JP3008832B2 - ワイパーブレード及びその製造方法 - Google Patents
ワイパーブレード及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車等に用いる
ワイパーブレードに関する。
ワイパーブレードに関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車等に用いられるゴム製のワイパー
ブレードでは、使用時にフロントガラス等との摺動によ
り異音が発生するのを避けるため、成形時にシリコン系
オイルを添加することで成形品全体に該オイルを含ませ
たり、成形後にモリブデンを含むオイルを塗布したりす
ることが行われている。
ブレードでは、使用時にフロントガラス等との摺動によ
り異音が発生するのを避けるため、成形時にシリコン系
オイルを添加することで成形品全体に該オイルを含ませ
たり、成形後にモリブデンを含むオイルを塗布したりす
ることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワイパーブレードを使用する場合、時間と共
にオイルの滲出量が低下し、異音が発生するようにな
る。このため使用開始後定期的にオイルを塗布しなけれ
ばならない。そこで本発明は、定期的にオイルを塗布し
なくても、相手方部材との摺動時に異音が発生し難いワ
イパーブレード及びその製造方法を提供することを課題
とする。
うな従来のワイパーブレードを使用する場合、時間と共
にオイルの滲出量が低下し、異音が発生するようにな
る。このため使用開始後定期的にオイルを塗布しなけれ
ばならない。そこで本発明は、定期的にオイルを塗布し
なくても、相手方部材との摺動時に異音が発生し難いワ
イパーブレード及びその製造方法を提供することを課題
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、ワイパーブレード基体の外表面に炭素膜が
形成されていることを特徴とするワイパーブレードを提
供する。また本発明は、ワイパーブレード基体の外表面
に炭素膜を形成することを特徴とするワイパーブレード
の製造方法を提供する。
に本発明は、ワイパーブレード基体の外表面に炭素膜が
形成されていることを特徴とするワイパーブレードを提
供する。また本発明は、ワイパーブレード基体の外表面
に炭素膜を形成することを特徴とするワイパーブレード
の製造方法を提供する。
【０００５】本発明のワイパーブレード及びその製造方
法によると、ゴムからなるワイパーブレード基体の外表
面に潤滑性に優れる炭素膜が形成されているため、自動
車のフロントガラス等の相手方部材とスムーズに摺動
し、異音が発生し難い。また、定期的なオイルの塗布を
必要としない。本発明におけるワイパーブレード基体の
材質は、自動車等の車両、船舶、航空機等の窓等で採用
されている水分等払拭用のワイパーに装着されるワイパ
ーブレードの材質と同様のものでよく、代表的にはゴム
を挙げることができる。いずれにしてもワイパーブレー
ドとして機能するものであれば、特に限定されない。
法によると、ゴムからなるワイパーブレード基体の外表
面に潤滑性に優れる炭素膜が形成されているため、自動
車のフロントガラス等の相手方部材とスムーズに摺動
し、異音が発生し難い。また、定期的なオイルの塗布を
必要としない。本発明におけるワイパーブレード基体の
材質は、自動車等の車両、船舶、航空機等の窓等で採用
されている水分等払拭用のワイパーに装着されるワイパ
ーブレードの材質と同様のものでよく、代表的にはゴム
を挙げることができる。いずれにしてもワイパーブレー
ドとして機能するものであれば、特に限定されない。
【０００６】また、前記炭素膜は、これが摺動する相手
方部材を傷つけないようにする上で、該部材より高硬度
なものであってはならない。すなわち、相手方部材との
摺動により、該部材を傷つけずしかも自身も摩耗しない
か、又は自身が摩耗するものとする。このような炭素膜
として、代表的には比較的高硬度なＤＬＣ (DiamondLik
e Carbon)膜を挙げることができる。相手方部材がガラ
ス製部材であるとき、このようなＤＬＣ膜を採用できる
が、そのＤＬＣ膜はガラス製部材より硬度が低いものの
方がよい。
方部材を傷つけないようにする上で、該部材より高硬度
なものであってはならない。すなわち、相手方部材との
摺動により、該部材を傷つけずしかも自身も摩耗しない
か、又は自身が摩耗するものとする。このような炭素膜
として、代表的には比較的高硬度なＤＬＣ (DiamondLik
e Carbon)膜を挙げることができる。相手方部材がガラ
ス製部材であるとき、このようなＤＬＣ膜を採用できる
が、そのＤＬＣ膜はガラス製部材より硬度が低いものの
方がよい。
【０００７】また、前記炭素膜の膜厚は、基体上に密着
性良く形成できる範囲内であればよい。また、本発明の
ワイパーブレードの製造方法において、前記炭素膜形成
に先立ち、前処理として、前記ワイパーブレード基体を
フッ素（Ｆ）含有ガス、水素（Ｈ2 ）ガス及び酸素ガス
（Ｏ2 ）ガスから選ばれた少なくとも１種のガスのプラ
ズマに曝すことが考えられる。また、本発明のワイパー
ブレードにおいても、前記ワイパーブレード基体が、こ
のような前処理を施されたものであることが考えられ
る。
性良く形成できる範囲内であればよい。また、本発明の
ワイパーブレードの製造方法において、前記炭素膜形成
に先立ち、前処理として、前記ワイパーブレード基体を
フッ素（Ｆ）含有ガス、水素（Ｈ2 ）ガス及び酸素ガス
（Ｏ2 ）ガスから選ばれた少なくとも１種のガスのプラ
ズマに曝すことが考えられる。また、本発明のワイパー
ブレードにおいても、前記ワイパーブレード基体が、こ
のような前処理を施されたものであることが考えられ
る。
【０００８】前記フッ素含有ガスとしては、フッ素（Ｆ
2 ）ガス、３フッ化窒素（ＮＦ3 ）ガス、６フッ化硫黄
（ＳＦ6 ）ガス、４フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス、４フッ
化ケイ素（ＳｉＦ4 ）ガス、６フッ化２ケイ素（Ｓｉ2
Ｆ6 ）ガス、３フッ化塩素（ＣｌＦ3 ）ガス、フッ化水
素（ＨＦ）ガス等を挙げることができる。前記ワイパー
ブレード基体を、前記ガスのプラズマに曝すことによ
り、基体表面が清浄化され、又はさらに基体表面粗度が
向上する。これらは、炭素膜の密着性向上に寄与する。
2 ）ガス、３フッ化窒素（ＮＦ3 ）ガス、６フッ化硫黄
（ＳＦ6 ）ガス、４フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス、４フッ
化ケイ素（ＳｉＦ4 ）ガス、６フッ化２ケイ素（Ｓｉ2
Ｆ6 ）ガス、３フッ化塩素（ＣｌＦ3 ）ガス、フッ化水
素（ＨＦ）ガス等を挙げることができる。前記ワイパー
ブレード基体を、前記ガスのプラズマに曝すことによ
り、基体表面が清浄化され、又はさらに基体表面粗度が
向上する。これらは、炭素膜の密着性向上に寄与する。
【０００９】フッ素含有ガスプラズマを採用するとき
は、これによって基体表面がフッ素終端され、水素ガス
プラズマを採用するときはこれによって基体表面が水素
終端される。フッ素−炭素結合及び水素−炭素結合は安
定であるため、前記のように終端処理することで膜中の
炭素原子が基体表面部分のフッ素原子又は水素原子と安
定に結合を形成する。そしてこれらのことから、その後
形成する炭素膜と前記基体との密着性を向上させること
ができる。また、酸素ガスプラズマを採用するときは、
基体表面に付着した有機物等の汚れを特に効率良く除去
でき、これらのことからその後形成する炭素膜と前記基
体との密着性を向上させることができる。
は、これによって基体表面がフッ素終端され、水素ガス
プラズマを採用するときはこれによって基体表面が水素
終端される。フッ素−炭素結合及び水素−炭素結合は安
定であるため、前記のように終端処理することで膜中の
炭素原子が基体表面部分のフッ素原子又は水素原子と安
定に結合を形成する。そしてこれらのことから、その後
形成する炭素膜と前記基体との密着性を向上させること
ができる。また、酸素ガスプラズマを採用するときは、
基体表面に付着した有機物等の汚れを特に効率良く除去
でき、これらのことからその後形成する炭素膜と前記基
体との密着性を向上させることができる。
【００１０】本発明において、炭素膜形成に先立って行
うプラズマによる被成膜基体の前処理は、同種類のプラ
ズマを用いて或いは異なる種類のプラズマを用いて複数
回行っても構わない。例えば、基体を酸素ガスプラズマ
