JP3032921B2 - 発光材料 - Google Patents
発光材料Info
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- JP3032921B2 JP3032921B2 JP3358507A JP35850791A JP3032921B2 JP 3032921 B2 JP3032921 B2 JP 3032921B2 JP 3358507 A JP3358507 A JP 3358507A JP 35850791 A JP35850791 A JP 35850791A JP 3032921 B2 JP3032921 B2 JP 3032921B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低速電子線励起により青
色から赤色まで高輝度で発光する発光材料に関する。
色から赤色まで高輝度で発光する発光材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子線励起用発光材料としてドナ
ー、アクセプター対発光機構を利用したＺｎＳ：Ａｇ，
Ｃｌ（青色発光）、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（緑色発光）、
ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ（赤色発光）等が広く用いられ
ている。また、前記発光材料を低速電子線用発光材料と
して用いる場合、抵抗を下げるため非発光物質であるＩ
ｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＷＯ3等の導電物質を混合して用いて
いる。
ー、アクセプター対発光機構を利用したＺｎＳ：Ａｇ，
Ｃｌ（青色発光）、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（緑色発光）、
ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ（赤色発光）等が広く用いられ
ている。また、前記発光材料を低速電子線用発光材料と
して用いる場合、抵抗を下げるため非発光物質であるＩ
ｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＷＯ3等の導電物質を混合して用いて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記発光材料
であるＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｚｎ
ＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌは電子線あるいは紫外線により励起
され、Ｃｌ、Ａｌ等がドナーとして又Ａｇ、Ｃｕがアク
セプターとして作用するドナー、アクセプター対発光機
構により各々青色発光から赤色発光までを発光すること
が知られている。
であるＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｚｎ
ＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌは電子線あるいは紫外線により励起
され、Ｃｌ、Ａｌ等がドナーとして又Ａｇ、Ｃｕがアク
セプターとして作用するドナー、アクセプター対発光機
構により各々青色発光から赤色発光までを発光すること
が知られている。
【０００４】ドナー、アクセプター対発光はドナーとア
クセプター間の電子遷移により生じるため、ドナーおよ
びアクセプター濃度が増加するにつれて発光効率は上が
る。しかし、ドナー、アクセプター濃度がある程度以上
の値になると多数の原子間あるいは発光対間での相互作
用が増加するため、いわゆる濃度消光で外部励起された
発光に関与し得る電子が発光原子あるいは原子対間を回
遊移動する割合が多くなり、発光遷移に関与することな
く非輻射中心に捕らえられエネルギーを失ってしまう。
つまり、高濃度の発光中心の存在により発光効率を上げ
るのではなく逆に発光効率は減少することになる。
クセプター間の電子遷移により生じるため、ドナーおよ
びアクセプター濃度が増加するにつれて発光効率は上が
る。しかし、ドナー、アクセプター濃度がある程度以上
の値になると多数の原子間あるいは発光対間での相互作
用が増加するため、いわゆる濃度消光で外部励起された
発光に関与し得る電子が発光原子あるいは原子対間を回
遊移動する割合が多くなり、発光遷移に関与することな
く非輻射中心に捕らえられエネルギーを失ってしまう。
つまり、高濃度の発光中心の存在により発光効率を上げ
るのではなく逆に発光効率は減少することになる。
【０００５】すなわち、発光材料中のドナーおよびアク
セプターの相対割合および濃度が最適な場合に限り最も
発光効率は良く、その発光効率はドナーとアクセプター
の組み合わせにより固有の最適値をもつことが知られて
いる。
セプターの相対割合および濃度が最適な場合に限り最も
発光効率は良く、その発光効率はドナーとアクセプター
