JP2994454B2 - はんだリフロー炉 - Google Patents
はんだリフロー炉Info
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- JP2994454B2 JP2994454B2 JP2307517A JP30751790A JP2994454B2 JP 2994454 B2 JP2994454 B2 JP 2994454B2 JP 2307517 A JP2307517 A JP 2307517A JP 30751790 A JP30751790 A JP 30751790A JP 2994454 B2 JP2994454 B2 JP 2994454B2
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- chamber
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- heating chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、クリームはんだを介して電子部品を搭載し
た基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉
に関する。
た基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉
に関する。
（発明の概要） 本発明は、クリームはんだを介して電子部品を搭載し
た基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉
において、基板を昇降移送するための手段を設けること
によって設置面積の削減を図るとともに、チャンバーの
搬入口及び搬出口にシャッターを設けてチャンバー内に
供給する酸化防止用ガスの消費量低減を図ったものであ
る。
た基板のはんだ付けを実行するためのはんだリフロー炉
において、基板を昇降移送するための手段を設けること
によって設置面積の削減を図るとともに、チャンバーの
搬入口及び搬出口にシャッターを設けてチャンバー内に
供給する酸化防止用ガスの消費量低減を図ったものであ
る。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題） 従来のはんだリフロー炉は、加熱体を平面状に配置し
て、プリント基板上にクリームはんだを介し電子部品を
搭載した回路基板を水平面内で移送する構成であったた
め、はんだリフロー炉の設置床面積が大きくなる欠点が
あった。また、プリント基板のパターンが微細化するな
かで、はんだの酸化も問題になり、窒素ガス等の酸化防
止用ガスを用いた酸素除去の必要性が増しているが、従
来装置では酸化防止用ガスの消費を低減する対策が施さ
れていないため、ランニングコストが高くなっている嫌
いがある。
て、プリント基板上にクリームはんだを介し電子部品を
搭載した回路基板を水平面内で移送する構成であったた
め、はんだリフロー炉の設置床面積が大きくなる欠点が
あった。また、プリント基板のパターンが微細化するな
かで、はんだの酸化も問題になり、窒素ガス等の酸化防
止用ガスを用いた酸素除去の必要性が増しているが、従
来装置では酸化防止用ガスの消費を低減する対策が施さ
れていないため、ランニングコストが高くなっている嫌
いがある。
本発明は、上記の点に鑑み、設置スペースの低減及び
ランニングコストの低減を図り得るはんだリフロー炉を
提供することを目的とする。
ランニングコストの低減を図り得るはんだリフロー炉を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明は、チャンバーを
上下方向の中央隔壁で２つの加熱室（2A,2B）に区画
し、一方の加熱室（2A）に基板搬入口を、他方の加熱室
（2B）に基板搬出口をそれぞれ設け、前記加熱室（2A）
を上のゾーン（Z1）と下のゾーン（Z2）に仕切り部材で
仕切り、前記加熱室（2B）を下のゾーン（Z3）と上のゾ
ーン（Z4）に仕切り部材で仕切り、前記２つの加熱室の
上下のゾーンにわたって基板を上下方向に移送する昇降
手段をそれぞれ設け、前記２つの加熱室の下のゾーン
（Z2,Z3）同士を連絡するようにコンベアを設け、前記
基板搬入口及び搬出口を開閉するシャッターを設け、前
記２つの加熱室内壁に輻射熱発生手段をそれぞれ配設
し、さらに前記チャンバーを貫通するガス供給路を通し
