JP2982823B2 - Mold for manufacturing molded article and method for producing molded article - Google Patents
Mold for manufacturing molded article and method for producing molded articleInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、成形体製造用型材および成形体の製造方
法、特には金属、セラミックスなどからなる各種成形体
を高純度で得るための型材およびこれを使用した成形品
の製造方法に関するものである。The present invention relates to a mold for producing a molded article and a method for producing a molded article, and more particularly to a mold for obtaining various molded articles made of metal, ceramics and the like with high purity. The present invention relates to a method for producing a molded article using the same.
（従来の技術） 従来、半導体プロセス用治具や溶融用ルツボの製造は
カーボンなどの耐熱性材質からなる型材の上に蒸着法や
CVD法で各種金属やセラミックスを型材の形状に沿って
被着させ、ついでこれを型材から剥離するという方法で
作られており、例えば熱分解型窒化ほう素（PBN）製の
ルツボの製造はカーボン製のルツボ状型材の上に減圧熱
CVD法でPBNを形成させ、この型材からPBN成形体を分離
するという方法で行なわれており、この場合にはカーボ
ンとPBN間の付着力が小さいことから、型材からの成形
体の分離は比較的容易に行なうことができる。(Prior art) Conventionally, jigs for semiconductor processing and crucibles for melting have been manufactured by a vapor deposition method on a mold made of a heat-resistant material such as carbon.
Various metals and ceramics are applied according to the shape of the mold by the CVD method, and then this is peeled off from the mold. For example, crucibles made of pyrolytic boron nitride (PBN) are manufactured using carbon. Heat on vacuum crucible shaped material
PBN is formed by the CVD method, and the PBN compact is separated from this mold.In this case, the separation of the compact from the mold is relatively small because the adhesion between carbon and PBN is small. It can be done easily.
（発明が解決しようとする課題） しかし、上記した方法で成形体を製造する場合には型
材と成形体との分離が困難な場合が多く、例えば耐酸化
性、耐摩耗性、強度がすぐれていることから各種方面に
広く使用されている炭化けい素（SiC）膜をカーボン製
の型材上にCVD法で成形した場合には、カーボンとSiCと
の間の付着力が大きいために分離が難しく、目的とする
SiC成形品を得るためにはカーボン製の型材を機械的に
破壊して除去するか、カーボン製の型材を酸素雰囲気下
に燃焼除去する必要があるために、型材を再使用するこ
とができず、型材の燃焼時にカーボンが拡散し、このカ
ーボンがSiC成形体中に浸透するために成形体が汚染さ
れるという不利がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the case of manufacturing a molded article by the above-described method, it is often difficult to separate the molded article and the molded article, and for example, the oxidation resistance, the wear resistance, and the strength are excellent. Therefore, when a silicon carbide (SiC) film, which is widely used in various fields, is formed on a carbon mold material by the CVD method, separation is difficult due to the large adhesion between carbon and SiC. , Aim
In order to obtain a SiC molded product, it is necessary to mechanically destroy and remove the carbon mold, or to burn and remove the carbon mold in an oxygen atmosphere, so the mold cannot be reused. However, there is a disadvantage in that carbon diffuses when the mold material is burnt, and the carbon penetrates into the SiC molded body, thereby contaminating the molded body.
（課題を解決するための手段） 本発明はこのような不利を解決した成形体製造用型材
およびこれを使用した成形体の製造方法に関するもので
あり、本発明の成形体製造用型材は、カーボン、カーボ
ンとけい素との混合体またはけい素と炭化けい素との混
合体からなる耐熱性の基材上に、酸化けい素からなるウ
エットエッチング可能な耐熱層を設けてなることを特徴
としている。(Means for Solving the Problems) The present invention relates to a mold for producing a molded article which has solved such disadvantages and a method for producing a molded article using the same. A wet-etchable heat-resistant layer made of silicon oxide is provided on a heat-resistant substrate made of a mixture of carbon and silicon or a mixture of silicon and silicon carbide.