の組み合わせにより固有の最適値をもつことが知られて
いる。
【０００６】一方、前記発光材料ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌを蛍光表
示管用の低速電子線励起用蛍光材料として用いる場合、
適度の導電性を持っていなければならない。導電性を与
えるにはアクセプターに対するドナー濃度を増加すれば
よいが、前述の理由により発光効率を下げずに導電性を
与えるにはドナー濃度に制限があるため、蛍光表示管に
使用するには導電性が不十分である。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌを蛍光表
示管用の低速電子線励起用蛍光材料として用いる場合、
適度の導電性を持っていなければならない。導電性を与
えるにはアクセプターに対するドナー濃度を増加すれば
よいが、前述の理由により発光効率を下げずに導電性を
与えるにはドナー濃度に制限があるため、蛍光表示管に
使用するには導電性が不十分である。
【０００７】そこで、従来は導電物質であるＩｎ2Ｏ3、
ＳｎＯ2、ＷＯ3等を混合することにより導電性を与えて
いるが、これらの導電物質は非発光物質であるため発光
効率を低下させる。また導電物質中のＩｎ2Ｏ3、ＷＯ3
は非常に高価な材料であるため、混合して使用する蛍光
体のコストも高価なものになってしまう。
ＳｎＯ2、ＷＯ3等を混合することにより導電性を与えて
いるが、これらの導電物質は非発光物質であるため発光
効率を低下させる。また導電物質中のＩｎ2Ｏ3、ＷＯ3
は非常に高価な材料であるため、混合して使用する蛍光
体のコストも高価なものになってしまう。
【０００８】以上、電子線励起により比較的高い効率を
示す発光材料であるＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ、ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌにおいて導電物質を
混合しなくてさらに発光輝度、発光効率、発光特性（低
抵抗）を得ることは困難であり、実用上十分な高輝度発
光材料の開発は極めて大きな課題である。
示す発光材料であるＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ、ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌにおいて導電物質を
混合しなくてさらに発光輝度、発光効率、発光特性（低
抵抗）を得ることは困難であり、実用上十分な高輝度発
光材料の開発は極めて大きな課題である。
【０００９】本発明は前記問題を解決するためになされ
たものであり、発光効率、発光輝度が高く、かつ導電性
の制御が行える青色発光から赤色発光を発生する発光材
料を提供することを目的とするものである。
たものであり、発光効率、発光輝度が高く、かつ導電性
の制御が行える青色発光から赤色発光を発生する発光材
料を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、母体材
料であるＺｎＣｄＳあるいはＺｎＣｄＳｅに発光中心と
なるＴｅとドナーとなるＳｂ、Ｂｉをドーピングした一
般式（Ｚｎ１−ｘＣｄｘ）Ａ：Ｔｅｙ，Ｂｚ（ただし、
０≦ｘ≦０．８５，０．０１≦ｙ≦５，０．００５≦ｚ
≦０．１，ＡはＳ，Ｓｅの中から１つ選ばれる。又、Ｂ
はＳｂ、Ｂｉの中から１つ選ばれる。）で表わされる化
合物からなる発光材料が提供される。
料であるＺｎＣｄＳあるいはＺｎＣｄＳｅに発光中心と
なるＴｅとドナーとなるＳｂ、Ｂｉをドーピングした一
般式（Ｚｎ１−ｘＣｄｘ）Ａ：Ｔｅｙ，Ｂｚ（ただし、
０≦ｘ≦０．８５，０．０１≦ｙ≦５，０．００５≦ｚ
≦０．１，ＡはＳ，Ｓｅの中から１つ選ばれる。又、Ｂ
はＳｂ、Ｂｉの中から１つ選ばれる。）で表わされる化
合物からなる発光材料が提供される。
【００１１】
【作用】本発明の発光材料はＴｅが発光中心となり、前
記Ｘ値を変化させることにより青色発光から赤色発光を
生じ、Ｓｂ、Ｂｉがドナーとして働くものである。
記Ｘ値を変化させることにより青色発光から赤色発光を
生じ、Ｓｂ、Ｂｉがドナーとして働くものである。
【００１２】Ｔｅは母体元素であるＳあるいはＳｅを置
換し、その電子親和力の差から電子を捕獲する等電子ト
ラップとして働く。ドナーやアクセプターが遠距離形の
クーロン力で電子や正孔を引きつけるのに対し、等電子
トラップは短距離形の電子親和力の差により電子や正孔
を引きつけるため、等電子トラップであるＴｅに捕獲さ
れた電子の束縛力はＣｌあるいはＡｌなどの浅いドナー
に捕獲された電子の束縛力と比べ大きく、束縛励起子の
再結合による発光の確率は極めて大きくなる。
換し、その電子親和力の差から電子を捕獲する等電子ト
ラップとして働く。ドナーやアクセプターが遠距離形の
クーロン力で電子や正孔を引きつけるのに対し、等電子
トラップは短距離形の電子親和力の差により電子や正孔
を引きつけるため、等電子トラップであるＴｅに捕獲さ
れた電子の束縛力はＣｌあるいはＡｌなどの浅いドナー
に捕獲された電子の束縛力と比べ大きく、束縛励起子の
再結合による発光の確率は極めて大きくなる。
【００１３】また、等電子トラップであるＴｅでは、遷
移に関与する電子と正孔以外に粒子がないため遷移の際
にエネルギーの一部が非輻射中心に捕らえられてエネル
ギーを失うことがなく、発光効率の低下が極めて少なく
高輝度発光を呈する。
移に関与する電子と正孔以外に粒子がないため遷移の際
にエネルギーの一部が非輻射中心に捕らえられてエネル
ギーを失うことがなく、発光効率の低下が極めて少なく
高輝度発光を呈する。
【００１４】Ｓｂ、Ｂｉは母体であるＺｎＣｄＳあるい
はＺｎＣｄＳｅの構成元素の一部を置換しドナーとして
働き導電性を与える役割をする。又目的に応じてドーピ
ンク゛濃度を変化させることにより発光効率を低下させる
ことなく導電性を制御することができる。
はＺｎＣｄＳｅの構成元素の一部を置換しドナーとして
働き導電性を与える役割をする。又目的に応じてドーピ
ンク゛濃度を変化させることにより発光効率を低下させる
ことなく導電性を制御することができる。
【００１５】
【実施例１】図１は本発明の発光材料を合成するための
製造装置の概略を示してある。本製造装置は石英ガラス
により作製されている。
製造装置の概略を示してある。本製造装置は石英ガラス
により作製されている。
【００１６】図１において１は原料室であり、この原料
室１に発光中心となるＴｅとドナーＡとからなる溶媒に
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅを混晶比に応じて
混合した発光材料の原料を秤量載置する。また３は前記
発光材料の原料２を加熱蒸発させ、発光材料４を析出さ
せる成長室である。前記原料室１に反応温度として７０
０〜１０００℃を加えることによりＴｅおよびＳｂ濃度
比を制御し、前記成長室３を反応温度に対して２０〜３
０℃下げた成長室温度を加えることにより温度差を利用
して成長室に発光材料４を析出させる。
室１に発光中心となるＴｅとドナーＡとからなる溶媒に
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅを混晶比に応じて
混合した発光材料の原料を秤量載置する。また３は前記
発光材料の原料２を加熱蒸発させ、発光材料４を析出さ
せる成長室である。前記原料室１に反応温度として７０
０〜１０００℃を加えることによりＴｅおよびＳｂ濃度
比を制御し、前記成長室３を反応温度に対して２０〜３
０℃下げた成長室温度を加えることにより温度差を利用
して成長室に発光材料４を析出させる。
【００１７】一般式（Ｚｎ1ーXＣｄX）Ａ：ＴｅY，ＢZで
Ｘ＝０、Ｙ＝０．０１〜５、Ｚ＝０．００５〜０．１、
Ａ＝Ｓ、Ｂ＝Ｓｂである発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂの
実施例を以下詳細に説明する。
Ｘ＝０、Ｙ＝０．０１〜５、Ｚ＝０．００５〜０．１、
Ａ＝Ｓ、Ｂ＝Ｓｂである発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂの
実施例を以下詳細に説明する。
【００１８】Ｓｂ ２ Ｔｅ ３ を０．０００１〜１０ｍｏｌ
／ｍｏｌ，ＺｎＳを１ｍｏｌとなるように秤量して混合
し、製造装置の原料室１の位置に開孔口から仕込む。そ
の後、製造装置内を真空雰囲気にして開孔口を封止して
反応温度７００℃〜１０００℃を原料室に加える。又成
長室３には前記反応温度に対して約３０℃下げた６７０
℃〜９７０℃の成長温度を加え、発光材料ＺｎＳ：Ｔ
ｅ，Ｓｂを析出させた。
／ｍｏｌ，ＺｎＳを１ｍｏｌとなるように秤量して混合
し、製造装置の原料室１の位置に開孔口から仕込む。そ
の後、製造装置内を真空雰囲気にして開孔口を封止して
反応温度７００℃〜１０００℃を原料室に加える。又成
長室３には前記反応温度に対して約３０℃下げた６７０
℃〜９７０℃の成長温度を加え、発光材料ＺｎＳ：Ｔ
ｅ，Ｓｂを析出させた。
【００１９】本実験において作製したＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓ
ｂの電子線励起発光スペクトルを図２に示す。またＴｅ
濃度による発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂの電子線励起発
光強度を図３に示す。発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂにお
けるＳｂ濃度による電子線励起発光開始電圧及び相対発
光強度を図４に示す。
ｂの電子線励起発光スペクトルを図２に示す。またＴｅ
濃度による発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂの電子線励起発
光強度を図３に示す。発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂにお
けるＳｂ濃度による電子線励起発光開始電圧及び相対発
光強度を図４に示す。
【００２０】図２より発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂのピ
ーク波長は４５０ｎｍである。これはＴｅ発光中心によ
るピーク波長は４５０ｎｍの青色発光を示すことが分か
る。従来、電子線励起青色発光材料として用いられてい
るＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌと比較して同等の青色発光を示す
ことが図２のピーク波長から分かる。図３より発光材料
ＺｎＳ：Ｔｅ，ＳｂにおけるＴｅ濃度が０．００１〜５
ａｔｍ／ｍｏｌである範囲の時は発光強度が従来のＺｎ
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体に比較して高いことが
わかる。又相対発光強度か図４に示すように、Ｓｂ濃度
が０．００５〜０．１ａｔｍ／ｍｏｌの範囲の時は発光
開始電圧が従来のＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体より低く導
電物質を混合しなくても低電圧領域から良好な発光特性
を示すことが分かる。
ーク波長は４５０ｎｍである。これはＴｅ発光中心によ
るピーク波長は４５０ｎｍの青色発光を示すことが分か
る。従来、電子線励起青色発光材料として用いられてい
るＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌと比較して同等の青色発光を示す
ことが図２のピーク波長から分かる。図３より発光材料
ＺｎＳ：Ｔｅ，ＳｂにおけるＴｅ濃度が０．００１〜５
ａｔｍ／ｍｏｌである範囲の時は発光強度が従来のＺｎ
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体に比較して高いことが
わかる。又相対発光強度か図４に示すように、Ｓｂ濃度
が０．００５〜０．１ａｔｍ／ｍｏｌの範囲の時は発光
開始電圧が従来のＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体より低く導
電物質を混合しなくても低電圧領域から良好な発光特性
を示すことが分かる。
【００２１】
【実施例２】一般式（Ｚｎ1ーXＣｄX）Ａ：ＴｅY，ＢZで
Ｘ＝０．１、Ｙ＝１、Ｚ＝０．１、Ａ＝Ｓｅ、Ｂ＝Ｂｉ
である発光材料Ｚｎ0.9Ｃｄ0.1Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉの実施
例を以下詳細に説明する。
Ｘ＝０．１、Ｙ＝１、Ｚ＝０．１、Ａ＝Ｓｅ、Ｂ＝Ｂｉ
である発光材料Ｚｎ0.9Ｃｄ0.1Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉの実施
例を以下詳細に説明する。
【００２２】発光材料の原料となるＢｉ2Ｔｅ3を０．１
ｍｏｌ／ｍｏｌ、 ＺｎＳｅを０.９０ｍｏｌ、ＣｄＳｅ
を０．１ｍｏｌとなるように秤量して混合し、製造装置
の原料室１に開孔口から仕込む。その後真空状態にし、
開孔口を封止して反応温度７００℃〜１０００℃を原料
室１に加える。又成長室３には成長室温度６７０℃〜９
７０℃を加えることにより発光材料（Ｚｎ0.90Ｃ
ｄ0.10）Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉを析出させた。
ｍｏｌ／ｍｏｌ、 ＺｎＳｅを０.９０ｍｏｌ、ＣｄＳｅ
を０．１ｍｏｌとなるように秤量して混合し、製造装置
の原料室１に開孔口から仕込む。その後真空状態にし、
開孔口を封止して反応温度７００℃〜１０００℃を原料
室１に加える。又成長室３には成長室温度６７０℃〜９
７０℃を加えることにより発光材料（Ｚｎ0.90Ｃ
ｄ0.10）Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉを析出させた。
【００２３】本実験において作製した発光材料（Ｚｎ
0.90Ｃｄ0.10）Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉの電子線励起発光スペ
クトルを図５に示す。また前記発光材料における陽極電
圧と電子線励起発光強度の関係を図６に示す。図５より
ピーク波長は５４０ｎｍであり緑色発光を示すことが分
かる。又、従来の電子線励起緑色発光材料として用いら
れているＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体と比較し
て同等の緑色発光を示すことが分かる。
0.90Ｃｄ0.10）Ｓｅ：Ｔｅ，Ｂｉの電子線励起発光スペ
クトルを図５に示す。また前記発光材料における陽極電
圧と電子線励起発光強度の関係を図６に示す。図５より
ピーク波長は５４０ｎｍであり緑色発光を示すことが分
かる。又、従来の電子線励起緑色発光材料として用いら
れているＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体と比較し
て同等の緑色発光を示すことが分かる。
【００２４】図６より発光材料（Ｚｎ0.90Ｃｄ0.10）Ｓ
ｅ：Ｔｅ，Ｂｉの発光強度は従来例のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ蛍光体に較べ強く、後述のＳｂをドナーとして用いた
場合と同様に低抵抗であるため発光開始電圧が低く導電
物質を混合しなくても低電圧領域から良好な発光特性を
示すことが分かる。
ｅ：Ｔｅ，Ｂｉの発光強度は従来例のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ蛍光体に較べ強く、後述のＳｂをドナーとして用いた
場合と同様に低抵抗であるため発光開始電圧が低く導電
物質を混合しなくても低電圧領域から良好な発光特性を
示すことが分かる。
【００２５】
【実施例３】一般式（Ｚｎ1ーXＣｄX）Ａ：ＴｅY，ＢZで
Ａ＝Ｓ、Ｂ＝Ｓｂ、Ｘ＝０．８５、Ｙ＝１、Ｚ＝０．１
である（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔｅ，Ｓｂの実施例を
以下詳細に説明する。
Ａ＝Ｓ、Ｂ＝Ｓｂ、Ｘ＝０．８５、Ｙ＝１、Ｚ＝０．１
である（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔｅ，Ｓｂの実施例を
以下詳細に説明する。
【００２６】発光材料の原料となるＴｅ2Ｓｂ3を０．１
ｍｏｌ／ｍｏｌ、 ＺｎＳを０．１５ｍｏｌ、ＣｄＳを
０．８５ｍｏｌとなるように秤量して良く混合し、装置
の原料室１の位置に開孔口から仕込む。その後、開孔口
を真空封止して反応温度（に加える温度）７００℃〜
１０００℃を原料室に加える。成長室温度６７０℃〜９
７０℃を成長室３に加え、（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔ
ｅ，Ｓｂを析出させた。
ｍｏｌ／ｍｏｌ、 ＺｎＳを０．１５ｍｏｌ、ＣｄＳを
０．８５ｍｏｌとなるように秤量して良く混合し、装置
の原料室１の位置に開孔口から仕込む。その後、開孔口
を真空封止して反応温度（に加える温度）７００℃〜
１０００℃を原料室に加える。成長室温度６７０℃〜９
７０℃を成長室３に加え、（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔ
ｅ，Ｓｂを析出させた。
【００２７】本実験において作製した（Ｚｎ0.15Ｃｄ
0.85）Ｓ：Ｔｅ，Ｓｂの電子線励起発光スペクトルを図
７に、また電子線励起発光強度を図８に示す。図７より
ピーク波長は６８０ｎｍであり赤色発光を示すことが分
かる。従来、電子線励起赤色発光材料として用いられて
いるＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体と比較し
て同等の赤色発光を示すことが分かる。図８より発光強
度は従来のＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体に較べ強く、
低抵抗であるため発光開始電圧が低く導電物質を混合し
なくても低電圧領域から良好な発光特性を示すことが分
かる。
0.85）Ｓ：Ｔｅ，Ｓｂの電子線励起発光スペクトルを図
７に、また電子線励起発光強度を図８に示す。図７より
ピーク波長は６８０ｎｍであり赤色発光を示すことが分
かる。従来、電子線励起赤色発光材料として用いられて
いるＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体と比較し
て同等の赤色発光を示すことが分かる。図８より発光強
度は従来のＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体に較べ強く、
低抵抗であるため発光開始電圧が低く導電物質を混合し
なくても低電圧領域から良好な発光特性を示すことが分
かる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように低速電子線励起で高輝度を
有する、青色から赤色まで発光することが可能な蛍光体
（Ｚｎ１−ｘＣｄｘ）Ａ：Ｔｅ，Ｂ（ただし、ＡはＳ，
Ｓｅの中から１つ選ばれる。又、ＢはＳｂ、Ｂｉの中か
ら１つ選ばれる。）を提供出来る効果を有する。又本発
明の発光材料において各発光の波長をＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅの混晶比で設定したので青から赤
まで目的の色を設定することができるばかりでなく、発
光強度を、例えば視感度を考慮した上での望ましい相対
強度となるように独立に設計する事が可能となる。ま
た、ドナーの種類や反応温度によりドーピング濃度を変
化させることにより発光効率を低下させることなく導電
性を制御する事ができる。
有する、青色から赤色まで発光することが可能な蛍光体
（Ｚｎ１−ｘＣｄｘ）Ａ：Ｔｅ，Ｂ（ただし、ＡはＳ，
Ｓｅの中から１つ選ばれる。又、ＢはＳｂ、Ｂｉの中か
ら１つ選ばれる。）を提供出来る効果を有する。又本発
明の発光材料において各発光の波長をＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅの混晶比で設定したので青から赤
まで目的の色を設定することができるばかりでなく、発
光強度を、例えば視感度を考慮した上での望ましい相対
強度となるように独立に設計する事が可能となる。ま
た、ドナーの種類や反応温度によりドーピング濃度を変
化させることにより発光効率を低下させることなく導電
性を制御する事ができる。
【図１】本発明の発光材料を合成する製造装置である。
【図２】本発明の発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，Ｓｂの発光ス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図３】本発明の発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，ＳｂのＴｅ濃
度と相対発光強度の関係を示すグラフである。
度と相対発光強度の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の発光材料ＺｎＳ：Ｔｅ，ＳｂのＳｂ濃
度と相対発光強度の関係を示すグラフである。
度と相対発光強度の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の発光材料（Ｚｎ0.9Ｃｄ0.1）Ｓｅ：Ｔ
ｅ，Ｂｉの発光スペクトル図である。
ｅ，Ｂｉの発光スペクトル図である。
【図６】本発明の発光材料（Ｚｎ0.9Ｃｄ0.1）Ｓｅ：Ｔ
ｅ，Ｂｉと従来のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体
の陽極電圧と相対発光強度の関係を示すグラフである。
ｅ，Ｂｉと従来のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍光体
の陽極電圧と相対発光強度の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の発光材料（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔ
ｅ，Ｓｂの発光スペクトル図である。
ｅ，Ｓｂの発光スペクトル図である。
【図８】本発明の発光材料（Ｚｎ0.15Ｃｄ0.85）Ｓ：Ｔ
ｅ，Ｓｂと従来のＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍
光体の陽極電圧と相対発光強度の関係を示すグラフであ
る。
ｅ，Ｓｂと従来のＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2Ｏ3蛍
光体の陽極電圧と相対発光強度の関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−100889（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 11/00 - 11/89
Claims (1)
- 【請求項１】一般式が（Ｚｎ １−ｘ Ｃｄ ｘ ）Ａで表わす
（ただし、０≦ｘ≦０．８５，ＡはＳ，Ｓｅの中から１
つ選ばれる。）母体材料に発光中心となるＴｅとドナー
となるＳｂ、またはＢｉをドーピングして形成された一
般式が（Ｚｎ１−ｘＣｄｘ）Ａ：Ｔｅｙ，Ｂｚ（ただ
し、０．０１≦ｙ≦５，０．００５≦ｚ≦０．１，Ｂは
Ｓｂ、Ｂｉの中から１つ選ばれる。）で表わされる化合
物からなる発光材料発光材料。
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| JP3358507A JP3032921B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 発光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358507A JP3032921B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 発光材料 |
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| JPH05179242A JPH05179242A (ja) | 1993-07-20 |
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ID=18459676
Family Applications (1)
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| JP3358507A Expired - Fee Related JP3032921B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 発光材料 |
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| JP (1) | JP3032921B2 (ja) |
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1991
- 1991-12-26 JP JP3358507A patent/JP3032921B2/ja not_active Expired - Fee Related
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