JP3021165B2 - キャパシタ - Google Patents
キャパシタInfo
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- JP3021165B2 JP3021165B2 JP4036026A JP3602692A JP3021165B2 JP 3021165 B2 JP3021165 B2 JP 3021165B2 JP 4036026 A JP4036026 A JP 4036026A JP 3602692 A JP3602692 A JP 3602692A JP 3021165 B2 JP3021165 B2 JP 3021165B2
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- electrode
- capacitor
- plzt
- pzt
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、キャパシタに関し、
より詳しくは、半導体分野で用いられるキャパシタに関
する。
より詳しくは、半導体分野で用いられるキャパシタに関
する。
【0002】
【従来の技術】最近、この種のキャパシタとして、図1
に示すように、Ptからなる電極2に対して、PZT(P
bZrxTi1-xO3),PLZT((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)
1-x/4O3)など、Pbを組成に含むペロブスカイト型強誘
電体膜3を被着したものが検討されている(実際には、
この上にさらに電極が設けられる)。上記Pt電極2は、
Si系電極(ポリシリコンなど)と異なり、強誘電体膜3
との界面にSiO2を生じて実効的な誘電率を低下させる
ようなことがなく、また、上記PZT膜,PLZT膜3
は、比誘電率εrが300〜5000と大きいので、Si
系絶縁膜(SiO2膜など)に比して単位面積当たりの静電
容量を増大することができる。
に示すように、Ptからなる電極2に対して、PZT(P
bZrxTi1-xO3),PLZT((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)
1-x/4O3)など、Pbを組成に含むペロブスカイト型強誘
電体膜3を被着したものが検討されている(実際には、
この上にさらに電極が設けられる)。上記Pt電極2は、
Si系電極(ポリシリコンなど)と異なり、強誘電体膜3
との界面にSiO2を生じて実効的な誘電率を低下させる
ようなことがなく、また、上記PZT膜,PLZT膜3
は、比誘電率εrが300〜5000と大きいので、Si
系絶縁膜(SiO2膜など)に比して単位面積当たりの静電
容量を増大することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体分野
では、キャパシタはSi系材料(Si,SiO2など)1の上
に設けられることが多い。このような場合、上記キャパ
シタは、図2に示すように、所定の熱処理(温度550
〜650℃,30分間)後にPt電極2がSi系材料1と反
応して変質したり、Si系材料1との密着性が悪く剥が
れたりするという問題がある。また、酸素雰囲気中で
は、Pt電極2が不安定となり、PtがPZT膜,PLZ
T膜3側へ拡散するという問題がある。さらに、Pt電
極2がPZT膜,PLZT膜3中の酸素と反応して、膜
3の電極側界面に酸素が欠乏した領域を形成するという
問題がある。このような領域(n型)は、空間電荷を生じ
て異常電界を発生し、実効的な飽和分極値,残留分極値
および誘電率を低下させる。
では、キャパシタはSi系材料(Si,SiO2など)1の上
に設けられることが多い。このような場合、上記キャパ
シタは、図2に示すように、所定の熱処理(温度550
〜650℃,30分間)後にPt電極2がSi系材料1と反
応して変質したり、Si系材料1との密着性が悪く剥が
れたりするという問題がある。また、酸素雰囲気中で
は、Pt電極2が不安定となり、PtがPZT膜,PLZ
T膜3側へ拡散するという問題がある。さらに、Pt電
極2がPZT膜,PLZT膜3中の酸素と反応して、膜
3の電極側界面に酸素が欠乏した領域を形成するという
問題がある。このような領域(n型)は、空間電荷を生じ
て異常電界を発生し、実効的な飽和分極値,残留分極値
および誘電率を低下させる。
【0004】そこで、この発明の目的は、電極とPbを
組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜とで構成される
キャパシタであって、電極とSi系材料とが反応せず、
かつ、密着性が良く、しかも、上記強誘電体膜の組成を
化学量論的組成比に保って良好な特性を示すことができ
るキャパシタを提供することにある。
組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜とで構成される
キャパシタであって、電極とSi系材料とが反応せず、
かつ、密着性が良く、しかも、上記強誘電体膜の組成を
化学量論的組成比に保って良好な特性を示すことができ
るキャパシタを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のキャパシタは、導電性を有するぺロブス
カイト型酸化物の下部電極と、該下部電極に直接接して
形成され、Pbを組成に含むぺロブスカイト型強誘電体
膜とを有することを特徴としている。
め、この発明のキャパシタは、導電性を有するぺロブス
カイト型酸化物の下部電極と、該下部電極に直接接して
形成され、Pbを組成に含むぺロブスカイト型強誘電体
膜とを有することを特徴としている。
【0006】
【実施例】以下、この発明のキャパシタを実施例により
詳細に説明する。なお、簡単のため、既に示した図1を
用いて説明する。
詳細に説明する。なお、簡単のため、既に示した図1を
用いて説明する。
【0007】このキャパシタは、本発明者による次の実
験により創出されたものである。本発明者は、実際に、
Si系材料1上に、スパッタリング法により、電極2
と、Pbを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜3と
を設けてキャパシタを構成した。上記電極2の材料とし
て、導電性を有するペロブスカイト型酸化物、すなわ
ち、LaTiO3,CaVO3,SrVO3,La1-xSrVO3(x≧
0.23),CaCrO3,SrCrO3,La1-xSrxMnO3(0.
2<x<0.4),CaFeO3,SrFeO3,SrCoO3,LaCo
O3,LaNiO3,LaCuO3,CaRuO3,SrRuO3,SrIr
O3,LuNiO3,BaPbO3,BaPb1-xBixO3(0<x<
1),Nd1-xSrCoO3,ReO3を個々に採用した。強誘
電体膜3は、PZT(PbZrxTi1-xO3)膜またはPLZ
T((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3)膜)を採用し
た。なお、電極2のスパッタリング条件はAr:O2=8:
2、圧力10〜20mmTorrとし、膜厚は3000Åと
した。また、PZT膜,PLZT膜3のスパッタリング
条件は、Ar:O2=8:2、圧力10〜100mmTorrと
し、膜厚は3000〜5000Åとした。
験により創出されたものである。本発明者は、実際に、
Si系材料1上に、スパッタリング法により、電極2
と、Pbを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜3と
を設けてキャパシタを構成した。上記電極2の材料とし
て、導電性を有するペロブスカイト型酸化物、すなわ
ち、LaTiO3,CaVO3,SrVO3,La1-xSrVO3(x≧
0.23),CaCrO3,SrCrO3,La1-xSrxMnO3(0.
2<x<0.4),CaFeO3,SrFeO3,SrCoO3,LaCo
O3,LaNiO3,LaCuO3,CaRuO3,SrRuO3,SrIr
O3,LuNiO3,BaPbO3,BaPb1-xBixO3(0<x<
1),Nd1-xSrCoO3,ReO3を個々に採用した。強誘
電体膜3は、PZT(PbZrxTi1-xO3)膜またはPLZ
T((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3)膜)を採用し
た。なお、電極2のスパッタリング条件はAr:O2=8:
2、圧力10〜20mmTorrとし、膜厚は3000Åと
した。また、PZT膜,PLZT膜3のスパッタリング
条件は、Ar:O2=8:2、圧力10〜100mmTorrと
し、膜厚は3000〜5000Åとした。
【0008】所定の熱処理(温度550〜650℃,30
分間)の後、劈開によって断面を観察したところ、電極
2とSi系材料1とが反応しておらず、しかも、密着性
が良く剥がれていないことを確認した。また、上記ペロ
ブスカイト型酸化物からなる電極2は、酸素雰囲気中で
も安定であり、PZT膜,PLZT膜3中に拡散するこ
とがない。さらに、電極2が酸化物であることから、膜
3中の酸素が電極に取り込まれることがない。したがっ
て、PZT膜,PLZT膜3の組成を化学量論的組成比
に保つことができ、良好な特性を示すことができる。
分間)の後、劈開によって断面を観察したところ、電極
2とSi系材料1とが反応しておらず、しかも、密着性
が良く剥がれていないことを確認した。また、上記ペロ
ブスカイト型酸化物からなる電極2は、酸素雰囲気中で
も安定であり、PZT膜,PLZT膜3中に拡散するこ
とがない。さらに、電極2が酸化物であることから、膜
3中の酸素が電極に取り込まれることがない。したがっ
て、PZT膜,PLZT膜3の組成を化学量論的組成比
に保つことができ、良好な特性を示すことができる。
【0009】上記電極2の材料として採用した各種のペ
ロブスカイト型酸化物うち、BaPbO3,BaPb1-xBix
O3は、PZT膜,PLZT膜3の化学量論的組成比を保
つために特に有効である。一般に、PZT膜,PLZT
膜3を電極2上に成長するとき、成長初期に膜3の構成
元素であるPbが他の構成元素よりも電極面に付着しに
くいため、膜3の電極側界面にPbプアな層が形成され
る。このPbプアな層はキャパシタの特性を著しく悪化
させる(PZT,PLZTを薄膜化したとき特に顕著であ
る)。しかしながら、電極2の材料としてBaPbO3また
はBaPb1-xBixO3(0<x<1)を用いた場合、電極
側にPbを含んでいるので、PZT膜,PLZT膜3の初
期成長が化学量論的組成比通りに円滑に行なわれる。し
たがって、上記Pbプアな層が形成されるのを避けるこ
とができる。
ロブスカイト型酸化物うち、BaPbO3,BaPb1-xBix
O3は、PZT膜,PLZT膜3の化学量論的組成比を保
つために特に有効である。一般に、PZT膜,PLZT
膜3を電極2上に成長するとき、成長初期に膜3の構成
元素であるPbが他の構成元素よりも電極面に付着しに
くいため、膜3の電極側界面にPbプアな層が形成され
る。このPbプアな層はキャパシタの特性を著しく悪化
させる(PZT,PLZTを薄膜化したとき特に顕著であ
る)。しかしながら、電極2の材料としてBaPbO3また
はBaPb1-xBixO3(0<x<1)を用いた場合、電極
側にPbを含んでいるので、PZT膜,PLZT膜3の初
期成長が化学量論的組成比通りに円滑に行なわれる。し
たがって、上記Pbプアな層が形成されるのを避けるこ
とができる。
【0010】なお、上記ペロブスカイト型酸化物からな
る電極2に代えて、RuO2からなる電極を用いた場合も
