JP3020431B2 - 表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法 - Google Patents
表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気回路基板と表示素子
もしくは基板間同士を接続する異方性コネクタまたはＩ
Ｃパッケージ等の電子・電気部品と検査用の電気回路基
板とを接続する異方性コネクタとして有用な、表面が非
吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法に関す
る。
もしくは基板間同士を接続する異方性コネクタまたはＩ
Ｃパッケージ等の電子・電気部品と検査用の電気回路基
板とを接続する異方性コネクタとして有用な、表面が非
吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気回路基板等の間またはＩＣパ
ッケージ等と電気回路基板とを異方性コネクタで接続す
る場合、例えば、図４に示すように、金属細線等の導電
部ａが低ピッチで配列され、その保持部材に圧縮歪や加
工性のよい絶縁性シリコーンゴムｂが使用されている異
方性コネクタｃを、２枚の電気回路基板ｄの回路（接
続）面ｅの間に挿入・圧接して使用していた。
ッケージ等と電気回路基板とを異方性コネクタで接続す
る場合、例えば、図４に示すように、金属細線等の導電
部ａが低ピッチで配列され、その保持部材に圧縮歪や加
工性のよい絶縁性シリコーンゴムｂが使用されている異
方性コネクタｃを、２枚の電気回路基板ｄの回路（接
続）面ｅの間に挿入・圧接して使用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この接続方
法では、絶縁性シリコーンゴムｂが電気回路基板ｄの接
続面ｅと吸着し電気回路基板ｄの交換等を困難にするほ
か、埃や異物等ｆが異方性コネクタｃの、特に絶縁性シ
リコーンゴムｂ部分に付着し易く、接続抵抗が大きくな
るばかりか、これを除去するのが困難であった。しか
も、この絶縁性シリコーンゴムｂ部分に付着した埃や異
物等ｆが低ピッチの導電部ａにも接触した状態で接続す
ると、接続抵抗が上がる、接続が安定しない等の接続不
良を起こす原因となっていた。したがって、本発明の目
的は、異方性コネクタの導電部保持部材として絶縁性シ
リコーンゴムを使用した場合に、異方性コネクタの、特
に絶縁性シリコーンゴムが電気回路基板等に吸着するの
を防止し、電気回路基板等の取り外し、交換を容易に
し、異方性コネクタ表面への埃、異物等の付着をなく
し、さらに埃、異物等が付着したとしても、その除去を
容易にし安定した接続ができる、表面が非吸着性の吸着
防止異方性コネクタとその製造方法を提供するにある。
法では、絶縁性シリコーンゴムｂが電気回路基板ｄの接
続面ｅと吸着し電気回路基板ｄの交換等を困難にするほ
か、埃や異物等ｆが異方性コネクタｃの、特に絶縁性シ
リコーンゴムｂ部分に付着し易く、接続抵抗が大きくな
るばかりか、これを除去するのが困難であった。しか
も、この絶縁性シリコーンゴムｂ部分に付着した埃や異
物等ｆが低ピッチの導電部ａにも接触した状態で接続す
ると、接続抵抗が上がる、接続が安定しない等の接続不
良を起こす原因となっていた。したがって、本発明の目
的は、異方性コネクタの導電部保持部材として絶縁性シ
リコーンゴムを使用した場合に、異方性コネクタの、特
に絶縁性シリコーンゴムが電気回路基板等に吸着するの
を防止し、電気回路基板等の取り外し、交換を容易に
し、異方性コネクタ表面への埃、異物等の付着をなく
し、さらに埃、異物等が付着したとしても、その除去を
容易にし安定した接続ができる、表面が非吸着性の吸着
防止異方性コネクタとその製造方法を提供するにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の表面が非吸着性
の吸着防止異方性コネクタは、導電体を構成している金
属の少なくとも一部がシリコーンゴムの表面に露出して
いる異方性コネクタであって、金属の少なくとも一部が
