JP2984141B2 - 基体の洗浄方法 - Google Patents
基体の洗浄方法Info
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- JP2984141B2 JP2984141B2 JP4104774A JP10477492A JP2984141B2 JP 2984141 B2 JP2984141 B2 JP 2984141B2 JP 4104774 A JP4104774 A JP 4104774A JP 10477492 A JP10477492 A JP 10477492A JP 2984141 B2 JP2984141 B2 JP 2984141B2
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- solvent
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に薄膜形成技術に
より、薄い膜が被着される基体の洗浄方法に関する。
より、薄い膜が被着される基体の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、複写機やプリンタ等に使用される電
子写真感光体は円筒状を成すアルミニウム製基体の表面
に例えばプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成技術を採用し、
光導電層としてのアモルファスシリコン膜（以下、ａ−
Ｓｉ膜と略記する）を被着することによって製作されて
いる。
子写真感光体は円筒状を成すアルミニウム製基体の表面
に例えばプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成技術を採用し、
光導電層としてのアモルファスシリコン膜（以下、ａ−
Ｓｉ膜と略記する）を被着することによって製作されて
いる。
【０００３】かかる電子写真感光体は基体表面に被着さ
れるａ−Ｓｉ膜の膜厚が極めて薄く、該ａ−Ｓｉ膜の基
体表面に対する密着性、電気的特性等は基体の表面状態
に大きく左右されるため、通常、基体の外周面には鏡面
研摩等の平滑化処理を施した後、基体表面に付着してい
る油や加工屑等の汚れを有機溶剤等を用いて完全に洗浄
除去していた。
れるａ−Ｓｉ膜の膜厚が極めて薄く、該ａ−Ｓｉ膜の基
体表面に対する密着性、電気的特性等は基体の表面状態
に大きく左右されるため、通常、基体の外周面には鏡面
研摩等の平滑化処理を施した後、基体表面に付着してい
る油や加工屑等の汚れを有機溶剤等を用いて完全に洗浄
除去していた。
【０００４】尚、前記基体の洗浄は、まず洗浄槽内にＣ
Ｈ2 Ｃｌ2 等の有機溶剤を注入するとともに該有機溶剤
中に基体を浸漬して基体表面に付着している加工屑や油
等の汚れを有機溶剤中に洗い出し、しかる後、前記基体
を有機溶剤から引き上げながら基体表面に付着している
有機溶剤を揮散させることにより行われている。
Ｈ2 Ｃｌ2 等の有機溶剤を注入するとともに該有機溶剤
中に基体を浸漬して基体表面に付着している加工屑や油
等の汚れを有機溶剤中に洗い出し、しかる後、前記基体
を有機溶剤から引き上げながら基体表面に付着している
有機溶剤を揮散させることにより行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の基体の洗浄方法によれば、基体を有機溶剤から引き
上げる際、基体の表面に油等を含んだ有機溶剤が付着
し、これが乾燥しみとなって基体表面に残り、基体表面
にａ−Ｓｉ膜等の薄膜をプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成
技術によって被着させた場合、ａ−Ｓｉ膜に前記乾燥し
みに起因して成膜欠陥が発生したり、ａ−Ｓｉ膜の電気
的特性が全体として不均一なものとなったりするという
欠点を有していた。
来の基体の洗浄方法によれば、基体を有機溶剤から引き
上げる際、基体の表面に油等を含んだ有機溶剤が付着
し、これが乾燥しみとなって基体表面に残り、基体表面
にａ−Ｓｉ膜等の薄膜をプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成
技術によって被着させた場合、ａ−Ｓｉ膜に前記乾燥し
みに起因して成膜欠陥が発生したり、ａ−Ｓｉ膜の電気
的特性が全体として不均一なものとなったりするという
欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために、洗浄槽
内の有機溶剤上にフリーボード（蒸気発生器等により形
成される溶剤蒸気の層）を設けるとともに、該フリーボ
ード内において基体表面に付着している油等を含んだ有
機溶剤を揮散させ、これによって基体表面に乾燥しみが
発生するのを有効に防止した方法が知られている。
内の有機溶剤上にフリーボード（蒸気発生器等により形
成される溶剤蒸気の層）を設けるとともに、該フリーボ
ード内において基体表面に付着している油等を含んだ有
機溶剤を揮散させ、これによって基体表面に乾燥しみが
発生するのを有効に防止した方法が知られている。
【０００７】しかしながら上記洗浄方法においては、フ
リーボードを設けるために洗浄装置に別途、蒸気発生器
を組み込まなければならず、洗浄装置を高価とするとと
もに全体構造を複雑なものとしてしまい、同時に蒸気発
生器の使用に伴って極めて多量の有機溶剤を必要とする
欠点を有していた。
リーボードを設けるために洗浄装置に別途、蒸気発生器
を組み込まなければならず、洗浄装置を高価とするとと
もに全体構造を複雑なものとしてしまい、同時に蒸気発
生器の使用に伴って極めて多量の有機溶剤を必要とする
欠点を有していた。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、低コストで、かつ基体表面に乾
燥しみを発生させることのない基体の洗浄方法を提供す
ることにある。
のであり、その目的は、低コストで、かつ基体表面に乾
燥しみを発生させることのない基体の洗浄方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明の基体の洗浄方
法は、基体表面に付着している汚れを下記（１）乃至
（３）の工程により洗浄することを特徴とする。
法は、基体表面に付着している汚れを下記（１）乃至
（３）の工程により洗浄することを特徴とする。
【００１０】（１）有機溶剤中に汚れの付着している基
体を浸漬し、有機溶剤によって汚れを基体より洗い流す
工程。
体を浸漬し、有機溶剤によって汚れを基体より洗い流す
工程。
【００１１】（２）有機溶剤を沸点より１．５〜１０℃
低い温度に加熱して、有機溶剤上に溶剤蒸気層を形成す
る工程。
低い温度に加熱して、有機溶剤上に溶剤蒸気層を形成す
る工程。
【００１２】（３）有機溶剤中に浸漬した基体を８．４
乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの速さで有機溶剤より引き上
げ基体表面に付着する有機溶剤を溶剤蒸気層内で揮散さ
せる工程。
乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの速さで有機溶剤より引き上
げ基体表面に付着する有機溶剤を溶剤蒸気層内で揮散さ
せる工程。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、電子写真感光体に
使用される円筒状基体を洗浄する場合を例にとって説明
する。
使用される円筒状基体を洗浄する場合を例にとって説明
する。
【００１４】図１は本発明の洗浄方法を実施するのに使
用される洗浄装置の概略図であり、１は洗浄槽、２は有
機溶剤、３は溶剤蒸気層、４は円筒状基体、５は超音波
振動子、６はヒータ、７は凝縮管である。
用される洗浄装置の概略図であり、１は洗浄槽、２は有
機溶剤、３は溶剤蒸気層、４は円筒状基体、５は超音波
振動子、６はヒータ、７は凝縮管である。
【００１５】前記洗浄槽１はステンレス等から成ってお
り、その内部にはジクロロメタン（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）やト
リクロロエタン（ＣＣｌ3 ＣＨ3 ）等の有機溶剤２が注
入される。
り、その内部にはジクロロメタン（ＣＨ2 Ｃｌ2 ）やト
リクロロエタン（ＣＣｌ3 ＣＨ3 ）等の有機溶剤２が注
入される。
【００１６】前記有機溶剤２は円筒状基体４表面に付着
される油や加工屑等の汚れを洗い出し、円筒状基体４表
面を、ａ−Ｓｉ膜等が被着されるのに適した状態とする
作用を為す。
される油や加工屑等の汚れを洗い出し、円筒状基体４表
面を、ａ−Ｓｉ膜等が被着されるのに適した状態とする
作用を為す。
【００１７】また前記有機溶剤２が注入される洗浄槽１
の内壁面には超音波振動子５が、また底面にはヒータ６
がそれぞれ不図示の駆動回路に接続されて埋め込まれて
いる。
の内壁面には超音波振動子５が、また底面にはヒータ６
がそれぞれ不図示の駆動回路に接続されて埋め込まれて
いる。
【００１８】前記超音波振動子５は、駆動回路の駆動に
伴って電力が印加されると、洗浄槽１内に注入される有
機溶剤２中で所定振動数の超音波を発しながら振動し、
これにより有機溶剤２の洗浄効果を高いものと成す。
伴って電力が印加されると、洗浄槽１内に注入される有
機溶剤２中で所定振動数の超音波を発しながら振動し、
これにより有機溶剤２の洗浄効果を高いものと成す。
【００１９】一方、前記ヒータ６は駆動回路の駆動に伴
って電力が印加されるとジュール発熱を起こして洗浄槽
１内の有機溶剤２を沸点より１．５〜１０℃低い温度に
まで加熱し、有機溶剤２の一部を気化させて有機溶剤２
の上部に該有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成る厚み
の厚い溶剤蒸気層３を発生させる。
って電力が印加されるとジュール発熱を起こして洗浄槽
１内の有機溶剤２を沸点より１．５〜１０℃低い温度に
まで加熱し、有機溶剤２の一部を気化させて有機溶剤２
の上部に該有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成る厚み
の厚い溶剤蒸気層３を発生させる。
【００２０】前記溶剤蒸気層３は、円筒状基体４を有機
溶剤２より所定速さで引き上げる際、該溶剤蒸気層３を
形成する有機物の蒸気に円筒状基体４を晒しながらその
表面に付着した有機溶剤２をむら無く揮散乾燥させ、こ
れによって円筒状基体４表面に乾燥しみが発生すること
を有効に防止する。
溶剤２より所定速さで引き上げる際、該溶剤蒸気層３を
形成する有機物の蒸気に円筒状基体４を晒しながらその
表面に付着した有機溶剤２をむら無く揮散乾燥させ、こ
れによって円筒状基体４表面に乾燥しみが発生すること
を有効に防止する。
【００２１】尚、前記有機溶剤２の液温が前述した加熱
温度の範囲よりも高くなると、有機溶剤２と溶剤蒸気層
３の温度がほぼ等しくなることに起因して蒸気の凝縮が
発生するとともに充分な洗浄効果が得られなくなってし
まい、また前述した加熱温度の範囲よりも低くなると、
有機溶剤２の上部に充分な厚みをもった溶剤蒸気層３を
発生させることができなくなる。従って、有機溶剤２の
液温は沸点より１．５〜１０℃低い温度にまで加熱して
おく必要がある。
温度の範囲よりも高くなると、有機溶剤２と溶剤蒸気層
３の温度がほぼ等しくなることに起因して蒸気の凝縮が
発生するとともに充分な洗浄効果が得られなくなってし
まい、また前述した加熱温度の範囲よりも低くなると、
有機溶剤２の上部に充分な厚みをもった溶剤蒸気層３を
発生させることができなくなる。従って、有機溶剤２の
液温は沸点より１．５〜１０℃低い温度にまで加熱して
おく必要がある。
【００２２】また前記円筒状基体４としては、例えばア
ルミニウムやガラス等から成る円筒体の外周面に対し鏡
面研摩等の平滑化処理を施したものが好適に使用され
る。
ルミニウムやガラス等から成る円筒体の外周面に対し鏡
面研摩等の平滑化処理を施したものが好適に使用され
る。
【００２３】更に、前記洗浄槽１の上部内壁には凝縮管
７が配されており、該凝縮管７は前記溶剤蒸気層３を形
成する有機物の蒸気を冷却液化することにより該蒸気が
洗浄槽１外部に漏洩することを防止する作用を為す。
７が配されており、該凝縮管７は前記溶剤蒸気層３を形
成する有機物の蒸気を冷却液化することにより該蒸気が
洗浄槽１外部に漏洩することを防止する作用を為す。
【００２４】次に上記洗浄装置を用いた円筒状基体４の
洗浄方法について説明する。
洗浄方法について説明する。
【００２５】先ず、前記洗浄槽１内にジクロロメタンや
トリクロロエタン等の有機溶剤２を注入するとともに、
該有機溶剤２中に円筒状基体４を浸漬する。
トリクロロエタン等の有機溶剤２を注入するとともに、
該有機溶剤２中に円筒状基体４を浸漬する。
【００２６】次に前記有機溶剤２をヒータ６によって沸
点より１．５〜１０℃低い温度に加熱し、有機溶剤２の
液面上部に該有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成る厚
みの厚い溶剤蒸気層３を形成させる。
点より１．５〜１０℃低い温度に加熱し、有機溶剤２の
液面上部に該有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成る厚
みの厚い溶剤蒸気層３を形成させる。
