JP3031926B2 - ゴム製品などのワークの傷検査方法 - Google Patents
ゴム製品などのワークの傷検査方法Info
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- JP3031926B2 JP3031926B2 JP1253284A JP25328489A JP3031926B2 JP 3031926 B2 JP3031926 B2 JP 3031926B2 JP 1253284 A JP1253284 A JP 1253284A JP 25328489 A JP25328489 A JP 25328489A JP 3031926 B2 JP3031926 B2 JP 3031926B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ゴム製品などの回転体の表面を画像処理に
よって検査する方法に関する。
よって検査する方法に関する。
自動車用保安部品であるピストンカップのようなゴム
製品の傷検査は、熟練検査員によって目視によって行わ
れている。ゴム製品では、一般に表面の光の反射率が低
いために、傷部位と表面とのコントラストが悪く、さら
に塵やごみの付着が傷との識別を困難にしている。この
ため、画像処理によるゴム製品の傷検査の自動化は、難
しいものとされており、実際にまだ実用化されていな
い。
製品の傷検査は、熟練検査員によって目視によって行わ
れている。ゴム製品では、一般に表面の光の反射率が低
いために、傷部位と表面とのコントラストが悪く、さら
に塵やごみの付着が傷との識別を困難にしている。この
ため、画像処理によるゴム製品の傷検査の自動化は、難
しいものとされており、実際にまだ実用化されていな
い。
したがって、本発明の目的は、コントラストの悪いゴ
ム製品などの傷部位を強調し、また塵やごみの付着に影
響されない画像処理アルゴリズムを構築することによ
り、ゴム製品などの傷検査を画像処理の分野によって容
易に自動化できるようにすることである。
ム製品などの傷部位を強調し、また塵やごみの付着に影
響されない画像処理アルゴリズムを構築することによ
り、ゴム製品などの傷検査を画像処理の分野によって容
易に自動化できるようにすることである。
第１図は、検査対象ワークの回転状況、およびカメラ
の視野（Ｘ×Ｙ）内での傷やごみなどの付着状態を示し
ている。
の視野（Ｘ×Ｙ）内での傷やごみなどの付着状態を示し
ている。
ゴム製品などの検査対象のワークが回転体であるか
ら、回転軸を中心として線対称の状態にある。したがっ
て、ワークのある視野での画像と、それからワークを微
小角度だけ回転させて得られる視野での画像とが本来同
一でなければならない。
ら、回転軸を中心として線対称の状態にある。したがっ
て、ワークのある視野での画像と、それからワークを微
小角度だけ回転させて得られる視野での画像とが本来同
一でなければならない。
このことから、以下の演算処理が実行される。２枚の
画像について対応の画素間の濃度差が小さければ、それ
らの２点の画像の平均値を別に用意した結果収納メモリ
に入力し、濃度差が大きくしかも濃度値の低い画素の濃
度値が近傍領域の平均濃度値よりも低いときに、その画
素の部分が傷要素として結果収納メモリに低い画素の濃
度値が入力され、フラグ用メモリにフラグをたて、また
２点の画像の濃度差が大きく、濃度値の低い画素の濃度
値が近傍領域の平均濃度値よりも高いかほぼ等しいとき
に平均濃度値を結果収納メモリに入力するという演算を
行う。続いて、対象ワークを微小角だけ回転させ、上記
演算処理を繰り返す。この過程で、フラグ用メモリにフ
ラグがたてられているとき、このフラグの画素は走査し
ないものとする。このフラグにより次回の比較処理や演
算処理が省略でき、また次回の適用時に、傷要素の濃度
が誤って傷以外の濃度に置き換えられることもなくな
る。
画像について対応の画素間の濃度差が小さければ、それ
らの２点の画像の平均値を別に用意した結果収納メモリ
に入力し、濃度差が大きくしかも濃度値の低い画素の濃
度値が近傍領域の平均濃度値よりも低いときに、その画
素の部分が傷要素として結果収納メモリに低い画素の濃
度値が入力され、フラグ用メモリにフラグをたて、また
２点の画像の濃度差が大きく、濃度値の低い画素の濃度
値が近傍領域の平均濃度値よりも高いかほぼ等しいとき
に平均濃度値を結果収納メモリに入力するという演算を
行う。続いて、対象ワークを微小角だけ回転させ、上記
演算処理を繰り返す。この過程で、フラグ用メモリにフ
ラグがたてられているとき、このフラグの画素は走査し
ないものとする。このフラグにより次回の比較処理や演
算処理が省略でき、また次回の適用時に、傷要素の濃度
が誤って傷以外の濃度に置き換えられることもなくな
る。
第２図は第１画面FM（１）、第２画面FM（２）、第３
画面FM（３）、第４画面FM（４）について順次演算処理
を行い、結果収納メモリに傷の部分を入力し、またその
傷部位に応じてフラグ用メモリにフラグをたてる状態を
観念的に示している。
画面FM（３）、第４画面FM（４）について順次演算処理
を行い、結果収納メモリに傷の部分を入力し、またその
傷部位に応じてフラグ用メモリにフラグをたてる状態を
観念的に示している。
この演算処理により、通常の表面の濃度値は、平均化
され、また傷部位は、結果収納メモリに順次拡大的に蓄
積され、また塵やごみの付着した部分の濃度値は、通常
の表面の平均濃度値に置き換えられていく。したがっ
て、以上の処理の後に、結果収納メモリの記憶内容か
ら、傷部位が容易に識別できることになる。
され、また傷部位は、結果収納メモリに順次拡大的に蓄
積され、また塵やごみの付着した部分の濃度値は、通常
の表面の平均濃度値に置き換えられていく。したがっ
て、以上の処理の後に、結果収納メモリの記憶内容か
ら、傷部位が容易に識別できることになる。
また、本発明は、上記演算処理を基礎として、傷のな
いマスターワークおよび検査対象のワークについて、結
果収納メモリに微分処理、孤立点除去処理を施し、それ
らの処理を対応する転送用メモリに転送し、２つの転送
用メモリのマッチング処理を行うことによって、検査対
象のワークの傷を検出するようにしている。
いマスターワークおよび検査対象のワークについて、結
果収納メモリに微分処理、孤立点除去処理を施し、それ
らの処理を対応する転送用メモリに転送し、２つの転送
用メモリのマッチング処理を行うことによって、検査対
象のワークの傷を検出するようにしている。
第３図は、本発明の傷検査方法を実施するためのシス
テム構成を示している。
テム構成を示している。
ゴム製品などの検査対象のワーク１は、中心軸２の周
りの回転体であり、回転テーブルなどの上に乗った状態
で、中心軸２を回転軸とする回転機構３によって中心軸
２の周りに回転できるようになっている。
りの回転体であり、回転テーブルなどの上に乗った状態
で、中心軸２を回転軸とする回転機構３によって中心軸
２の周りに回転できるようになっている。
そして、この検査対象のワーク１の表面は、照明４の
もとでカメラ５によって撮像される。この照明４および
カメラ５は、第４図に示すように、ワーク１の接線面に
対し光学的に同じ角度φとなるように配置されている。
この角度φは、カメラ５の画像上で傷の部位がワーク１
の表面よりも可能な限り暗くなるように設定される。第
１図に見られるように、カメラ５の視野の大きさは、
（Ｘ×Ｙ）であり、またワーク１の半径は、ｒであり、
回転機構３の回転角のピッチは、θとして設定される。
ここで、回転移動量が円周方向の長さＸよりも充分に小
さくつまりＸ≫ｒθと設定されるものとすれば、カメラ
５がワーク１の表面を順次撮像する過程で、１つの傷
は、連続する撮像過程で、視野内に数回現れることにな
る。なお、撮像の繰り返し回数すなわち演算処理の繰り
返し数Ｎは、ワーク１の全周を一定の回転ピッチθで撮
像する回数であるから、Ｎ＝〔２π／θ〕＋１で与えら
れる。
もとでカメラ５によって撮像される。この照明４および
