JP2998708B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は平面光源や表示素子
に利用される有機エレクトロルミネッセンス素子（Elec
troluminescence 素子；以下、ＥＬ素子という。）に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＥＬ素子は自発光型の平面型表示素子と
しての用途が有望視されている。中でも有機物質を用い
た有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子のような、交流駆動で
かつ高電圧が必要といった制約がなく、また有機化合物
の多様性により、多色化が容易であると考えられること
から、盛んに開発が行われている。

【０００３】しかし、従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ
素子に比べて発光輝度が低く、特性劣化が著しかったた
め、実用化には至っていなかった。近年、１０Ｖ以下の
低電圧で発光する高い発光効率をもった、有機化合物の
薄膜積層型の有機ＥＬ素子が報告され、関心を集めてい
る（アプライド・フィジックス・レターズ、５１巻、９
１３頁、１９８７年参照）。

【０００４】この方法では、金属キレート錯体を蛍光体
薄膜層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝
度の緑色発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は
数１００ｃｄ／ｍ² 、最大発光効率は１．５１ １ｍ／
Ｗを達成して、実用領域に近い性能をもっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】現在までの有機ＥＬ素
子はその構成、材料の改善により発光輝度は改良されて
いるが、未だ十分な発光輝度には達していない。また、
素子の寿命に関しても同様で、実用に十分な安定性を有
するものはまだ得られていない。したがって、より大き
な発光輝度と優れた使用時安定性を併せもつ、有機ＥＬ
素子の開発が望まれているのが現状である。

【０００６】本発明は、発光輝度が大きく、使用時の安
定性に優れた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、発光輝度
が大きく、使用時の安定性に優れた有機ＥＬ素子の構成
を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の化合物を有
機ＥＬ素子に含有させることにより、これらの要件を満
たした有機ＥＬ素子が得られることを見出した。

【０００８】すなわち本発明は、陰極と陽極の間に発光
層を含む一層または複数層の有機薄膜層を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層
の少なくとも一層に、一般式（１）：

【０００９】

【化２】 （式中Ｍはｎ価の金属イオンを表す。Ｒ¹ ，Ｒ² はそれ
ぞれ独立に置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシク
ロアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換
もしくは無置換のアラルキル基を表す。ｎは１，２また
は３のいずれかを表す。）で示されるカルボニルヒドロ
キシルアミン化合物を単独もしくは混合物で含むことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。

【００１０】また、本発明は、前記有機薄膜層として、
少なくとも正孔輸送層を有し、この層が一般式（１）で
表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。

【００１１】また、本発明は、前記有機薄膜層として、
少なくとも電子輸送層を有し、この層が一般式（１）で
表される化合物を単独もしくは混合物として含むことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。

【００１２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子は、有機薄膜層の少なくとも一層に前記一般式（１）
で示されるカルボニルヒドロキシルアミン化合物を含む
ことにより、発光輝度が大きく、使用時の安定性に優れ
た有機ＥＬ素子となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態で用いられる
一般式（１）で示されるカルボニルヒドロキシルアミン
化合物において、基Ｒ¹ ，Ｒ² の好ましい例を次記す
る。

【００１４】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換のアルキ
ル基である場合、その好適な例としてメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−
ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル
基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、
１，２−ジヒドロキシエチル基、，１，３−ジヒドロキ
シイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル
基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメ
チル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２
−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、
１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−
ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブ
ロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル
基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル
基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロ
モｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、
ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチ
ル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチ
ル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨ
ードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル
基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノ
エチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノ
エチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−
ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピ
ル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シア
ノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシア
ノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３
−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロ
ピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニ
トロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニ
トロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，
３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプ
ロピル基などの、１ないし３個の、水酸基、塩素原子、
臭素原子、沃素原子、アミノ基、シアノ基、またはニト
ロ基で置換された、もしくは無置換の、炭素原子数１な
いし８のアルキル基を挙げることができる。

【００１５】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換のアルケ
ニル基である場合の好適な例としては、ビニル基、アリ
ル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル
基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、
スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジ
フェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメ
チルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリ
ル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、
３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル
基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１
−ブテニル基などの、１ないし２個の、メチル基または
フェニル基で置換された、もしくは無置換の、炭素原子
数２ないし４のアルケニル基、もしくはブタンジエニル
基のように、分子内に２個以上の炭素不飽和結合を有す
る基を挙げることができる。