露出している表面のシリコーンゴム表面層が紫外線照射
面であることを特徴とするものであり、その製造方法
は、異方性コネクタの金属の少なくとも一部が露出して
いる表面に波長が１８５±１ｎｍか２５４±１ｎｍのい
ずれか、または両方の紫外線を照射し、金属の少なくと
も一部が露出している表面の表面層を改質することによ
り、ガスクロマトグラフ定量によるシリコーンゴム中の
低分子シロキサンの量が、照射前の量の１．５〜２倍と
することを特徴とするものである。なお、ここで、ガス
クロマトグラフ定量（以下、単にガスクロ定量とする）
による測定は、測定器として（株）島津製作所製の型番
ＧＣ−１４Ａを用い、測定試料（シリコーンゴム）１ｇ
を内部標準物質ＬＳ−８６７０含有四塩化炭素１０ミリ
リットルで１６時間抽出した後、抽出液を昇温型ガスク
ロを用いて、検出器ＦＩＤ、２％ＯＶ−１７、３ｍガラ
スカラム、温度８０〜３００℃（８℃／分）、Ｎ2ガス
（４０ミリリットル／分）、注入口３１０℃の条件で行
ったものである。また、低分子シロキサンとは一般的に
重合度２０以下の低分子量の環状シロキサンをいう。
の吸着防止異方性コネクタは、導電体を構成している金
属の少なくとも一部がシリコーンゴムの表面に露出して
いる異方性コネクタであって、金属の少なくとも一部が
露出している表面のシリコーンゴム表面層が紫外線照射
面であることを特徴とするものであり、その製造方法
は、異方性コネクタの金属の少なくとも一部が露出して
いる表面に波長が１８５±１ｎｍか２５４±１ｎｍのい
ずれか、または両方の紫外線を照射し、金属の少なくと
も一部が露出している表面の表面層を改質することによ
り、ガスクロマトグラフ定量によるシリコーンゴム中の
低分子シロキサンの量が、照射前の量の１．５〜２倍と
することを特徴とするものである。なお、ここで、ガス
クロマトグラフ定量（以下、単にガスクロ定量とする）
による測定は、測定器として（株）島津製作所製の型番
ＧＣ−１４Ａを用い、測定試料（シリコーンゴム）１ｇ
を内部標準物質ＬＳ−８６７０含有四塩化炭素１０ミリ
リットルで１６時間抽出した後、抽出液を昇温型ガスク
ロを用いて、検出器ＦＩＤ、２％ＯＶ−１７、３ｍガラ
スカラム、温度８０〜３００℃（８℃／分）、Ｎ2ガス
（４０ミリリットル／分）、注入口３１０℃の条件で行
ったものである。また、低分子シロキサンとは一般的に
重合度２０以下の低分子量の環状シロキサンをいう。
【０００５】以下、本発明の詳細を例示した図面に基づ
いて説明する。図１は、それぞれ本発明の表面が非吸着
性の吸着防止異方性コネクタの製造に使用される、異方
性コネクタの異なる実施態様を、模式的に示す斜視図で
ある。図１（ａ）は、導電体として金属細線等１ａを使
用し、絶縁性シリコーンゴム２に、この表面より接続さ
れる方向に金属細線等１ａの先端を１０〜４０μｍ突出
させて、マトリクス状に保持させた場合である。図１
（ｂ）は、導電体として、絶縁性シリコーンゴムにカー
ボン等を含有させて得られる導電性シリコーンゴムに、
球状または鱗片状の金属粒子等を配合してシート状にし
たもの１ｂを使用し、これを絶縁性シリコーンゴム２と
接続面が平面になるように積層させた場合である。図１
（ｃ）は、導電体として、絶縁性シリコーンゴムにカー
ボン等を含有させて得られる導電性シリコーンゴムに、
金属箔を接着したシート状のもの１ｃを使用し、これを
絶縁性シリコーンゴム２に金属箔３だけが接続表面より
やや突出・露出するように積層させた場合である。導電
体としては、上記のほか、図１（ａ）においてスプリン
グ状の金属細線を用いたもの、図１（ｂ）または図１
（ｃ）におけるシート状のもの１ｂまたは１ｃを細線状
にしたもの、上記各金属に金メッキを施したもの、カー
ボン等または球状または鱗片状の金属粒子等の替えてビ
ーズ状のガラスまたはガラス繊維に金メッキを施したも
の等を使用してもよい。
いて説明する。図１は、それぞれ本発明の表面が非吸着
性の吸着防止異方性コネクタの製造に使用される、異方
性コネクタの異なる実施態様を、模式的に示す斜視図で
ある。図１（ａ）は、導電体として金属細線等１ａを使
用し、絶縁性シリコーンゴム２に、この表面より接続さ
れる方向に金属細線等１ａの先端を１０〜４０μｍ突出
させて、マトリクス状に保持させた場合である。図１
（ｂ）は、導電体として、絶縁性シリコーンゴムにカー
ボン等を含有させて得られる導電性シリコーンゴムに、
球状または鱗片状の金属粒子等を配合してシート状にし
たもの１ｂを使用し、これを絶縁性シリコーンゴム２と
接続面が平面になるように積層させた場合である。図１
（ｃ）は、導電体として、絶縁性シリコーンゴムにカー
ボン等を含有させて得られる導電性シリコーンゴムに、
金属箔を接着したシート状のもの１ｃを使用し、これを
絶縁性シリコーンゴム２に金属箔３だけが接続表面より
やや突出・露出するように積層させた場合である。導電
体としては、上記のほか、図１（ａ）においてスプリン
グ状の金属細線を用いたもの、図１（ｂ）または図１
（ｃ）におけるシート状のもの１ｂまたは１ｃを細線状
にしたもの、上記各金属に金メッキを施したもの、カー
ボン等または球状または鱗片状の金属粒子等の替えてビ
ーズ状のガラスまたはガラス繊維に金メッキを施したも
の等を使用してもよい。
【０００６】導電体を構成している上記各金属のシリコ
ーンゴム表面での露出状態は、接続面におけるこれらの
金属が絶縁性シリコーンゴムまたは導電体の導電性シリ
コーンゴムの表面と同じレベルで露出していてもよい
し、このレベルから突出して露出していてもよい。な
お、接続時の安定性と確実性、さらには接続面における
金属が表面改質による低分子シロキサンの影響を受けに
くいこと等から、後者の導電性シリコーンゴムの表面と
同じレベルから突出している方が好ましい。この突出高
さは１０〜４０μｍが好ましい。これが４０μｍを超え
ると、圧縮接続時に座屈し易くなって安定した接続の得
られなくなるおそれがあり、また露出していても、各金
属の部分が凹んでいると、圧縮接続時に絶縁性シリコー
ンゴムが金属の表面に被さり易くなって、同様に安定し
た接続の得られなくなるおそれがある。そこで、このよ
うな場合は、窪みの深さを５０μｍ以下とし、さらに導
電体の端部を窪みの底部より少なくとも１０μｍ以上突
出させるようにするのが好ましい。
ーンゴム表面での露出状態は、接続面におけるこれらの
金属が絶縁性シリコーンゴムまたは導電体の導電性シリ
コーンゴムの表面と同じレベルで露出していてもよい
し、このレベルから突出して露出していてもよい。な
お、接続時の安定性と確実性、さらには接続面における
金属が表面改質による低分子シロキサンの影響を受けに
くいこと等から、後者の導電性シリコーンゴムの表面と
同じレベルから突出している方が好ましい。この突出高
さは１０〜４０μｍが好ましい。これが４０μｍを超え
ると、圧縮接続時に座屈し易くなって安定した接続の得
られなくなるおそれがあり、また露出していても、各金
属の部分が凹んでいると、圧縮接続時に絶縁性シリコー
ンゴムが金属の表面に被さり易くなって、同様に安定し
た接続の得られなくなるおそれがある。そこで、このよ
うな場合は、窪みの深さを５０μｍ以下とし、さらに導
電体の端部を窪みの底部より少なくとも１０μｍ以上突
出させるようにするのが好ましい。
【０００７】本発明の、表面が非吸着性の吸着防止異方
性コネクタを製造するには、上記構造の異方性コネクタ
の、電子・電気部品と電気回路基板との接続面の片面ま
たは両面に、１８４．９±１ｎｍから選ばれる特定の波
長、特には１８４．９ｎｍか、２５３．９±１ｎｍから
選ばれる特定の波長または両方の波長の紫外線を照射す
ることにより、接続面側の表面層の化学構造を、下記化
１式に示すように、シリコーン（主鎖−Ｓｉ−Ｏ−）以
外の構造、特にはシリカ（ＳｉＯ2）に改質すること
で、表面を粗くし、電気回路基板への吸着と埃、異物等
の付着をしにくくすることができる。
性コネクタを製造するには、上記構造の異方性コネクタ
の、電子・電気部品と電気回路基板との接続面の片面ま
たは両面に、１８４．９±１ｎｍから選ばれる特定の波
長、特には１８４．９ｎｍか、２５３．９±１ｎｍから
選ばれる特定の波長または両方の波長の紫外線を照射す
ることにより、接続面側の表面層の化学構造を、下記化
１式に示すように、シリコーン（主鎖−Ｓｉ−Ｏ−）以
外の構造、特にはシリカ（ＳｉＯ2）に改質すること
で、表面を粗くし、電気回路基板への吸着と埃、異物等
の付着をしにくくすることができる。
【０００８】
【化１】 * ：紫外線の照射によりシリコーンポリマーが切断され
る。 **：切断されたポリマーは再結合して環状の低分子シロ
キサンになるものや、更に切断されてオリゴマーにな
る。 ***：更に紫外線の照射により切断が進むと、周りのＯ2
や紫外線ランプから発生するＯ3 （オゾン）と結合し
てシリカになる。
る。 **：切断されたポリマーは再結合して環状の低分子シロ
キサンになるものや、更に切断されてオリゴマーにな
る。 ***：更に紫外線の照射により切断が進むと、周りのＯ2
や紫外線ランプから発生するＯ3 （オゾン）と結合し
てシリカになる。
【０００９】異方性コネクタの表面に上記波長の紫外線
を照射し過ぎると、その絶縁性シリコーンゴムや接触面
の表面層だけでなく、これらの異方性コネクター全体が
改質されて弾性低下につながり易く、圧縮時や延伸時に
表面にクラックが入り易い等、シリコーンゴムの特性を
損なうことがあるため、この紫外線照射により生成する
低分子シロキサン量（４〜２０量体）が、ガスクロ定量
において照射前の低分子シロキサン量の１．５〜２倍に
止まるように照射する必要がある。紫外線照射積算光量
は、照射方法や照射条件により異なるが、例えば、積算
光量計で測定して１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2、放
射照度１００ｍＷ／ｃｍ2位とすればよい。この低分子
シロキサン量は、通常シリコーンゴム成形後、アフター
キュアをすることにより３００ｐｐｍ以下、特に電気回
路基板等に使用される場合は、５０〜１００ｐｐｍ程度
に低減することにより、シリコーン汚染等が起きないよ
うにし、寸法の安定化、特性の安定化に寄与している。
を照射し過ぎると、その絶縁性シリコーンゴムや接触面
の表面層だけでなく、これらの異方性コネクター全体が
改質されて弾性低下につながり易く、圧縮時や延伸時に
表面にクラックが入り易い等、シリコーンゴムの特性を
損なうことがあるため、この紫外線照射により生成する
低分子シロキサン量（４〜２０量体）が、ガスクロ定量
において照射前の低分子シロキサン量の１．５〜２倍に
止まるように照射する必要がある。紫外線照射積算光量
は、照射方法や照射条件により異なるが、例えば、積算
光量計で測定して１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2、放
射照度１００ｍＷ／ｃｍ2位とすればよい。この低分子
シロキサン量は、通常シリコーンゴム成形後、アフター
キュアをすることにより３００ｐｐｍ以下、特に電気回
路基板等に使用される場合は、５０〜１００ｐｐｍ程度
に低減することにより、シリコーン汚染等が起きないよ
うにし、寸法の安定化、特性の安定化に寄与している。
【００１０】このように、シリコーンゴムの特性を安定
化してから、更に紫外線を照射することにより、シリコ
ーンゴムの表面がシリカに改質されるが、シリカが多過
ぎるとシリコーンゴムの表面に露出している金属部分に
シリカが付着し、接続時に接続抵抗の上昇等、導通不良
の原因となり易いので、照射条件を適宜選択する必要が
ある。また、接触面のシリコーンゴムの表面粗さは、紫
外線照射前にはＲmaxが６〜１０程度と滑らかで吸着し
易いが、照射後にはシリコーンゴムの表面にシリカが付
着し、Ｒmaxが１２〜１４程度となって吸着しにくくな
る。
化してから、更に紫外線を照射することにより、シリコ
ーンゴムの表面がシリカに改質されるが、シリカが多過
ぎるとシリコーンゴムの表面に露出している金属部分に
シリカが付着し、接続時に接続抵抗の上昇等、導通不良
の原因となり易いので、照射条件を適宜選択する必要が
ある。また、接触面のシリコーンゴムの表面粗さは、紫
外線照射前にはＲmaxが６〜１０程度と滑らかで吸着し
易いが、照射後にはシリコーンゴムの表面にシリカが付
着し、Ｒmaxが１２〜１４程度となって吸着しにくくな
る。
【００１１】図２は、このようにして得られた本発明の
表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタ（以下、吸着
防止異方性コネクタと略す）について、ソケットを用い
た実装接続状態の一例を組立斜視図により示すものであ
る。本発明の吸着防止異方性コネクタ４を組み込んだ吸
着防止異方性コネクタ付きソケット５を、ＩＣパッケー
ジ６の端子と接続できる回路端子が設けられた電気回路
基板７に、回路端子と吸着防止異方性コネクタの導電体
とが接続するように位置合わせをしてネジ等で固定す
る。このソケット５の上方よりＩＣパッケージ６を位置
合わせして挿入し、ＩＣパッケージ６の上から圧縮する
ことで接続する。この接続時に本発明の吸着防止異方性
コネクタ４では埃等の異物が付着せず、確実に接続する
ことができる。また、たとえ埃等の異物が付着したとし
てもエアーガン等で簡単に吹き飛ばすことができる。
表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタ（以下、吸着
防止異方性コネクタと略す）について、ソケットを用い
た実装接続状態の一例を組立斜視図により示すものであ
る。本発明の吸着防止異方性コネクタ４を組み込んだ吸
着防止異方性コネクタ付きソケット５を、ＩＣパッケー
ジ６の端子と接続できる回路端子が設けられた電気回路
基板７に、回路端子と吸着防止異方性コネクタの導電体
とが接続するように位置合わせをしてネジ等で固定す
る。このソケット５の上方よりＩＣパッケージ６を位置
合わせして挿入し、ＩＣパッケージ６の上から圧縮する
ことで接続する。この接続時に本発明の吸着防止異方性
コネクタ４では埃等の異物が付着せず、確実に接続する
ことができる。また、たとえ埃等の異物が付着したとし
てもエアーガン等で簡単に吹き飛ばすことができる。
【００１２】
【作用】本発明の吸着防止異方性コネクタによれば、異
方性コネクタのシリコーンゴム（絶縁性シリコーンゴム
および導電性シリコーンゴム）の表面層の化学構造の改
質および表面粗さの増加により、この吸着防止異方性コ
ネクタを狭持した電気回路基板またはＩＣパッケージ等
との接続面との吸着を防止することができるので、電気
回路基板等との交換等を容易に行えるほか、吸着防止異
方性コネクタのシリコーンゴム表面に付着した埃等の異
物の除去が容易に行え、接続時における接続抵抗値のバ
ラツキ、接続が安定しない等の接続不良をなくすことが
できる。
方性コネクタのシリコーンゴム（絶縁性シリコーンゴム
および導電性シリコーンゴム）の表面層の化学構造の改
質および表面粗さの増加により、この吸着防止異方性コ
ネクタを狭持した電気回路基板またはＩＣパッケージ等
との接続面との吸着を防止することができるので、電気
回路基板等との交換等を容易に行えるほか、吸着防止異
方性コネクタのシリコーンゴム表面に付着した埃等の異
物の除去が容易に行え、接続時における接続抵抗値のバ
ラツキ、接続が安定しない等の接続不良をなくすことが
できる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の具体的態様を実施例により説明
する。 （実施例１）硬化後の硬度が50°Ｈとなる絶縁性シリコ
ーンゴム KE-153U（信越化学工業社製、商品名）中に、
直径40μm の真ちゅう線にＡｕ−Ｃｏ合金が 0.4μm の
厚さでメッキされた金メッキ細線を、 0.1mm間隔で45°
傾斜させて配列し、その先端が絶縁性シリコーンゴムの
表面より30μm 突出した状態で埋設して加熱硬化し、30
mm×30mm×１mmの大きさの、図１（ａ）に示す形状の異
方性コネクタを得た。この接続面（30mm×30mm）の片方
に、波長が 184.9nmと 253.7nmの紫外線を１分間同時照
射して、本発明の吸着防止異方性コネクタを得た。この
吸着防止異方性コネクタを電気回路基板間に挟持し、約
50％圧縮して接続し、 155℃で 244時間放置した後、電
気回路基板を開放したところ、紫外線を照射した接続面
は電気回路基板を吸着せず接続前と変わらなかったが、
紫外線を照射しなかった接続面は電気回路基板を吸着し
てしまって異方性コネクタを引き剥さないと取れなかっ
た。また、紫外線を照射した接続面では埃等の異物が付
着しても軽く払うだけで除去することができた。
する。 （実施例１）硬化後の硬度が50°Ｈとなる絶縁性シリコ
ーンゴム KE-153U（信越化学工業社製、商品名）中に、
直径40μm の真ちゅう線にＡｕ−Ｃｏ合金が 0.4μm の
厚さでメッキされた金メッキ細線を、 0.1mm間隔で45°
傾斜させて配列し、その先端が絶縁性シリコーンゴムの
表面より30μm 突出した状態で埋設して加熱硬化し、30
mm×30mm×１mmの大きさの、図１（ａ）に示す形状の異
方性コネクタを得た。この接続面（30mm×30mm）の片方
に、波長が 184.9nmと 253.7nmの紫外線を１分間同時照
射して、本発明の吸着防止異方性コネクタを得た。この
吸着防止異方性コネクタを電気回路基板間に挟持し、約
50％圧縮して接続し、 155℃で 244時間放置した後、電
気回路基板を開放したところ、紫外線を照射した接続面
は電気回路基板を吸着せず接続前と変わらなかったが、
紫外線を照射しなかった接続面は電気回路基板を吸着し
てしまって異方性コネクタを引き剥さないと取れなかっ
た。また、紫外線を照射した接続面では埃等の異物が付
着しても軽く払うだけで除去することができた。
【００１４】（実施例２）硬化後の硬度が50°Ｈとなる
絶縁性シリコーンゴム KE-153U（信越化学工業社製、商
品名）の厚さ 0.1mmのシートと、導電性シリコーンゴム
KE-3611U（同前）に厚さ 0.1mmのアルミニウム箔を接着
した導電体とを、交互に多重に積層して加熱硬化し、長
さ50mm×幅10mm×高さ５mmの大きさの図１（ｃ）に示す
形状の異方性コネクタを得た。この接続面（50mm×10m
m）の片方に、波長が 184.9nmと 253.7nmの紫外線を１
分間同時照射して、本発明の吸着防止異方性コネクタを
得た。この吸着防止異方性コネクタを電気回路基板間に
挟持し、約20％圧縮して接続し、 155℃で 244時間放置
したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
絶縁性シリコーンゴム KE-153U（信越化学工業社製、商
品名）の厚さ 0.1mmのシートと、導電性シリコーンゴム
KE-3611U（同前）に厚さ 0.1mmのアルミニウム箔を接着
した導電体とを、交互に多重に積層して加熱硬化し、長
さ50mm×幅10mm×高さ５mmの大きさの図１（ｃ）に示す
形状の異方性コネクタを得た。この接続面（50mm×10m
m）の片方に、波長が 184.9nmと 253.7nmの紫外線を１
分間同時照射して、本発明の吸着防止異方性コネクタを
得た。この吸着防止異方性コネクタを電気回路基板間に
挟持し、約20％圧縮して接続し、 155℃で 244時間放置
したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
【００１５】実施例１における紫外線照射前後の異方性
コネクタについて下記の特性を測定し比較した。 １）吸着試験：各異方性コネクタを下記の材質の板面に
置き、 0.5mm圧縮した状態で 155℃で１週間放置した後
の吸着状態を表１に示した。
コネクタについて下記の特性を測定し比較した。 １）吸着試験：各異方性コネクタを下記の材質の板面に
置き、 0.5mm圧縮した状態で 155℃で１週間放置した後
の吸着状態を表１に示した。
【表１】
【００１６】２）低分子シロキサン量（４〜20量体）の
ガスクロ定量： ・紫外線照射前… 73ppm ・紫外線照射後… 93ppm（表面にシリカが多く形成され
たためと考えられる） ３）表面層の化学構造変化（ＩＲ分析によるシリコーン
ゴムのＳｉ−Ｃ／Ｓｉ−Ｏピーク強度の比較）： ・紫外線照射前…0.65 ・紫外線照射後…0.56（Ｓｉ−Ｏの比率が増加した） ４）表面層の表面粗さ： ・紫外線照射前…Ｒmax 8.1 ・紫外線照射後…Ｒmax 13.3 ５）異方導電体の圧縮永久歪： ・紫外線照射前… 3.8％ ・紫外線照射後… 〃 ［安定した接続に必要な圧縮性
（ゴム特性）には何等影響しない］ ６）電子顕微鏡による表面状態の観察： ・紫外線照射前…図３（ａ） ・紫外線照射後…図３（ｂ）
ガスクロ定量： ・紫外線照射前… 73ppm ・紫外線照射後… 93ppm（表面にシリカが多く形成され
たためと考えられる） ３）表面層の化学構造変化（ＩＲ分析によるシリコーン
ゴムのＳｉ−Ｃ／Ｓｉ−Ｏピーク強度の比較）： ・紫外線照射前…0.65 ・紫外線照射後…0.56（Ｓｉ−Ｏの比率が増加した） ４）表面層の表面粗さ： ・紫外線照射前…Ｒmax 8.1 ・紫外線照射後…Ｒmax 13.3 ５）異方導電体の圧縮永久歪： ・紫外線照射前… 3.8％ ・紫外線照射後… 〃 ［安定した接続に必要な圧縮性
（ゴム特性）には何等影響しない］ ６）電子顕微鏡による表面状態の観察： ・紫外線照射前…図３（ａ） ・紫外線照射後…図３（ｂ）
【００１７】
【発明の効果】本発明の吸着防止異方性コネクタを用い
て電気回路基板等またはＩＣパッケージ等の接続を行う
と、これらの接続面との吸着がなくなり、電気回路基板
等またはＩＣパッケージ等の取り外しや交換が容易にな
る。また、吸着防止異方性コネクタの絶縁性シリコーン
ゴム（および導電性シリコーンゴム）の表面に異物等が
付着せず、たとえ付着しても容易に除去できるので、接
続時における接続抵抗のバラツキや接続が安定しない等
の接続不良をなくすことができる。
て電気回路基板等またはＩＣパッケージ等の接続を行う
と、これらの接続面との吸着がなくなり、電気回路基板
等またはＩＣパッケージ等の取り外しや交換が容易にな
る。また、吸着防止異方性コネクタの絶縁性シリコーン
ゴム（および導電性シリコーンゴム）の表面に異物等が
付着せず、たとえ付着しても容易に除去できるので、接
続時における接続抵抗のバラツキや接続が安定しない等
の接続不良をなくすことができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の吸着防止異
方性コネクタの製造に使用される、異方性コネクタの異
なる実施態様を、模式的に示す斜視図である。
方性コネクタの製造に使用される、異方性コネクタの異
なる実施態様を、模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の吸着防止異方性コネクタについて、ソ
ケットを用いた実装接続状態の一例を示す組立斜視図で
ある。
ケットを用いた実装接続状態の一例を示す組立斜視図で
ある。
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ実施例１における紫
外線照射前後の異方性コネクタについて、その表面状態
を電子顕微鏡で観察した結果を示す概略図である。
外線照射前後の異方性コネクタについて、その表面状態
を電子顕微鏡で観察した結果を示す概略図である。
【図４】従来の異方性コネクタを用いて２枚の電気回路
基板の回路間の接続を行うときの状態を示す縦断面図で
ある。
基板の回路間の接続を行うときの状態を示す縦断面図で
ある。
１ａ…金属細線等の導電体、 １ｂ…絶縁性シリコーンゴムにカーボン等を含有させた
導電性シリコーンゴムに、金属粒子等を配合してシート
状にした導電体、 １ｃ…絶縁性シリコーンゴムにカーボン等を含有させた
導電性シリコーンゴムに、金属箔を接着してシート状に
した導電体、 ２…絶縁性シリコーンゴム、 ３…金属箔、 ４…本発明の吸着防止異方性コネクタ、 ５…吸着防止異方性コネクタ付きソケット、 ６…ＩＣパッケージ、 ７…電気回路基板。
導電性シリコーンゴムに、金属粒子等を配合してシート
状にした導電体、 １ｃ…絶縁性シリコーンゴムにカーボン等を含有させた
導電性シリコーンゴムに、金属箔を接着してシート状に
した導電体、 ２…絶縁性シリコーンゴム、 ３…金属箔、 ４…本発明の吸着防止異方性コネクタ、 ５…吸着防止異方性コネクタ付きソケット、 ６…ＩＣパッケージ、 ７…電気回路基板。
Claims (2)
- 【請求項１】導電体を構成している金属の少なくとも一
部がシリコーンゴムの表面に露出している異方性コネク
タであって、金属の少なくとも一部が露出している表面
のシリコーンゴム表面層が紫外線照射面であることを特
徴とする表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタ。 - 【請求項２】異方性コネクタの金属の少なくとも一部が
露出している表面に波長が１８５±１ｎｍか２５４±１
ｎｍのいずれか、または両方の紫外線を照射し、金属の
少なくとも一部が露出している表面の表面層を改質する
ことにより、ガスクロマトグラフ定量によるシリコーン
ゴム中の低分子シロキサンの量が、照射前の量の１．５
〜２倍とすることを特徴とする表面が非吸着性の吸着防
止異方性コネクタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7140507A JP3020431B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7140507A JP3020431B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335471A JPH08335471A (ja) | 1996-12-17 |
| JP3020431B2 true JP3020431B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=15270262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7140507A Expired - Lifetime JP3020431B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 表面が非吸着性の吸着防止異方性コネクタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3020431B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990065491A (ko) * | 1998-01-14 | 1999-08-05 | 윤종용 | 이방성 도전 필름 구조 |
| JP2000195598A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ten Ltd | コネクタと基板の接続構造 |
| JP2000331538A (ja) | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Nitto Denko Corp | 異方導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP4295270B2 (ja) | 2005-11-16 | 2009-07-15 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ及び相手方コネクタ並びにそれらの組立体 |
| CN110416949A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-11-05 | 浩翔电气集团有限公司 | 一种使用寿命长的封闭母线槽 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169679U (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | 東レ株式会社 | エラスチツク・コネクタ− |
| JPH07108746B2 (ja) * | 1988-01-19 | 1995-11-22 | 株式会社明治ゴム化成 | ローラーの表面改質法 |
-
1995
- 1995-06-07 JP JP7140507A patent/JP3020431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08335471A (ja) | 1996-12-17 |
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