JP2994173B2 - 映像レベル出力回路 - Google Patents

映像レベル出力回路

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JP2994173B2
JP2994173B2 JP5142468A JP14246893A JP2994173B2 JP 2994173 B2 JP2994173 B2 JP 2994173B2 JP 5142468 A JP5142468 A JP 5142468A JP 14246893 A JP14246893 A JP 14246893A JP 2994173 B2 JP2994173 B2 JP 2994173B2
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佳之 宇都
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日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は映像レベル出力回路に関
し、特にVTR系オンスクリーン・ディスプレイ用とし
て用いられる半導体集積回路により形成される映像レベ
ル出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、この種のオンスクリーン・ディ
スプレイ用として用いられる、半導体集積回路により形
成される映像レベル出力回路は、図3に示されるよう
に、電源端子22、出力端子23および端子24に対応
して、任意の映像レベルを設定するための複数の抵抗器
5、6、…………、7と、同期先端レベルを設定するた
めの抵抗器9と、任意の映像レベルを出力するための複
数のトランスファゲート11、12、…………、13、
14と、これらのトランスファゲートを制御する出力選
択回路10と、外付け抵抗器3とを備えて構成される。
【0003】図3において、映像レベルを設定する抵抗
器5、6、…………、7および同期先端レベルを設定す
る抵抗器9は、出力端子23より出力される映像信号レ
ベルが、所定のレベルに設定されるように分圧比が設定
されており、外付け抵抗器3は、上記の抵抗器5、6、
…………、7および抵抗器9の合計抵抗値となるように
設定されている。トランスファゲート11、12、……
……、13、14の入力側は、それぞれ抵抗器5、6、
…………、7および抵抗器9による分圧点に接続されて
おり、また、これらのトランスファゲート11、12、
…………、13、14に対する制御入力としては、出力
選択回路10より出力される制御信号がそれぞれ入力さ
れている。即ち、出力選択回路10より出力される選択
制御信号により一つのトランスファゲートが選択され、
この選択されたトランスファゲートを介して、分圧比に
より指定される電圧レベルが出力端子23に出力され、
これにより所望の映像レベルが与えられる。
【0004】このようにして、映像レベルを所望レベル
に設定する映像レベル出力回路においては、オンスクリ
ーン・ディスプレイ用半導体集積回路によって、映像レ
ベルを1Vp-p で使用する場合と2Vp-p で使用する場
合の二通りの場合があり、前者の映像レベルを1Vp-p
で使用する場合には、外付け抵抗器3はそのまま使用さ
れて映像レベルが設定され、また、後者の映像レベルを
2Vp-p で使用する場合には、電源端子22と端子24
が接続されて外付け抵抗器3は短絡され、映像レベルを
設定する抵抗器5、6、…………、7および同期先端レ
ベルを設定する抵抗器9には2倍量の電流が流されて、
これにより、映像レベルの設定が行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の映像レ
ベル出力回路においては、出力される映像レベルを設定
する抵抗器に流れる電流は、映像レベルを2Vp-p で使
用する場合には、映像レベルを1Vp-p で使用する場合
の2倍となる。この場合、外付け抵抗器3は短絡されて
いるため問題はないが、同期先端レベルを設定する抵抗
器9はそのままの状態で接続されており、これにより、
抵抗器9により設定される同期先端レベルが、電流量の
差異により変動するという欠点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の映像レベル出力
回路は、電源端子と特定の接続端子との間に接続される
外付け抵抗器と、前記外付け抵抗器の低電位側に直列接
続される第1の同期先端レベル設定用抵抗器と、前記第
1の同期先端レベル設定用抵抗器の低電位側に直列接続
されるn個の映像レベル設定用抵抗器と、前記映像レベ
ル設定用抵抗器の低電位側と接地点との間に順次直列接
続される第2および第3の同期先端レベル設定用抵抗器
と、前記第1の同期先端レベル設定用抵抗器に対して並
列に接続される第1のトランジスタと、前記第3の同期
先端レベル設定用抵抗器に対して並列に接続される第2
のトランジスタと、入力端が、前記n個の映像レベル設
定用抵抗器における(n−1)個の相互の接続点ならび
に当該映像レベル設定用抵抗器と前記第2の同期先端レ
ベル設定用抵抗器との接続点に接続され、出力端が、所
定の出力端子に接続されるn個のトランスファゲート
と、前記n個のトランスファゲートに対して、当該トラ
ンスファゲート選択用の制御信号を出力する出力選択回
路と、を備えて構成され、前記第1および第2のトラン
ジスタに対するオン・オフ制御を介して、前記第1およ
び第3の同期先端レベル設定用抵抗器の何れか一方を短
絡することにより、映像レベルを二つの電圧レベルに対
応して出力することを特徴としている。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の第1の実施例を示す回路図
である。図1に示されるように、本実施例は、制御端子
21、電源端子22、出力端子23および端子24に対
応して、PMOSトランジスタ1と、NMOSトランジ
スタ2と、外付け抵抗器3と、同期先端レベル設定用抵
抗器4、8および9と、複数の映像レベル設定用抵抗器
5、6、…………、7と、任意の映像レベルを出力する
ための複数のトランスファゲート11、12、………
…、13、14と、これらのトランスファゲートを制御
する出力選択回路10とを備えて構成される。なお、同
期先端レベル設定用抵抗器4、8および9の抵抗値は、
それぞれ同一抵抗値に設定されており、外付け抵抗器3
の抵抗値は、映像レベル設定用抵抗器5、6、………
…、7と、同期先端レベル設定用抵抗器4および8、ま
たは同期先端レベル設定用抵抗器8および9との合成抵
抗値に等しい値に設定されている。
【0009】図1において、本実施例を、映像レベルを
1Vp-p で使用する場合には、制御端子21の電位は接
地電位に設定される。これにより、PMOSトランジス
タ1は短絡状態となって、同期先端レベル設定用抵抗器
4は短絡され、また、NMOSトランジスタ2は開放状
態となって、同期先端レベル設定用抵抗器9は接続状態
がそのまま保持される。この状態においては、電源端子
22と接地電位との間に接続される抵抗器は、外付け抵
抗器3、映像レベル設定用抵抗器5、6、…………、7
および同期先端レベル設定用抵抗器8および9となり、
出力選択回路10より出力される選択制御信号により、
トランスファゲート11、12、…………、13および
14の内の一つのトランスファゲートが選択され、この
選択されたトランスファゲートを介して、電源端子22
と接地電位との間に接続される上記の抵抗器による分圧
比によって指定される電圧レベルが出力端子23に出力
され、これにより所望の映像レベルが与えられる。
【0010】次に、本実施例を、映像レベルを2Vp-p
で使用する場合には、制御端子21の電位は電源電圧と
同電位に設定される。これにより、PMOSトランジス
タ1は開放状態となって、同期先端レベル設定用抵抗器
4は接続状態がそのまま保持され、また、NMOSトラ
ンジスタ2は短絡状態となって、同期先端レベル設定用
抵抗器9は短絡される。そして、なお且つ電源端子22
と端子24とが短絡されて外付け抵抗器3も短絡され
る。この状態においては、電源端子22と接地電位との
間に接続される抵抗器は、同期先端レベル設定用抵抗器
4、8および9、映像レベル設定用抵抗器5、6、……
…、7となる。従って、これらの抵抗器の合成抵抗値
は、前述の映像レベルを1Vp-p で使用する場合の合成
抵抗値の1/2になり電流量は2倍となる。従って、映
像レベル設定用抵抗器5、6、………、7および同期先
端レベル設定用抵抗器4および8において発生される電
圧も2倍となり、これにより、出力端子23からは、2
Vp-p の出力が得られる。なお、前述の第1の実施例に
おいては、同期先端レベルが、同期先端レベル設定用抵
抗器8および9を介して設定されていたのに対して、本
実施例においては、同期先端レベル設定用抵抗器9が短
絡されているため先端レベル設定用抵抗器8のみにより
設定されているが、電流値が2倍であるために、前述の
映像レベルを1Vp-p で使用する場合と等しい同期先端
レベル値が得られる。
【0011】次に、図2は、本発明の第2の実施例を示
す回路図である。図2に示されるように、本実施例は、
制御端子21、電源端子22、出力端子23および端子
24に対応して、PNPトランジスタ15と、NPNト
ランジスタ16と、外付け抵抗器3と、同期先端レベル
設定用抵抗器4、8および9と、複数の映像レベル設定
用抵抗器5、6、…………、7と、任意の映像レベルを
選択して出力するための複数のトランスファゲート1
1、12、…………、13、14と、これらのトランス
ファゲートの選択を制御する出力選択回路10とを備え
て構成される。
【0012】図2において、第1の実施例の場合と同様
に、外付け抵抗器3の抵抗値は、映像レベル設定用抵抗
器5、6、…………、7と、同期先端レベル設定用抵抗
器8および9の合成抵抗値に等しい抵抗値に設定されて
おり、また同期先端レベル設定用抵抗器4、8および9
は、それぞれ同一抵抗値に設定されている。図1との対
比による明らかなように、本実施例と第1の実施例との
相違点は、第1の実施例におけるPMOSトランジスタ
1およびNMOSトランジスタ2が、それぞれPNPト
ランジスタ15およびNPNトランジスタ16に置換え
られていることであり、これにより、映像レベルを1V
p-p で使用する場合、および映像レベルを2Vp-p で使
用する場合に対応して、制御端子21に入力される電位
レベルを介して、それぞれ抵抗器4および9を短絡する
ことにより、第1の実施例の場合と同様に、電源端子2
2と接地電位との間に接続される抵抗の分圧比によって
指定される電圧レベルが出力端子23に出力され、これ
により所望の映像レベルが与えられる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、外付け
抵抗器と映像レベル設定用抵抗器との間に第1の同期先
端レベル設定用抵抗器を設け、当該映像レベル設定用抵
抗器の他端と接地点との間に直列接続される第2および
第3の同期先端レベル設定用抵抗器を設けて、前記第1
および第3の同期先端レベル設定用抵抗器に対して、そ
れぞれトランジスタを並列接続させて当該同期先端レベ
ル設定用抵抗器のオン・オフを制御することにより、映
像レベルが1Vp-p で使用する場合ならびに2Vp-p
使用する場合の何れの場合においても、同期先端レベル
が変動することなく得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図3】従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 PMOSトランジスタ 2 NMOSトランジスタ 3 外付け抵抗器 4、8、9 同期先端レベル設定用抵抗器 5、6〜7 映像レベル設定用抵抗器 10 出力選択回路 11、12〜13、14 トランスファゲート 15 PNPトランジスタ 16 NPNトランジスタ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源端子と特定の接続端子との間に接続
    される外付け抵抗器と、 前記外付け抵抗器の低電位側に直列接続される第1の同
    期先端レベル設定用抵抗器と、 前記第1の同期先端レベル設定用抵抗器の低電位側に直
    列接続されるn個の映像レベル設定用抵抗器と、 前記映像レベル設定用抵抗器の低電位側と接地点との間
    に順次直列接続される第2および第3の同期先端レベル
    設定用抵抗器と、 前記第1の同期先端レベル設定用抵抗器に対して並列に
    接続される第1のトランジスタと、 前記第3の同期先端レベル設定用抵抗器に対して並列に
    接続される第2のトランジスタと、 入力端が、前記n個の映像レベル設定用抵抗器における
    (n−1)個の相互の接続点ならびに当該映像レベル設
    定用抵抗器と前記第2の同期先端レベル設定用抵抗器と
    の接続点に接続され、出力端が、所定の出力端子に接続
    されるn個のトランスファゲートと、 前記n個のトランスファゲートに対して、当該トランス
    ファゲート選択用の制御信号を出力する出力選択回路
    と、 を備えて構成され、前記第1および第2のトランジスタ
    に対するオン・オフ制御を介して、前記第1および第3
    の同期先端レベル設定用抵抗器の何れか一方を短絡する
    ことにより、映像レベルを二つの電圧レベルに対応して
    出力することを特徴とする映像レベル出力回路。
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