てはんだ酸化防止用ガスを前記チャンバー内に供給し、
前記チャンバー内の各ゾーンに熱風を供給するととも
に、前記ゾーン（Z2）よりも前記ゾーン（Z3,Z4）を高
温に設定したことを特徴としている。
上下方向の中央隔壁で２つの加熱室（2A,2B）に区画
し、一方の加熱室（2A）に基板搬入口を、他方の加熱室
（2B）に基板搬出口をそれぞれ設け、前記加熱室（2A）
を上のゾーン（Z1）と下のゾーン（Z2）に仕切り部材で
仕切り、前記加熱室（2B）を下のゾーン（Z3）と上のゾ
ーン（Z4）に仕切り部材で仕切り、前記２つの加熱室の
上下のゾーンにわたって基板を上下方向に移送する昇降
手段をそれぞれ設け、前記２つの加熱室の下のゾーン
（Z2,Z3）同士を連絡するようにコンベアを設け、前記
基板搬入口及び搬出口を開閉するシャッターを設け、前
記２つの加熱室内壁に輻射熱発生手段をそれぞれ配設
し、さらに前記チャンバーを貫通するガス供給路を通し
てはんだ酸化防止用ガスを前記チャンバー内に供給し、
前記チャンバー内の各ゾーンに熱風を供給するととも
に、前記ゾーン（Z2）よりも前記ゾーン（Z3,Z4）を高
温に設定したことを特徴としている。
また、前記昇降手段は螺旋スクリュー軸で前記基板の
縁部を支持し、該螺旋スクリュー軸の回転によって前記
基板を昇降させるスクリュー搬送機構であるとよい。
縁部を支持し、該螺旋スクリュー軸の回転によって前記
基板を昇降させるスクリュー搬送機構であるとよい。
（作用） 本発明のはんだリフロー炉においては、チャンバーを
上下方向の中央隔壁で２つの加熱室に区画し、各加熱室
を仕切り部材で上下のゾーン（合計４個のゾーン）に仕
切り、基板を上下方向に移送する昇降手段を各加熱室に
内蔵しているため、設置床面積を従来よりも大幅に低減
することができるとともに必要なゾーン数を確保でき
る。また、チャンバーの基板搬入口及び搬出口にシャッ
ターを設けて、チャンバーからのはんだ酸化防止用ガス
の無駄な放出を防止することにより、はんだ酸化防止用
ガスの消費を抑制し、ひいてはランニングコストの低減
を図り得る。
上下方向の中央隔壁で２つの加熱室に区画し、各加熱室
を仕切り部材で上下のゾーン（合計４個のゾーン）に仕
切り、基板を上下方向に移送する昇降手段を各加熱室に
内蔵しているため、設置床面積を従来よりも大幅に低減
することができるとともに必要なゾーン数を確保でき
る。また、チャンバーの基板搬入口及び搬出口にシャッ
ターを設けて、チャンバーからのはんだ酸化防止用ガス
の無駄な放出を防止することにより、はんだ酸化防止用
ガスの消費を抑制し、ひいてはランニングコストの低減
を図り得る。
（実施例） 以下、本発明に係るはんだリフロー炉の実施例を図面
に従って説明する。
に従って説明する。
第１図において、１はチャンバーであり、該チャンバ
ーは中央隔壁で区画された２つの加熱室2A,2Bを有し、
さらに各加熱室2A,2Bは仕切り板3A,3Bでそれぞれ２つの
ゾーンに仕切られている。すなわち、チャンバー１内は
第１図右上の第１ゾーンZ1と、右下の第２ゾーンZ2と、
左下の第３ゾーンZ3と、左上の第４ゾーンZ4とに区画さ
れている。
ーは中央隔壁で区画された２つの加熱室2A,2Bを有し、
さらに各加熱室2A,2Bは仕切り板3A,3Bでそれぞれ２つの
ゾーンに仕切られている。すなわち、チャンバー１内は
第１図右上の第１ゾーンZ1と、右下の第２ゾーンZ2と、
左下の第３ゾーンZ3と、左上の第４ゾーンZ4とに区画さ
れている。
プリント基板11上にクリームはんだを介し電子部品12
を搭載した回路基板10をメカニカルハンド13等でチャン
バー１内の第１ゾーンZ1に供給可能な如くチャンバー１
の一方の加熱室2Aには基板搬入口４が設けられている。
また、第４ゾーンZ4に到達したはんだ付け処理後の回路
基板10をメカニカルハンド等で取り出すためにチャンバ
ー１の他方の加熱室2Bには基板搬出口５が設けられてい
る。それらの搬入口４及び搬出口５には開閉用のシャッ
ター6,7が開閉自在に配設されている。
を搭載した回路基板10をメカニカルハンド13等でチャン
バー１内の第１ゾーンZ1に供給可能な如くチャンバー１
の一方の加熱室2Aには基板搬入口４が設けられている。
また、第４ゾーンZ4に到達したはんだ付け処理後の回路
基板10をメカニカルハンド等で取り出すためにチャンバ
ー１の他方の加熱室2Bには基板搬出口５が設けられてい
る。それらの搬入口４及び搬出口５には開閉用のシャッ
ター6,7が開閉自在に配設されている。
各加熱室2A,2Bには、基板を上下方向に移送する昇降
手段としてのスクリュー搬送機構8A,8Bが配設されてい
る。該スクリュー搬送機構8A,8Bは、第２図に示すよう
に、４本の螺旋スクリュー軸20で回路基板10の縁部を支
持し、各螺旋スクリュー軸20の回転によって回路基板10
を昇降せしめるものである。例えば第２図の矢印a,bの
如く螺旋スクリュー軸20を回転した場合は回路基板10は
下降し、逆に矢印c,dの如く回転した場合は回路基板10
は上昇する。
手段としてのスクリュー搬送機構8A,8Bが配設されてい
る。該スクリュー搬送機構8A,8Bは、第２図に示すよう
に、４本の螺旋スクリュー軸20で回路基板10の縁部を支
持し、各螺旋スクリュー軸20の回転によって回路基板10
を昇降せしめるものである。例えば第２図の矢印a,bの
如く螺旋スクリュー軸20を回転した場合は回路基板10は
下降し、逆に矢印c,dの如く回転した場合は回路基板10
は上昇する。
前記加熱室2A,2Bを連絡するために横方向のコンベア
（ワイヤコンベア）15がチャンバー内下部に配設され、
また加熱室2Aの第２ゾーンZ2及び加熱室2Bの第３ゾーン
Z3に連通する如くガス供給管16がチャンバー１を貫通し
て設けられている。各ガス供給管16を介しはんだ酸化防
止用ガスとしての窒素ガスがチャンバー内に供給される
ようになっている。さらに、図示しない熱風供給路から
第２ゾーンZ2及び第３ゾーンZ3に熱風が供給されてい
る。また、各加熱室2A,2Bの天井部分には輻射熱発生手
段としての遠赤外面状ヒーター17がそれぞれ配設されて
いる。
（ワイヤコンベア）15がチャンバー内下部に配設され、
また加熱室2Aの第２ゾーンZ2及び加熱室2Bの第３ゾーン
Z3に連通する如くガス供給管16がチャンバー１を貫通し
て設けられている。各ガス供給管16を介しはんだ酸化防
止用ガスとしての窒素ガスがチャンバー内に供給される
ようになっている。さらに、図示しない熱風供給路から
第２ゾーンZ2及び第３ゾーンZ3に熱風が供給されてい
る。また、各加熱室2A,2Bの天井部分には輻射熱発生手
段としての遠赤外面状ヒーター17がそれぞれ配設されて
いる。
以上の実施例の構成において、チャンバー内の第１ゾ
ーンZ1は遠赤外面状ヒーター17及び熱風により400℃程
度に設定され、第２ゾーンZ2は主として熱風により250
℃程度に設定され、第３ゾーンZ3は主として熱風により
400℃程度に設定され、第４ゾーンZ4は遠赤外面状ヒー
ター17及び熱風により550℃程度に設定されている。
ーンZ1は遠赤外面状ヒーター17及び熱風により400℃程
度に設定され、第２ゾーンZ2は主として熱風により250
℃程度に設定され、第３ゾーンZ3は主として熱風により
400℃程度に設定され、第４ゾーンZ4は遠赤外面状ヒー
ター17及び熱風により550℃程度に設定されている。
そして、プリント基板11上にクリームはんだを介し電
子部品12を搭載した回路基板10はメカニカルハンド13等
で開状態の基板搬入口４を介しチャンバー１内の第１ゾ
ーンZ1に供給され、昇降手段としてのスクリュウー搬送
機構8Aにて支持される。その後、スクリュウー搬送機構
8Aの下降動作により回路基板10は第２ゾーンZ2に入り、
ここを通過する間に回路基板上のクリームはんだの温度
は160℃程度にまで上昇することになる。
子部品12を搭載した回路基板10はメカニカルハンド13等
で開状態の基板搬入口４を介しチャンバー１内の第１ゾ
ーンZ1に供給され、昇降手段としてのスクリュウー搬送
機構8Aにて支持される。その後、スクリュウー搬送機構
8Aの下降動作により回路基板10は第２ゾーンZ2に入り、
ここを通過する間に回路基板上のクリームはんだの温度
は160℃程度にまで上昇することになる。
第２ゾーンZ2を通った回路基板10はスクリュウー搬送
機構8Aから横方向のコンベア15上に載置され、該コンベ
ア15の矢印ｅ方向の移動により加熱室2Bに移される。そ
して、加熱室2B側のスクリュウー搬送機構8Bにて順次保
持されて第３ゾーンZ3内を上方に移送される。この第３
ゾーンZ3を通過する間に回路基板上のクリームはんだの
温度は190℃程度にまで上昇する。
機構8Aから横方向のコンベア15上に載置され、該コンベ
ア15の矢印ｅ方向の移動により加熱室2Bに移される。そ
して、加熱室2B側のスクリュウー搬送機構8Bにて順次保
持されて第３ゾーンZ3内を上方に移送される。この第３
ゾーンZ3を通過する間に回路基板上のクリームはんだの
温度は190℃程度にまで上昇する。
そして、スクリュウー搬送機構8Bの上昇動作により第
４ゾーンZ4に到達した回路基板上のクリームはんだの温
度は230℃程度に達し、クリームはんだは溶融状態とな
って所定のはんだ付けが実行される。そして、開状態の
基板搬出口５よりはんだ付け処理後の回路基板10がメカ
ニカルハンド等で外部に取り出される。
４ゾーンZ4に到達した回路基板上のクリームはんだの温
度は230℃程度に達し、クリームはんだは溶融状態とな
って所定のはんだ付けが実行される。そして、開状態の
基板搬出口５よりはんだ付け処理後の回路基板10がメカ
ニカルハンド等で外部に取り出される。
なお、シャッター6,7は基板搬入、搬出のタイミング
以外は閉じた状態として熱風及び窒素ガスの無駄な放出
を極力防止する。
以外は閉じた状態として熱風及び窒素ガスの無駄な放出
を極力防止する。
上記実施例の構成によれば、以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１） チャンバー構造であり、熱風の撹拌効果によっ
て各ゾーンにおける温度のばらつきを少なくすることが
できる。
て各ゾーンにおける温度のばらつきを少なくすることが
できる。
（２） 回路基板10を上下方向に移送するので、設置床
面積を大幅に削減できる。例えば、現状の平面的な基板
移送によるものは設置床面積が2300mm×600mmである
が、上記実施例の場合1000mm×600mmとなり半減する。
面積を大幅に削減できる。例えば、現状の平面的な基板
移送によるものは設置床面積が2300mm×600mmである
が、上記実施例の場合1000mm×600mmとなり半減する。
（３） チャンバー内にはんだ酸化防止用ガスとしての
窒素ガスを各ガス供給管16を介して供給することによっ
て、回路基板10上のはんだの酸化を防止できる。また、
チャンバー１の基板搬入口４及び基板搬出口５はシャッ
ター6,7で回路基板の搬入、搬出時以外は閉じておくこ
とができるので、窒素ガスの消費量を低減（例えば従来
品に比して半減）できる。
窒素ガスを各ガス供給管16を介して供給することによっ
て、回路基板10上のはんだの酸化を防止できる。また、
チャンバー１の基板搬入口４及び基板搬出口５はシャッ
ター6,7で回路基板の搬入、搬出時以外は閉じておくこ
とができるので、窒素ガスの消費量を低減（例えば従来
品に比して半減）できる。
（４） 回路基板10の上下送りはスクリュウー搬送機構
8A,8Bで行っており、各螺旋スクリュー軸20の回転数を
変化させることによって処理量の制御ができる。
8A,8Bで行っており、各螺旋スクリュー軸20の回転数を
変化させることによって処理量の制御ができる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明のはんだリフロー炉によ
れば、チャンバーを上下方向の中央隔壁で２つの加熱室
に区画し、各加熱室を仕切り部材で上下のゾーン（合計
４個のゾーン）に仕切り、基板を上下方向に移送する昇
降手段を各加熱室に内蔵しているため、設置床面積を従
来よりも大幅に低減することができるとともに必要なゾ
ーン数を確保でき、またシャッター付き搬入、搬出口を
備えたチャンバー構造の採用によってはんだ酸化防止用
ガスの消費を抑えてランニングコストの低減を図ること
ができる。
れば、チャンバーを上下方向の中央隔壁で２つの加熱室
に区画し、各加熱室を仕切り部材で上下のゾーン（合計
４個のゾーン）に仕切り、基板を上下方向に移送する昇
降手段を各加熱室に内蔵しているため、設置床面積を従
来よりも大幅に低減することができるとともに必要なゾ
ーン数を確保でき、またシャッター付き搬入、搬出口を
備えたチャンバー構造の採用によってはんだ酸化防止用
ガスの消費を抑えてランニングコストの低減を図ること
ができる。
第１図は本発明に係るはんだリフロー炉の実施例を示す
構成図、第２図はスクリュー搬送機構の構成図である。 １……チャンバー、2A,2B……加熱室、４……搬入口、
５……搬出口、6,7……シャッター、8A,8B……スクリュ
ー搬送機構、10……回路基板、11……電子部品、12……
プリント基板、15……コンベア、17……遠赤外面状ヒー
ター、20……スクリュー軸。
構成図、第２図はスクリュー搬送機構の構成図である。 １……チャンバー、2A,2B……加熱室、４……搬入口、
５……搬出口、6,7……シャッター、8A,8B……スクリュ
ー搬送機構、10……回路基板、11……電子部品、12……
プリント基板、15……コンベア、17……遠赤外面状ヒー
ター、20……スクリュー軸。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−137666（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−144860（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−101372（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 1/00 - 1/20 B23K 31/02 310 H05K 3/34 507
Claims (2)
- 【請求項１】チャンバーを上下方向の中央隔壁で２つの
加熱室（2A,2B）に区画し、一方の加熱室（2A）に基板
搬入口を、他方の加熱室（2B）に基板搬出口をそれぞれ
設け、前記加熱室（2A）を上のゾーン（Z1）と下のゾー
ン（Z2）に仕切り部材で仕切り、前記加熱室（2B）を下
のゾーン（Z3）と上のゾーン（Z4）に仕切り部材で仕切
り、前記２つの加熱室の上下のゾーンにわたって基板を
上下方向に移送する昇降手段をそれぞれ設け、前記２つ
の加熱室の下のゾーン（Z2,Z3）同士を連絡するように
コンベアを設け、前記基板搬入口及び搬出口を開閉する
シャッターを設け、前記２つの加熱室内壁に輻射熱発生
手段をそれぞれ配設し、さらに前記チャンバーを貫通す
るガス供給路を通してはんだ酸化防止用ガスを前記チャ
ンバー内に供給し、前記チャンバー内の各ゾーンに熱風
を供給するとともに、前記ゾーン（Z2）よりも前記ゾー
ン（Z3,Z4）を高温に設定したことを特徴とするはんだ
リフロー炉。 - 【請求項２】前記昇降手段は螺旋スクリュー軸で前記基
板の縁部を支持し、該螺旋スクリュー軸の回転によって
前記基板を昇降させるスクリュー搬送機構である請求項
１記載のはんだリフロー炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307517A JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307517A JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182063A JPH04182063A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2994454B2 true JP2994454B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=17970036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307517A Expired - Fee Related JP2994454B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | はんだリフロー炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994454B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3404768B2 (ja) * | 1992-08-07 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | リフロー装置 |
| JP2518539B2 (ja) * | 1993-11-15 | 1996-07-24 | 日本電気株式会社 | 縦型リフロ―半田付装置 |
| TW570856B (en) | 2001-01-18 | 2004-01-11 | Fujitsu Ltd | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2307517A patent/JP2994454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04182063A (ja) | 1992-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |