JP3032034B2 - メモリ出力制御回路 - Google Patents

メモリ出力制御回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体メモリ中から読
み出されたメモリ出力情報をパイプライン動作させ、高
速アクセスするようにしたメモリ出力制御回路に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】半導体メモリのように、外部回路に対す
る電流駆動能力の大きいトランジスタで構成される出力
回路を複数個有する場合、これらの出力回路が同時に動
作することにより、電源線や接地線等のインダクタンス
に起因する大きな雑音が誘導される。その結果、データ
の誤書き込みなどの誤動作を引き起こすという問題があ
る。この問題を解決するものとして、従来、特開昭63
−112893号公報に記載されるもののほか、例えば
図2のようなものがあった。
【0003】図2は、従来のメモリ出力制御回路の一構
成例を示す構成ブロック図である。このメモリ出力制御
回路は、外部に設けられた図示しないメモリアレイから
読み出されたメモリ出力情報PDの転送を、制御信号P
A及び制御信号PBによりそれぞれ相補的に入切する転
送ゲート1及び転送ゲート2を有し、その出力側には第
1の出力ラッチ3及び第2の出力ラッチ4が接続されて
いる。出力ラッチ3及び出力ラッチ4は、制御信号PA
及び制御信号PBにより、転送ゲート1及び転送ゲート
2の各出力をそれぞれ保持してラッチ出力PDA及びラ
ッチ出力PDBを出力する機能を有している。
【0004】一方、システムクロックCLKに同期して
制御信号PHZを出力する中間電位制御部5を備え、そ
の制御信号PHZ、ラッチ出力PDA及びラッチ出力P
DBが出力バッファ6に接続されている。そして、シス
テムクロックCLKに同期して制御信号PA,PB,P
Cを出力し、回路全体のパイプライン動作を制御するパ
イプライン制御部7が設けられている。
【0005】次に、図3のタイムチャートを参照しつつ
動作を説明する。
【0006】第1のリードサイクル開始時の時刻toに
おいて、システムクロックCLKが立上ると、メモリア
レイ内部からメモリ出力情報PDが転送される。する
と、時刻t1でメモリ出力情報PD及び制御信号PAが
“H”レベルとなり、制御信号PBは“L”レベルとな
る。その結果、転送ゲート1はオン、転送ゲート2はオ
フとなり、“H”レベルのメモリ出力情報PDの情報
は、出力ラッチ3に入力して“H”レベルのラッチ出力
PDAが出力される。
【0007】第2のリードサイクルが開始される時刻t
2では、前サイクル(第1のリードサイクル)で出力ラ
ッチ3に取り込まれた“H”レベルのメモリ出力情報P
Dは、出力ラッチ3にラッチされたままであり、第2の
リードサイクルで、この情報は出力バッファ6より出力
される。その際、サイクル開始時の時刻t2の時点で中
間電位制御部5から制御信号PHZが出力バッファ6へ
出力され、制御信号PAが“L”レベル、制御信号PB
が“H”レベルになる時刻t3まで、出力バッファ6の
出力Doutはハイインピーダンス状態(中間電位)と
なる。
【0008】続く時刻t3では、制御信号PHZが
“L”レベルに戻り、第1のリードサイクルで出力ラッ
チ3に蓄えられた“H”レベルの情報が出力バッファ6
より出力されると同時に、制御信号PAは“L”レベ
ル、制御信号PBは“H”レベルとなるため、“H”レ
ベルのメモリ出力情報PDは出力ラッチ4にラッチされ
る。この“H”レベルの情報は、時刻t4で開始される
第3のサイクルで出力されるため、出力ラッチ4に蓄積
されたままの状態となる。
【0009】このように、従来では、各リードサイクル
毎に出力される出力バッファ6の出力Doutに対し
て、その出力に先立って該出力をハイインピーダンス状
態にすることにより、出力時の充放電電流のピーク値を
低減させて、ノイズ対策を行っていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際、
