JP3032111B2 - 表示装置の実装構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶、ＥＬ（Electrol
uminescence ）、プラズマディスプレイ等を利用した表
示装置の実装構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶、ＥＬ、プラズマディスプ
レイ等を利用した表示装置（以下、単に表示装置と称す
る）の実装構造においては、表示基板上の端子電極およ
び回路基板上の端子電極と、フィルム基板上の配線リー
ドとのＯＬＢ（Outer Lead Bonding）接続（以下、単に
接続と称する）がそれぞれ必要である。

【０００３】一般に、表示基板上はガラス等から、回路
基板はガラスエポキシやセラミック等の硬質基板からな
っており、また、フィルム基板はポリイミド等からなっ
ている。また、その接続方法としては、半田付けによる
方法、異方性導電膜による方法、光硬化性絶縁樹脂によ
る方法などがある。

【０００４】異方性導電膜による接続方法では、接着用
樹脂中に、Ｎｉ、半田ボール、カーボン等からなる導電
性粒子を分散させたシートを端子電極と配線リードとの
接続部位に介在させる。そして、加熱・加圧により接着
用樹脂を軟化、フロー、固着して端子電極と配線リード
とを接着する一方、導電性粒子により電気的に接続させ
る。

【０００５】光硬化性絶縁樹脂による接続方法では、表
示基板上の端子電極や回路基板上の端子電極と、配線リ
ードとの接続部位に光硬化性絶縁樹脂を介在させる。そ
して、紫外線等を照射して光硬化性絶縁樹脂を硬化させ
ることによって、上記接続部位を接着する。その一方
で、光硬化性絶縁樹脂を加圧することによって、端子電
極と配線リードとの間に残った分を除去し、電気的に接
続させる。

【０００６】図１１ないし図１９に、従来の表示装置の
実装構造を示し、それに用いられている上記接続方法を
説明する。

【０００７】図１１に示すように、第１の実装構造例で
は、配線リード２４と表示基板２１上の端子電極２２と
の接続部位に対応して、ポリイミド等からなる基材２５
に開口部２５ａが設けられ、そこでは配線リード２４の
上部が露出している。図１１のＥ−Ｅ線に沿う矢視断面
図である図１２に示すように、この配線リード２４の下
部と表示基板２１上の端子電極２２とが、異方性導電膜
２３中の接着用樹脂２３ａにより接着され、異方性導電
膜２３中の導電性粒子２３ｂにより電気的に接続されて
いる。なお、前述のフィルム基板は、配線リード２４、
基材２５、ポッティング絶縁性樹脂２６およびＩＣチッ
プ２７から成っている。

【０００８】また、配線リード２４と回路基板２９上の
端子電極３０との接続部位においても、図１３に示すよ
うに、この接続部位に対応して、基材２５に開口部２５
ｂが設けられ、そこでは配線リード２４が開口部２５ｂ
から回路基板２９側に露出している。図１３のＦ−Ｆ線
に沿う矢視断面図である図１４に示すように、この配線
リード２４の上部と、回路基板２９上の端子電極３０と
が、半田３２による半田付けにより接着および電気的に
接続されている。

【０００９】なお、いずれの接続部位においても異方性
導電膜や半田を用いる代わりに光硬化性絶縁樹脂を用い
ることもある。

【００１０】次に、図１５に示すように、第２の実装構
造例としての配線リード２４と表示基板２１上の端子電
極２２との接続部位においては、基材２５に開口部２５
ａに相当する開口部は設けられていない。第１の実装構
造例と同様、図１５のＧ−Ｇ線に沿う矢視断面図である
図１６に示すように、この配線リード２４の下部と表示
基板２１上の端子電極２２とが、異方性導電膜２３中の
接着用樹脂２３ａにより接着され、異方性導電膜２３中
の導電性粒子２３ｂにより電気的に接続されている。

【００１１】また、配線リード２４と回路基板２９上の
端子電極３０との接続部位においても、図１７に示すよ
うに、基材２５に開口部２５ｂに相当する開口部は設け
られていない。図１７のＨ−Ｈ線に沿う矢視断面図であ
る図１８に示すように、この配線リード２４の上部と、
回路基板２９上の、メッキ材３１によってメッキされた
端子電極３０とが、異方性導電膜２３中の接着用樹脂２
３ａにより接着され、異方性導電膜２３中の導電性粒子
２３ｂにより電気的に接続されている。

【００１２】なお、上記第２の実装構造例でも、第１の
実装構造例同様、いずれの接続部位においても異方性導
電膜や半田を用いる代わりに光硬化性絶縁樹脂を用いる
こともある。

【００１３】しかしながら、前記第１の実装構造のよう
に基材２５に開口部２５ａを設けた構造においては、半
田による接続方法、異方性導電膜による接続方法あるい
は光硬化性絶縁樹脂による接続方法のいずれを用いた場
合においても、以下のような問題がある。

【００１４】すなわち、加熱あるいは加圧を行うボンデ
ィングツールが、接着用樹脂２３ａ、光硬化性絶縁樹脂
あるいは半田といった、接続のために加えられた部材に
直接接触する。したがって、配線リード２４の隙間より
接着用樹脂２３ａ、光硬化性絶縁樹脂あるいは半田がは
み出してボンディングツールに付着する。そのため、ボ
ンディングツールを定期的に清掃しなければならず、生
産効率が下がる。

【００１５】さらに、配線リード２４がむき出しになる
ため、接続作業時や完了後において配線リード２４の断
線や隣接する端子電極間の短絡の恐れが高い。それを防
止するために、補強用の樹脂等を接続部位に封止しなけ
ればならず、やはり生産効率が下がる。

【００１６】一方、前記第２の実装構造のように基材２
５に開口部を設けない構造においては、上記したような
ボンディングツールの清掃の問題や配線リードの断線・
短絡の問題がないという利点がある。しかしその反面、
半田による接続方法または異方性導電膜による接続方法
を用いた場合、ボンディングツールによる配線リード２
４の接続部位の加圧・加熱を基材２５を介して行うた
め、ボンディングツールの熱によって基材２５が膨張す
る。その結果、表示基板２１上の端子電極２２、回路基
板２９の端子電極３０および配線リード２４のそれぞれ
の熱膨張係数の差によってそれらの位置ズレが起こる。
また、接続完了後に基材２５の応力によって断線などが
起こり、接続信頼性が低下するという問題がある。

【００１７】そのため、特公平５−３９４５４号の液晶
デイスプレイ駆動基板の接続方法では、図１９に示すよ
うに、ＬＣＤ駆動基板４２上の導電パターン４６とＬＣ
Ｄパネル４１上のＬＣＤパネル端子４７とを異方性導電
膜４４によって貼り合わされるモジュールにおいて、導
電パターン４６とＬＣＤパネル端子４７とが接続されて
いる部分についてＬＣＤ駆動基板４２がくり抜かれてい
る。そして、くり抜かれた部分に、圧接ガラス板４３が
はめ込まれている。この圧接ガラス板４３の熱膨張係数
は、ＬＣＤパネル４１の熱膨張係数と等しくなってい
る。圧接ガラス板４３の上から異方性導電膜４４を加圧
・加熱すると、圧接ガラス板４３とＬＣＤパネル４１と
が同等の熱膨張を示す。そのため、前記したような位置
ズレが起こらず、接続信頼性の低下が防がれるとされて
いる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平５−３９４５４号に述べられている接続方法には、
以下のような問題がある。 圧接ガラス板４３の貼り合わせ工程の追加により生産
所要時間（生産工数）が著しく長くなり、生産コストが
増大する。 圧接ガラス板４３に熱が吸収されるため加熱時間を長
くする必要があり、そのため時間当たりの処理数が減少
する。 異方性導電膜は一般に、接続後の厚みを１〜３μｍに
抑えないと電気的に接触不良となるが、圧接ガラス板４
３の貼り合わせは剛体同士の貼り合わせであり、両ガラ
ス板の平面度、平行度の精度を１〜３μｍ以内に抑える
ための部品の管理が難しい。 製品の重量が増す。

【００１９】さらに、加熱を必要とする接続方法を第２
の実装構造に用いた場合、ボンディングツールによる配
線リード２４の接続部位の加熱が基材２５を介して間接
的に行われるため、熱の一部が基材２５に吸収されてし
まう。したがって、半田や異方性導電膜を充分熱するた
めにはボンディングツールを高温にしなければならな
い。しかし、ボンディングツールを高温にすると、ボン
ディングツールに歪みが発生してしまい、この管理が困
難であるという問題点がある。

【００２０】それに加えて、前記３種類の接続方法のよ
うに、加熱あるいは加圧を必要とする接続方法を第２の
実装構造に用いた場合、ボンディングツールによる配線
リード２４の接続部位の加熱あるいは加圧が基材２５を
介して行われるため、基材２５内の温度分布や圧力分布
にバラツキが生じる。その結果、配線リード２４におい
ても同様に温度分布や圧力分布にバラツキが生じ、端子
電極２２および端子電極３０と配線リード２４との接続
が不均一になるという問題点がある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の表示装置の実装構造は、配線リード
を覆う基材が設けられ、端子電極が上記配線リードに接
続されている表示装置の実装構造において、配線リード
上の端子電極に接続される部位では上記基材を介さず
に、上記基材よりも熱伝導性が高い熱伝導手段が設けら
れていることを特徴としている。