カメラ５は、第４図に示すように、ワーク１の接線面に
対し光学的に同じ角度φとなるように配置されている。
この角度φは、カメラ５の画像上で傷の部位がワーク１
の表面よりも可能な限り暗くなるように設定される。第
１図に見られるように、カメラ５の視野の大きさは、
（Ｘ×Ｙ）であり、またワーク１の半径は、ｒであり、
回転機構３の回転角のピッチは、θとして設定される。
ここで、回転移動量が円周方向の長さＸよりも充分に小
さくつまりＸ≫ｒθと設定されるものとすれば、カメラ
５がワーク１の表面を順次撮像する過程で、１つの傷
は、連続する撮像過程で、視野内に数回現れることにな
る。なお、撮像の繰り返し回数すなわち演算処理の繰り
返し数Ｎは、ワーク１の全周を一定の回転ピッチθで撮
像する回数であるから、Ｎ＝〔２π／θ〕＋１で与えら
れる。
そして、カメラ５は、画像処理装置６に接続され、そ
の内部のA/D変換器７を介し、２つの画像メモリ81、8
2、さらにCPU9に接続されている。このCPU9は、本発明
の検査方法を実行するために、プログラム収納用のROM1
0に接続され、さらに結果収納メモリ11（Ｍ）、転送用
メモリ13（M1）、転送用メモリ14（M2）、フラグ用メモ
リ12（Ｆ）および回転量制御のために、回転機構３に接
続されている。なお、これらのメモリ11、12、13、14、
81、82は、それぞれプログラム上で括弧内の記号Ｍ、
Ｆ、M1、M2、画像メモリ１、画像メモリ２として表され
ている。
の内部のA/D変換器７を介し、２つの画像メモリ81、8
2、さらにCPU9に接続されている。このCPU9は、本発明
の検査方法を実行するために、プログラム収納用のROM1
0に接続され、さらに結果収納メモリ11（Ｍ）、転送用
メモリ13（M1）、転送用メモリ14（M2）、フラグ用メモ
リ12（Ｆ）および回転量制御のために、回転機構３に接
続されている。なお、これらのメモリ11、12、13、14、
81、82は、それぞれプログラム上で括弧内の記号Ｍ、
Ｆ、M1、M2、画像メモリ１、画像メモリ２として表され
ている。
第５図は、画像メモリ81、82、結果収納メモリ11およ
びフラグ用メモリ12および転送用メモリ13、14の構造を
示している。
びフラグ用メモリ12および転送用メモリ13、14の構造を
示している。
まず、画像メモリ81は、（Ｋ×Ｌ）画素の大きさで、
その濃度値は８ビット、またｎを奇数としたときの第ｎ
画面（FM（ｎ））を構成する。次に画像メモリ82も、
（Ｋ×Ｌ）画素の大きさで、濃度値は８ビット、ｎを偶
数としたときの第ｎ画面（FM（ｎ））を構成する。続い
て、結果収納メモリ11（Ｍ）は、（Ｋ×Ｌ）画素の大き
さで、濃度値は８ビットである。さらに、フラグ用メモ
リ12（Ｆ）は、（Ｋ×Ｌ）画素の大きさで、濃度値は１
ビットである。また転送用メモリ13と14の大きさと濃度
値は画像メモリ81、82と同一である。
その濃度値は８ビット、またｎを奇数としたときの第ｎ
画面（FM（ｎ））を構成する。次に画像メモリ82も、
（Ｋ×Ｌ）画素の大きさで、濃度値は８ビット、ｎを偶
数としたときの第ｎ画面（FM（ｎ））を構成する。続い
て、結果収納メモリ11（Ｍ）は、（Ｋ×Ｌ）画素の大き
さで、濃度値は８ビットである。さらに、フラグ用メモ
リ12（Ｆ）は、（Ｋ×Ｌ）画素の大きさで、濃度値は１
ビットである。また転送用メモリ13と14の大きさと濃度
値は画像メモリ81、82と同一である。
傷部位の強調は、第６図のフローチャートにより、ま
たその中での演算処理は、第７図に示すフローチャート
にしたがって行われる。
たその中での演算処理は、第７図に示すフローチャート
にしたがって行われる。
ここに、ｉ、ｊはメモリ配列要素番号、ｎは、ワーク
回転のステップ数、fn（ｉ、ｊ）は第ｎ画面の画素
（ｉ、ｊ）の濃度値、ａは第ｎ画面と第ｎ−１画面の同
一画素間の濃度差の絶対値、Ｆ（ｉ、ｊ）はフラグ用メ
モリ12の画素（ｉ、ｊ）の濃度差、Ｍ（ｉ、ｊ）は結果
収納メモリ11の画素（ｉ、ｊ）の濃度値、ｂは、第ｎ画
面または第ｎ−１画面の同一位置画素の低い方の濃度
値、b1は第ｎ画面または第ｎ−１画面の低い方の濃度を
持つ画素の８近傍画素の濃度平均値、αは濃度差の閾値
である。
回転のステップ数、fn（ｉ、ｊ）は第ｎ画面の画素
（ｉ、ｊ）の濃度値、ａは第ｎ画面と第ｎ−１画面の同
一画素間の濃度差の絶対値、Ｆ（ｉ、ｊ）はフラグ用メ
モリ12の画素（ｉ、ｊ）の濃度差、Ｍ（ｉ、ｊ）は結果
収納メモリ11の画素（ｉ、ｊ）の濃度値、ｂは、第ｎ画
面または第ｎ−１画面の同一位置画素の低い方の濃度
値、b1は第ｎ画面または第ｎ−１画面の低い方の濃度を
持つ画素の８近傍画素の濃度平均値、αは濃度差の閾値
である。
第６図に示すように、傷強調処理の過程で、フラグ用
メモリＦのクリア、第１画面FM1の撮像、FN1→結果収納
メモリＭの転送の後に、ｎ＝１と設定され、次の画面の
撮像に入る。
メモリＦのクリア、第１画面FM1の撮像、FN1→結果収納
メモリＭの転送の後に、ｎ＝１と設定され、次の画面の
撮像に入る。
この次のステップで、ｎ＝ｎ＋１の設定後、回転角ピ
ッチθの回転によって、第ｎ画面の撮像が設定され、第
ｎ画面FM（ｎ）の撮像対比画素の初期設定のために、ｉ
＝０、ｊ＝０と設定された後、ｊ＝ｊ＋１、ｉ＝ｉ＋１
の設定によって、演算すべき画素が指定され、その画素
について演算が行われた後、ｉについての全ての画素数
Ｋの演算処理が行われたら、次に全ての行数Ｌについて
の演算処理が行われたかどうかの判断がなされ、当該第
ｎ画面についての全ての画素について演算処理が行われ
たら、全ての画面（繰り返し数）Ｎについて繰り返し同
様の処理が行われる。
ッチθの回転によって、第ｎ画面の撮像が設定され、第
ｎ画面FM（ｎ）の撮像対比画素の初期設定のために、ｉ
＝０、ｊ＝０と設定された後、ｊ＝ｊ＋１、ｉ＝ｉ＋１
の設定によって、演算すべき画素が指定され、その画素
について演算が行われた後、ｉについての全ての画素数
Ｋの演算処理が行われたら、次に全ての行数Ｌについて
の演算処理が行われたかどうかの判断がなされ、当該第
ｎ画面についての全ての画素について演算処理が行われ
たら、全ての画面（繰り返し数）Ｎについて繰り返し同
様の処理が行われる。
前記演算は、第７図のフローチャートに基づいて行
われる。
われる。
まず、フラグ用メモリＦについてその有無のチェック
が行われ、YESであるとき、フラグがたった部分を走査
せず、演算処理を適応しないで、リターンに行くが、NO
であるときに演算処理に入り、２枚の画像の対応する画
素点の間で絶対値ａが求められる。この絶対値ａと閾値
αとの比較が行われ、NOであるときに加算平均値が求め
られ、メモリＭ（ｉ、ｊ）に格納される。しかし、YES
であるときに、傷部位またはごみなどの高輝度部が検出
されたものとして、次のステップで２枚の画素の濃度値
の比較が行われる。比較の結果YESであるとき、前の画
素について低濃度値ｂが設定され、その画素についての
８近傍の平均値b1が表面の濃度値として設定される。ま
たNOであるとき、今の画素について低濃度値ｂが設定さ
れ、８近傍の平均値b1が設定される。次に、低濃度値ｂ
と平均値b1との絶対差と閾値αとの大小比較が行われ、
NOであるとき、その低濃度値ｂの画素が表面の低濃度で
あるとし、そのメモリＭ（ｉ、ｊ）に平均値b1が格納さ
れる。また、YESであるとき、低濃度値ｂと平均値b1と
の大小比較が行われ、YESであるとき、その低濃度値の
画素がごみなどの低濃度であるため、前記NOの場合と同
様に、低濃度値ｂが平均値b1に置き換えられる。しか
し、NOであるとき、その低濃度値ｂは、傷と対応してい
るため、結果収納メモリＭ（ｉ、ｊ）にその低濃度ｂが
入力され、フラグ用メモリＦ（ｉ、ｊ）にフラグがセッ
トされる。このような演算処理は、全ての撮像画面の画
素について順次繰り返される。
が行われ、YESであるとき、フラグがたった部分を走査
せず、演算処理を適応しないで、リターンに行くが、NO