同様に良好な結果を得ることができた。すなわち、電極
とSi系材料とが反応せず、かつ、密着性が良く、しか
も、上記PZT膜,PLZT膜3の組成を化学量論的組
成比に保つことができた。
る電極2に代えて、RuO2からなる電極を用いた場合も
同様に良好な結果を得ることができた。すなわち、電極
とSi系材料とが反応せず、かつ、密着性が良く、しか
も、上記PZT膜,PLZT膜3の組成を化学量論的組
成比に保つことができた。
【0011】
【発明の効果】 以上より明らかなように、この発明の
キャパシタは、導電性を有するぺロブスカイト型酸化物
の下部電極と、該下部電極に直接接して形成され、Pb
を組成に含むぺロブスカイト型強誘電体膜とを有してい
るので、電極とSi系材料との反応を防ぎ、かつ、密着
性を高めることができる。しかも、電極側にPbを含ん
でいるので、上記強誘電体膜の初期成長を化学量論的組
成比通りに円滑に行なうことができ、上記強誘電体膜の
組成を化学量論的組成比に保つことができる。したがっ
て、良好な特性を示すことができる。
キャパシタは、導電性を有するぺロブスカイト型酸化物
の下部電極と、該下部電極に直接接して形成され、Pb
を組成に含むぺロブスカイト型強誘電体膜とを有してい
るので、電極とSi系材料との反応を防ぎ、かつ、密着
性を高めることができる。しかも、電極側にPbを含ん
でいるので、上記強誘電体膜の初期成長を化学量論的組
成比通りに円滑に行なうことができ、上記強誘電体膜の
組成を化学量論的組成比に保つことができる。したがっ
て、良好な特性を示すことができる。
【図1】 この発明の一実施例のキャパシタおよび従来
のキャパシタの要部を示す断面図である。
のキャパシタの要部を示す断面図である。
【図2】 従来のキャパシタの熱処理後の状態を示す図
である。
である。
1 Si系材料 2 電極 3 PZT膜またはPLZT膜
Claims (2)
- 【請求項1】 導電性を有するぺロブスカイト型酸化物
の下部電極と、該下部電極に直接接して形成され、Pb
を組成に含むぺロブスカイト型強誘電体膜とを有するこ
とを特徴とするキャパシタ。 - 【請求項2】 上記下部電極がSrRuO 3 であること
を特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4036026A JP3021165B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | キャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4036026A JP3021165B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | キャパシタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05234809A JPH05234809A (ja) | 1993-09-10 |
JP3021165B2 true JP3021165B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=12458216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4036026A Expired - Fee Related JP3021165B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | キャパシタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3021165B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69331538T2 (de) * | 1992-12-01 | 2002-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschicht |
SI9800124B (sl) * | 1998-04-24 | 2007-04-30 | Institut "Jozef Stefan" | Feroelektricne debeloplastne strukture na osnovi svincevih perovskitov in postopek njihove izdelave |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP4036026A patent/JP3021165B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05234809A (ja) | 1993-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114 Year of fee payment: 8 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |