系は、前記基板のファインアライメン
    トに使用される指標マークが形成された第1領域と、前
    記基板のサーチアライメントに使用される第2領域とを
    有する指標板を有し、 前記ファインアライメント時に前記第1領域を通して前
    記アライメントマークの像を前記撮像素子で検出して得
    られる画像信号を処理し、前記サーチアライメント時に
    前記第2領域を通して前記アライメントマークの像を前
    記撮像素子で検出して得られる画像信号を処理するコン
    トローラを備えたことを特徴とする露光装置。
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