JP2982760B2 - 進行波管のコレクタ - Google Patents
進行波管のコレクタInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外囲器内に固定さ
れる複数の円柱セラミックが、電子ビームを捕捉するコ
レクタ電極を保持する進行波管のコレクタに関し、特
に、外囲器やコレクタ電極が銅製であっても、銅が円柱
セラミックに蒸着しないようにした進行波管のコレクタ
に関する。
れる複数の円柱セラミックが、電子ビームを捕捉するコ
レクタ電極を保持する進行波管のコレクタに関し、特
に、外囲器やコレクタ電極が銅製であっても、銅が円柱
セラミックに蒸着しないようにした進行波管のコレクタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波の中継局、衛星通信用とし
て、電子ビームを利用してマイクロ波を増幅するものに
進行波管がある。進行波管は図３（ａ）に示すような伝
導冷却タイプ、図３（ｂ）に示すような強制冷却タイ
プ、図３（ｃ）に示すような水冷タイプがある。
て、電子ビームを利用してマイクロ波を増幅するものに
進行波管がある。進行波管は図３（ａ）に示すような伝
導冷却タイプ、図３（ｂ）に示すような強制冷却タイ
プ、図３（ｃ）に示すような水冷タイプがある。
【０００３】いずれにしても進行波管は、電子ビーム１
９を出射する電子銃２０と、電子ビーム１９と入力した
マイクロ波とを相互作用させる遅波回路２１と、相互作
用を終えた電子ビーム１９を捕捉する有底筒状のコレク
タ電極２４を備えたコレクタ２２が直列に配列され、遅
波回路２１の外周に電子ビーム１９を集束させるための
ビーム集束装置２３が配置された構成となっている。ま
た、ビーム集束装置２３とコレクタ２２は固定基台であ
るベースプレート２６上に設置される。
９を出射する電子銃２０と、電子ビーム１９と入力した
マイクロ波とを相互作用させる遅波回路２１と、相互作
用を終えた電子ビーム１９を捕捉する有底筒状のコレク
タ電極２４を備えたコレクタ２２が直列に配列され、遅
波回路２１の外周に電子ビーム１９を集束させるための
ビーム集束装置２３が配置された構成となっている。ま
た、ビーム集束装置２３とコレクタ２２は固定基台であ
るベースプレート２６上に設置される。
【０００４】電子銃２０から発射された電子ビーム１９
は、遅波回路２１を通過し、信号が増幅して、コレクタ
２２に捕捉される。このとき、コレクタ２２に捕捉され
た電子ビーム１９は、その運動エネルギが熱エネルギに
変換され、コレクタ電極２４の温度を上昇させる。この
ため、コレクタ電極２４で発生した熱を外部へ逃す必要
がある。
は、遅波回路２１を通過し、信号が増幅して、コレクタ
２２に捕捉される。このとき、コレクタ２２に捕捉され
た電子ビーム１９は、その運動エネルギが熱エネルギに
変換され、コレクタ電極２４の温度を上昇させる。この
ため、コレクタ電極２４で発生した熱を外部へ逃す必要
がある。
【０００５】そこで、図３（ａ）に示す伝導冷却タイプ
では、ベースプレート２６にヒートシンク２５を併設
し、そのヒートシンク２５からコレクタ２２の熱を逃が
している。また、図３（ｂ）に示す強制空冷タイプで
は、コレクタ２２の外周部にフィン２８を設け、このフ
ィン２８に風を流すことによってコレクタ２２の熱を逃
している。さらに、図３（ｃ）に示す水冷タイプでは、
コレクタ２２の外周に水が循環する水冷用パイプ３０が
配置され、その水冷用パイプ３０の中を流れる水によっ
てコレクタ２２の熱を逃している。
では、ベースプレート２６にヒートシンク２５を併設
し、そのヒートシンク２５からコレクタ２２の熱を逃が
している。また、図３（ｂ）に示す強制空冷タイプで
は、コレクタ２２の外周部にフィン２８を設け、このフ
ィン２８に風を流すことによってコレクタ２２の熱を逃
している。さらに、図３（ｃ）に示す水冷タイプでは、
コレクタ２２の外周に水が循環する水冷用パイプ３０が
配置され、その水冷用パイプ３０の中を流れる水によっ
てコレクタ２２の熱を逃している。
【０００６】また、進行波管の総合効率（ＲＦ出力／使
用電力）を高めるために、コレクタ電位低下という方法
が用いられる。これはコレクタ電極２４に印加する電位
を遅波回路２１に対して順次低下させ、コレクタ２２に
衝突する電子ビーム１９の速度を落とすことにより、コ
レクタ電極２４で発生するエネルギを低下させる方法で
ある。このため、コレクタ２２と遅波回路２１との間
は、高電圧に対する絶縁がセラミックなどの絶縁物３２
により保たれている。この絶縁物３２はコレクタ２２の
外部に設けられる。
用電力）を高めるために、コレクタ電位低下という方法
が用いられる。これはコレクタ電極２４に印加する電位
を遅波回路２１に対して順次低下させ、コレクタ２２に