デバイスを使用したシステムでは、出力Doutとして
常に異なる極性が連続して出力されることはほとんどな
く、同データが連続する場合のほうが多い。この様な場
合には、出力バッファ6の出力端子の充放電は行われ
ず、ハイインピーダンス状態にするノイズ対策は不要で
あるにもかかわらず、上記のメモリ出力制御回路では、
毎サイクルで出力バッファ6の出力Doutをハイイン
ピーダンス状態にしている。これにより、無用なハイイ
ンピーダンス制御動作などが行われるため、その分、消
費電力が増大し、しかも不要なノイズが発生するという
問題があった。
【0011】本発明は前記従来技術の持っていた課題と
して、無用なハイインピーダンス制御動作により、消費
電力が増大し、かつ不要なノイズが発生するという点に
ついて解決したメモリ出力制御回路を提供するものであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、前記課題
を解決するために、外部のメモリからリードサイクル毎
に読出されたメモリ出力情報をパイプライン方式で保持
して第1及び第2のラッチ出力を出力する第1及び第2
の出力ラッチ手段と、前記第1及び第2の出力ラッチ手
段の出力側に接続され、予めハイインピーダンス化され
た出力信号を前記第1及び第2のラッチ出力に応じて変
化させて駆動出力する出力バッファとを、備えたメモリ
出力制御回路において、次のような手段を講じたもので
ある。
【0013】即ち、前記第1及び第2のラッチ出力の一
致、不一致を検出する検出手段と、前記各リードサイク
ルの開始時に前記検出手段の判定結果が不一致である場
合、前記出力信号をハイインピーダンス化する出力ハイ
インピーダンス手段とを、設けたものである。
【0014】第2の発明では、前記出力信号を所定の遅
延時間で遅延する出力タイミング手段を設け、前記検出
手段は、前記出力タイミング手段の出力と前記第1また
は第2のラッチ出力との一致、不一致を検出する構成に
したものである。
【0015】第3の発明では、前記第1及び第2の出力
ラッチ手段と出力バッファとの間に接続され、前記検出
手段の検出結果の一致時に前サイクルのメモリ出力情報
を一時保持するラッチ増幅手段を設けたものである。
【0016】
【作用】第1の発明では、以上のようにメモリ出力制御
回路を構成したので、検出手段は、前サイクル及び次サ
イクルのメモリ情報の一致、不一致を検出し、各リード
サイクルの開始時に前記検出手段の判定結果が不一致で
ある場合、出力ハイインピーダンス手段は、出力信号を
ハイインピーダンス化する。これにより、前サイクル及
び次サイクルのメモリ情報が同一で連続している場合、
前記ハイインピーダンス化しないので、無用の回路動作
が防止される。
【0017】第2の発明によれば、出力タイミング手段
は、出力信号を所定の遅延時間で遅延し、検出手段は、
前サイクルのメモリ出力情報とラッチされた次サイクル
のメモリ出力情報の一致、不一致を検出する。これによ
り現サイクルのメモリ出力情報がラッチされていた第1
または第2の出力ラッチを迅速に初期化できる。
【0018】第3の発明では、ラッチ増幅手段は、前サ
イクルのメモリ出力情報と次サイクルのメモリ出力情報
が一致する場合、前サイクルのメモリ情報を保持するよ
うに働く。
【0019】したがって、前記課題を解決できるのであ
る。
【0020】
【実施例】図1は、本発明の第1の実施例を示すメモリ
出力制御回路の構成ブロック図である。このメモリ出力
制御回路が図2の従来回路と異なる点は、第1のラッチ
出力PDA及び第2のラッチ出力PDBの一致、不一致
を検出する検出手段8を設け、さらに、その出力側を従
来と構造の異なる中間電位制御部(出力ハイインピーダ
ンス手段)5aの入力側に接続した点であり、その他の
構成要素出力ラッチ3、出力ラッチ4、出力バッファ
6、及びパイプライン制御部7等は、同一構成である。
【0021】ここで、検出手段8は、第1のラッチ出力
PDA及び第2のラッチ出力PDBを入力とする排他的
論理和ゲート(以下、EORという)8aで構成され、
その検出信号PHZCが中間電位制御部5aの入力側に
接続されている。中間電位制御部5aは、検出信号PH
ZCが接続されたインバータ5a−1と、該インバータ
5a−1の出力及びシステムクロックCLKがそれぞれ
入力する2入力ANDゲート5a−2とで構成され、制
御信号PHZを出力バッファ6へ出力する回路である。
【0022】図4は図1のタイムチャートであり、この
図を参照しつつ本実施例の動作を説明する。
【0023】第1のリードサイクル開始時の時刻T0に
おいて、システムクロックCLKが立ち上がると、これ
に同期してメモリアレイ内部からメモリ出力情報PDが
転送され、時刻T1でメモリ出力情報PDが“H”レベ
ルなる。時刻T1付近で制御信号PAは“H”レベル
に、制御信号PBは“L”レベルとなる。従って、転送
ゲート1はオンし、転送ゲート2はオフとなり、“H”
レベルのメモリ出力情報PDの情報は出力ラッチ3に入
力し、ラッチ出力PDAが転送される。この時、ラッチ
出力PDBは“L”レベルであるため、EOR8aの検
出信号PHZCは“L”レベルとなる。
【0024】再び、システムクロックCLKが“H”レ
ベルに立ち上がる時刻T2において、第2のリードサイ
クルが開始され、続く、時刻T3において、制御信号P
Aは“L”レベル、制御信号PBは“H”レベルとな
る。この時は、前サイクル(第1のサイクル)取り込ま
れた“H”レベルのメモリ出力情報PDは出力ラッチ3
にラッチされたままであり、時刻T2で始まる第2のサ
イクルでこの情報は出力バッファ6より出力される。
【0025】時刻T3においては、制御信号PBが
“H”レベルとなるため、転送ゲート2がオン状態とな
り、メモリ出力情報PDの“H”レベルの情報は出力ラ
ッチ4に転送されラッチされる。一方、時刻T2ではラ
ッチ出力PDAが“H”レベル、ラッチ出力PDBが
“L”レベルであるため、検出信号PHZCは“L”レ
ベルである。ラッチ出力PDAは時刻T2で開始される
第2のリードサイクルで出力される予定の情報であり、
ラッチ出力PDBは前サイクル(第1のリードサイク
ル)で出力された情報である。即ち、検出信号PHZC
が“L”レベルであることは、前サイクルの出力と次サ
イクルの出力とが異なるレベルを有することを意味す
る。時刻T2では、検出信号PHZCが“L”レベルで
あるため、中間電位制御部5aの出力の制御信号PHZ
は“H”レベルとなり、出力バッファ6の出力Dout
をハイインピーダンス状態にする。
【0026】その後、時刻T3付近で、制御信号PHZ
が“L”レベルに戻り、第1のサイクルで出力ラッチ3
に蓄えられた“H”レベルの情報が出力バッファ6より
出力される。その際、制御信号PAは“L”レベル、制
御信号PBは“H”レベルとなるため、“H”レベルの
メモリ出力情報PDは出力ラッチ4にラッチされ、ラッ
チ出力PDBは“H”レベルとなる。この“H”レベル
の情報は、時刻T4で開始される第3のリードサイクル
で出力されるため、出力ラッチ4に蓄積されたままの状
態となる。
【0027】時刻T4において、ラッチ出力PDA及び
ラッチ出力PDBともに“H”レベルであるので、検出
信号PHZCは“H”レベルのままである。これは、前
サイクルの出力と次サイクルの出力とが同一で変化しな
いことを意味している。従って、第2のリードサイクル
のように制御信号PHZは“L”レベルのままであり、
出力バッファ6の出力Doutは第2のリードサイクル
での出力状態(“H”レベル)を保ったままでハイイン
ピーダンス状態とならない。
【0028】図5は、本発明の第2の実施例を示すメモ
リ出力制御回路の構成ブロック図であり、図6は図5の
タイムチャートである。
【0029】このメモリ出力制御回路が第1の実施例と
異なる点は、前サイクルの出力Doutと次サイクルの
出力Doutとを一致を検出するために、前サイクルの
出力Doutを所定時間、遅延或いは蓄積してタイミン
グ信号DDを出力する出力タイミング手段9を設け、さ
らに、検出手段8及び中間電位制御部5aを異なる構成
の検出手段8−1及び中間電位制御部5bとした点であ
る。