であるときに演算処理に入り、２枚の画像の対応する画
素点の間で絶対値ａが求められる。この絶対値ａと閾値
αとの比較が行われ、NOであるときに加算平均値が求め
られ、メモリＭ（ｉ、ｊ）に格納される。しかし、YES
であるときに、傷部位またはごみなどの高輝度部が検出
されたものとして、次のステップで２枚の画素の濃度値
の比較が行われる。比較の結果YESであるとき、前の画
素について低濃度値ｂが設定され、その画素についての
８近傍の平均値b1が表面の濃度値として設定される。ま
たNOであるとき、今の画素について低濃度値ｂが設定さ
れ、８近傍の平均値b1が設定される。次に、低濃度値ｂ
と平均値b1との絶対差と閾値αとの大小比較が行われ、
NOであるとき、その低濃度値ｂの画素が表面の低濃度で
あるとし、そのメモリＭ（ｉ、ｊ）に平均値b1が格納さ
れる。また、YESであるとき、低濃度値ｂと平均値b1と
の大小比較が行われ、YESであるとき、その低濃度値の
画素がごみなどの低濃度であるため、前記NOの場合と同
様に、低濃度値ｂが平均値b1に置き換えられる。しか
し、NOであるとき、その低濃度値ｂは、傷と対応してい
るため、結果収納メモリＭ（ｉ、ｊ）にその低濃度ｂが
入力され、フラグ用メモリＦ（ｉ、ｊ）にフラグがセッ
トされる。このような演算処理は、全ての撮像画面の画
素について順次繰り返される。
さて、傷検査方法は、第８図にしたがって実施され
る。
る。
まず最初に、マスターワークがセットされ、このマス
ターワークについて傷強調処理が行われる。続いて、結
果収納メモリＭに対し垂直微分処理を行い、垂直エッジ
を抽出する。ここで、垂直微分処理を行うのは、画面上
の回転方向がＸ軸に沿うため、レンズが水平エッジとし
て出現しやすく、これを避けるためである。垂直微分処
理は、第９図に示すような（３×３）マスタフィルター
を結果収納メモリＭに適用し、ある閾値βよりも小さけ
れば、「０」、そうでなければ「１」とするような処理
を施せばよい。そして、続いて孤立点除去処理によっ
て、濃度値Ｍ（ｉ、ｊ）＝１であるメモリの８近傍に
「１」の濃度値がなければ、濃度値Ｍ（ｉ、ｊ）＝０と
する処理を施し、ノイズによるエッジを消去する。この
ようにして得られる結果収納メモリＭの内容をメモリM1
に転送する。マスターワークを外し、対象ワーク１をセ
ットした後、同様の処理を繰り返すことにより、得られ
る結果収納メモリＭの内容をメモリM2に転送する。
ターワークについて傷強調処理が行われる。続いて、結
果収納メモリＭに対し垂直微分処理を行い、垂直エッジ
を抽出する。ここで、垂直微分処理を行うのは、画面上
の回転方向がＸ軸に沿うため、レンズが水平エッジとし
て出現しやすく、これを避けるためである。垂直微分処
理は、第９図に示すような（３×３）マスタフィルター
を結果収納メモリＭに適用し、ある閾値βよりも小さけ
れば、「０」、そうでなければ「１」とするような処理
を施せばよい。そして、続いて孤立点除去処理によっ
て、濃度値Ｍ（ｉ、ｊ）＝１であるメモリの８近傍に
「１」の濃度値がなければ、濃度値Ｍ（ｉ、ｊ）＝０と
する処理を施し、ノイズによるエッジを消去する。この
ようにして得られる結果収納メモリＭの内容をメモリM1
に転送する。マスターワークを外し、対象ワーク１をセ
ットした後、同様の処理を繰り返すことにより、得られ
る結果収納メモリＭの内容をメモリM2に転送する。
この後のマッチング処理は、ｘ方向、ｙ方向ともに±
１画素の余裕度を求めて行う。
１画素の余裕度を求めて行う。
このマッチング処理は、各画面の画素毎に比較し、全
ての画素について傷をカウントし、最終的に閾値との比
較によって、傷無しまたは傷有りと判定する。第10図の
マッチング処理過程で、初期化の後に、判別要素番号
ｉ、ｊに対して、M2（ｉ、ｊ）が１であり、かつM1
（ｉ、ｊ）および８近傍点の濃度値１の点がなければ、
カウント値Ｃを１プラスする処理を施す。ここで、カウ
ント値Ｃは、画像中の傷の要素数を意味し、初期要件と
して「０」に設定されている。メモリM1とメモリM2の全
てのメモリ要素にこの処理を施した後、設定された閾値
SLよりもカウント値Ｃが大きいか等しければ対象のワー
ク１に傷有りと判定し、そうでなければ傷無しと判定す
る。
ての画素について傷をカウントし、最終的に閾値との比
較によって、傷無しまたは傷有りと判定する。第10図の
マッチング処理過程で、初期化の後に、判別要素番号
ｉ、ｊに対して、M2（ｉ、ｊ）が１であり、かつM1
（ｉ、ｊ）および８近傍点の濃度値１の点がなければ、
カウント値Ｃを１プラスする処理を施す。ここで、カウ
ント値Ｃは、画像中の傷の要素数を意味し、初期要件と
して「０」に設定されている。メモリM1とメモリM2の全
てのメモリ要素にこの処理を施した後、設定された閾値
SLよりもカウント値Ｃが大きいか等しければ対象のワー
ク１に傷有りと判定し、そうでなければ傷無しと判定す
る。
第11図および第12図は、マスターワークと対象ワーク
との関係で、微分処理、孤立点除去処理を行い、最終的
に傷を判定する過程を示している。濃度値１の画素数Ｃ
がＣ≧SLであるため、傷有りと判定される。
との関係で、微分処理、孤立点除去処理を行い、最終的
に傷を判定する過程を示している。濃度値１の画素数Ｃ
がＣ≧SLであるため、傷有りと判定される。
また、第13図および第14図は、同様にマスターワーク
と対象ワークとの関連で、傷検出過程を示している。特
に、この例は、視野内にワークの稜線が現れる場合を示
している。この処理過程でも、同様に微分処理、孤立点
除去処理が行われ、最終的にマッチングによって、傷の
有無が判別される。
と対象ワークとの関連で、傷検出過程を示している。特
に、この例は、視野内にワークの稜線が現れる場合を示
している。この処理過程でも、同様に微分処理、孤立点
除去処理が行われ、最終的にマッチングによって、傷の
有無が判別される。
本発明では、下記の特有の効果が得られる。
（１） 結果収納メモリでワーク表面部の濃度値が加算
平均処理により均一化されるため、ノイズが発生しにく
く、微分処理が行いやすくなる。
平均処理により均一化されるため、ノイズが発生しにく
く、微分処理が行いやすくなる。
（２） ごみやほこりなどの高輝度部が傷強調処理によ
って消去され、ワーク表面の濃度値で置き換えられるた
め、高輝度部が傷として検出されなくなる。
って消去され、ワーク表面の濃度値で置き換えられるた
め、高輝度部が傷として検出されなくなる。
（３） 傷部位がワークの微小角度の回転により結果収
納メモリの中で複数回出現するため、小さい傷でも誤り
なく高い頻度で発生できる。
納メモリの中で複数回出現するため、小さい傷でも誤り
なく高い頻度で発生できる。
（４） 最終的な傷判断がマスターワークとのマッチン
グ処理によって行われるため、画像上にワークの稜線な
どが現れたとしても、その影響がなくなる。
グ処理によって行われるため、画像上にワークの稜線な
どが現れたとしても、その影響がなくなる。
第１図はワークの斜面図、第２図は傷強調処理の説明
図、第３図は検査システムのブロック線図、第４図は照
明とカメラとの配置状態の平面図、第５図はメモリの構
成図、第６図は傷強調処理のフローチャート図、第７図
は演算処理のフローチャート図、第８図は傷検出のフロ
ーチャート図、第９図は垂直エッジ検出フィルターの説
明図、第10図はマッチング処理のフローチャート図、第
11図は傷検出の説明図、第12図は傷検出過程での撮像状
態の斜面図、第13図は傷検出の説明図、第14図は傷検出
の撮像状態の斜面図である。 １……検査対象のワーク、２……中心軸、３……回転機
構、４……照明、５……カメラ、６……画像処理装置、
７……A/D変換器、81、82……画像メモリ、９……CPU、
10……ROM、11……結果収納メモリ、12……フラグ用メ
モリ、13、14……転送用メモリ。
図、第３図は検査システムのブロック線図、第４図は照
明とカメラとの配置状態の平面図、第５図はメモリの構
成図、第６図は傷強調処理のフローチャート図、第７図
は演算処理のフローチャート図、第８図は傷検出のフロ
ーチャート図、第９図は垂直エッジ検出フィルターの説
明図、第10図はマッチング処理のフローチャート図、第
11図は傷検出の説明図、第12図は傷検出過程での撮像状
態の斜面図、第13図は傷検出の説明図、第14図は傷検出
の撮像状態の斜面図である。 １……検査対象のワーク、２……中心軸、３……回転機
構、４……照明、５……カメラ、６……画像処理装置、
７……A/D変換器、81、82……画像メモリ、９……CPU、
10……ROM、11……結果収納メモリ、12……フラグ用メ
モリ、13、14……転送用メモリ。
Claims (2)
- 【請求項１】中心軸を含む断面形状が常に線対称である
ゴム製品などの検査対象のワークの表面の傷検査におい
て、 中心軸を回転軸とする回転機構と、ワークの表面を照ら
す照明と、ワークの表面を撮像するカメラと、カメラか
らの画像信号を入力し処理する画像処理プログラムを内
蔵する画像処理装置とを用い、 検査対象のワークの表面を撮像する過程、ワークを微小
角だけ回転させ、再びワークの表面を撮像する過程、こ
れらの撮像により得られる２つの画像を比較し、２つの
画像での対応する画素間の濃度差が小さいときにそれら
の平均値を結果収納メモリに入力し、２つの画像での対
応する濃度差が大きくかつ濃度値の低い画素の濃度値が
近傍領域の平均濃度値よりも低いときに傷要素としてそ
の濃度値を結果収納メモリに入力し、フラグ用メモリに
フラグをたて、また２つの画像での対応する濃度差が大
きく、濃度値が近傍領域の平均濃度値よりも高いかほぼ
等しいときに平均濃度値を結果収納メモリに入力する演
算過程、以上の各過程の処理を繰り返し、フラグのたて
られていない部分について上記演算過程を適用しないで
結果収納メモリの傷部位を強調することを特徴とするゴ
ム製品などのワークの傷検査方法。 - 【請求項２】中心軸を含む断面形状が常に線対称である
ゴム製品などの検査対象のワークの表面の傷検査におい
て、 中心軸を回転軸とする回転機構と、ワークの表面を照ら
す照明と、ワークの表面を撮像するカメラと、カメラか
らの画像信号を入力し処理する画像処理プログラムを内
蔵する画像処理装置とを用い、 傷のないマスターワークの表面を撮像する過程、マスタ
ーワークを微小角だけ回転させ、再びマスターワークの
表面を撮像する過程、これらの撮像により得られる２つ
の画像を比較し、２つの画像での対応する画素間の濃度
差が小さいときにそれらの平均値を結果収納メモリに入
力し、２つの画像での対応する濃度差が大きくかつ濃度
値の低い画素の濃度値が近傍領域の平均濃度値よりも低
いときに傷要素としてその濃度値を結果収納メモリに入
力し、フラグ用メモリにフラグをたて、また２つの画像
での対応する濃度差が大きく、濃度値が近傍領域の平均
濃度値よりも高いかほぼ等しいときに平均濃度値を結果
収納メモリに入力する演算過程、以上の各過程の処理を
繰り返し、フラグのたてられていない部分について上記
演算過程を適用しないで結果収納メモリの傷部位を強調
する処理を行った後、結果収納メモリに微分処理と孤立
点除去処理とを施し、転送用メモリ１に転送する過程、 次に検査対象のワークの表面を撮像する過程、ワークを
微小角だけ回転させ、再びワークの表面を撮像する過
程、これらの撮像により得られる２つの画像を比較し、
２つの画像での対応する画素間の濃度差が小さいときに
それらの平均値を結果収納メモリに入力し、２つの画像
での対応する濃度差が大きくかつ濃度値の低い画素の濃
度値が近傍領域の平均濃度値よりも低いときに傷要素と
してその濃度値を結果収納メモリに入力し、フラグ用メ
モリにフラグをたて、また２つの画像での対応する濃度
差が大きく、濃度値が近傍領域の平均濃度値よりも高い
かほぼ等しいときに平均濃度値を結果収納メモリに入力
する演算過程、以上の各過程の処理を繰り返し、フラグ
のたてられていない部分について上記演算過程を適用し
ないで結果収納メモリの傷部位を強調する処理を行った
後、結果収納メモリに微分処理と孤立点除去処理とを施
して転送用メモリ２に転送する過程、 これらの転送用メモリのマッチング処理を行い、検査対
象のワークの傷を検出することを特徴とするゴム製品な
どのワークの傷検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253284A JP3031926B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | ゴム製品などのワークの傷検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253284A JP3031926B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | ゴム製品などのワークの傷検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113352A JPH03113352A (ja) | 1991-05-14 |
| JP3031926B2 true JP3031926B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17249143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1253284A Expired - Lifetime JP3031926B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | ゴム製品などのワークの傷検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031926B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19514039B4 (de) * | 1995-04-13 | 2006-01-19 | Trützschler GmbH & Co KG | Vorrichtung an einer Spinnereivorbereitungsmaschine, z. B. Karde, Krempel o. dgl. |
| JP3330089B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2002-09-30 | 株式会社大協精工 | ゴム製品の検査方法及び装置 |
| DE102012216618A1 (de) | 2012-09-18 | 2014-03-20 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung von mindestens zwei Wafern zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
| US10126247B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-11-13 | Zeon Chemicals L.P. | Rubber crumb inspection system |
| CN115290661B (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-16 | 江苏浚荣升新材料科技有限公司 | 基于计算机视觉的橡胶圈缺陷识别方法 |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1253284A patent/JP3031926B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03113352A (ja) | 1991-05-14 |
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