に曝した後、フッ素含有ガスプラズマ又は水素ガスプラ
ズマに曝し、さらにその上に炭素膜を形成するときに
は、基体表面がクリーニングされた後、該面がフッ素終
端又は水素終端されて、その後形成する炭素膜と該基体
との密着性は非常に良好なものとなる。
うプラズマによる被成膜基体の前処理は、同種類のプラ
ズマを用いて或いは異なる種類のプラズマを用いて複数
回行っても構わない。例えば、基体を酸素ガスプラズマ
に曝した後、フッ素含有ガスプラズマ又は水素ガスプラ
ズマに曝し、さらにその上に炭素膜を形成するときに
は、基体表面がクリーニングされた後、該面がフッ素終
端又は水素終端されて、その後形成する炭素膜と該基体
との密着性は非常に良好なものとなる。
【００１１】また、本発明方法における炭素膜形成方法
としては、ゴム等の比較的耐熱性に劣る材料からなる被
成膜基体に熱的損傷を与えない温度範囲で膜形成できる
方法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等を挙げることができるが、特に
プラズマＣＶＤ法を用いる場合は、被成膜基体のプラズ
マによる前処理と炭素膜形成とを同一の装置で行うこと
ができる。また、本発明のワイパーブレードにおける炭
素膜は同様に、プラズマＣＶＤ法により形成されたもの
であることが考えられる。
としては、ゴム等の比較的耐熱性に劣る材料からなる被
成膜基体に熱的損傷を与えない温度範囲で膜形成できる
方法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等を挙げることができるが、特に
プラズマＣＶＤ法を用いる場合は、被成膜基体のプラズ
マによる前処理と炭素膜形成とを同一の装置で行うこと
ができる。また、本発明のワイパーブレードにおける炭
素膜は同様に、プラズマＣＶＤ法により形成されたもの
であることが考えられる。
【００１２】プラズマＣＶＤ法により炭素膜を形成する
場合のプラズマ原料ガスとしては、炭素膜形成に一般に
用いられるメタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プ
ロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ブタン（Ｃ4 Ｈ10）、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、ベンゼン（Ｃ 6 Ｈ6 ）等の炭化水素化合
物ガス、及び必要に応じて、これらの炭化水素化合物ガ
スにキャリアガスとして水素ガス、不活性ガス等を混合
したものを用いることができる。
場合のプラズマ原料ガスとしては、炭素膜形成に一般に
用いられるメタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プ
ロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ブタン（Ｃ4 Ｈ10）、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、ベンゼン（Ｃ 6 Ｈ6 ）等の炭化水素化合
物ガス、及び必要に応じて、これらの炭化水素化合物ガ
スにキャリアガスとして水素ガス、不活性ガス等を混合
したものを用いることができる。
【００１３】なお、本発明のワイパーブレードは、各種
車両、船舶、航空機の窓等におけるワイパーブレードの
他、窓ガラス清掃用のワイパーその他のワイパーにも採
用できる。また、炭素膜はワイパーブレード基体の外表
面に形成されているが、その場合、必要に応じ全外表面
にわたって形成されていても、或いは全外表面のうちの
一部（特に水分等の払拭に直接寄与する部分）に形成さ
れていてもよい。
車両、船舶、航空機の窓等におけるワイパーブレードの
他、窓ガラス清掃用のワイパーその他のワイパーにも採
用できる。また、炭素膜はワイパーブレード基体の外表
面に形成されているが、その場合、必要に応じ全外表面
にわたって形成されていても、或いは全外表面のうちの
一部（特に水分等の払拭に直接寄与する部分）に形成さ
れていてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明に係るワイパーブレ
ードの１例の１部の斜視図である。このワイパーブレー
ドＷＢは、使用時に相手方部材と摺動する摺動部ＷＢ１
とワイパーアームＡの溝Ａ１に嵌められて摺動部ＷＢ１
を支持する支持部ＷＢ２とからなり、摺動部ＷＢ１は表
面部分に炭素膜が形成されている。このワイパーブレー
ドＷＢは、摺動部ＷＢ１の表面部分に形成された炭素膜
が潤滑性に優れるため、相手方部材との摺動時に異音が
発生し難い。
を参照して説明する。図１は本発明に係るワイパーブレ
ードの１例の１部の斜視図である。このワイパーブレー
ドＷＢは、使用時に相手方部材と摺動する摺動部ＷＢ１
とワイパーアームＡの溝Ａ１に嵌められて摺動部ＷＢ１
を支持する支持部ＷＢ２とからなり、摺動部ＷＢ１は表
面部分に炭素膜が形成されている。このワイパーブレー
ドＷＢは、摺動部ＷＢ１の表面部分に形成された炭素膜
が潤滑性に優れるため、相手方部材との摺動時に異音が
発生し難い。
【００１５】図２は本発明に係るワイパーブレードの製
造に用いることができる成膜装置の概略構成を示す図で
ある。この装置は、排気装置１１が付設された真空チャ
ンバ１を有し、チャンバ１内には基体ホルダを兼ねる電
極２及びこれに対向する位置に電極３が設置されてい
る。電極３は接地され、電極２にはマッチングボックス
２２を介して高周波電源２３が接続されている。また、
電極２にはヒータ２１が付設されており、電極２に支持
される被成膜基体Ｓを所定の成膜温度に加熱することが
できる。また、チャンバ１にはガス供給部４が付設され
て、内部にプラズマ原料ガスを導入できるようになって
いる。ガス供給部４には、マスフローコントローラ４１
１、４１２・・・及び弁４２１、４２２・・・を介して
接続された１又は２以上のプラズマ原料ガスのガス源４
３１、４３２・・・が含まれる。
造に用いることができる成膜装置の概略構成を示す図で
ある。この装置は、排気装置１１が付設された真空チャ
ンバ１を有し、チャンバ１内には基体ホルダを兼ねる電
極２及びこれに対向する位置に電極３が設置されてい
る。電極３は接地され、電極２にはマッチングボックス
２２を介して高周波電源２３が接続されている。また、
電極２にはヒータ２１が付設されており、電極２に支持
される被成膜基体Ｓを所定の成膜温度に加熱することが
できる。また、チャンバ１にはガス供給部４が付設され
て、内部にプラズマ原料ガスを導入できるようになって
いる。ガス供給部４には、マスフローコントローラ４１
１、４１２・・・及び弁４２１、４２２・・・を介して
接続された１又は２以上のプラズマ原料ガスのガス源４
３１、４３２・・・が含まれる。
【００１６】この装置を用いて本発明に係るワイパーブ
レードを製造するにあたっては、ワイパーブレード基体
Ｓを真空チャンバ１内に搬入し、相手方部材との摺動部
分が電極３と相対するように基体ホルダ２に支持させ、
排気装置１１の運転にてチャンバ１内部を所定の真空度
にする。次いで、ガス供給部４からチャンバ１内にフッ
素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち１種以上のガ
スを前処理用ガスとして導入するとともに高周波電源２
３からマッチングボックス２２を介して電極２に高周波
電力を供給し、これにより前記導入した前処理用ガスを
プラズマ化し、該プラズマの下で基体Ｓの表面処理を行
う。
レードを製造するにあたっては、ワイパーブレード基体
Ｓを真空チャンバ１内に搬入し、相手方部材との摺動部
分が電極３と相対するように基体ホルダ２に支持させ、
排気装置１１の運転にてチャンバ１内部を所定の真空度
にする。次いで、ガス供給部４からチャンバ１内にフッ
素含有ガス、水素ガス及び酸素ガスのうち１種以上のガ
スを前処理用ガスとして導入するとともに高周波電源２
３からマッチングボックス２２を介して電極２に高周波
電力を供給し、これにより前記導入した前処理用ガスを
プラズマ化し、該プラズマの下で基体Ｓの表面処理を行
う。
【００１７】次いで、必要に応じてチャンバ１内を再び
真空引きした後、ガス供給部４からチャンバ１内に成膜
用原料ガスとして炭化水素化合物ガスを導入するととも
に高周波電源２３から電極２に高周波電力を供給し、こ
れにより前記導入した炭化水素化合物ガスをプラズマ化
し、該プラズマの下でワイパーブレード基体Ｓの相手方