【0030】検出手段8−1は、出力タイミング信号D
D及びラッチ出力PDAを入力とするEOR8−1a
と、出力タイミング信号DD及びラッチ出力PDBを入
力とするEOR8−1bと、EOR8−1aの出力を入
力とし制御信号PBをコントロール信号とするトライス
テートインバータ8−1cと、制御信号PBを反転する
インバータ8−1dと、EOR8−1bの出力を入力と
しインバータ8−1dの出力をコントロール信号とする
トライステートインバータ8−1eとで構成されてい
る。また、中間電位制御部5bは、システムクロックC
LKと検出信号PHZCのアンドをとって制御信号PH
Zを出力するANDゲート5b−1で構成されている。
【0031】本実施例は、第1の実施例とほぼ同一の動
作を行うが、第1の実施例の動作と異なる点は、制御信
号PBが“H”レベルの時、次サイクルの出力情報とし
てはラッチ出力PDAが、前サイクルの出力情報として
はタイミング信号DDがそれぞれ選択され、制御信号P
Bが“L”レベルの時、次サイクルの出力情報としては
ラッチ出力PDBが、前サイクルの出力情報としてはタ
イミング信号DDがそれぞれ選択される点である。
【0032】特に、検出手段8−1は、出力Doutを
(例えばT1−T0)遅延させたタイミング信号DDと
制御信号PBとの論理レベル状態により、タイミング信
号DDとラッチ出力PDAの一致、不一致を検出するE
OR8−1aか、タイミング信号DDとラッチ出力PD
Bの一致、不一致を検出するEOR8−1bかのいずれ
か一方を選択するようにし、その選択結果に基づき、現
サイクルの出力Doutそのものと次サイクルで出力さ
れるラッチされた出力Doutとの一致を検出する。
【0033】本実施例では、次のような利点がある。
【0034】制御信号PA及び制御信号PBが“H”レ
ベルになって、ラッチ出力PDA及びラッチ出力PDB
が変化するまでの時間(出力ラッチ3,4の応答時間)
は、実際の回路ではそれ程、高速化できない。従って、
ラッチ出力PDA及びラッチ出力PDBの両方を用いて
制御信号PHZを生成している第1の実施例では、動作
速度の高速化を図ることは困難である。そこで、本実施
例では、出力タイミング手段9及び検出手段8−1によ
り、前サイクルの出力情報とラッチされた次サイクルの
出力情報の一致を検出するようにしたので、制御信号P
A,PBが“H”レベルとなる前に出力ラッチ3,4を
初期化して、“H”レベルとなったら直ちに、出力ラッ
チ3,4がメモリ出力情報PDを受けて動作をする。こ
れにより、現サイクルの出力情報の入っていた出力ラッ
チを早い時期に初期化でき、回路動作の高速化が図れ
る。
【0035】図7は、本発明の第3の実施例を示すメモ
リ出力制御回路の構成ブロック図である。
【0036】本発明が第2の実施例と異なる点は、出力
ラッチ3及び出力ラッチ4と出力バッファ6との間にラ
ッチ増幅手段10を設け、ラッチ増幅手段10には、検
出信号PHZC、ラッチ出力PDA、ラッチ出力PD
B、及びパイプライン制御部7から出力されるラッチ増
幅手段制御信号PLAが入力され、出力信号PANが出
力バッファ6へ供給されるようになっている。
【0037】本実施例の動作が第2の実施例の動作と異
なる点は、検出信号PHZCが前サイクルの出力情報と
次サイクルの出力情報が一致する場合、出力ラッチ中の
次サイクルの出力情報をラッチ増幅手段10に転送せ
ず、前サイクルの出力情報をラッチ増幅手段10中に保
持したままの状態に保つようにした点である。
【0038】即ち、図8のタイムチャートが示すよう
に、同レベルの出力情報が連続する場合には、出力バッ
ファ6の出力直前に制御信号PHZが“H”レベルにな
らず、出力Doutがハイインピーダンス状態になるこ
とがない。それに加え、次サイクルの出力情報もラッチ
増幅手段10に転送されず、前サイクルの出力情報を蓄
積したラッチ増幅手段10及び出力バッファ6は、前サ
イクルの状態のままでいる。
【0039】本実施例では、同レベルの出力情報が連続
して出力される場合には出力ラッチ3,4より後段の回
路を停止状態にするため、ラッチ増幅手段10が各サイ
クル中にイニシャライズをする回路方式になっていると
き、同レベル出力情報の連続時には、無駄にラッチ増幅
手段10が動作するのを防止できる。その上、出力バッ
ファ6がダイナミック型で構成されている場合、誤動作
を防ぐことができる。
【0040】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、各リードサイクルの開始時に前サイクル及び
次サイクルのメモリ情報が不一致である場合、出力信号
をハイインピーダンス化するようにしたので、前サイク
ル及び次サイクルのメモリ情報が同一で連続している場
合、出力信号のハイインピーダンス化をしないため、無
用の回路動作が防止される。これにより、無用のノイズ
の発生を防ぐことが可能であり、しかも、省電力化が図
れる。
【0041】第2の発明によれば、出力信号を所定の遅
延時間で遅延して、前サイクルのメモリ出力情報とラッ
チされた次サイクルのメモリ出力情報の一致、不一致を
検出するようにしたので、現サイクルのメモリ出力情報
がラッチされていた第1または第2の出力ラッチを迅速
に初期化でき、回路の高速動作が可能となる。
【0042】第3の発明では、ラッチ増幅手段は、前サ
イクルのメモリ出力情報と次サイクルのメモリ出力情報
が一致する場合、前サイクルのメモリ情報を保持するよ
うにしたので、回路の省電力化が図れるほか、誤動作の
防止等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すメモリ出力制御回
路の構成ブロック図である。
【図2】従来のメモリ出力制御回路の構成ブロック図で
ある。
【図3】図2のタイムチャートである。
【図4】図1のタイムチャートである。
【図5】本発明の第2の実施例を示すメモリ出力制御回
路の構成ブロック図である。
【図6】図5のタイムチャートである。
【図7】本発明の第3の実施例を示すメモリ出力制御回
路の構成ブロック図である。
【図8】図7のタイムチャートである。
【符号の説明】
1 転送ゲート 2 転送ゲート 3,4 出力ラッチ 5 中間電位制御部 6 出力バッファ 7 パイプライン制御部 8 検出手段 9 出力タイミング手段 10 ラッチ増幅手段 PD メモリ出力情報 PA,PB 制御信号 PDA,PDB ラッチ出力 PHZ 検出信号

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部のメモリからリードサイクル毎に読
    出されたメモリ出力情報をパイプライン方式で保持して
    第1及び第2のラッチ出力を出力する第1及び第2の出
    力ラッチ手段と、前記第1及び第2の出力ラッチ手段の
    出力側に接続され、予めハイインピーダンス化された出
    力信号を前記第1及び第2のラッチ出力に応じて変化さ
    せて駆動出力する出力バッファとを、備えたメモリ出力
    制御回路において、前記第1及び第2のラッチ出力の一
    致、不一致を検出する検出手段と、前記各リードサイク
    ルの開始時に前記検出手段の判定結果が不一致である場
    合、前記出力信号をハイインピーダンス化する出力ハイ
    インピーダンス手段とを、設けたことを特徴とするメモ
    リ出力制御回路。
  2. 【請求項2】請求項1記載のメモリ出力制御回路におい
    て、前記出力信号を所定の遅延時間で遅延する出力タイ
    ミング手段を設け、前記検出手段は、前記出力タイミン
    グ手段の出力と前記第1または第2のラッチ出力との一
    致、不一致を検出する構成にしたメモリ出力制御回路。
  3. 【請求項3】請求項2記載のメモリ出力制御回路におい
    て、前記第1及び第2の出力ラッチ手段と出力バッファ
    との間に接続され、前記検出手段の検出結果の一致時に
    前サイクルのメモリ出力情報を一時保持するラッチ増幅
    手段を設けたメモリ出力制御回路。
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