【００２２】請求項２記載の表示装置の実装構造は、請
求項１記載の表示装置の実装構造において、上記熱伝導
手段が、配線リード上の端子電極に接続される部位にあ
けられた開口部に形成された、上記基材よりも薄い補助
基材であることを特徴としている。

【００２３】請求項３記載の表示装置の実装構造は、請
求項１または２記載の表示装置の実装構造において、上
記熱伝導手段が、配線リード上の端子電極に接続される
部位にあけられた開口部に形成された、上記基材より熱
伝導性の高いフィラーを混入した補助基材であることを
特徴としている。

【００２４】請求項４記載の表示装置の実装構造は、配
線リードを覆う基材が設けられ、端子電極が上記配線リ
ードに接続されている表示装置の実装構造において、配
線リード上の端子電極に接続される部位に、上記基材よ
りも熱伝導性が高い熱伝導手段が設けられ、上記熱伝導
手段が、上記基材の厚さを上記配線リード上の端子電極
に接続される部位以外の部位での厚さよりも薄くするこ
とによって成ることを特徴としている。

【００２５】

【作用】上記構成により、請求項１記載の表示装置の実
装構造は、接続部位を上記のような熱伝導手段によって
覆う構造のため、熱伝導手段の代わりに前記した特公平
５−３９４５４号に記載されたようなガラス板によって
覆う構造と異なり、以下の４つの利点を有している。 熱伝導手段の形成は基材同様に簡便に行える。それゆ
え、熱伝導手段の形成工程を追加しても生産所要時間が
さほど増加しないので、生産コストの増大を防止でき
る。 熱伝導手段は薄く、熱があまり吸収されないため、加
熱時間を長くする必要がない。それゆえ、時間当たりの
処理数の減少を防止できる。 異方性導電膜によって接続する場合、接続後の異方性
導電膜の厚みの精度を１〜３μｍ以内に抑えることが必
要であるが、それを実現するための部品（熱伝導手段）
の管理が容易である。 重量が軽いため、装置全体の重量の増加を防止でき
る。

【００２６】また、熱伝導手段の熱伝導性が高いため、
ボンディングツールによって熱伝導手段を介して配線リ
ードの接続部位を加圧・加熱する際に、ボンディングツ
ールの温度をあまり上げる必要がない。それゆえ、接続
時に、端子電極および配線リードの熱膨張量の差による
位置ズレが少なくなる。

【００２７】また、高温化によるボンディングツールの
歪みも防止できる。それゆえ、ボンディングツールのメ
ンテナンスの頻度を低くし、設備稼働率を向上させ、工
程の安定性を高めることができる。

【００２８】さらに、熱伝導手段と配線リードとの密着
性があまり高くなくてもよいので、熱伝導手段の材料と
しては広範囲のものが選択できる。

【００２９】なお、請求項１記載の構成によっても、従
来と同様、以下に示す２つの作用と効果とがある。すな
わち、配線リードの接続部位が熱伝導手段によって覆
われているので、加熱あるいは加圧を行うボンディング
ツールが、接着用の樹脂や光硬化性絶縁樹脂等の接続剤
に直接接触しない。したがって、それらが配線リードの
隙間よりはみ出してボンディングツールに付着すること
が防止される。それゆえ、接着用剤をボンディングツー
ルから定期的に除去する必要がなく、生産効率が向上す
る。また、配線リードがむき出しにならないため、接
続作業時や完了後において配線リードの断線や隣接する
端子電極間の短絡の恐れが低い。それゆえ、配線リード
の断線や隣接する端子電極間の短絡を防止するための樹
脂等を接続部位に封止する必要がなく、やはり生産効率
が向上する。

【００３０】請求項２記載の表示装置の実装構造は、補
助基材として、基材に塗布するオーバーコート剤を流用
することができる。そのため、基材にそのオーバーコー
ト剤を塗布する工程およびそのオーバーコート剤を利用
して熱伝導手段を形成することが可能である。同様に、
請求項３記載の表示装置の実装構造は、補助基材の材料
として、基材に塗布するオーバーコート剤を流用するこ
とができる。そのため、基材にそのオーバーコート剤を
塗布する工程およびそのオーバーコート剤を利用し、か
つフィラーを混入させることによって、熱伝導手段を形
成することが可能である。

