JP3005230B2 - チタン系材料のドライエッチング方法 - Google Patents
チタン系材料のドライエッチング方法Info
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- JP3005230B2 JP3005230B2 JP1147924A JP14792489A JP3005230B2 JP 3005230 B2 JP3005230 B2 JP 3005230B2 JP 1147924 A JP1147924 A JP 1147924A JP 14792489 A JP14792489 A JP 14792489A JP 3005230 B2 JP3005230 B2 JP 3005230B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チタン系材料のドライエッチング方法に関
し、特に、塩素系ガスによりチタン系材料をエッチング
するドライエッチング方法に関する。
し、特に、塩素系ガスによりチタン系材料をエッチング
するドライエッチング方法に関する。
本発明はチタン系材料をエッチングする場合に汎用で
き、例えば、半導体装置等の電子材料の製造プロセスに
おけるチタン系材料のドライエッチング方法として利用
することができる。
き、例えば、半導体装置等の電子材料の製造プロセスに
おけるチタン系材料のドライエッチング方法として利用
することができる。
本発明は、チタン系材料を塩素系ガスによりドライエ
ッチングするチタン系材料のドライエッチング方法にお
いて、該ドライエッチングに際し、発光スペクトルの強
度変化をエッチング終点検出に用いることによって、適
正なエッチング終了時点を得られるようにし、もって適
正なエッチングを達成できるようにしたものである。
ッチングするチタン系材料のドライエッチング方法にお
いて、該ドライエッチングに際し、発光スペクトルの強
度変化をエッチング終点検出に用いることによって、適
正なエッチング終了時点を得られるようにし、もって適
正なエッチングを達成できるようにしたものである。
近年、チタン系材料、即ちチタン、チタン化合物、及
びこれらの少なくともいずれかを成分として含む材料
（例えばチタン合金など）が、各種の分野で用いられる
ようになっている。
びこれらの少なくともいずれかを成分として含む材料
（例えばチタン合金など）が、各種の分野で用いられる
ようになっている。
例えば、半導体装置の分野で言えば、ULSI等の配線の
微細化に伴い、最近チタンまたはチタン化合物を配線の
積層材料に使うことが増加して来ている。その代表的な
例としては、バリアメタル構造がある。バリアメタル構
造とは、一般に、半導体層の拡散層との電気的コンタク
トを正常に得るために形成される構造であって、シリコ
ン半導体装置を例にとれば、シリコンの拡散層との正常
な接続をとるために、該シリコン拡散層上にTi/TiN/Al
−Si構造をとったり、Ti/TiN/Cu構造をとったり、またT
iW/Al−Si構造をとったりする構成が知られている。な
おここで、TiNはチタンナイトライド即ちチタンの窒化
物であり、TiWはチタンタングステン合金（金属間化合
物）である。またAl−Siはアルミニウム−シリコン合金
であって、通常、Siが1wt％程度のものが用いられる。
また、TiNに代えて、TiON（チタンの酸化窒化物）を用
いる構造も知られている。
微細化に伴い、最近チタンまたはチタン化合物を配線の
積層材料に使うことが増加して来ている。その代表的な
例としては、バリアメタル構造がある。バリアメタル構
造とは、一般に、半導体層の拡散層との電気的コンタク
トを正常に得るために形成される構造であって、シリコ
ン半導体装置を例にとれば、シリコンの拡散層との正常
な接続をとるために、該シリコン拡散層上にTi/TiN/Al
−Si構造をとったり、Ti/TiN/Cu構造をとったり、またT
iW/Al−Si構造をとったりする構成が知られている。な
おここで、TiNはチタンナイトライド即ちチタンの窒化
物であり、TiWはチタンタングステン合金（金属間化合
物）である。またAl−Siはアルミニウム−シリコン合金
であって、通常、Siが1wt％程度のものが用いられる。
また、TiNに代えて、TiON（チタンの酸化窒化物）を用
いる構造も知られている。
チタン系材料を例えば上記のようにバリアメタルとし
て使用するなどの場合、該チタン系材料をドライエッチ
ングすることがほぼ不可避的に必要である。ところが、
このようなチタン系材料、特にチタン、またはチタン化
合物のドライエッチングについては、そのエッチングの
終点判定が難しいという問題がある。即ち、エッチング
終点判定法として良いものが知られていないのが現状で
ある。
て使用するなどの場合、該チタン系材料をドライエッチ
ングすることがほぼ不可避的に必要である。ところが、
このようなチタン系材料、特にチタン、またはチタン化
合物のドライエッチングについては、そのエッチングの
終点判定が難しいという問題がある。即ち、エッチング
終点判定法として良いものが知られていないのが現状で
ある。
従来知られている技術をもとにして、この種のエッチ
ングの終点判定に応用して使えそうな技術としては、下
記のようなものが考えられる。
ングの終点判定に応用して使えそうな技術としては、下
記のようなものが考えられる。
レーザー光（例えばHe−Neレーザー光）をエッチング
面に照射し、反射光の強度変化を見る。
面に照射し、反射光の強度変化を見る。
質量分析装置によりチタンの原子量（Ｍ＝49）をモニ
ターする。
ターする。
目視で下地が露出するのを判定する。
しかしこれらの内、は毎回エッチング前に光軸をエ
ッチング面に合わせる必要がある。は装置が大がかり
になる。は個人差があるなど、自動化できないという
欠点がある。
ッチング面に合わせる必要がある。は装置が大がかり
になる。は個人差があるなど、自動化できないという
欠点がある。
また、タングステン等のドライエッチングにおいて、
発光スペクトルをモニターする技術が提案されているが
（特開昭60−39175号公報参照）、これはフッ素系ガス
をエッチングガスとして用いてしかもガス系の発光スペ
クトルをモニターするものであるので、チタン系材料を
塩素系ガスによりエッチングする場合には適用し難い。
発光スペクトルをモニターする技術が提案されているが
（特開昭60−39175号公報参照）、これはフッ素系ガス
をエッチングガスとして用いてしかもガス系の発光スペ
クトルをモニターするものであるので、チタン系材料を
塩素系ガスによりエッチングする場合には適用し難い。
このように、それぞれに問題点を有しているのであっ
て、適正なエッチング終点判定法の開発が望まれてい
る。
て、適正なエッチング終点判定法の開発が望まれてい
る。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、本発明の
目的は、チタン系材料のドライエッチングにおいて、適
正なエッチング終点を正確に知ることができる技術を提
供することにある。
目的は、チタン系材料のドライエッチングにおいて、適
正なエッチング終点を正確に知ることができる技術を提
供することにある。
本発明のドライエッチング方法は、チタン系材料を塩
素系ガスによりドライエッチングするチタン系材料のド
ライエッチング方法において、該ドライエッチングに際
し、波長領域410〜420nmの範囲全域の波長についての発
光スペクトルの強度変化をエッチング終点検出に用いる
構成としたものである。すなわち本発明においては、波
長領域410〜420nmの範囲全域の波長について、その全体
としての発光スペクトルの強度変化を検知し、これをエ
ッチング終点検出に用いる。
素系ガスによりドライエッチングするチタン系材料のド
ライエッチング方法において、該ドライエッチングに際
し、波長領域410〜420nmの範囲全域の波長についての発
光スペクトルの強度変化をエッチング終点検出に用いる
構成としたものである。すなわち本発明においては、波
長領域410〜420nmの範囲全域の波長について、その全体
としての発光スペクトルの強度変化を検知し、これをエ
ッチング終点検出に用いる。
ここでチタン系材料とは、チタン、及びTiO、TiN、Ti
ON等のチタン化合物、及びTiW等のチタン合金（ないし
金属間化合物）、及びこれらを成分として有するものの
総称である。
ON等のチタン化合物、及びTiW等のチタン合金（ないし
金属間化合物）、及びこれらを成分として有するものの
総称である。
本発明の作用を、後記実施例を説明するために用いる
第１図の発光スペクトル図の例示を用いて説明すると、
次のとおりである。第１図に符号（ａ）で示すのはチタ
ン系材料（図示例示ではチタン）のエッチング時の発光
スペクトルであり、同（ｂ）で示すのは、エッチング終
了時のオーバーエッチング時の発光スペクトルである。
（ａ）（ｂ）の対比から理解されるように、エッチング
が終了すると、発光スペクトルの強度は明らかに低下す
る。例えば、第２図の例示に略示するように、発光強度
は著しく減衰する。よって、かかる強度変化を検知する
ことによって、エッチングの終了時を適正かつ正確に判
定することができるのである。
第１図の発光スペクトル図の例示を用いて説明すると、
次のとおりである。第１図に符号（ａ）で示すのはチタ
ン系材料（図示例示ではチタン）のエッチング時の発光
スペクトルであり、同（ｂ）で示すのは、エッチング終
了時のオーバーエッチング時の発光スペクトルである。
（ａ）（ｂ）の対比から理解されるように、エッチング
が終了すると、発光スペクトルの強度は明らかに低下す
る。例えば、第２図の例示に略示するように、発光強度
は著しく減衰する。よって、かかる強度変化を検知する
ことによって、エッチングの終了時を適正かつ正確に判
定することができるのである。
このような発光スペクトルの強度変化は、第１図に符
号Ｉで示す波長領域部分において特徴的な減衰を示す。
よって本発明では、この領域部分での全体としての発光
スペクトルの強度変化により、即ち、410〜420nmの波長
領域範囲の全域の波長について、この部分全体の発光ス
ペクトル強度変化により、エッチングの終点判定を行う
ようにする。
号Ｉで示す波長領域部分において特徴的な減衰を示す。
よって本発明では、この領域部分での全体としての発光
スペクトルの強度変化により、即ち、410〜420nmの波長
領域範囲の全域の波長について、この部分全体の発光ス
ペクトル強度変化により、エッチングの終点判定を行う
ようにする。
以下本発明の実施例について説明する。なお、当然の
ことではあるが、本発明は以下に説明する実施例により
限定されるものではない。
ことではあるが、本発明は以下に説明する実施例により
限定されるものではない。
実施例−１（参考例） 本実施例においては、300〜800nm、特に350〜750nmの
波長領域を含む発光スペクトルの強度をモニターするこ
とにより、チタン系物質のドライエッチングの終点判定
を行うようにした。
波長領域を含む発光スペクトルの強度をモニターするこ
とにより、チタン系物質のドライエッチングの終点判定
を行うようにした。
この実施例は、本発明をULSIであるシリコン系半導体
装置、特に高集積化したSRAMの製造プロセスにおけるチ
タンのエッチングの際に具体化したものである。
装置、特に高集積化したSRAMの製造プロセスにおけるチ
タンのエッチングの際に具体化したものである。
一般的に、チタンのドライエッチングで使用されるガ
スを考えると、フッ化物より塩化物の方が沸点が低く
（例えばTiCl4は沸点136.4℃、TiF4は沸点284℃であ
る）、従って塩素系ガスでチタンをエッチングする場合
の方が有効と考えられる。
スを考えると、フッ化物より塩化物の方が沸点が低く
（例えばTiCl4は沸点136.4℃、TiF4は沸点284℃であ
る）、従って塩素系ガスでチタンをエッチングする場合
の方が有効と考えられる。
そこで本実施例では、塩素系ガスでチタンをエッチン
グするように構成した。第３図に、本実施例で用いた被
エッチングサンプルの断面構造を略示する。このサンプ
ルは、SiO21上に、チタン２を300nmの膜厚で形成し、更
にフォトレジストパターン３を形成したもので、該パタ
ーン３をマスクにしてドライエッチングによりパターニ
ングを行うようにしたものである。
グするように構成した。第３図に、本実施例で用いた被
エッチングサンプルの断面構造を略示する。このサンプ
ルは、SiO21上に、チタン２を300nmの膜厚で形成し、更
にフォトレジストパターン３を形成したもので、該パタ
ーン３をマスクにしてドライエッチングによりパターニ
ングを行うようにしたものである。
本実施例においては、このサンプルを、塩素系のガス
（BCl3/Cl2混合ガス）でエッチングした。このエッチン
グ中に観測した発光スペクトルを第１図に符号（ａ）で
示す。また、エッチング後、即ちオーバーエッチング時
に観測した発光スペクトルを、第１図に符号（ｂ）で示
す。両スペクトル（ａ），（ｂ）は、第１図中に重ねて
示した。200〜300nm領域は観測窓材の特性によりカット
（または減衰）されている。第１図から明らかなよう
に、観測領域内（300〜800nm）でエッチング終了後発光
強度の減衰が見られる。このことから、300〜800nm領域
で発光強度変化をモニターすることにより、エッチング
終了時に発光強度が減衰するので、これによってエッチ
ングの終点判定が可能である。この時、発光強度変化は
第２図に示すようになるので、同図に符号Ａで示すよう
な発光強度の臨界的な減衰時をもって、終点とするもの
である。
（BCl3/Cl2混合ガス）でエッチングした。このエッチン
グ中に観測した発光スペクトルを第１図に符号（ａ）で
示す。また、エッチング後、即ちオーバーエッチング時
に観測した発光スペクトルを、第１図に符号（ｂ）で示
す。両スペクトル（ａ），（ｂ）は、第１図中に重ねて
示した。200〜300nm領域は観測窓材の特性によりカット
（または減衰）されている。第１図から明らかなよう
に、観測領域内（300〜800nm）でエッチング終了後発光
強度の減衰が見られる。このことから、300〜800nm領域
で発光強度変化をモニターすることにより、エッチング
終了時に発光強度が減衰するので、これによってエッチ
ングの終点判定が可能である。この時、発光強度変化は
第２図に示すようになるので、同図に符号Ａで示すよう
な発光強度の臨界的な減衰時をもって、終点とするもの
である。
上記実施例ではエッチング用のガスとして塩素系のガ
ス、特にBCl3/Cl2ガスを用いたが、これに限られず、CC
l4、SiCl4等のガスを用いることができる。塩素系ガス
に他のガスを添加したガス系、例えば塩素系のガスを50
％以上含む混合ガス系を用いるのでもよい。更に、場合
によっては塩素系ガス以外のガスを用いるエッチングを
併用するのでもよく、エッチングガスは、エッチングさ
れるチタン系材料に応じて適切に選定すればよいことは
当然である。
ス、特にBCl3/Cl2ガスを用いたが、これに限られず、CC
l4、SiCl4等のガスを用いることができる。塩素系ガス
に他のガスを添加したガス系、例えば塩素系のガスを50
％以上含む混合ガス系を用いるのでもよい。更に、場合
によっては塩素系ガス以外のガスを用いるエッチングを
併用するのでもよく、エッチングガスは、エッチングさ
れるチタン系材料に応じて適切に選定すればよいことは
当然である。
上記のように本実施例によれば、チタン系物質（特に
ここではチタン）をエッチングガス、特に塩素系のガス
でエッチングを行う際、従来は判定が困難だったエッチ
ングの終点判定を容易に行うことができ、エッチング装
置の自動化も容易で、また発光強度測定なのでエッチン
グの際のプラズマ等に全く影響を与えないという利点は
あるが、この参考実施例では300〜800nm領域（ないしは
350〜700nm領域）という比較的広い波長領域全体で見て
終点を判定するので、外部からの迷光の影響を受けるお
それがあり、また、このように広範囲であると単に全体
の発光強度変化を観測するので変化量（または変化の割
合）が小さく、終点判定の精度に問題がある。
ここではチタン）をエッチングガス、特に塩素系のガス
でエッチングを行う際、従来は判定が困難だったエッチ
ングの終点判定を容易に行うことができ、エッチング装
置の自動化も容易で、また発光強度測定なのでエッチン
グの際のプラズマ等に全く影響を与えないという利点は
あるが、この参考実施例では300〜800nm領域（ないしは
350〜700nm領域）という比較的広い波長領域全体で見て
終点を判定するので、外部からの迷光の影響を受けるお
それがあり、また、このように広範囲であると単に全体
の発光強度変化を観測するので変化量（または変化の割
合）が小さく、終点判定の精度に問題がある。
実施例−２（本発明に係る例） 本実施例では、チタンのドライエッチングに際し、特
にエッチング中の410〜420nmの波長領域の発光スペクト
ル強度変化を測定することにより、エッチングの終点判
定を精度良く行えるようにした。
にエッチング中の410〜420nmの波長領域の発光スペクト
ル強度変化を測定することにより、エッチングの終点判
定を精度良く行えるようにした。
即ち本実施例では、実施例−１におけるのと同じサン
プル（第３図参照）を用い、実施例−１におけるのと同
じガス系を用いてチタンのエッチングを行ったが、特に
本実施例では、第１図に符号Ｉで示す、410〜420nm領域
での発光スペクトルの強度変化を、終点判定用に用いた
ものである。サンプル及びガス系の条件が実施例−１と
同じなので、エッチング時、及びオーバーエッチング時
の発光スペクトル（ａ），（ｂ）は同じく第１図に示す
形となるのであるが、第１図から明らかなように、エッ
チング終了時に全体の発光強度が減衰している（スペク
トル（ａ），（ｂ）の全体の比較）ことに加え、特に41
0〜420nm領域では発光強度の減衰が著しいことがわか
る。この領域の発光は、スペクトル領域からみてTiClに
基因するものと考えられ、これはチタンがエッチングさ
れている間はTiClとして気相中に存在するが、エッチン
グ終了後はチタンが供給されないため、著しく減衰する
ものと推定される。従ってエッチング中にTiClの発光に
対応する領域、即ち410〜420nm領域の発光強度変化をモ
ニターすることによって、容易にかつ精度良くエッチン
グの終点を判定することができたのである。この時の該
波長領域の発光スペクトルの強度変化は、第４図のよう
になった。よって図に符号Ｂで示す時点でエッチングを
止めればよく、この終点は、容易に知ることができるも
のである。
プル（第３図参照）を用い、実施例−１におけるのと同
じガス系を用いてチタンのエッチングを行ったが、特に
本実施例では、第１図に符号Ｉで示す、410〜420nm領域
での発光スペクトルの強度変化を、終点判定用に用いた
ものである。サンプル及びガス系の条件が実施例−１と
同じなので、エッチング時、及びオーバーエッチング時
の発光スペクトル（ａ），（ｂ）は同じく第１図に示す
形となるのであるが、第１図から明らかなように、エッ
チング終了時に全体の発光強度が減衰している（スペク
トル（ａ），（ｂ）の全体の比較）ことに加え、特に41
0〜420nm領域では発光強度の減衰が著しいことがわか
る。この領域の発光は、スペクトル領域からみてTiClに
基因するものと考えられ、これはチタンがエッチングさ
れている間はTiClとして気相中に存在するが、エッチン
グ終了後はチタンが供給されないため、著しく減衰する
ものと推定される。従ってエッチング中にTiClの発光に
対応する領域、即ち410〜420nm領域の発光強度変化をモ
ニターすることによって、容易にかつ精度良くエッチン
グの終点を判定することができたのである。この時の該
波長領域の発光スペクトルの強度変化は、第４図のよう
になった。よって図に符号Ｂで示す時点でエッチングを
止めればよく、この終点は、容易に知ることができるも
のである。
本実施例は、前記実施例−１が300〜800nm領域（ない
しは350〜700nm領域）全体で見て終点を判定したのに対
し、410〜420nm領域に限定して判定したので、更に外部
からの迷光の影響を受けにくいという利点を有する。ま
た、単に全体の発光強度変化を観測する場合よりも変化
量（または変化の割合）が大きくなり、終点判定の精度
が向上するという利点を有する。
しは350〜700nm領域）全体で見て終点を判定したのに対
し、410〜420nm領域に限定して判定したので、更に外部
からの迷光の影響を受けにくいという利点を有する。ま
た、単に全体の発光強度変化を観測する場合よりも変化
量（または変化の割合）が大きくなり、終点判定の精度
が向上するという利点を有する。
実際、精度向上については、発光強度の変化量を比較
することによりその向上の程度を確認することができ
る。第１図のスペクトル図から面積の変化を出し、次式 をもって変化量を求めた結果、300〜800nm領域全体で見
た場合は、変化量が41％であり、410〜420nm領域に限定
して見た場合は、変化量が64％であった。この結果か
ら、410〜420nm領域に限定した方が変化量が大きく、終
点の判定精度は向上する。
することによりその向上の程度を確認することができ
る。第１図のスペクトル図から面積の変化を出し、次式 をもって変化量を求めた結果、300〜800nm領域全体で見
た場合は、変化量が41％であり、410〜420nm領域に限定
して見た場合は、変化量が64％であった。この結果か
ら、410〜420nm領域に限定した方が変化量が大きく、終
点の判定精度は向上する。
但し、本実施例ではこのように波長領域を410〜420nm
の領域に限定するので、波長を限定する手段を要する。
このような手段は任意であり、例えば、フィルター、分
光器などを、任意に用いることができる。
の領域に限定するので、波長を限定する手段を要する。
このような手段は任意であり、例えば、フィルター、分
光器などを、任意に用いることができる。
本実施例においても、実施例−１と同様に、エッチン
グガス等として各種のものを用いることができ、その他
様々な態様をとり得ることは勿論である。
グガス等として各種のものを用いることができ、その他
様々な態様をとり得ることは勿論である。
実施例−３（参考例） 本実施例においては、チタン系材料として、チタンの
化合物であるTiN（チタンナイトライド）について、そ
のドライエッチングにおける正確な終点判定を行うよう
にした。
化合物であるTiN（チタンナイトライド）について、そ
のドライエッチングにおける正確な終点判定を行うよう
にした。
本実施例においても、チタンの塩化物が沸点が低いと
いう点から塩素形のガス、特にBCl3/Cl2混合ガスを用い
てエッチングを行った。
いう点から塩素形のガス、特にBCl3/Cl2混合ガスを用い
てエッチングを行った。
被エッチングサンプルは第５図に示したものであり、
SiO21上に、チタンナイトライド層２′を形成し、更に
フォトレジストパターン３を形成して、パターニングす
るようにしたものである。
SiO21上に、チタンナイトライド層２′を形成し、更に
フォトレジストパターン３を形成して、パターニングす
るようにしたものである。
このサンプルを上記エッチングガスを用いてエッチン
グするときに観測した発光スペクトルを、第６図に符号
ａで示し、またエッチング後、即ちオーバーエッチング
時に観測した発光スペクトルを第６図に符号ｂで示し、
両者を重ねて表示した。なお200〜350nm領域は、観測窓
材の特性によりカットまたは減衰しており、見かけ上観
測できていない。
グするときに観測した発光スペクトルを、第６図に符号
ａで示し、またエッチング後、即ちオーバーエッチング
時に観測した発光スペクトルを第６図に符号ｂで示し、
両者を重ねて表示した。なお200〜350nm領域は、観測窓
材の特性によりカットまたは減衰しており、見かけ上観
測できていない。
第６図の発光スペクトルa,bの対比から明らかな如
く、エッチング終了時に全体の発光強度が減衰してい
る。従って本実施例では、350〜800nm領域全体の発光強
度をモニターして、エッチング終了時に発光強度が減衰
した時点を検知して、これによりエッチングの終点判定
を行った。
く、エッチング終了時に全体の発光強度が減衰してい
る。従って本実施例では、350〜800nm領域全体の発光強
度をモニターして、エッチング終了時に発光強度が減衰
した時点を検知して、これによりエッチングの終点判定
を行った。
本実施例において、発光強度変化のグラフは第７図に
示すようになった。図中、Ｃをもって終点を示す。
示すようになった。図中、Ｃをもって終点を示す。
本実施例によれば、従来判定が困難であったTiNの終
点判定が可能ではあるが、350〜800nm領域全体の発光強
度をモニターするので、実施例−１と同様の問題点があ
る。
点判定が可能ではあるが、350〜800nm領域全体の発光強
度をモニターするので、実施例−１と同様の問題点があ
る。
実施例−４（本発明に係る例） 本実施例は、TiNをエッチングする場合で、かつ、発
光スペクトルを、410〜420nmの波長領域でモニターする
場合で実施したものである。
光スペクトルを、410〜420nmの波長領域でモニターする
場合で実施したものである。
即ち本実施例では、実施例−３におけるのと同じサン
プル（第５図参照）を用い、実施例−３におけるのと同
じガス系を用いてチタンナイトライドのエッチングを行
うとともに、第６図に符号IIで示す、410〜420nm領域で
の発光スペクトルの強度変化を、終点判定用に用いた。
エッチング時、及びオーバーエッチング時の発光スペク
トルa,bは、第６図に示すものと同じであり、特に発光
強度の減衰の著しい410〜420nm領域の発光強度変化をモ
ニターして、容易かつ精度良くエッチングの終点を判定
するようにした。この時の該波長領域の発光スペクトル
の強度変化を、第８図に示す。符号Ｄで示す時点をエッ
チング終了時点とする。
プル（第５図参照）を用い、実施例−３におけるのと同
じガス系を用いてチタンナイトライドのエッチングを行
うとともに、第６図に符号IIで示す、410〜420nm領域で
の発光スペクトルの強度変化を、終点判定用に用いた。
エッチング時、及びオーバーエッチング時の発光スペク
トルa,bは、第６図に示すものと同じであり、特に発光
強度の減衰の著しい410〜420nm領域の発光強度変化をモ
ニターして、容易かつ精度良くエッチングの終点を判定
するようにした。この時の該波長領域の発光スペクトル
の強度変化を、第８図に示す。符号Ｄで示す時点をエッ
チング終了時点とする。
本実施例では、実施例−３の効果に加え、前記実施例
−２におけると同様、外部からの迷光の影響を受けにく
いという利点、及び、発光強度の変化量（または変化の
割合）が大きくなり、終点判定の精度が向上するという
利点を有する。
−２におけると同様、外部からの迷光の影響を受けにく
いという利点、及び、発光強度の変化量（または変化の
割合）が大きくなり、終点判定の精度が向上するという
利点を有する。
精度向上について、実施例−２と同様の方法で発光強
度の変化量を比較することによりその向上の程度を確認
したところ、300〜800nm領域全体で見た場合は、変化量
が32.7％であり、410〜420nm領域に限定して見た場合
は、変化量が66.7％であって、410〜420nm領域に限定し
た方が変化量が大きく、終点の判定精度は向上すること
がわかる。
度の変化量を比較することによりその向上の程度を確認
したところ、300〜800nm領域全体で見た場合は、変化量
が32.7％であり、410〜420nm領域に限定して見た場合
は、変化量が66.7％であって、410〜420nm領域に限定し
た方が変化量が大きく、終点の判定精度は向上すること
がわかる。
その他本実施例については、実施例−２または−３で
述べた各種態様を用いることができ、対応する効果を奏
することができる。
述べた各種態様を用いることができ、対応する効果を奏
することができる。
第１図は、実施例−1,2における発光スペクトル図、第
２図は実施例−１の発光スペクトルの強度変化のグラ
フ、第３図は実施例−1,2で使用のサンプルの断面図、
第４図は実施例−２の発光スペクトルの強度変化のグラ
フである。第５図は実施例−3,4で使用のサンプルの断
面図、第６図は実施例−3,4における発光スペクトル
図、第７図及び第８図はそれぞれ実施例−3,4の発光ス
ペクトルの強度変化のグラフである。 A,B,C,D……エッチングの終点、２……チタン系材料
（チタン）、２′……チタン系材料（チタンナイトライ
ド）。
２図は実施例−１の発光スペクトルの強度変化のグラ
フ、第３図は実施例−1,2で使用のサンプルの断面図、
第４図は実施例−２の発光スペクトルの強度変化のグラ
フである。第５図は実施例−3,4で使用のサンプルの断
面図、第６図は実施例−3,4における発光スペクトル
図、第７図及び第８図はそれぞれ実施例−3,4の発光ス
ペクトルの強度変化のグラフである。 A,B,C,D……エッチングの終点、２……チタン系材料
（チタン）、２′……チタン系材料（チタンナイトライ
ド）。
Claims (1)
- 【請求項１】チタン系材料を塩素系ガスによりドライエ
ッチングするチタン系材料のドライエッチング方法にお
いて、 該ドライエッチングに際し、波長領域410〜420nmの範囲
全域の波長についての発光スペクトルの強度変化をエッ
チング終点検出に用いるドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147924A JP3005230B2 (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | チタン系材料のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147924A JP3005230B2 (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | チタン系材料のドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312927A JPH0312927A (ja) | 1991-01-21 |
| JP3005230B2 true JP3005230B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=15441165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147924A Expired - Fee Related JP3005230B2 (ja) | 1989-06-10 | 1989-06-10 | チタン系材料のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3005230B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2771387B2 (ja) * | 1992-05-21 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマドライエッチングの終点検知方法 |
| JP2000260768A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP5037303B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を備えた半導体素子のプラズマ処理方法 |
-
1989
- 1989-06-10 JP JP1147924A patent/JP3005230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0312927A (ja) | 1991-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |