JP3013125B2 - 引き上げ成長方法及び装置 - Google Patents
引き上げ成長方法及び装置Info
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- JP3013125B2 JP3013125B2 JP4017960A JP1796092A JP3013125B2 JP 3013125 B2 JP3013125 B2 JP 3013125B2 JP 4017960 A JP4017960 A JP 4017960A JP 1796092 A JP1796092 A JP 1796092A JP 3013125 B2 JP3013125 B2 JP 3013125B2
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- crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、引き上げ成長方法及び
装置、特に、３元以上の化合物半導体の引き上げ成長方
法及び装置に関する。
装置、特に、３元以上の化合物半導体の引き上げ成長方
法及び装置に関する。
【０００２】従来、化合物半導体装置の製造に際して
は、２元結晶を基板として使用し、その上に２元以上の
化合物半導体の結晶層を成長させたものが使用されてい
る。しかし、２元基板と３元結晶との間の格子定数の差
による格子不整合の問題があるため、両者の間に格子整
合のための成長層を設けなければならない。この成長層
の形成を回避するために３元以上の化合物半導体の基板
が必要とされている。
は、２元結晶を基板として使用し、その上に２元以上の
化合物半導体の結晶層を成長させたものが使用されてい
る。しかし、２元基板と３元結晶との間の格子定数の差
による格子不整合の問題があるため、両者の間に格子整
合のための成長層を設けなければならない。この成長層
の形成を回避するために３元以上の化合物半導体の基板
が必要とされている。
【０００３】３元以上の化合物半導体を融液または溶液
（以下、融液と云う。）から引き上げ法を使用して成長
する過程において、溶質元素の分配係数の差に起因して
特定の溶質元素が成長とゝもに枯渇する。したがって、
枯渇する元素を補給することが均一な組成を有する３元
以上の化合物半導体結晶の基板を製造するために必要で
ある。
（以下、融液と云う。）から引き上げ法を使用して成長
する過程において、溶質元素の分配係数の差に起因して
特定の溶質元素が成長とゝもに枯渇する。したがって、
枯渇する元素を補給することが均一な組成を有する３元
以上の化合物半導体結晶の基板を製造するために必要で
ある。
【０００４】
【従来の技術】図５に引き上げ成長装置の構成図を示
す。図において、１はるつぼであり、２は融液であり、
３は補給する化合物半導体ソースであり、４はソースを
融液中に送入するソース送入手段であり、５は種結晶で
あり、６は種結晶５を融液に浸漬して引き上げる結晶引
き上げ手段であり、７は成長する結晶である。
す。図において、１はるつぼであり、２は融液であり、
３は補給する化合物半導体ソースであり、４はソースを
融液中に送入するソース送入手段であり、５は種結晶で
あり、６は種結晶５を融液に浸漬して引き上げる結晶引
き上げ手段であり、７は成長する結晶である。
【０００５】例えば、ＩｎＧａＡｓを成長させる場合、
融液２にはＧａＡｓとＩｎＡｓとの混合融液を使用し、
種結晶５としてはＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ単結晶を
使用し、ソース３としてはＧａＡｓを使用する。成長界
面の温度を一定に保持して、ソース３をソース送入手段
４を使用して融液２中に補給しながら、結晶引き上げ手
段６を使用して種結晶５を融液２に浸漬して引き上げ、
一定の組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶７を成長する。
融液２にはＧａＡｓとＩｎＡｓとの混合融液を使用し、
種結晶５としてはＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ単結晶を
使用し、ソース３としてはＧａＡｓを使用する。成長界
面の温度を一定に保持して、ソース３をソース送入手段
４を使用して融液２中に補給しながら、結晶引き上げ手
段６を使用して種結晶５を融液２に浸漬して引き上げ、
一定の組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶７を成長する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ソース３から融解した
ＧａＡｓが直ちに成長する結晶７近傍の融液に供給され
るため、結晶近傍の融液中のＧａＡｓ濃度が上昇し、融
液の過冷却度が増加する。このため、ＩｎＧａＡｓ結晶
の成長速度が速くなって成長する結晶の径が急激に大き
くなり、結晶径の制御が困難になる。また、結晶径が急
激に変動すると欠陥が導入され、甚だしい時には多結晶
となる。
ＧａＡｓが直ちに成長する結晶７近傍の融液に供給され
るため、結晶近傍の融液中のＧａＡｓ濃度が上昇し、融