【００１６】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換のシクロ
アルキル基である場合は、その好適な例として、シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基などの、メ
チル基で置換された、もしくは無置換の、炭素原子数３
ないし６のシクロアルキル基を挙げることができる。

【００１７】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基である場合は、その好適な例として、フェニ
ル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリ
ル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェ
ナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナント
リル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル
基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナ
フタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−
ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイ
ル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−
イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェ
ニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ
−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−
イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、
ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピ
ル）フェニル基、ｐ−スチリルフェニル基、ｐ−ジェフ
ェニルアミノフェニル基、３−メチル−２−ナフチル
基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ア
ントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ
−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基などの、メチ
ル基、ｔ−ブチル基、２−フェニルプロピル基、スチリ
ル基またはジフェニルアミノ基で置換された、もしくは
無置換の、炭素原子数６ないし１８の芳香族炭化水素基
を挙げることができる。

【００１８】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換の芳香族
複素環基である場合は、その好適な例として、１−ピロ
リル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル
基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジ
ニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−イ
ンドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６
−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリ
ル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、
４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イ
ソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル
基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾ
フラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンジフラニ
ル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、
１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル
基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニ
ル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラ
ニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリ
ル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル
基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキ
ノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、
６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキ
ノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル
基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−
カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリ
ル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル
基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニ
ル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジ
ニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリ
ジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナン
スリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル
基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−ア
クリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル
基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−
フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロ
リン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イ
ル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７
−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンス
ロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２
−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、
１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェ
ナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン
−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル
基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−
フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンス
ロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−
イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，
９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナン
スロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７
−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、
１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−
フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンス
ロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４
−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、
２，９−フェナンスロロン−１−イル基、２，９−フェ
ナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン
−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル
基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−
フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロ
リン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−
イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，
８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナン
スロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５
−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、
２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェ
ナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン
−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル
基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−
フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロ
リン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イ
ル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７
−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンス
ロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェ
ナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチア
ジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジ
ニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジ
ニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニ
ル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニ
ル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−
オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサ
ジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３
−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−
メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４
−イル基、２−メチルピロール５−イル基、３−メチル
ピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル
基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロ
ール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル
基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル
基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−
インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メ
チル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリ
ル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチ
ル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基
などの、ヘテロ原子として１ないし２個の窒素原子、１
個の酸素原子および／または１個の硫黄原子を環中に含
み、メチル基、ｔ−ブチル基または２−フェニルプロピ
ル基で置換された、もしくは無置換の、炭素原子数２な
いし１３の芳香族複素環基を挙げることができる。

【００１９】Ｒ¹ ，Ｒ² が置換もしくは無置換のアラル
キル基である場合は、その好適な例として、ベンジル
基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１
−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル
基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、
１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル
基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチ
ルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナ
フチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−
ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピ
ル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エ
チル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル
基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ
−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロ
モベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベン
ジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル
基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル
基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジ
ル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、
ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニ
トロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベ
ンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル
基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１
−クロロ−２−フェニルイソプロピル基などの、その芳
香環部分はメチル基、塩素原子、臭素原子、沃素原子、
水酸基、アミノ基、ニトロ基またはシアノ基で置換され
た、もしくは無置換の、ヘテロ原子として１個の窒素原
子を環中に含む場合もある、炭素原子数４ないし６の芳
香環であり、そのアルキル基部分は、水酸基または塩素
原子で置換されている場合もある、炭素原子数１ないし
４のアルキル基である、アラルキル基を挙げることがで
きる。

【００２０】本発明の実施の形態で用いられる一般式
（１）で示されるカルボニルヒドロキシルアミン化合物
において、ｎ価の金属イオンＭに用いることのできる金
属としてはアルミニウム、ベリリウム、ビスマス、カド
ミウム、セリウム、コバルト、銅、鉄、ガリウム、ゲル
マニウム、水銀、インジウム、ランタン、マグネシウ
ム、モリブデン、ニオブ、アンチモン、スカンジウム、
スズ、タンタル、トリウム、チタニウム、ウラン、タン
グステン、ジルコニウム、バナジウム、亜鉛、銀、金、
白金、クロム、マンガン、イットリウム、ニッケル、パ
ラジウム、鉛、セレン、テルル、タリウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウム、ネオジウム、ユーロピ
ウム、エルビウムが挙げられるがこれらに限られるもの
ではない。

【００２１】以下に、本発明の好適な実施の形態で用い
られる一般式（１）で示されるカルボニルヒドロキシル
アミン化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。

【００２２】

【化３】

【００２３】

【化４】

【００２４】

【化５】

【００２５】

【化６】

【００２６】

【化７】

【００２７】

【化８】

【００２８】

【化９】

【００２９】

【化１０】

【００３０】

【化１１】 本発明における有機ＥＬ素子の素子構造は、電極間に有
機層を１層あるいは２層以上積層した構造であり、その
例として、図１〜４に示すように陽極、発光層、陰
極、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極、
陽極、正孔輸送層、発光層、陰極、あるいは陽極、
発光層、電子輸送層、陰極などの構造が挙げられる。本
発明における化合物は上記のどの有機層に用いられても
よく、他の正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料にド
ープさせることも可能である。

【００３１】本発明に用いられる正孔輸送材料は特に限
定されず、通常正孔輸送材として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、下記のビス（ジ
（ｐ−トリル）アミノフェニル）−１，１−シクロヘキ
サン［０１］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン［０２］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−
Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン［０３］などのトリフェニルジアミ
ン類や、スターバースト型分子（［０４］〜［０６］な
ど）などが挙げられる。

【００３２】

【化１２】 本発明に用いられる電子輸送材料は特に限定されず、通
常電子輸送材として使用されている化合物であれば何を
使用してもよい。例えば、下記の２−（４−ビフェニリ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール［０７］、ビス｛２−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３−４−オキサジアゾール｝−ｍ−
フェニレン［０８］、などのオキサジアゾール誘導体、
トリアゾール誘導体（［０９］、［１０］など）、キノ
リノール系の金属錯体（［１１］〜［１４］など）が挙
げられる。

【００３３】

【化１３】 有機薄膜ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層に注入す
る役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を
有するものが効果的である。本発明に用いられる陽極材
料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴ
Ｏ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅などが適
用できる。また陰極としては、電子輸送帯または発光層
に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ま
しい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはイン
ジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−
インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、ア
ルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウ
ム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金などが使用で
きる。

【００３４】本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は
特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコー
ティング法などによる形成方法を用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示
される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分
子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に溶かした溶液の
ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティン
グ法、バーコート法、ロールコート法などの塗布法によ
る公知の方法で形成することができる。

【００３５】本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は
特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホー
ルなどの欠陥が生じ易く、逆に厚すぎると高い印加電圧
が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１
μｍの範囲が好ましい。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を実施例をもとにさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

【００３７】（合成例１）化合物（２）（トリス（Ｎ−
ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナート）ア
ルミニウム）の合成 ソンセイルらの手法（インディアン・ジャーナル・オブ
・ケミストリー、セクションＡ、１４Ａ巻、６号、４０
８〜４０９頁、１９７６年参照）にしたがい、トリス
（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナ−
ト）アルミニウムの合成を行った。Ｎ−ベンゾイル−Ｎ
−フェニルヒドロキシルアミン８．５３ｇ（０．０４モ
ル）、アルミニウムトリイソプロポキシド２．０４ｇ
（０．０１モル）をベンゼン１００ｍｌに加え、還流さ
せながら１時間攪拌を続けた。生成した固形物を濾取、
冷ベンゼン、石油エーテルで洗浄後、減圧乾燥を行い、
目的とするトリス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒド
ロキシルアミナート）アルミニウム５．３ｇ（収率８０
％）を得た。

【００３８】（合成例２）化合物（３）（トリス（Ｎ−
ベンゾイル−Ｎ−２−メチルフェニルヒドロキシルアミ
ナート）アルミニウム）の合成 Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンの代
わりに、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−２−メチルフェニルヒド
ロキシルアミンを用いる他は、合成例（１）と同様の手
法を用いて、トリス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−２−メチル
フェニルヒドロキシルアミナート）アルミニウムを得
た。

【００３９】（合成例３）化合物（４）（トリス（Ｎ−
シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナート）
アルミニウム）の合成 Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンの代
わりに、Ｎ−シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドロキシル
アミンを用いる他は、合成例（１）と同様の手法を用い
て、トリス（Ｎ−シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドロキ
シルアミナート）アルミニウムを得た。

【００４０】（合成例４）化合物（５）（トリス（Ｎ−
ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナート）ガ
リウム）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化ガリウム
（III)水溶液を用いる他は合成例（１）と同様の手法を
用いて、トリス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロ
キシルアミナート）ガリウムを得た。

【００４１】（合成例５）化合物（６）（トリス（Ｎ−
ベンゾイル−Ｎ−２−メチルフェニルヒドロキシルアミ
ナート）ガリウム）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化ガリウム
（III)水溶液を用いる他は合成例（２）と同様の手法を
用いて、トリス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−２−メチルフェ
ニルヒドロキシルアミナート）ガリウムを得た。

【００４２】（合成例６）化合物（７）（トリス（Ｎ−
シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドキシルアミナート）ガ
リウム）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化ガリウム
（III)水溶液を用いる他は合成例（３）と同様の手法を
用いて、トリス（Ｎ−シンナモイル−Ｎ−フェニルヒド
ロキシルアミナート）ガリウムを得た。

【００４３】（合成例７）化合物（８）（ビス（Ｎ−ベ
ンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナート）亜
鉛）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化亜鉛（II）
水溶液を用いる他は合成例（１）と同様の手法を用い
て、ビス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシル
アミナート）亜鉛を得た。

【００４４】（合成例８）化合物（９）（ビス（Ｎ−ベ
ンゾイル−Ｎ−２−メチルフェニルヒドロキシルアミナ
ート）亜鉛）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化亜鉛（II）
水溶液を用いる他は合成例（２）と同様の手法を用い
て、ビス（Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−２−メチルフェニルヒ
ドロキシルアミナート）亜鉛を得た。

【００４５】（合成例９）化合物（１０）（ビス（Ｎ−
シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミナート）
亜鉛）の合成 アルミニウムアルコキシドの代わりに、塩化亜鉛（II）
水溶液を用いる他は合成例（３）と同様の手法を用い
て、ビス（Ｎ−シンナモイル−Ｎ−フェニルヒドロキシ
ルアミナート）亜鉛を得た。

【００４６】以下、一般式（１）の化合物を発光層（実
施例１〜２０）正孔輸送材料との混合薄膜を発光層（実
施例２１〜２３）、電子輸送材料との混合薄膜を発光層
（実施例２４〜２６）、正孔輸送層（実施例２７〜３
０）、および電子輸送層（実施例３１〜３９）として用
いた例を示す。

【００４７】（実施例１）実施例１に用いた素子の断面
構造を図１に示す。以下に本発明の実施例１に用いた有
機薄膜ＥＬ素子の作製手順について説明する。素子は陽
極／発光層／陰極により構成されている。ガラス基板１
上にＩＴＯをスパッタリングによってシート抵抗が２０
Ω／□になるように製膜し、陽極２とした。その上に発
光層４として、化合物（２）を真空蒸着法にて４０ｎｍ
形成した。次に陰極６としてマグネシウム−銀合金を真
空蒸着法にて２００ｎｍ形成して有機ＥＬ素子を作製し
た。この素子に直流電圧を５Ｖ印加したところ、１００
ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００４８】（実施例２）発光材料として、化合物
（３）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００４９】（実施例３）発光材料として、化合物
（４）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、２５０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５０】（実施例４）発光材料として、化合物
（５）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧５Ｖ印加した
ところ、２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５１】（実施例５）発光材料として、化合物
（６）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、３００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５２】（実施例６）発光材料として、化合物
（７）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、３８０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５３】（実施例７）発光材料として、化合物
（８）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、１３０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５４】（実施例８）発光材料として、化合物
（９）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機
ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加し
たところ、２１０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５５】（実施例９）発光材料として、化合物（１
０）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加した
ところ、３２０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５６】（実施例１０）ガラス基板１上にＩＴＯを
スパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になる
ように製膜し、陽極２とした。その上に化合物（１０）
のクロロホルム溶液を用いたスピンコート法により４０
ｎｍの発光層４を形成した。次に陰極６としてマグネシ
ウム−銀合金を真空蒸着法により２００ｎｍ形成して有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を５Ｖ印加
したところ、１２０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５７】（実施例１１）実施例１１に用いた素子の
断面構造を図２に示す。素子は陽極／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／陰極により構成されている。ガラス基
板１上にＩＴＯをスパッタリングによってシート抵抗が
２０Ω／□になるように製膜し、陽極２とした。その上
に正孔輸送層３として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルーＮ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフ
ェニル］−４，４’−ジアミン［０２］を真空蒸着法に
て５０ｎｍ形成した。次に発光層４として、化合物
（２）を真空蒸着法にて４０ｎｍ形成した。次に、電子
輸送層５として２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
［０７］を真空蒸着法にて２０ｎｍ形成した。次に陰極
６としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法にて２００
ｎｍ形成して有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流
電圧を１０Ｖ印加したところ、９５０ｃｄ／ｍ² の発光
が得られた。

【００５８】（実施例１２）発光材料として、化合物
（４）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印
加したところ、１５００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００５９】（実施例１３）発光材料として、化合物
（５）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印
加したところ、１１００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００６０】（実施例１４）発光材料として、化合物
（７）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印
加したところ、１９００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００６１】（実施例１５）発光材料として、化合物
（８）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印
加したところ、１０００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００６２】（実施例１６）発光材料として、化合物
（９）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い有
機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印
加したところ、１２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００６３】（実施例１７）発光材料として、化合物
（１０）を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、２２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００６４】（実施例１８）正孔輸送層３としてＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−
１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン［０３］
を、電子輸送層５としてビス｛２−（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール｝−ｍ−フェ
ニレン［０８］を用いた以外は実施例１１と同様の操作
を行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を
１０Ｖ印加したところ、１５００ｃｄ／ｍ ² の発光が得
られる。

【００６５】（実施例１９）正孔輸送層３として、スタ
ーバースト型分子の化合物［０４］を、発光層４として
化合物（４）を、電子輸送層５としてキノリノール系の
金属錯体化合物［１１］を用いた以外は実施例１１と同
様の操作を行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直
流電圧を１０Ｖ印加したところ、２０００ｃｄ／ｍ² の
発光が得られた。

【００６６】（実施例２０）正孔輸送層３として、スタ
ーバースト型分子の化合物［０５］を、発光層４として
化合物（７）を、電子輸送層５としてキノリノール系の
金属錯体化合物［１２］を用いた以外は実施例１１と同
様の操作を行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直
流電圧を１０Ｖ印加したところ、２０３０ｃｄ／ｍ² の
発光が得られた。

【００６７】（実施例２１）実施例２１に用いた素子の
断面構造を図４に示す。素子は陽極／発光層／電子輸送
層／陰極により構成されている。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏをスパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□に
なるように製膜し、陽極２とした。その上に発光層４と
して、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフ
チル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
［０３］と化合物（２）を１：１０の重量比で共蒸着し
て作製した薄膜を５０ｎｍ形成した。次いで電子輸送層
５としてトリアゾール誘導体の化合物［０９］を真空蒸
着法にて５０ｎｍ形成した。次に陰極６としてマグネシ
ウム−銀合金を２００ｎｍ形成してＥＬ素子を作製し
た。この素子に直流電圧を１０Ｖ印加したところ、９０
０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００６８】（実施例２２）化合物（２）の代わりに化
合物（１０）を用いた以外は実施例２１と同様の操作を
行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１
０Ｖ印加したところ、１７００ｃｄ／ｍ² の発光が得ら
れた。

【００６９】（実施例２３）ガラス基板１上にＩＴＯを
スパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□になる
ように製膜し、陽極２とした。その上に化合物（１０）
とＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチ
ル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
［０３］をモル比で１：１０の割合で含有するクロロホ
ルム溶液を用いたスピンコート法により４０ｎｍの発光
層４を形成した。次にトリアゾール誘導体の化合物［１
０］を真空蒸着法により５０ｎｍの電子輸送層５を形成
し、その上に陰極６としてマグネシウム−銀合金を真空
蒸着法により２００ｎｍ形成して有機ＥＬ素子を作製し
た。この素子に直流電圧を１０Ｖ印加したところ、８０
０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７０】（実施例２４）実施例２４に用いた素子の
断面構造を図３に示す。素子は陽極／正孔輸送層／発光
層／陰極により構成されている。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏをスパッタリングによってシート抵抗が２０Ω／□に
なるように製膜し、陽極２とした。その上に正孔輸送層
３としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナ
フチル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン［０３］を真空蒸着法にて５０ｎｍ形成した。次に、
発光層４としてキノリノール系の金属錯体化合物［１
１］と化合物（２）とを２０：１の重量比で真空共蒸着
した膜を５０ｎｍ形成した。次に陰極６としてマグネシ
ウム−銀合金を２００ｎｍ形成してＥＬ素子を作製し
た。この素子に直流電圧を１０Ｖ印加したところ、１４
００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７１】（実施例２５）発光層４としてキノリノー
ル系の金属錯体化合物［１１］と化合物（５）とを２
０：１の重量比で真空共蒸着した５０ｎｍの膜を用いた
以外は実施例２４と同様の操作を行い有機ＥＬ素子を作
製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印加したところ、
２２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７２】（実施例２６）正孔輸送層３としてＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン
［０２］を、発光層４としてキノリノール系の金属錯体
化合物［１３］と化合物（５）とを２０：１の重量比で
真空共蒸着して作製した膜を用いた以外は実施例２５と
同様の操作を行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に
直流電圧を１０Ｖ印加したところ、１６００ｃｄ／ｍ²
の発光が得られた。

【００７３】（実施例２７）正孔輸送層３として化合物
（２）を、発光層４としてキノリノール系の金属錯体化
合物［１３］を用いた以外は実施例１１と同様の操作を
行い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１
０Ｖ印加したところ、８００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００７４】（実施例２８）正孔輸送材料として、化合
物（４）を用いた以外は実施例２７と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、７００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７５】（実施例２９）正孔輸送材料として、化合
物（７）を用いた以外は実施例２７と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、７８０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７６】（実施例３０）正孔輸送材料として、化合
物（１０）を用いた以外は実施例１８と同様の操作を行
い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０
Ｖ印加したところ、８３０ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００７７】（実施例３１）正孔輸送層３としてＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−
１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン［０３］
を、発光層４としてキノリノール系の金属錯体化合物
［１３］を、電子輸送層５として化合物（２）を用いた
以外は実施例１１と同様の操作を行い有機ＥＬ素子を作
製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ印加したところ、
１０００ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７８】（実施例３２）電子輸送層５として、化合
物（３）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、９９０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００７９】（実施例３３）電子輸送層５として、化合
物（４）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１１００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８０】（実施例３４）電子輸送層５として、化合
物（５）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１１００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８１】（実施例３５）電子輸送層５として、化合
物（６）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１０００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８２】（実施例３６）電子輸送層５として、化合
物（７）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１５００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８３】（実施例３７）電子輸送層５として、化合
物（８）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１２００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８４】（実施例３８）電子輸送層５として、化合
物（９）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行い
有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０Ｖ
印加したところ、１１００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８５】（実施例３９）電子輸送層５として、化合
物（１０）を用いた以外は実施例３１と同様の操作を行
い有機ＥＬ素子を作製した。この素子に直流電圧を１０
Ｖ印加したところ、２０００ｃｄ／ｍ² の発光が得られ
た。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明において
は、一般式（１）で示されるカルボニルヒドロキシルア
ミン化合物を有機ＥＬ素子の構成材料とすることによ
り、従来に比べて高輝度な発光が得られ、本発明の効果
は大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の構造例を示す模式断面
図である。

【図２】本発明の有機ＥＬ素子の構造例を示す模式断面
図である。

【図３】本発明の有機ＥＬ素子の構造例を示す模式断面
図である。

【図４】本発明の有機ＥＬ素子の構造例を示す模式断面
図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 陽極 ３ 正孔輸送層 ４ 発光層 ５ 電子輸送層 ６ 陰極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09K 11/06 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陰極と陽極の間に発光層を含む一層また
   は複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッ
   センス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層
   に、一般式（１）： 【化１】 （式中Ｍはｎ価の金属イオンを表す。Ｒ¹ ，Ｒ² はそれ
   ぞれ独立に置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
   くは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシク
   ロアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
   基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換
   もしくは無置換のアラルキル基を表す。ｎは１，２また
   は３のいずれかを表す。）で示されるカルボニルヒドロ
   キシルアミン化合物を単独もしくは混合物で含むことを
   特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 【請求項２】 前記有機薄膜層として、少なくとも正孔
   輸送層を有し、この層が一般式（１）で表される化合物
   を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする請求
   項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】 前記有機薄膜層として、少なくとも電子
   輸送層を有し、この層が一般式（１）で表される化合物
   を単独もしくは混合物として含むことを特徴とする請求
   項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。