【００２７】次に前記洗浄槽１の内壁面に埋め込まれた
超音波振動子５を、例えば２８ｋＨｚの振動数で約２分
間振動させ、円筒状基体４表面に付着している油等の汚
れを有機溶剤２中に洗い出し洗浄をする。
超音波振動子５を、例えば２８ｋＨｚの振動数で約２分
間振動させ、円筒状基体４表面に付着している油等の汚
れを有機溶剤２中に洗い出し洗浄をする。
【００２８】次に円筒状基体４をその外周面が有機溶剤
２の液面に対し垂直な面を成すようにして有機溶剤２よ
り８．４乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの速さで引き上げ
る。
２の液面に対し垂直な面を成すようにして有機溶剤２よ
り８．４乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの速さで引き上げ
る。
【００２９】この場合、有機溶剤２の液面上部にはヒー
タ６の加熱により有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成
る厚みの厚い溶剤蒸気層３が形成されているため、有機
溶剤２より引き上げられた円筒状基体４は溶剤蒸気層３
中に長時間晒されるので円筒状基体４の表面に油等を含
んだ有機溶剤２が付着しているとしても該付着する有機
溶剤２は溶剤蒸気層３内においてむら無く乾燥され、そ
の結果、円筒状基体４の外周面に乾燥しみを発生させる
ことは皆無となる。従って、この円筒状基体４の外周面
にａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ法等によって所定厚みに
被着させ電子写真感光体を製作した場合、円筒状基体４
の外周面には乾燥しみが無いことからその表面に成膜欠
陥がほとんど無く、電気的特性も全体がほぼ均一なａ−
Ｓｉ膜を被着させることが可能となる。
タ６の加熱により有機溶剤２と同一有機物の蒸気から成
る厚みの厚い溶剤蒸気層３が形成されているため、有機
溶剤２より引き上げられた円筒状基体４は溶剤蒸気層３
中に長時間晒されるので円筒状基体４の表面に油等を含
んだ有機溶剤２が付着しているとしても該付着する有機
溶剤２は溶剤蒸気層３内においてむら無く乾燥され、そ
の結果、円筒状基体４の外周面に乾燥しみを発生させる
ことは皆無となる。従って、この円筒状基体４の外周面
にａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ法等によって所定厚みに
被着させ電子写真感光体を製作した場合、円筒状基体４
の外周面には乾燥しみが無いことからその表面に成膜欠
陥がほとんど無く、電気的特性も全体がほぼ均一なａ−
Ｓｉ膜を被着させることが可能となる。
【００３０】また前記溶剤蒸気層３は有機溶剤２をヒー
タ６等によって沸点より１．５〜１０℃低い温度にまで
加熱し、有機溶剤２の一部を気化させることによって容
易に発生させることができることから、洗浄装置に高価
な蒸気発生器等を別途、組み込む必要は一切無く、洗浄
装置を全体構造が簡素で、安価なものとなすことがで
き、その結果、かかる洗浄装置を用いて行なう円筒状基
体の洗浄も安価で作業性の良いものとなすことができ
る。また同時に本発明の基体の洗浄方法においては有機
溶剤の使用量を極小となすことができ、これによって洗
浄のコストをより低く抑えることができる。
タ６等によって沸点より１．５〜１０℃低い温度にまで
加熱し、有機溶剤２の一部を気化させることによって容
易に発生させることができることから、洗浄装置に高価
な蒸気発生器等を別途、組み込む必要は一切無く、洗浄
装置を全体構造が簡素で、安価なものとなすことがで
き、その結果、かかる洗浄装置を用いて行なう円筒状基
体の洗浄も安価で作業性の良いものとなすことができ
る。また同時に本発明の基体の洗浄方法においては有機
溶剤の使用量を極小となすことができ、これによって洗
浄のコストをより低く抑えることができる。
【００３１】尚、前記円筒状基体４は有機溶剤２より
８．４ｍｍ／ｓｅｃ以下の速さで引き上げた場合、円筒
状基体４の洗浄の作業効率が大きく低下し、大量作業に
は適さないものとなり、また１５．０ｍｍ／ｓｅｃ以上
の速さで引き上げた場合、円筒状基体４を溶剤蒸気層３
中に十分な時間晒すことができず、円筒状基体４の表面
に乾燥しみが発生してしまう。従って、円筒状基体４は
有機溶剤２より８．４乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの範囲
の速さで引き上げなければならない。
８．４ｍｍ／ｓｅｃ以下の速さで引き上げた場合、円筒
状基体４の洗浄の作業効率が大きく低下し、大量作業に
は適さないものとなり、また１５．０ｍｍ／ｓｅｃ以上
の速さで引き上げた場合、円筒状基体４を溶剤蒸気層３
中に十分な時間晒すことができず、円筒状基体４の表面
に乾燥しみが発生してしまう。従って、円筒状基体４は
有機溶剤２より８．４乃至１５．０ｍｍ／ｓｅｃの範囲
の速さで引き上げなければならない。
【００３２】（実験例）次に本発明の作用効果を実験例
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００３３】先ず、超音波振動子とヒータとを組み込ん
だ図１に示す洗浄槽（内容積：３０リットル）内にジク
ロロメタンを注入するとともに、前記ヒータによりジク
ロロメタン（沸点：３９℃）を３６℃の温度に加熱し、
該ジクロロメタン中にアルミニウムから成る円筒状基体
（外径：１０８ｍｍ、長さ寸法：３５８ｍｍ、厚み：５
ｍｍ）を浸漬する。
だ図１に示す洗浄槽（内容積：３０リットル）内にジク
ロロメタンを注入するとともに、前記ヒータによりジク
ロロメタン（沸点：３９℃）を３６℃の温度に加熱し、
該ジクロロメタン中にアルミニウムから成る円筒状基体
（外径：１０８ｍｍ、長さ寸法：３５８ｍｍ、厚み：５
ｍｍ）を浸漬する。
【００３４】次に前記超音波振動子をＣＨ2 Ｃｌ2 中に
おいて２８ｋＨｚの振動数で２分間振動させて円筒状基
体表面を洗浄させ、しかる後、円筒状基体を、その外周
面が有機溶剤の液面に対し垂直な面を成すように保ちつ
つ、３〜２０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で有機溶剤より引き上
げるとともに円筒状基体表面に付着した有機溶剤を揮散
させ、円筒状基体の洗浄を完了する。
おいて２８ｋＨｚの振動数で２分間振動させて円筒状基
体表面を洗浄させ、しかる後、円筒状基体を、その外周
面が有機溶剤の液面に対し垂直な面を成すように保ちつ
つ、３〜２０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で有機溶剤より引き上
げるとともに円筒状基体表面に付着した有機溶剤を揮散
させ、円筒状基体の洗浄を完了する。
【００３５】円筒状基体の外周面に発生する乾燥しみに
ついて目視で調べ、乾燥しみの発生状況を確認した。そ
の結果を表１に示す。
ついて目視で調べ、乾燥しみの発生状況を確認した。そ
の結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１より明らかな通り、円筒状基体を有機
溶剤から引き上げる際の引き上げ速さを１５ｍｍ／ｓｅ
ｃ以下の速さとしておけば、円筒状基体は有機溶剤の液
面上に形成される厚みの厚い溶剤蒸気層中に長時間晒さ
れ、溶剤蒸気層内において上方より順次むら無く乾燥さ
れることとなって円筒状基体の表面に乾燥しみは発生し
ないことが判る。
溶剤から引き上げる際の引き上げ速さを１５ｍｍ／ｓｅ
ｃ以下の速さとしておけば、円筒状基体は有機溶剤の液
面上に形成される厚みの厚い溶剤蒸気層中に長時間晒さ
れ、溶剤蒸気層内において上方より順次むら無く乾燥さ
れることとなって円筒状基体の表面に乾燥しみは発生し
ないことが判る。
【００３８】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
では無く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種
々の変更、改良等が可能である。
では無く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種
々の変更、改良等が可能である。
【００３９】
【発明の効果】本発明の基体の洗浄方法によれば、有機
溶剤の上部に有機溶剤と同一有機物の蒸気から成る厚み
の厚い溶剤蒸気層が形成されているため、有機溶剤より
引き上げられた基体は溶剤蒸気層中に長時間晒される基
体の表面に油等を含んだ有機溶剤が付着しているとして
も該付着する有機溶剤は溶剤蒸気層内においてむら無く
乾燥され、その結果、基体の表面に乾燥しみを発生させ
ることは皆無となる。
溶剤の上部に有機溶剤と同一有機物の蒸気から成る厚み
の厚い溶剤蒸気層が形成されているため、有機溶剤より
引き上げられた基体は溶剤蒸気層中に長時間晒される基
体の表面に油等を含んだ有機溶剤が付着しているとして
も該付着する有機溶剤は溶剤蒸気層内においてむら無く
乾燥され、その結果、基体の表面に乾燥しみを発生させ
ることは皆無となる。
【００４０】また本発明の基体の洗浄方法によれば、前
記溶剤蒸気層は有機溶剤をヒータ等により沸点より１．
５〜１０℃低い温度にまで加熱し、有機溶剤の一部を気
化させることによって容易に発生させることができるこ
とから、洗浄装置に高価な蒸気発生器等を別途、組み込
む必要は一切無く、洗浄装置を全体構造が簡素で、安価
なものとなすことができ、その結果、かかる洗浄装置を
用いて行なう基体の洗浄も安価で作業性の良いものとな
すことができる。
記溶剤蒸気層は有機溶剤をヒータ等により沸点より１．
５〜１０℃低い温度にまで加熱し、有機溶剤の一部を気
化させることによって容易に発生させることができるこ
とから、洗浄装置に高価な蒸気発生器等を別途、組み込
む必要は一切無く、洗浄装置を全体構造が簡素で、安価
なものとなすことができ、その結果、かかる洗浄装置を
用いて行なう基体の洗浄も安価で作業性の良いものとな
すことができる。
【００４１】また同時に本発明の基体の洗浄方法におい
ては有機溶剤の使用量を極小となすことができ、これに
よって洗浄のコストをより低く抑えることができる。
ては有機溶剤の使用量を極小となすことができ、これに
よって洗浄のコストをより低く抑えることができる。
【図１】本発明の洗浄方法に使用される洗浄装置の概略
図である。
図である。
１・・・洗浄槽 ２・・・有機溶剤 ３・・・溶剤蒸気層 ４・・・円筒状基体 ５・・・超音波振動子 ６・・・ヒータ ７・・・凝縮管
Claims (1)
- 【請求項１】基体表面に付着している汚れを下記（１）
乃至（３）の工程により洗浄することを特徴とする基体
の洗浄方法。 （１）有機溶剤中に汚れの付着している基体を浸漬し、
有機溶剤によって汚れを基体より洗い流す工程。 （２）有機溶剤を沸点より１．５〜１０℃低い温度に加
熱して、有機溶剤上に溶剤蒸気層を形成する工程。 （３）有機溶剤中に浸漬した基体を８．４乃至１５．０
ｍｍ／ｓｅｃの速さで有機溶剤より引き上げ基体表面に
付着する有機溶剤を溶剤蒸気層内で揮散させる工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104774A JP2984141B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 基体の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104774A JP2984141B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 基体の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05295577A JPH05295577A (ja) | 1993-11-09 |
| JP2984141B2 true JP2984141B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=14389830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4104774A Expired - Fee Related JP2984141B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 基体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984141B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6204270B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2017-09-27 | 伊藤光学工業株式会社 | 物品の加工方法 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4104774A patent/JP2984141B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05295577A (ja) | 1993-11-09 |
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