液の過冷却度が増加する。このため、ＩｎＧａＡｓ結晶
の成長速度が速くなって成長する結晶の径が急激に大き
くなり、結晶径の制御が困難になる。また、結晶径が急
激に変動すると欠陥が導入され、甚だしい時には多結晶
となる。
【０００７】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、成長する結晶の径が急激に変動しないように、
また、欠陥が導入されないように３元化合物半導体結晶
を成長する引き上げ成長方法及びその方法に使用される
引き上げ成長装置を提供することにある。
にあり、成長する結晶の径が急激に変動しないように、
また、欠陥が導入されないように３元化合物半導体結晶
を成長する引き上げ成長方法及びその方法に使用される
引き上げ成長装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的のうち、引き
上げ成長方法は、元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３
元融液（２）中に、前記の元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとの
うちの少なくとも２つの元素よりなる化合物半導体のソ
ース（３）を補給しながら、前記の融液（２）中に浸漬
した種結晶（５）を引き上げて元素Ａと元素Ｂと元素Ｃ
とよりなる３元化合物半導体結晶（７）を引き上げ成長
する引き上げ成長方法において、前記の成長する結晶
（７）と前記のソース（３）との間に図１に示すように
少なくとも１つのスリット（９）を有する隔壁（８）を
設け、この隔壁（８）に設けられた前記のスリット
（９）を介して前記のソース（３）を前記の結晶（７）
近傍の融液に補給する引き上げ成長方法によって達成さ
れる。なお、元素Ａは元素Ｂを除くIII 族元素であり、
元素Ｂは元素Ａを除くIII 族元素であり、元素ＣはＶ族
元素であるか、または、元素ＡはIII 族元素であり、元
素Ｂは元素Ｃを除くＶ族元素であり、元素Ｃは元素Ｂを
除くＶ族元素であることが好ましい。また、前記のソー
ス（３）を前記の融液（２）中に一度に投入してもよ
く、または、前記のソース（３）を複数個所において前
記の融液（２）中に補給してもよい。さらに、前記のソ
ース（３）に電流を流すことが効果的である。
上げ成長方法は、元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３
元融液（２）中に、前記の元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとの
うちの少なくとも２つの元素よりなる化合物半導体のソ
ース（３）を補給しながら、前記の融液（２）中に浸漬
した種結晶（５）を引き上げて元素Ａと元素Ｂと元素Ｃ
とよりなる３元化合物半導体結晶（７）を引き上げ成長
する引き上げ成長方法において、前記の成長する結晶
（７）と前記のソース（３）との間に図１に示すように
少なくとも１つのスリット（９）を有する隔壁（８）を
設け、この隔壁（８）に設けられた前記のスリット
（９）を介して前記のソース（３）を前記の結晶（７）
近傍の融液に補給する引き上げ成長方法によって達成さ
れる。なお、元素Ａは元素Ｂを除くIII 族元素であり、
元素Ｂは元素Ａを除くIII 族元素であり、元素ＣはＶ族
元素であるか、または、元素ＡはIII 族元素であり、元
素Ｂは元素Ｃを除くＶ族元素であり、元素Ｃは元素Ｂを
除くＶ族元素であることが好ましい。また、前記のソー
ス（３）を前記の融液（２）中に一度に投入してもよ
く、または、前記のソース（３）を複数個所において前
記の融液（２）中に補給してもよい。さらに、前記のソ
ース（３）に電流を流すことが効果的である。
【０００９】上記の目的のうち、引き上げ成長方法は、
元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元融液（２）が注
入されるるつぼ（１）と、種結晶（５）を保持して前記
の融液（２）に浸漬し結晶（７）を引き上げ成長する結
晶引き上げ手段（６）と融液（２）中で枯渇する元素を
補給するソース（３）を送入するソース送入手段（４）
とを有する引き上げ成長装置において、前記のるつぼ
（１）内に前記の成長する結晶（７）と前記の補給する
ソース（３）とを離隔する筒状の隔壁（８）が設けら
れ、この隔壁（８）に少なくとも１つのスリット（９）
が形成されている引き上げ成長装置によって達成され
る。なお、図３に示すように前記の筒状の隔壁（８）に
は底板（11）が付設され、この底板（11）の前記の結晶
引き上げ手段（６）の中心軸上を含む少なくとも１個所
にスリット（12）が形成されるようにしてもよい。ま
た、前記の隔壁（８・11）の材料は前記の元素Ａと元素
Ｂと元素Ｃとよりなる３元融液（２）と反応しない材
料、例えば、カーボン、タングステン、シリコンカーバ
イトの群から選ばれた導電性の材料または石英、窒化ホ
ウソ、アルミナの群から選ばれた絶縁性の材料であるこ
とが好ましい。また、前記のソース（３）の形状は、前
記の結晶引き上げ手段（６）の中心軸を囲む筒状をなし
ていてもよい。
元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元融液（２）が注
入されるるつぼ（１）と、種結晶（５）を保持して前記
の融液（２）に浸漬し結晶（７）を引き上げ成長する結
晶引き上げ手段（６）と融液（２）中で枯渇する元素を
補給するソース（３）を送入するソース送入手段（４）
とを有する引き上げ成長装置において、前記のるつぼ
（１）内に前記の成長する結晶（７）と前記の補給する
ソース（３）とを離隔する筒状の隔壁（８）が設けら
れ、この隔壁（８）に少なくとも１つのスリット（９）
が形成されている引き上げ成長装置によって達成され
る。なお、図３に示すように前記の筒状の隔壁（８）に
は底板（11）が付設され、この底板（11）の前記の結晶
引き上げ手段（６）の中心軸上を含む少なくとも１個所
にスリット（12）が形成されるようにしてもよい。ま
た、前記の隔壁（８・11）の材料は前記の元素Ａと元素
Ｂと元素Ｃとよりなる３元融液（２）と反応しない材
料、例えば、カーボン、タングステン、シリコンカーバ
イトの群から選ばれた導電性の材料または石英、窒化ホ
ウソ、アルミナの群から選ばれた絶縁性の材料であるこ
とが好ましい。また、前記のソース（３）の形状は、前
記の結晶引き上げ手段（６）の中心軸を囲む筒状をなし
ていてもよい。
【００１０】
【作用】成長する結晶と融液中に補給されるソースとが
スリットを有する隔壁によって離隔されているので、融
液中に融解したソースは直ちに結晶近傍の融液に供給さ
れず、スリットを介してゆっくり供給されるため、結晶
近傍の融液の過冷却度の増加が防止される。その結果、
結晶径が急激に変動することが防止され、欠陥のない３
元化合物半導体結晶が成長する。
スリットを有する隔壁によって離隔されているので、融
液中に融解したソースは直ちに結晶近傍の融液に供給さ
れず、スリットを介してゆっくり供給されるため、結晶
近傍の融液の過冷却度の増加が防止される。その結果、
結晶径が急激に変動することが防止され、欠陥のない３
元化合物半導体結晶が成長する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の二つの実施
例に係る引き上げ成長方法及び装置について説明する。
例に係る引き上げ成長方法及び装置について説明する。
【００１２】第１実施例 図１に引き上げ成長装置の縦断面図を示し、図２にその
平面図を示す。図１・２において、１はるつぼであり、
２は融液であり、３は融液に補給されるソースであり、
４はソースを融液中に送入するソース送入手段であり、
５は種結晶であり、６は種結晶５を融液２に浸漬して引
き上げる結晶引き上げ手段であり、７は成長する結晶で
あり、８は結晶７とソース３とを離隔する隔壁であり、
少なくとも１箇所にスリット９が形成され、ロッド10に
よって上下に移動可能である。
平面図を示す。図１・２において、１はるつぼであり、
２は融液であり、３は融液に補給されるソースであり、
４はソースを融液中に送入するソース送入手段であり、
５は種結晶であり、６は種結晶５を融液２に浸漬して引
き上げる結晶引き上げ手段であり、７は成長する結晶で
あり、８は結晶７とソース３とを離隔する隔壁であり、
少なくとも１箇所にスリット９が形成され、ロッド10に
よって上下に移動可能である。
【００１３】内径１００ｍｍのるつぼ１にＧａＡｓ１１
１．２２２ｇとＩｎＡｓ９１．３３３ｇとを入れ、炉の
温度を１３８０℃に加熱してＩｎＧａＡｓ融液２を作製
する。ロッド10に固定された内径６０ｍｍの隔壁８を図
１に示す位置まで降下し、融液２を外側融液21と内側融
液22とに分離する。
１．２２２ｇとＩｎＡｓ９１．３３３ｇとを入れ、炉の
温度を１３８０℃に加熱してＩｎＧａＡｓ融液２を作製
する。ロッド10に固定された内径６０ｍｍの隔壁８を図
１に示す位置まで降下し、融液２を外側融液21と内側融
液22とに分離する。
【００１４】次に、炉の温度を１３４０℃まで降下し、
結晶引き上げ手段６に固定された種結晶５を内側融液22
に接触させ、炉の温度を除冷しながら結晶引き上げ手段
６を２ｍｍ／ｈの速度で引き上げ、結晶７の直径を徐々
に大きくする。結晶７の直径が５０ｍｍに到達したら炉
の温度を一定に保ち、ソース送入手段４に固定されたＧ
ａＡｓソース３を外側融液21に接触させる。接触後、Ｇ
ａＡｓソース３を２．８８１ｇ／ｈの速度で外側融液21
中に降下することによりＧａＡｓを融液中に補給する。
結晶７の直径が５０ｍｍであり、引き上げ速度が２ｍｍ
／ｈである場合には、ＧａＡｓソース３を２．８８１ｇ
／ｈの速度で融液中に補給すれば、融液の組成は一定と
なり変動しない。この状態を維持して２０時間成長する
ことにより、直径５０ｍｍ、長さ４０ｍｍのＩｎX Ｇａ
1-X Ａｓを成長することができた。成長した結晶の成長
長さ方向の組成比Ｘは、図６に示すように、Ｘ＝０．０
５とほゞ一定であった。
結晶引き上げ手段６に固定された種結晶５を内側融液22
に接触させ、炉の温度を除冷しながら結晶引き上げ手段
６を２ｍｍ／ｈの速度で引き上げ、結晶７の直径を徐々
に大きくする。結晶７の直径が５０ｍｍに到達したら炉
の温度を一定に保ち、ソース送入手段４に固定されたＧ
ａＡｓソース３を外側融液21に接触させる。接触後、Ｇ
ａＡｓソース３を２．８８１ｇ／ｈの速度で外側融液21
中に降下することによりＧａＡｓを融液中に補給する。
結晶７の直径が５０ｍｍであり、引き上げ速度が２ｍｍ
／ｈである場合には、ＧａＡｓソース３を２．８８１ｇ
／ｈの速度で融液中に補給すれば、融液の組成は一定と
なり変動しない。この状態を維持して２０時間成長する
ことにより、直径５０ｍｍ、長さ４０ｍｍのＩｎX Ｇａ
1-X Ａｓを成長することができた。成長した結晶の成長
長さ方向の組成比Ｘは、図６に示すように、Ｘ＝０．０
５とほゞ一定であった。
【００１５】なお、ＧａＡｓソース３を融液２中に降下
させることによってＧａＡｓソース３を融液中に融解さ
せるときに、ソース送入手段４と隔壁８に固定されたロ
ッド10との間に電流を流してＧａＡｓソース３の温度を
上昇させるようにすれば、ＧａＡｓソース３の融解をよ
り確実にすることができる。
させることによってＧａＡｓソース３を融液中に融解さ
せるときに、ソース送入手段４と隔壁８に固定されたロ
ッド10との間に電流を流してＧａＡｓソース３の温度を
上昇させるようにすれば、ＧａＡｓソース３の融解をよ
り確実にすることができる。
【００１６】第２実施例 図３に、引き上げ成長装置の縦断面図を示し、図４にそ
の平面図を示す。図１・図２で示したものと同一のもの
は同一記号で示してあり、11は筒状の隔壁８に設けられ
た底板であり、底板11の結晶引き上げ手段６の中心軸上
の位置にスリット12が形成されている。なお、スリット
12は結晶引き上げ手段６の中心軸上を含む複数個所に形
成してもよく、上記いずれの場合にも、第１実施例と同
様に均一な組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶を成長するこ
とができた。
の平面図を示す。図１・図２で示したものと同一のもの
は同一記号で示してあり、11は筒状の隔壁８に設けられ
た底板であり、底板11の結晶引き上げ手段６の中心軸上
の位置にスリット12が形成されている。なお、スリット
12は結晶引き上げ手段６の中心軸上を含む複数個所に形
成してもよく、上記いずれの場合にも、第１実施例と同
様に均一な組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶を成長するこ
とができた。
【００１７】なお、図３に記号13をもって示すように、
５７．６２ｇのＧａＡｓソースを外側融液21上に浮かす
ような状態で一度に供給することにより、ＧａＡｓソー
スの送入手段４を有しない装置においても同一径の均一
な組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶を成長することができ
た。
５７．６２ｇのＧａＡｓソースを外側融液21上に浮かす
ような状態で一度に供給することにより、ＧａＡｓソー
スの送入手段４を有しない装置においても同一径の均一
な組成を有するＩｎＧａＡｓ結晶を成長することができ
た。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る引き
上げ成長方法及び装置においては、成長する結晶と枯渇
する元素を補給するソースとの間に隔壁を設け、この隔
壁に設けられたスリットを介して枯渇する元素を結晶近
傍の融液に供給することによって、結晶近傍の融液の過
冷却度の上昇が防止されるので、成長する結晶の径の急
激な変動及び欠陥の発生が防止され、均一径の良質な３
元化合物半導体結晶を引き上げ成長することが可能であ
る。
上げ成長方法及び装置においては、成長する結晶と枯渇
する元素を補給するソースとの間に隔壁を設け、この隔
壁に設けられたスリットを介して枯渇する元素を結晶近
傍の融液に供給することによって、結晶近傍の融液の過
冷却度の上昇が防止されるので、成長する結晶の径の急
激な変動及び欠陥の発生が防止され、均一径の良質な３
元化合物半導体結晶を引き上げ成長することが可能であ
る。
【図１】本発明に係る引き上げ成長装置の縦断面図であ
る（第１実施例）。
る（第１実施例）。
【図２】本発明に係る引き上げ成長装置の平面図である
（第１実施例）。
（第１実施例）。
【図３】本発明に係る引き上げ成長装置の縦断面図であ
る（第２実施例）。
る（第２実施例）。
【図４】本発明に係る引き上げ成長装置の平面図である
（第２実施例）。
（第２実施例）。
【図５】従来技術に係る引き上げ成長装置の縦断面図で
ある。
ある。
【図６】成長したＩｎX Ｇａ1-X Ａｓの成長方向におけ
る組成比Ｘの測定値を示すグラフである。
る組成比Ｘの測定値を示すグラフである。
１ るつぼ ２ 融液 21 外側融液 22 内側融液 ３・13 ソース ４ ソース送入手段 ５ 種結晶 ６ 結晶引き上げ手段 ７ 結晶 ８ 隔壁 ９・12 スリット 10 ロッド 11 底板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−305089（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−85877（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−242481（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−139885（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (8)
- 【請求項１】 元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元
融液（２）中に、前記元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとのうち
のいずれかの元素よりなる化合物半導体のソース（３）
を浸漬することにより該元素を補給しながら、前記融液
（２）中に浸漬した種結晶（５）を引き上げて元素Ａと
元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元化合物半導体結晶（７）
を引き上げ成長する引き上げ成長方法において、 前記融液に浸漬した結晶（７）及びソース（３）との間
に少なくとも１つのスリット（９）を有する隔壁（８）
を設け、該隔壁（８）に設けられた前記スリット（９）
を介して前記ソース（３）より前記元素を前記結晶
（７）近傍の融液に補給することを特徴とする引き上げ
成長方法。 - 【請求項２】 前記ソース（３）を複数個所において前
記融液（２）中に浸漬することを特徴とする請求項１記
載の引き上げ成長方法。 - 【請求項３】 前記ソース（３）に電流を流すことを特
徴とする請求項１、または、２記載の引き上げ成長方
法。 - 【請求項４】 元素Ａと元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元
融液（２）が注入されるるつぼ（１）と、種結晶（５）
を保持して前記融液（２）に浸漬し結晶（７）を引き上
げ成長する結晶引き上げ手段（６）と融液（２）中で枯
渇する元素を補給するソース（３）を送入するソース送
入手段（４）とを有する引き上げ成長装置において、 前記るつぼ（１）内に前記成長する結晶（７）と前記補
給するソース（３）とを離隔する筒状の隔壁（８）が設
けられ、該隔壁（８）に少なくとも１つのスリット
（９）が形成されてなることを特徴とする引き上げ成長
装置。 - 【請求項５】 前記筒状の隔壁（８）には底板（11）が
付設され、該底板（11）の前記結晶引き上げ手段（６）
の中心軸上を含む少なくとも１個所にスリット（12）が
形成されてなることを特徴とする請求項４記載の引き上
げ成長装置。 - 【請求項６】 前記隔壁（８・11）の材料は前記元素Ａ
と元素Ｂと元素Ｃとよりなる３元融液（２）と反応しな
い材料であることを特徴とする請求項４、または、５記
載の引き上げ成長装置。 - 【請求項７】 前記隔壁（８・11）の材料は、カーボ
ン、タングステン、シリコンカーバイトの群から選ばれ
た導電性の材料または石英、窒化ホウソ、アルミナの群
から選ばれた絶縁性の材料よりなることを特徴とする請
求項４、５、または、６記載の引き上げ成長装置。 - 【請求項８】 前記ソース（３）の形状は、前記結晶引
き上げ手段（６）の中心軸を囲む筒状をなすことを特徴
とする請求項４、５、６、または、７記載の引き上げ成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017960A JP3013125B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 引き上げ成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017960A JP3013125B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 引き上げ成長方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05213689A JPH05213689A (ja) | 1993-08-24 |
| JP3013125B2 true JP3013125B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=11958316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017960A Expired - Lifetime JP3013125B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 引き上げ成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013125B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4017960A patent/JP3013125B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05213689A (ja) | 1993-08-24 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991116 |