部材との摺動部分の表面に炭素膜を形成する。
真空引きした後、ガス供給部４からチャンバ１内に成膜
用原料ガスとして炭化水素化合物ガスを導入するととも
に高周波電源２３から電極２に高周波電力を供給し、こ
れにより前記導入した炭化水素化合物ガスをプラズマ化
し、該プラズマの下でワイパーブレード基体Ｓの相手方
部材との摺動部分の表面に炭素膜を形成する。
【００１８】以上説明した本発明のワイパーブレードの
製造方法によると、成膜に先立ちゴムからなる基体Ｓ表
面をフッ素含有ガスプラズマ、水素ガスプラズマ及び酸
素ガスプラズマの１又は２以上に曝すことで、基体Ｓ表
面のクリーニングが行われたり、基体Ｓ表面粗度が向上
したりすると共に、フッ素含有ガスプラズマ又は（及
び）水素ガスプラズマを採用するときには基体Ｓ表面の
フッ素終端又は（及び）水素終端が行われ、酸素ガスプ
ラズマを採用するときには基体Ｓ表面に付着した有機物
等の汚れを特に効率良く除去され、これらにより炭素膜
と基体Ｓとの密着性は良好なものとなる。
製造方法によると、成膜に先立ちゴムからなる基体Ｓ表
面をフッ素含有ガスプラズマ、水素ガスプラズマ及び酸
素ガスプラズマの１又は２以上に曝すことで、基体Ｓ表
面のクリーニングが行われたり、基体Ｓ表面粗度が向上
したりすると共に、フッ素含有ガスプラズマ又は（及
び）水素ガスプラズマを採用するときには基体Ｓ表面の
フッ素終端又は（及び）水素終端が行われ、酸素ガスプ
ラズマを採用するときには基体Ｓ表面に付着した有機物
等の汚れを特に効率良く除去され、これらにより炭素膜
と基体Ｓとの密着性は良好なものとなる。
【００１９】次に、図２の装置を用いてウレタンゴムか
らなるワイパーブレード基体Ｓ上にＤＬＣ膜を形成した
本発明実施の具体例を説明する。 実施例１ 前述した、図２の装置を用いたワイパーブレードの製造
において、ガスプラズマによるワイパーブレード基体Ｓ
の前処理を行わず、基体Ｓの相手方部材との摺動部分の
表面に直接ＤＬＣ膜を形成した。
らなるワイパーブレード基体Ｓ上にＤＬＣ膜を形成した
本発明実施の具体例を説明する。 実施例１ 前述した、図２の装置を用いたワイパーブレードの製造
において、ガスプラズマによるワイパーブレード基体Ｓ
の前処理を行わず、基体Ｓの相手方部材との摺動部分の
表面に直接ＤＬＣ膜を形成した。
【００２０】 被成膜基体Ｓ材質 ウレタンゴム 摺動部分サイズ 厚さ５ｍｍ×２０ｍｍ×長さ４００ｍｍ 高周波電極２サイズ 直径２８０ｍｍ 成膜条件 成膜用原料ガス メタン（ＣＨ4 ） ５０ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 成膜真空度 ０．１Ｔｏｒｒ 成膜速度 ７００Å／ｍｉｎ 成膜時間 １０ｍｉｎ 実施例２ 前記実施例１において、成膜に先立ち、基体Ｓに次の条
件で水素ガスプラズマによる前処理を施した。成膜条件
は前記実施例と同様とした。
件で水素ガスプラズマによる前処理を施した。成膜条件
は前記実施例と同様とした。
【００２１】 前処理条件 前処理用ガス 水素（Ｈ2 ） ５０ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 処理真空度 ０．１Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ 実施例３ 前記実施例１において、成膜に先立ち、基体Ｓに次の条
件でフッ素化合物ガスプラズマによる前処理を施した。
成膜条件は前記実施例１と同様とした。
件でフッ素化合物ガスプラズマによる前処理を施した。
成膜条件は前記実施例１と同様とした。
【００２２】 前処理条件 前処理用ガス ６フッ化硫黄（ＳＦ6 ） ５０ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 処理真空度 ０．１５Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ 実施例４ 前記実施例１において、成膜に先立ち、基体Ｓに次の条
件で酸素ガスプラズマによる第１の前処理を施し、さら
に水素ガスプラズマによる第２の前処理を施した。成膜
条件は前記実施例１と同様とした。
件で酸素ガスプラズマによる第１の前処理を施し、さら
に水素ガスプラズマによる第２の前処理を施した。成膜
条件は前記実施例１と同様とした。
【００２３】 第１前処理条件 前処理用ガス 酸素（Ｏ2 ） １００ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ 処理真空度 ０．１Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ 第２前処理条件 前処理用ガス 水素（Ｈ2 ） ５０ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 処理真空度 ０．１Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ 実施例５ 前記実施例１において、成膜に先立ち、基体Ｓに次の条
件で酸素ガスプラズマによる第１の前処理を施し、さら
にフッ素化合物ガスプラズマによる第２の前処理を施し
た。成膜条件は前記実施例１と同様とした。
件で酸素ガスプラズマによる第１の前処理を施し、さら
にフッ素化合物ガスプラズマによる第２の前処理を施し
た。成膜条件は前記実施例１と同様とした。
【００２４】 第１前処理条件 前処理用ガス 酸素（Ｏ2 ） １００ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ 処理真空度 ０．１Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ 第２前処理条件 前処理用ガス ６フッ化硫黄（ＳＦ6 ） ５０ｓｃｃｍ 高周波電力 周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 処理真空度 ０．１５Ｔｏｒｒ 処理時間 ５ｍｉｎ また、比較例として、ウレタンゴムからなる厚さ５ｍｍ
×２０ｍｍ×長さ４００ｍｍのワイパーブレードであっ
て、シリコンオイルを全重量の３％添加して成型したも
の（比較例１）及びウレタンゴムからなる厚さ５ｍｍ×
２０ｍｍ×長さ４００ｍｍのワイパーブレードであっ
て、表面にモリブデン含有オイルを塗布したもの（比較
例２）を用意した。
×２０ｍｍ×長さ４００ｍｍのワイパーブレードであっ
て、シリコンオイルを全重量の３％添加して成型したも
の（比較例１）及びウレタンゴムからなる厚さ５ｍｍ×
２０ｍｍ×長さ４００ｍｍのワイパーブレードであっ
て、表面にモリブデン含有オイルを塗布したもの（比較
例２）を用意した。
【００２５】次に、前記実施例１、２、３、４、５によ
り得られたワイパーブレード及び比較例１、２のワイパ
ーブレードをワイパーアームに嵌めて実際に自動車に装
着し、１秒間に１往復の速度でフロントガラスと摺動さ
せて、摺動開始から異音が発生するまでの時間を測定し
た。結果を次表に示す。
り得られたワイパーブレード及び比較例１、２のワイパ
ーブレードをワイパーアームに嵌めて実際に自動車に装
着し、１秒間に１往復の速度でフロントガラスと摺動さ
せて、摺動開始から異音が発生するまでの時間を測定し
た。結果を次表に示す。
【００２６】 次に、前記実施例１、２、３、４、５により得られたワ
イパーブレードにおける各ＤＬＣ膜の基体との密着性を
評価した。膜密着性は、円柱状部材を接着剤を用いて膜
表面に接合させ、該円柱状部材を膜に対して垂直方向に
引っ張って該膜を基体Ｓから剥離させ、剥離に要した力
を測定する引っ張り法により評価した。
イパーブレードにおける各ＤＬＣ膜の基体との密着性を
評価した。膜密着性は、円柱状部材を接着剤を用いて膜
表面に接合させ、該円柱状部材を膜に対して垂直方向に
引っ張って該膜を基体Ｓから剥離させ、剥離に要した力
を測定する引っ張り法により評価した。
【００２７】結果を次表に示す。 このように、ＤＬＣ膜を被覆した本発明実施例１〜５の
ワイパーブレードでは、比較例１、２のワイパーブレー
ドより異音発生開始までの時間が非常に長かった。
ワイパーブレードでは、比較例１、２のワイパーブレー
ドより異音発生開始までの時間が非常に長かった。
【００２８】また、各ＤＬＣ膜の基体への密着強度は、
ＤＬＣ膜形成に先立ち、基体に対しプラズマによる前処
理を施した実施例２〜５のワイパーブレードの方が前処
理を施さない実施例１のワイパーブレードよりも大きか
った。また、これに対応して実施例２〜５のワイパーブ
レードの方が実施例１のワイパーブレードより異音発生
開始までの時間が長かった。
ＤＬＣ膜形成に先立ち、基体に対しプラズマによる前処
理を施した実施例２〜５のワイパーブレードの方が前処
理を施さない実施例１のワイパーブレードよりも大きか
った。また、これに対応して実施例２〜５のワイパーブ
レードの方が実施例１のワイパーブレードより異音発生
開始までの時間が長かった。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明は、定期的にオイル
を塗布しなくても、相手方部材との摺動時に異音が発生
し難いワイパーブレード及びその製造方法を提供するこ
とができる。
を塗布しなくても、相手方部材との摺動時に異音が発生
し難いワイパーブレード及びその製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明に係るワイパーブレードの一部の斜視図
である。
である。
【図２】本発明に係るワイパーブレードの製造に用いる
ことができる成膜装置の１例の概略構成を示す図であ
る。
ことができる成膜装置の１例の概略構成を示す図であ
る。
１ 真空チャンバ １１ 排気装置 ２ 基体ホルダ兼高周波電極 ２１ ヒータ ２２ マッチングボックス ２３ 高周波電源 ３ 接地電極 ４ プラズマ原料ガス供給部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/26 B60S 1/38 C30B 29/04 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (10)
- 【請求項１】 ワイパーブレード基体の外表面に炭素膜
が形成されていることを特徴とするワイパーブレード。 - 【請求項２】 前記ワイパーブレード基体が、フッ素
（Ｆ）含有ガス、水素（Ｈ2 ）ガス及び酸素（Ｏ2 ）ガ
スから選ばれた少なくとも１種のガスのプラズマに曝さ
れたものである請求項１記載のワイパーブレード。 - 【請求項３】 前記炭素膜が、プラズマＣＶＤ法により
形成されたものである請求項１又は２記載のワイパーブ
レード。 - 【請求項４】 前記炭素膜がＤＬＣ膜である請求項１、
２又は３記載のワイパーブレード。 - 【請求項５】 前記ワイパーブレード基体の材質がゴム
である請求項１、２、３又は４記載のワイパーブレー
ド。 - 【請求項６】 ワイパーブレード基体の外表面に炭素膜
を形成することを特徴とするワイパーブレードの製造方
法。 - 【請求項７】 前記炭素膜形成に先立ち、前処理とし
て、前記ワイパーブレード基体をフッ素（Ｆ）含有ガ
ス、水素（Ｈ2 ）ガス及び酸素（Ｏ2 ）ガスから選ばれ
た少なくとも１種のガスのプラズマに曝す請求項６記載
のワイパーブレードの製造方法。 - 【請求項８】 前記炭素膜をプラズマＣＶＤ法により形
成する請求項６又は７記載のワイパーブレードの製造方
法。 - 【請求項９】 前記炭素膜をＤＬＣ膜とする請求項６、
７又は８記載のワイパーブレードの製造方法。 - 【請求項１０】 前記ワイパーブレード基体の材質がゴ
ムである請求項６、７、８又は９記載のワイパーブレー
ドの製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7285112A JP3008832B2 (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | ワイパーブレード及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09125253A JPH09125253A (ja) | 1997-05-13 |
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Family Applications (1)
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-
1995
- 1995-11-01 JP JP7285112A patent/JP3008832B2/ja not_active Expired - Fee Related
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