本発明の成形体の製造方法は、成形体製造用型材の酸
化けい素からなるウエットエッチング可能な耐熱層上
に、蒸着法でアルミニウム、銅などの金属類からなる成
形体を形成した後、またはCVD法で炭化けい素（SiC）、
窒化けい素（Si3N4）、窒化ほう素（BN）、炭素（Ｃ）
などのセラミックスからなる成形体を形成した後、フッ
酸水溶液でのエッチングにより耐熱層を除去し、該型材
から成形体を分離することにより、成形体が製造され
る。The method for manufacturing a molded article of the present invention is a method for forming a molded article made of a metal such as aluminum or copper by a vapor deposition method on a wet-etchable heat-resistant layer made of silicon oxide of a mold for producing a molded article, or Silicon carbide (SiC) by CVD method,
Silicon nitride (Si 3 N 4 ), boron nitride (BN), carbon (C)
After forming a molded body made of ceramics such as the above, the heat-resistant layer is removed by etching with a hydrofluoric acid aqueous solution, and the molded body is separated from the mold material to produce a molded body.
すなわち、本発明者らは型材を使用して成形体を容易
に、かつ高純度で得る方法について種々検討した結果、
型材と成形体との分離に種々の問題があるが、型材とし
てその表面に予じめ成形体形成後に除去できる耐熱層を
設けたものを使用し、成形体成形後にこの耐熱層だけを
除去すれば型材と成形体とを容易に分離することができ
るうえ、これによれば型材を再使用することができ、型
材の処理に伴なう成形体の汚染も回避することができる
ことを見出してなるものであり、この耐熱層としてはウ
エットエッチングが可能な酸化けい素（SiO2）とし、こ
れを成形体成形後にウエットエッチングで除去すれば目
的とする成形体を容易に、かつ高純度で得ることができ
ることを確認し、ここに使用する型材、耐熱層の種類、
形成方法、耐熱層の除去方法などについての研究を進め
て本発明を完成させた。That is, the present inventors have conducted various studies on a method of easily obtaining a molded body with high purity by using a mold material, and
There are various problems in the separation of the mold and the molded body.However, it is necessary to use a mold with a heat-resistant layer that can be removed after forming the molded body in advance and remove only this heat-resistant layer after the molded body is formed. It has been found that the mold material and the molded body can be easily separated from each other, and that the mold material can be reused and that contamination of the molded body due to the processing of the mold material can be avoided. The heat-resistant layer is made of silicon oxide (SiO 2 ) that can be wet-etched, and if this is removed by wet-etching after molding of the molded body, the intended molded body can be easily obtained with high purity. And the type of heat-resistant layer used here,
The present invention was completed by conducting research on a forming method, a method of removing a heat-resistant layer, and the like.
以下にこれをさらに詳述する。 This will be described in more detail below.
（作用） 本発明は成形体製造用型材およびこの型材を使用して
金属、セラミックスなどからなる高純度の成形体を製造
する方法に関するものである。(Function) The present invention relates to a mold for producing a molded article and a method for producing a high-purity molded article made of metal, ceramics or the like using the mold.
本発明で使用する型材はこの上に蒸着法、CVD法など
で成形体が形成されるので耐熱性基材で作られたものと
する必要がある。したがってこれはカーボン、カーボン
とけい素（Si）との混合体、けい素（Si）と炭化けい素
（SiC）との混合体とからなるものとすることがよい
が、この成形体が炭化けい素（SiC）からなるものであ
るときにはカーボン製のものとすることがよい。The mold used in the present invention must be made of a heat-resistant substrate since a molded body is formed thereon by a vapor deposition method, a CVD method, or the like. Therefore, it is preferable that this is made of carbon, a mixture of carbon and silicon (Si), and a mixture of silicon (Si) and silicon carbide (SiC). When it is made of (SiC), it is preferably made of carbon.
この型材の形状は目的とする成形体の形状に応じて任
意のものとされるが、これは例えば半導体プロセス治具
用としてはボート状、板状、円盤状とし、金属溶解用と
してはルツボ状とすればよい。なお、この型材は後記す
るようにその表面にウエットエッチング可能な耐熱層が
形成され、この耐熱層は事後におけるウエットエッチン
グでは除去する必要があるものであるから、型材はウエ
ットエッチング液が浸透するものとすることがよく、そ
のためにはこれは空孔率の高いものとすることがよいの
で、少なくとも空孔率が１％以上のものとすることがよ
い。The shape of this mold material is arbitrary depending on the shape of the target molded body. For example, the shape is a boat shape, a plate shape, a disc shape for a semiconductor process jig, and a crucible shape for a metal melting. And it is sufficient. In addition, this mold material has a heat-resistant layer that can be wet-etched on its surface as described later, and since this heat-resistant layer needs to be removed by subsequent wet etching, the mold material is a material that the wet etchant penetrates. In order to achieve this, it is preferable that the porosity is high. Therefore, it is preferable that the porosity is at least 1% or more.
つぎにこの型材には、この上に形成される成形体との
分離を容易にするためにウエットエッチングが可能な耐
熱層が設けられるのであるが、この耐熱層としてはこの
上に目的とする成形体が蒸着法またはCVD法で形成され
るのでこの処理に耐えるように耐熱性のすぐれたもので
あることが必要とされるが、耐熱性であり、ウエットエ
ッチングできるものであれば特にその種類は何でもよ
い。しかし、これにはそれ自体が耐熱性にすぐれてお
り、フッ酸水溶液に接触すると室温でも容易にエッチン
グされる酸化けい素（SiO2）が好ましい。なお、ウエッ
トエッチングが可能な耐熱層の形成は公知のCVD法、プ
ラズマCVD法、スパッター法などで形成すればよいが、
この耐熱層の厚みは耐熱性基材からなる型材の表面を均
一にコーティングしていればよいので、一般的には５〜
100μｍの範囲とすればよい。Next, this mold material is provided with a heat-resistant layer that can be wet-etched in order to facilitate separation from a molded body formed thereon. Since the body is formed by a vapor deposition method or a CVD method, it is necessary that the body has excellent heat resistance to withstand this treatment. Anything is fine. However, this is preferably silicon oxide (SiO 2 ), which itself has excellent heat resistance and can be easily etched even at room temperature when it comes into contact with a hydrofluoric acid aqueous solution. The heat-resistant layer capable of wet etching may be formed by a known CVD method, a plasma CVD method, a sputtering method, or the like.
Since the thickness of the heat-resistant layer may be such that the surface of the mold material composed of the heat-resistant base material is uniformly coated, the thickness is generally 5 to 5.
The range may be 100 μm.
本発明による成形体の製造は、このようにして作られ
たウエットエッチング可能な耐熱層を設けた成形体製造
用型材を使用し、この耐熱層の上に蒸着法またはCVD法
で金属またはセラミックスを型材の形状に形成させれば
よく、これは例えば蒸着法でアルミニウム、銅などの金
属製品を、またCVD法によって炭化けい素（SiC）、窒化
けい素（Si3N4）、窒化ほう素（BN）、カーボン（Ｃ）
などのセラミックス製品を成形すればよいが、半導体プ
ロセス治具や金属溶融用ルツボとしては炭化けい素（Si
C）とすることがよい。The production of a molded article according to the present invention uses a mold for producing a molded article provided with a heat-resistant layer capable of being wet-etched, and a metal or ceramic is formed on the heat-resistant layer by a vapor deposition method or a CVD method. It may be formed in the shape of a mold, for example, by using a metal product such as aluminum or copper by a vapor deposition method, or by using silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), boron nitride ( BN), carbon (C)
And other ceramic products, but silicon carbide (Si)
C).
このようにして作られた成形体は、ついで型材から剥
して目的とする成形体とされるのであるが、本発明では
成形体が前記したウエットエッチングし得る耐熱層の上
に形成されているので、まずこの耐熱層をウエットエッ
チングして除去することが必要であり、この耐熱層をウ
エットエッチングで除去すれば、型材と成形体は直接接
触していないので容易に成形体を型材から剥離すること
ができ、この場合型材は何の処理も行なわれないので型
材の処理に伴なって成形体が汚染されて高純度性が害さ
れることはない。The molded body thus produced is then peeled off from the mold material to obtain the desired molded body. In the present invention, since the molded body is formed on the above-mentioned wet-etchable heat-resistant layer, First, it is necessary to remove the heat-resistant layer by wet etching. If the heat-resistant layer is removed by wet etching, the molded body is easily separated from the mold because the mold and the molded body are not in direct contact. In this case, the mold is not subjected to any treatment, so that the molded body is not contaminated by the treatment of the mold and the high purity is not impaired.
つぎにこれを添付の図面にもとづいて説明する。第１
図は型材上にウエットエッチング可能な耐熱層を設けた
本発明の成形体製造用型材の縦断面図、第２図はこの型
材の上に成形体を形成する装置の縦断面図、第３図は耐
熱層をウエットエッチングするための装置の縦断面図を
示したものである。Next, this will be described with reference to the accompanying drawings. First
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a molding for producing a molded article of the present invention having a heat-resistant layer capable of wet etching provided on the molding, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an apparatus for forming a molded article on this molding, FIG. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an apparatus for wet-etching a heat-resistant layer.
第１図における成形体製造用型材１はカーボン、カー
ボンとけい素との混合体、けい素と炭化けい素との混合
体などのような耐熱性基材からなる例えばルツボ状の型
材２の上に酸化けい素のようなウエットエッチング可能
な耐熱層３をCVD法などで被着させることによって形成
されたものである。The mold 1 for producing a molded article in FIG. 1 is formed on a crucible-shaped mold 2 made of a heat-resistant base material such as carbon, a mixture of carbon and silicon, and a mixture of silicon and silicon carbide. It is formed by depositing a wet-etchable heat-resistant layer 3 such as silicon oxide by a CVD method or the like.
第２図における反応装置４は例えば石英製とされてお
り、この中には型材２が設置されていてこの型材２にウ
エットエッチングのできる耐熱層３が形成されている。
ついでここに目的とする成形体を形成するガス体を導入
し蒸着法あるいはCVD法でこの耐熱層３の上に成形体層
８を形成させればよい。The reactor 4 shown in FIG. 2 is made of, for example, quartz, in which a mold member 2 is provided, and a heat-resistant layer 3 capable of wet etching is formed on the mold member 2.
Then, a gas body for forming a target molded body is introduced here, and the molded body layer 8 may be formed on the heat-resistant layer 3 by vapor deposition or CVD.
また、このようにして得た型材２の上に耐熱層３、成
形体層８を設けたものはついで第３図に示したような恒
温槽10に収容している水９の中に入れ、型材２の中にウ
エットエッチング剤11を充填すると、このエッチング剤
が型材２の中を浸透して耐熱層３と接触し、これによっ
て耐熱層３がエッチングされて溶解するので、型材２を
引き上げれば、ここに目的とする成形体８を容易に取得
することができる。The heat-resistant layer 3 and the molded body layer 8 provided on the mold material 2 thus obtained are then placed in water 9 contained in a thermostat 10 as shown in FIG. When the mold material 2 is filled with the wet etching agent 11, the etchant penetrates into the mold material 2 and comes into contact with the heat-resistant layer 3, whereby the heat-resistant layer 3 is etched and dissolved. If this is the case, the desired compact 8 can be easily obtained here.
（実施例） つぎに本発明の実施例をあげる。(Example) Next, an example of the present invention will be described.
実施例 第２図に示した石英製の反応装置４の中に中空カーボ
ン製基材・IG−11［東海カーボン製、商品名］で作られ
たルツボ状の型材２を設置し、反応装置内を真空ポンプ
５によって１トールに減圧したのち、加熱器６によって
装置内を1,100℃に昇温させた。EXAMPLE A crucible-shaped mold member 2 made of a hollow carbon base material, IG-11 [made by Tokai Carbon Co., Ltd.] was installed in a quartz reactor 4 shown in FIG. Was reduced to 1 Torr by the vacuum pump 5, and the inside of the apparatus was heated to 1,100 ° C. by the heater 6.
ついで、この装置内に希釈用水素ガス３／分を３分
間供給したのち、ここにバブラーを通してトリクロロシ
ラン（HSiCl3）ガス0.5／分をキヤリヤガスとしての
水素ガス1.2／分と共に供給して30分間反応させ、反
応終了後10分間希釈水素ガスを供給して型材上に金属け
い素膜を形成し、これを酸化して型材上に耐熱層３とし
ての酸化けい素膜が10μｍの厚さに被着された第１図に
示したような成形体製造用型材１が得られた。Then, after supplying hydrogen gas for dilution 3 / min to the apparatus for 3 minutes, trichlorosilane (HSiCl 3 ) gas 0.5 / min was supplied through a bubbler together with 1.2 / min of hydrogen gas as a carrier gas and reacted for 30 minutes. After the reaction is completed, a diluted hydrogen gas is supplied for 10 minutes to form a metal silicon film on the mold, which is oxidized and a silicon oxide film as the heat-resistant layer 3 is deposited on the mold to a thickness of 10 μm. As a result, a molded article 1 as shown in FIG. 1 was obtained.
また、この反応装置４を1,300℃に昇温させたのち、
希釈水素ガス３／分を３分間供給したのち、ここにバ
ブラーを通してメチルトリクロロシラン（CH3SiCl3）ガ
ス0.5／分をキヤリアーガスとしての水素ガス1.2／
分と共に供給して120分間反応させ、反応終了後希釈水
素ガスを10分間供給した後、常温にまで冷却したとこ
ろ、成形体製造用型材１の耐熱層３の上に炭化けい素成
形体層８が100μｍの厚さに成形されていた。次に炭化
けい素成形体層８を形成した成形体製造用型材１を装置
から取り出し、第３図に示したような恒温槽10の中に入
れ、ここに95℃の温水９を充填すると共に型材２の中に
ウエットエッチング剤11としてのフッ酸水溶液を注入
し、６時間保持したところ、フッ酸水溶液が型材を浸透
して耐熱層３と接触し、これを溶解したので、型材２の
みを引上げたところ、これは容易に成形体８と分離する
ことができ、ルツボ状の炭化けい素成形品８を得ること
ができた。After raising the temperature of the reactor 4 to 1,300 ° C.,
After supplying 3 / min of diluted hydrogen gas for 3 minutes, methyl / trichlorosilane (CH 3 SiCl 3 ) gas of 0.5 / min was passed through a bubbler to supply 1.2 / hydrogen gas as carrier gas.
After the reaction was completed, a diluted hydrogen gas was supplied for 10 minutes, and then cooled to room temperature. Then, the silicon carbide compact layer 8 was formed on the heat-resistant layer 3 of the mold 1 for producing a compact. Was formed to a thickness of 100 μm. Next, the compact 1 for producing a compact having the silicon carbide compact 8 formed thereon is taken out of the apparatus, placed in a thermostat 10 as shown in FIG. 3, and filled with hot water 9 at 95 ° C. A hydrofluoric acid aqueous solution as a wet etching agent 11 was injected into the mold material 2 and held for 6 hours. The hydrofluoric acid aqueous solution penetrated the mold material and came into contact with the heat-resistant layer 3 to dissolve it. When pulled up, it could be easily separated from the molded body 8, and a crucible-shaped silicon carbide molded article 8 could be obtained.
なお、このようにして得られた炭化けい素製ルツボに
ついて、その不純物元素量をICP発行分析法で定量分析
したところ、この不純物量はFe、Al、Na、Mg、Ｂ、Ｃ、
Ｐ、Cu、Ｙ、Biがいずれも0.01ppm以下であり、極めて
純度の高いものであることが確認された。The silicon carbide crucible thus obtained was quantitatively analyzed for the amount of impurity elements by an ICP-issued analysis method. The amount of impurities was Fe, Al, Na, Mg, B, C,
P, Cu, Y, and Bi were all 0.01 ppm or less, and it was confirmed that they were extremely high in purity.
（発明の効果） 本発明は金属、セラミックスなどからなる高純度成形
体を製造するための型材およびこれを使用してなる成形
体の製造方法に関するもので、これは前記したように耐
熱性基材からなる型材の上にウエットエッチング可能な
耐熱層を設けてなる成形体製造用型およびこの型材の耐
熱層の上に蒸着法またはCVD法で成形体を形成させたの
ち、ウエットエッチングで耐熱層を除去し、ついで成形
体を型材から分離することを特徴とする成形体の製造方
法に関するものであり、これによれば成形体製造用型材
に設けられている耐熱層がウエットエッチングで除去さ
れるので成形体と型材は容易に分離することができ、ま
たこの場合には型材の後処理が全く不要であるので、成
形体が型材の処理によって汚染されることもないので、
目的とする成形体を容易に、かつ高純度で得ることがで
きるほか、型材はくり返して何回も使用できるという有
利性が与えられる。(Effects of the Invention) The present invention relates to a mold for producing a high-purity molded body made of metal, ceramics, and the like, and a method for producing a molded body using the same. After forming a molded body by a vapor deposition method or a CVD method on a molded body manufacturing mold having a heat-resistant layer capable of wet etching on a mold material composed of and a heat-resistant layer of this mold material, the heat-resistant layer is formed by wet etching. The present invention relates to a method for manufacturing a molded body, which comprises removing the molded body from the mold material, and then removing the heat-resistant layer provided on the molded body mold material by wet etching. Since the molded body and the mold material can be easily separated, and in this case, no post-processing of the mold material is required, the molded body is not contaminated by the treatment of the mold material.
The desired compact can be easily obtained with high purity, and the advantage that the mold can be used repeatedly and repeatedly is provided.
第１図は本発明の成形体製造用型材の縦断面図、第２図
はこの型材の上に成形体を形成する装置の縦断面図、第
３図は本発明の方法で使用されるウエットエッチング装
置の縦断面図を示したものである。１ ……成形体製造用型材、２……型材 ３……耐熱層、４……反応装置 ５……真空ポンプ、６……加熱器 ７……ガス供給口、８……成形体層 ９……水、10……恒温槽 11……ウエットエッチング剤FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a molding for producing a molded article of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an apparatus for forming a molded article on the molding, and FIG. 3 is a wet used in the method of the present invention. FIG. 2 shows a vertical sectional view of the etching apparatus. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mold material for manufacturing a molded article, 2 ... Mold material 3 ... Heat resistant layer, 4 ... Reactor 5 ... Vacuum pump, 6 ... Heater 7 ... Gas supply port, 8 ... Molded body layer 9 ... … Water, 10… constant temperature bath 11… wet etching agent
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社精密機能材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−113610（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−6461（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−221365（ＪＰ，Ａ) 「フォトエッチングと微細加工」（第 １版）第79頁、楢岡清威、二瓶公志共 著、昭和52年５月10日、総合電子出版社 発行 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Yoshihiro Kubota 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Precision Functional Materials Research Laboratories (56) References JP-A-54-113610 (JP, A) JP-A-49-6461 (JP, A) JP-A-61-221365 (JP, A) "Photoetching and microfabrication" (1st edition), p. 79, Kiyotake Naraoka and Koji Nihei, Published by Sogo Denshi Publishing on May 10, 1977
Claims (5)
けい素からなるウエットエッチング可能な耐熱層を設け
てなることを特徴とする成形体製造用型材。1. A mold for manufacturing a molded product, comprising a heat-resistant base made of silicon oxide provided on a heat-resistant base made of carbon.
性の基材上に、酸化けい素からなるウエットエッチング
可能な耐熱層を設けてなることを特徴とする成形体製造
用型材。2. A mold for producing a molded article, comprising a heat-resistant base material made of a mixture of carbon and silicon and a heat-resistant layer made of silicon oxide which can be wet-etched.
熱性の基材上に、酸化けい素からなるウエットエッチン
グ可能な耐熱層を設けてなることを特徴とする成形体製
造用型材。3. A mold for manufacturing a molded article, comprising a heat-resistant base material made of a mixture of silicon and silicon carbide, on which a heat-resistant layer made of silicon oxide and capable of being wet-etched is provided. .
の酸化けい素からなるウエットエッチング可能な耐熱層
上に、蒸着法でアルミニウム、銅などの金属類からなる
成形体を形成した後、フッ酸水溶液でのエッチングによ
り耐熱層を除去し、該型材から成形体を分離することを
特徴とする成形体の製造方法。4. A molded body made of a metal such as aluminum or copper is formed by vapor deposition on a heat-resistant layer made of silicon oxide of the mold for producing a molded body according to any one of claims 1 to 3. Thereafter, the heat-resistant layer is removed by etching with a hydrofluoric acid aqueous solution, and the molded body is separated from the mold material.
の酸化けい素からなるウエットエッチング可能な耐熱層
上に、CVD法で炭化けい素（SiC）、窒化けい素（SI
3N4）、窒化ほう素（BN）、炭素（Ｃ）などのセラミッ
クスからなる成形体を形成した後、フッ酸水溶液でのエ
ッチングにより耐熱層を除去し、該型材から成形体を分
離することを特徴とする成形体の製造方法。5. A silicon carbide (SiC), a silicon nitride (SI) or a silicon nitride (SI) formed by a CVD method on a wet-etchable heat-resistant layer made of silicon oxide as a mold for producing a molded product according to any one of claims 1 to 3.
3 N 4), boron nitride (BN), after forming a molded body made of ceramics such as carbon (C), a heat-resistant layer is removed by etching with hydrofluoric acid aqueous solution, separating the formed body from the mold material A method for producing a molded article, characterized by comprising:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2143662A JP2982823B2 (en) | 1990-03-30 | 1990-06-01 | Mold for manufacturing molded article and method for producing molded article |
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-
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「フォトエッチングと微細加工」（第１版）第７９頁、楢岡清威、二瓶公志共著、昭和５２年５月１０日、総合電子出版社発行 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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