【００３１】したがって、請求項２および３記載の表示
装置の実装構造は、熱伝導手段形成専用の工程が不要と
なり、新規な材料による熱伝導手段を採用した場合と比
べて製造工程が簡略化できるので、製造のコストアップ
を抑えることができる。

【００３２】また、請求項２および４記載の表示装置の
実装構造は、配線リードの接続部位を覆う部分が薄いた
め、熱伝導性が高い。したがって、いずれも請求項１記
載の表示装置の実装構造と同様の作用を有する。また、
請求項２および４記載の表示装置の実装構造は、熱伝導
手段の厚さが薄いため、柔軟性がある。このため、熱に
よってのびた基材が接続完了後に接続部位に加える応力
が緩和される。それゆえ、応力による接続完了後の断線
等が防止でき、接続信頼性が向上する。

【００３３】さらにまた、熱伝導手段が薄いため、ボン
ディングツールによって熱伝導手段を加熱あるいは加圧
した時に、被覆手段内の温度分布あるいは圧力分布にバ
ラツキが生じない。それゆえ、配線リードにおいて温度
分布あるいは圧力分布のバラツキを防止でき、端子電極
と配線リードとの接続が部位によらず均一になる。

【００３４】また、請求項４記載の表示装置の実装構造
は、熱伝導手段の形成が、基材の製造工程において研磨
あるいはエッチング等を行うことによって可能である。
それゆえ、請求項１記載の表示装置の実装構造の有する
効果に加え、基材を製造する製造設備が使用でき、製造
のコストアップを抑えることができるとともに、新規な
材料による熱伝導手段を採用した場合と比べて製造工程
が簡略化でき、生産効率が向上する。

【００３５】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図４
に基づいて説明すれば、以下の通りである。図１に示す
ように、本発明の表示装置の実装構造を採用して構成さ
れた液晶表示装置において、フィルム基板は、配線リー
ド４、基材５、ポッティング絶縁性樹脂６およびＩＣチ
ップ７から構成されている。基材５は、ポリイミドから
なり、その厚さは例えば７５μｍである。なお、本実施
例では、液晶を利用した表示装置について述べられてい
るが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＥＬ、プラ
ズマディスプレイ等を利用した表示装置にも適用でき
る。

【００３６】配線リード４上における表示基板１上の端
子電極２とＯＬＢ接続（以下、単に接続と称する）する
部位に対応して、基材５に開口部５ａが設けられ、開口
部５ａに、基材５よりも薄い、厚さ２０〜３０μｍのポ
リイミド樹脂系オーバーコート剤からなる補助基材８
（熱伝導手段）が嵌着されている。そして、図１のＡ−
Ａ線に沿う矢視断面図である図２に示すように、補助基
材８に覆われた配線リード４の下部と表示基板１上の端
子電極２とが、異方性導電膜３中の接着用樹脂３ａによ
り接着され、異方性導電膜３中の導電性粒子３ｂにより
電気的に接続されている。

【００３７】また図３に示すように、配線リード４と、
ガラスエポキシ・セラミックからなる回路基板９上の端
子電極１０との接続部位においても同様に、この接続部
位に対応して、基材５に開口部５ｂが設けられ、開口部
５ｂに、補助基材８が嵌着されている。そして、図３の
Ｂ−Ｂ線に沿う矢視断面図である図４に示すように、補
助基材８に覆われた配線リード４の上部と、回路基板９
上の、メッキ材１１によってメッキされた端子電極１０
とが、上記同様、異方性導電膜３中の接着用樹脂３ａに
より接着され、異方性導電膜３中の導電性粒子３ｂによ
り電気的に接続されている。

【００３８】ここで、基材５の材料および厚さは上記に
限定されないものの、生産設備における外部応力によっ
て配線リード４が変形することを防止できる程度の機械
的強度が要求されるので、それを満たすだけの厚さが必
要となるとともに、配線リード４との密着性が高い材料
に限られている。それに対して、配線リード４の接続部
位においては、配線リード４が接続によって固定されて
いるので、配線リード４の断線および短絡を防止できれ
ばよく、上記ほどの機械的強度は要求されない。このた
め、補助基材８は、配線リード４との密着性がそれほど
高くなくてよくなるので、基材５よりも厚さを薄くする
ことが可能になる。

【００３９】上記補助基材８としては、フィルム基板の
折り曲げ部分（図示せず）に補強用として使用している
ポリイミド樹脂系オーバーコート剤を流用することがで
きる。そのため、基材５にそのオーバーコート剤を塗布
する工程において、そのオーバーコート剤を用いて補助
基材８を形成することが可能である。

【００４０】したがって、補助基材８形成専用の工程が
不要となり、新規な材料による補助基材８を採用した場
合と比べて製造工程が簡略化できるので、製造のコスト
アップを抑えることができる。

【００４１】なお、本実施例における上記接続方法とし
ては、異方性導電膜による接続方法が用いられており、
ボンディングツールによって、配線リード４の接続部位
にある異方性導電膜３を補助基材８を介して加熱・加圧
することによって接続される。しかし、接続方法は上記
に限定されず、例えば光硬化性絶縁樹脂による接続方法
も採用できる。例えば光硬化性絶縁樹脂による接続方法
を用いた場合、配線リード４の接続部位にある光硬化性
絶縁樹脂を、ボンディングツールによって補助基材８を
介して加圧する一方、補助基材８側とは逆の方向から紫
外線等を照射することによって接続する。また、接続ピ
ッチがあまり細かくないもの（例えば０．７ｍｍ程度）
であれば、半田による接続方法を採用することもでき
る。

【００４２】本実施例では、配線リード４の接続部位が
補助基材８によって覆われているので、以下の２つの利
点を有している。 加熱あるいは加圧を行うボンディングツールが、接着
用樹脂３ａや光硬化性絶縁樹脂等に直接接触しない。し
たがって、配線リード４の隙間より接着用樹脂３ａや光
硬化性絶縁樹脂がはみ出してボンディングツールに付着
することが防止される。それゆえ、ボンディングツール
を定期的に清掃する必要がなく、生産効率が向上する。 接続作業時や完了後において配線リード４の断線や隣
接する端子電極間の短絡の恐れが低い。それゆえ、それ
を防止するための樹脂等を接続部位に封止する必要がな
く、やはり生産効率が向上する。

【００４３】また、本実施例は、接続部位を上記のよう
な補助基材８によって覆う構造のため、補助基材８の代
わりに前記した特公平５−３９４５４号に記載されたよ
うなガラス板によって覆う構造と異なり、以下の４つの
利点を有している。 補助基材８の形成は基材５同様に簡便に行える。それ
ゆえ、補助基材８の形成工程を追加しても生産所要時間
がさほど増加しない。よって、生産コストの増大を防止
できる。 補助基材８は薄く、熱があまり吸収されないため、加
熱時間を長くする必要がない。それゆえ、時間当たりの
処理数の減少を防止できる。 異方性導電膜３によって接続する場合、接続後の異方
性導電膜３の厚みの精度を１〜３μｍ以内に抑えること
が必要であるが、それを実現するための部品（補助基材
８）の管理が容易である。 重量が軽いため、装置全体の重量の増加を防止でき
る。

【００４４】さらに、本実施例では、配線リード４の接
続部位を覆う補助基材８が従来技術と異なり薄いため、
補助基材８の熱伝導性が高い。それゆえ、以下の２つ
（および）の利点を有している。すなわち、補助基
材８の熱伝導性が高いので、ボンディングツールによっ
て補助基材８を介して配線リード４を加熱した時に、ボ
ンディングツールの温度をあまり上げる必要がない（従
来は３２０°Ｃ程度に設定していたが、本実施例におい
ては、２６０〜３００°Ｃまで低温化することができ
た）。その結果、接続時に、端子電極２、端子電極１
０および配線リード４の熱膨張量の差による位置ズレが
少なくなる（本実施例においては、位置ズレを５〜２０
％解消することができた）。高温化によるボンディン
グツールの歪みが防止できるので、ボンディングツール
のメンテナンスの頻度を低くし、設備稼働率を向上さ
せ、工程の安定性を高めることができる（本実施例にお
いては、設備稼働率は約３％向上した）。

【００４５】なお、本実施例における上記の位置ズレの
低減率５〜２０％は、以下に示す理論計算による値とも
一致している。すなわち、 ポリイミドの線膨張係数 １．２×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／
°Ｃ、 ポリイミドからなるフィルム基板の大きさ（接続長さ）
２０ｍｍ、 ボンディングツールの温度（現状） ３２０°、 （低温化後）２６０°Ｃないし３００°Ｃ とすると、 のび量＝温度差×線膨張係数×フィルム基板の接続長
さ、 温度差＝ボンディングツールの温度−常温（２５°Ｃ） であるから、現状ののび量の理論値は、 （３２０−２５）×１．２×１０^-5×２０＝０．０７１ｍｍ＝７１μｍ・・ （ただし、現在の生産品のフィルム基板２０ｍｍあたり
ののび量の実測値は、５０〜７０μｍである。） ２６０°Ｃでののび量の理論値は、 （２６０−２５）×１．２×１０^-5×２０＝０．０５６ｍｍ＝５６μｍ・・ ３００°Ｃでののび量の理論値は、 （３００−２５）×１．２×１０^-5×２０＝０．０６６ｍｍ＝６６μｍ・・ となる。したがって、のび量の低減率の理論値は、 ２６０°Ｃのとき （７１−５６）／７１＝２１％
（、より） ３００°Ｃのとき （７１−６６）／７１＝ ７％
（、より） である。以上の結果より、本実施例で得られた値が上記
理論値と一致していることが分かる。

【００４６】また、補助基材８は上記のように厚さが薄
いため、柔軟性がある。それゆえ、熱によってのびた
（約３μｍ／ｍｍ）基材５が接続完了後に冷えて戻ろう
とするときに接続部位に加える応力を緩和する。このた
め断線等が起こらなくなり、接続信頼性が向上する。

【００４７】さらにまた、同じく補助基材８が薄いた
め、ボンディングツールによって補助基材８を加熱ある
いは加圧した時に、補助基材８内の温度分布あるいは圧
力分布にバラツキが生じない。それゆえ、配線リード４
において温度分布あるいは圧力分布のバラツキを防止で
き、端子電極２および１０と配線リード４との接続が部
位によらず均一になる。

【００４８】なお、前述したように、補助基材８は、機
械的強度や配線リード４との密着性が基材５ほど高くな
くてもよいため、補助基材８は、比較的広範囲な材料を
選択できる。したがって、熱膨張係数が基材５よりも小
さく、熱伝導性が基材５よりも高い、ポリフェニレンサ
ルファイドやエポキシ樹脂等からなる絶縁性樹脂も補助
基材８の材料として選ぶことができる。これにより、補
助基材８の製造工程が前記よりも複雑になる代わりに、
ボンディングツールの温度を一層下げることができるた
め、補助基材８の熱膨張量が一層小さくなり、接続部位
の位置ズレをより少なくすることができる。

【００４９】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図５および図６に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した
部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
してその説明を省略する。

【００５０】前記実施例１では補助基材８と基材５とを
別の部材として形成していたが、本実施例では、両者が
一体化した部材として形成されている。すなわち、図５
および図６に示すように、配線リード４との接続部位だ
けが薄くなった基材１２（熱伝導手段）が形成されてい
る。

【００５１】本実施例においても、異方性導電膜による
接続方法、半田による接続方法および光硬化性絶縁樹脂
による接続方法が採用できる。

【００５２】本実施例においても、前記実施例１と同様
の作用および効果を有している。また、上記のように基
材１２の形成は、フィルム基板の製造工程において、研
磨あるいはエッチング等を行うことにより可能である。
このため、基材５を製造する製造設備がそのまま使用で
き、製造のコストアップを抑えることができるととも
に、熱伝導手段の製造工程が簡略化でき、生産効率が向
上する。

【００５３】〔実施例３〕本発明の他の実施例について
図７ないし図１０に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記してその説明を省略する。

【００５４】図７に示すように、開口部５ａに、厚み２
０〜３０μｍの補助基材１３（熱伝導手段）が形成され
ている。補助基材１３は、図７のＣ−Ｃ線に沿う矢視断
面図である図８に示すように、基材成分１３ａおよび熱
伝導性が基材成分１３ａよりも高いフィラー１３ｂとか
ら成っている。そして、補助基材１３に覆われた配線リ
ード４と、端子電極２とが、前記実施例１または２同
様、異方性導電膜３中の接着用樹脂３ａにより接着さ
れ、異方性導電膜３中の導電性粒子３ｂにより電気的に
接続されている。

【００５５】また、図９に示すように、配線リード４と
端子電極１０との接続部位においても同様に、開口部５
ｂに、厚み２０〜３０μｍの補助基材１３が形成されて
いる。そして、図９のＤ−Ｄ線に沿う矢視断面図である
図１０に示すように、補助基材１３に覆われた配線リー
ド４と、メッキ材１１によってメッキされた端子電極１
０とが、上記同様、異方性導電膜３中の接着用樹脂３ａ
により接着され、異方性導電膜３中の導電性粒子３ｂに
より電気的に接続されている。

【００５６】基材成分１３ａとしては、基材５に塗布す
るポリイミド樹脂系オーバーコート剤を流用することが
できる。フィラー１３ｂの材料としては、例えばアルミ
ナ（酸化アルミニウム）やボロンナイトライド（窒化ホ
ウ素）等が採用できる。

【００５７】本実施例においても、異方性導電膜による
接続方法、半田による接続方法および光硬化性絶縁樹脂
による接続方法が採用できる。

【００５８】本実施例においても、前記実施例１と同様
の作用および効果を有している。また、上記したよう
に、基材成分１３ａとして、基材５に塗布するポリイミ
ド樹脂系オーバーコート剤を流用することができるの
で、基材５にそのオーバーコート剤を塗布する工程にお
いて、そのオーバーコート剤を用いて基材成分１３ａを
形成するとともにフィラー１３ｂを混入させることによ
って、補助基材１３を形成することが可能である。

【００５９】したがって、補助基材１３形成専用の工程
が不要となり、新規な材料による補助基材１３を形成し
た場合と比べて製造工程が簡略化できる。それゆえ、製
造のコストアップを抑えることができる。

【００６０】さらに、フィラー１３ｂが熱伝導性の高い
性質を有しているので、ボンディングツールの温度を一
層下げることができる。これにより、補助基材１３の熱
膨張量が一層小さくなり、接続部位の位置ズレやボンデ
ィングツールの歪みを一層防止することができる。

【００６１】なお、実施例１と同様の理由により、補助
基材１３は、機械的強度や配線リード４との密着性が基
材５ほど高くなくてもよいため、基材成分１３ａは、比
較的広範囲な材料を選択できる。したがって、熱膨張係
数が基材５よりも小さく、熱伝導性が基材５よりも高
い、ポリフェニレンサルファイドやエポキシ樹脂等から
なる絶縁性樹脂も基材成分１３ａの材料として選ぶこと
ができる。これにより、補助基材１３の製造工程が前記
よりも複雑になる代わりに、ボンディングツールの温度
を一層下げることができるため、補助基材１３の熱膨張
量が一層小さくなり、接続部位の位置ズレやボンディン
グツールの歪みをより少なくすることができる。

【００６２】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の表示装置の
実装構造は、配線リードを覆う基材が設けられ、端子電
極が上記配線リードに接続されている表示装置の実装構
造において、配線リード上の端子電極に接続される部位
では上記基材を介さずに、上記基材よりも熱伝導性が高
い熱伝導手段が設けられている構成である。

【００６３】それゆえ、ガラス板によって覆う構造と比
べ、熱伝導手段の形成工程を追加しても生産所要時間
がさほど増加しないので、生産コストの増大を防止でき
る、時間当たりの処理数の減少を防止できる、接続
後の異方性導電膜の厚みの精度を１〜３μｍ以内に抑え
るための部品（熱伝導手段）の管理が容易である、重
量が軽いため、装置全体の重量の増加を防止できるとい
う効果を奏する。

【００６４】また、接続時に、端子電極および配線リー
ドの熱膨張量の差による位置ズレが少なくなるという効
果を奏する。

【００６５】また、ボンディングツールのメンテナンス
の頻度を低くし、設備稼働率を向上させ、工程の安定性
を高めることができるという効果を奏する。

【００６６】さらに、熱伝導手段と配線リードとの密着
性があまり高くなくてもよいので、熱伝導手段の材料と
しては広範囲のものが選択できるという効果を奏する。

【００６７】請求項２記載の表示装置の実装構造は、請
求項１記載の表示装置の実装構造において、上記熱伝導
手段が、配線リード上の端子電極に接続される部位にあ
けられた開口部に形成された、上記基材よりも薄い補助
基材である構成である。

【００６８】また、請求項３記載の表示装置の実装構造
は、請求項１または２記載の表示装置の実装構造におい
て、上記熱伝導手段が、配線リード上の端子電極に接続
される部位にあけられた開口部に形成された、上記基材
より熱伝導性の高いフィラーを混入した補助基材である
構成である。

【００６９】それゆえ、請求項２および３記載の表示装
置の実装構造は、基材にオーバーコート剤を塗布する工
程およびそのオーバーコート剤を利用して熱伝導手段を
形成することが可能となる。そのため、熱伝導手段形成
専用の工程が不要となり、新規な材料による熱伝導手段
を採用した場合と比べて製造工程が簡略化できるので、
製造のコストアップを抑えることができるという効果を
奏する。

【００７０】また、請求項４記載の表示装置の実装構造
は、配線リードを覆う基材が設けられ、端子電極が上記
配線リードに接続されている表示装置の実装構造におい
て、配線リード上の端子電極に接続される部位に、上記
基材よりも熱伝導性が高い熱伝導手段が設けられ、上記
熱伝導手段が、上記基材の厚さを上記配線リード上の端
子電極に接続される部位以外の部位での厚さよりも薄く
することによって成る構成である。

【００７１】それゆえ、請求項２および４記載の表示装
置の実装構造は、請求項１記載の表示装置の実装構造と
同様の効果に加え、応力による接続完了後の断線等が防
止でき、接続信頼性が向上するという効果を奏する。

【００７２】さらにまた、配線リードにおいて温度分布
あるいは圧力分布のバラツキを防止でき、端子電極と配
線リードとの接続が部位によらず均一になるという効果
を奏する。

【００７３】さらに、請求項４記載の表示装置の実装構
造は、熱伝導手段の形成が、基材の製造工程において研
磨あるいはエッチング等を行うことによって可能であ
る。それゆえ、請求項１記載の表示装置の実装構造の有
する効果に加え、基材を製造する製造設備が使用でき、
製造のコストアップを抑えることができるとともに、新
規な材料による熱伝導手段を採用した場合と比べて製造
工程が簡略化でき、生産効率が向上するという効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の表示装置の実装構造におけ
る表示基板と配線リードとの接続部位を示す断面図であ
る。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線矢視拡大断面図である。

【図３】回路基板と配線リードとの接続部位を示す断面
図である。

【図４】図３におけるＢ−Ｂ線矢視拡大断面図である。

【図５】本発明の他の実施例の表示装置の実装構造にお
ける表示基板と配線リードとの接続部位を示す断面図で
ある。

【図６】回路基板と配線リードとの接続部位を示す断面
図である。

【図７】本発明のさらに他の実施例の表示装置の実装構
造における表示基板と配線リードとの接続部位を示す断
面図である。

【図８】図７におけるＣ−Ｃ線矢視拡大断面図である。

【図９】回路基板と配線リードとの接続部位を示す断面
図である。

【図１０】図９におけるＤ−Ｄ線矢視拡大断面図であ
る。

【図１１】従来の表示装置の実装構造における表示基板
と配線リードとの接続部位を示す断面図である。

【図１２】図１１におけるＥ−Ｅ線矢視拡大断面図であ
る。

【図１３】回路基板と配線リードとの接続部位を示す断
面図である。

【図１４】図１３におけるＦ−Ｆ線矢視拡大断面図であ
る。

【図１５】従来の表示装置の他の実装構造における表示
基板と配線リードとの接続部位を示す断面図である。

【図１６】図１５におけるＧ−Ｇ線矢視拡大断面図であ
る。

【図１７】回路基板と配線リードとの接続部位を示す断
面図である。

【図１８】図１７におけるＨ−Ｈ線矢視拡大断面図であ
る。

【図１９】従来の表示装置のさらに他の実装構造におけ
るＬＣＤパネル端子と導電パターンとの接続部位を示す
ものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＩ−Ｉ線矢視断面図である。

【符号の説明】

１ 表示基板 ２ 端子電極 ４ 配線リード ５ 基材 ８ 補助基材（熱伝導手段） １０ 端子電極 １２ 基材（熱伝導手段） １３ 補助基材（熱伝導手段） １３ａ 基材成分 １３ｂ フィラー

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線リードを覆う基材が設けられ、端子電
   極が上記配線リードに接続されている表示装置の実装構
   造において、 配線リード上の端子電極に接続される部位では上記基材
   を介さずに、上記基材よりも熱伝導性が高い熱伝導手段
   が設けられていることを特徴とする表示装置の実装構
   造。
2. 【請求項２】上記熱伝導手段が、配線リード上の端子電
   極に接続される部位にあけられた開口部に形成された、
   上記基材よりも薄い補助基材であることを特徴とする請
   求項１記載の表示装置の実装構造。
3. 【請求項３】上記熱伝導手段が、配線リード上の端子電
   極に接続される部位にあけられた開口部に形成された、
   上記基材より熱伝導性の高いフィラーを混入した補助基
   材であることを特徴とする請求項１または２記載の表示
   装置の実装構造。
4. 【請求項４】配線リードを覆う基材が設けられ、端子電
   極が上記配線リードに接続されている表示装置の実装構
   造において、 配線リード上の端子電極に接続される部位に、上記基材
   よりも熱伝導性が高い熱伝導手段が設けられ、 上記熱伝導手段が、上記基材の厚さを上記配線リード上
   の端子電極に接続される部位以外の部位での厚さよりも
   薄くすることによって成ることを特徴とする表示装置の
   実装構造。