衝突する電子ビーム１９の速度を落とすことにより、コ
レクタ電極２４で発生するエネルギを低下させる方法で
ある。このため、コレクタ２２と遅波回路２１との間
は、高電圧に対する絶縁がセラミックなどの絶縁物３２
により保たれている。この絶縁物３２はコレクタ２２の
外部に設けられる。
【０００７】しかし、実開平２−１０１４５４号公報に
は図４（ａ）（ｂ）に示すような内部絶縁型コレクタ３
５の構造が開示されている。この内部絶縁型コレクタ３
５は銅、モリブデン、グラファイトなどからなる有底筒
状の外囲器３３の内側に高熱伝導性で絶縁性の複数の円
柱セラミック３４が設けられ、その円柱セラミック３４
の内側に銅、モリブデン、グラファイトなどからなる有
底円筒状のコレクタ電極２４が支持される構造となって
いる。このように絶縁性の円柱セラミック３４がコレク
タ電極２４を支持する構造とすることにより、耐電圧特
性を維持しつつ、耐震、耐衝撃性が改善される。この種
の内部絶縁型コレクタ３５は、外囲器３３とコレクタ電
極２４及びその周囲に複数の高熱伝導性の円柱セラミッ
ク３４とをプレスするなどの方法により、外囲器３３に
コレクタ電極24及び円柱セラミック３４を圧入した後、
外囲器３３を圧縮させてコレクタ電極24及び円柱セラミ
ック３４を固定して製造される。
は図４（ａ）（ｂ）に示すような内部絶縁型コレクタ３
５の構造が開示されている。この内部絶縁型コレクタ３
５は銅、モリブデン、グラファイトなどからなる有底筒
状の外囲器３３の内側に高熱伝導性で絶縁性の複数の円
柱セラミック３４が設けられ、その円柱セラミック３４
の内側に銅、モリブデン、グラファイトなどからなる有
底円筒状のコレクタ電極２４が支持される構造となって
いる。このように絶縁性の円柱セラミック３４がコレク
タ電極２４を支持する構造とすることにより、耐電圧特
性を維持しつつ、耐震、耐衝撃性が改善される。この種
の内部絶縁型コレクタ３５は、外囲器３３とコレクタ電
極２４及びその周囲に複数の高熱伝導性の円柱セラミッ
ク３４とをプレスするなどの方法により、外囲器３３に
コレクタ電極24及び円柱セラミック３４を圧入した後、
外囲器３３を圧縮させてコレクタ電極24及び円柱セラミ
ック３４を固定して製造される。
【０００８】また図５に示すように、進行波管全体の総
合効率を改善した２段コレクタ３８は、電子ビームの上
流から下流に向けて、開口側の第１コレクタ電極３６と
底側の第２コレクタ電極３７とが電気的に絶縁されて配
列され、電位が第１コレクタ電極３６より第２コレクタ
電極３７の方が低くなるようにされている。各コレクタ
電極３６，３７には第１コレクタリード線３９と第２コ
レクタリード線４１とが接続される。また、各コレクタ
電極３６，３７は外囲器３３に保持された円柱セラミッ
ク３４によって固定される。
合効率を改善した２段コレクタ３８は、電子ビームの上
流から下流に向けて、開口側の第１コレクタ電極３６と
底側の第２コレクタ電極３７とが電気的に絶縁されて配
列され、電位が第１コレクタ電極３６より第２コレクタ
電極３７の方が低くなるようにされている。各コレクタ
電極３６，３７には第１コレクタリード線３９と第２コ
レクタリード線４１とが接続される。また、各コレクタ
電極３６，３７は外囲器３３に保持された円柱セラミッ
ク３４によって固定される。
【０００９】このような２段コレクタ３８において、電
子銃（図３参照）から発射され、遅波回路（図３参照）
を通過した電子ビームは、第１コレクタ電極３６及び第
２コレクタ電極３７に捕捉される。進行波管の総合効率
（ＲＦ出力／使用電力）を高めるため、通常、第１コレ
クタ電極３６の電位は遅波回路の約50％に低下させ、第
2コレクタ電極３７の電位はさらに第１コレクタ電極３
６の電位の約50％まで低下させる方法がとられている。
このような方法によれば、遅波回路の電位に対して、各
コレクタ電極３６，３７の電位を順次低下させ、各コレ
クタ電極３６，３７に衝突する電子ビームの速度を落と
すことができるため、各コレクタ電極３６，３７で発生
するエネルギは低下して、かつ、進行波管の総合効率を
向上させることができる。
子銃（図３参照）から発射され、遅波回路（図３参照）
を通過した電子ビームは、第１コレクタ電極３６及び第
２コレクタ電極３７に捕捉される。進行波管の総合効率
（ＲＦ出力／使用電力）を高めるため、通常、第１コレ
クタ電極３６の電位は遅波回路の約50％に低下させ、第
2コレクタ電極３７の電位はさらに第１コレクタ電極３
６の電位の約50％まで低下させる方法がとられている。
このような方法によれば、遅波回路の電位に対して、各
コレクタ電極３６，３７の電位を順次低下させ、各コレ
クタ電極３６，３７に衝突する電子ビームの速度を落と
すことができるため、各コレクタ電極３６，３７で発生
するエネルギは低下して、かつ、進行波管の総合効率を
向上させることができる。
【００１０】内部絶縁型の２段コレクタ３８における第
１コレクタ電極３６の第１コレクタリード線３９は、小
型化を図る上で通常、外囲器３３の底部側に取り出され
ている。さらに第１コレクタリード線３９は第２コレク
タ電極３７との絶縁を保持するために、高熱伝導性の円
柱セラミック３４の内側面に沿った絶縁管４０内を挿通
されている。この絶縁管４０は第２コレクタ電極３７を
通って、外囲器３３の底部へと導かれ、第１及び第２コ
レクタリード線３９、４１は、絶縁された状態で、進行
波管の外部へと繋がっている。
１コレクタ電極３６の第１コレクタリード線３９は、小
型化を図る上で通常、外囲器３３の底部側に取り出され
ている。さらに第１コレクタリード線３９は第２コレク
タ電極３７との絶縁を保持するために、高熱伝導性の円
柱セラミック３４の内側面に沿った絶縁管４０内を挿通
されている。この絶縁管４０は第２コレクタ電極３７を
通って、外囲器３３の底部へと導かれ、第１及び第２コ
レクタリード線３９、４１は、絶縁された状態で、進行
波管の外部へと繋がっている。
【００１１】なお、特開昭５８−２１０６８４号公報に
は陽極が排気管を兼ねたガスレーザ管であって、陽極の
基体金属表面の放電部分に、酸化を防止するための貴金
属の層を形成した発明が開示されている。また、実開昭
６２−２０２７５２号公報にはコレクタを支持するセラ
ミックス製で円筒のコレクタ電極接触部にメタライズ
後、金メッキした輻射冷却形多段コレクタが開示されて
いる。さらに、特開平７−３２１１１２２号公報には基
板上に銅金属層を形成する工程と、前記銅金属層の露出
した表面にアルミニウム薄膜を選択的なCVD法により蒸
着して酸化防止膜を形成する工程とを含む半導体素子の
金属配線形成方法が開示されている。
は陽極が排気管を兼ねたガスレーザ管であって、陽極の
基体金属表面の放電部分に、酸化を防止するための貴金
属の層を形成した発明が開示されている。また、実開昭
６２−２０２７５２号公報にはコレクタを支持するセラ
ミックス製で円筒のコレクタ電極接触部にメタライズ
後、金メッキした輻射冷却形多段コレクタが開示されて
いる。さらに、特開平７−３２１１１２２号公報には基
板上に銅金属層を形成する工程と、前記銅金属層の露出
した表面にアルミニウム薄膜を選択的なCVD法により蒸
着して酸化防止膜を形成する工程とを含む半導体素子の
金属配線形成方法が開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】最近では通信用又は衛
星搭載用として、小型・軽量でかつ製造容易な構造とす
ることにより、コストダウンを図りたいという要求があ
る。このため、外囲器３３及びコレクタ電極２４，３
６，３７としては、高価なモリブデンや脆いグラファイ
トの材料に比べて、低コストで加工しやすく、かつ熱伝
導のよい銅が多用されている。
星搭載用として、小型・軽量でかつ製造容易な構造とす
ることにより、コストダウンを図りたいという要求があ
る。このため、外囲器３３及びコレクタ電極２４，３
６，３７としては、高価なモリブデンや脆いグラファイ
トの材料に比べて、低コストで加工しやすく、かつ熱伝
導のよい銅が多用されている。
【００１３】しかし、銅を用いた従来の外囲器３３及び
コレクタ電極２４，３６，３７では、進行波管を長期間
使用していると、絶縁性の円柱セラミック３４に銅が蒸
着し、したがって円柱セラミック３４の沿面距離が徐々
に減少し、ついにはコレクタ３５，３８の耐電圧特性を
劣化させるという欠点があった。
コレクタ電極２４，３６，３７では、進行波管を長期間
使用していると、絶縁性の円柱セラミック３４に銅が蒸
着し、したがって円柱セラミック３４の沿面距離が徐々
に減少し、ついにはコレクタ３５，３８の耐電圧特性を
劣化させるという欠点があった。
【００１４】そこで本発明は、外囲器及びコレクタ電極
の材料である銅の蒸発を抑制し、長時間使用しても円柱
セラミックへ銅が蒸着することがないようにした進行波
管のコレクタを提供することを目的とする。
の材料である銅の蒸発を抑制し、長時間使用しても円柱
セラミックへ銅が蒸着することがないようにした進行波
管のコレクタを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の進行波管のコレ
クタは、真空内において低蒸発量である金属薄膜を外周
面に被覆した有底筒状のコレクタ電極と、そのコレクタ
電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、真空内におい
て低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆した有底筒状
の外囲器と、コレクタ電極と外囲器との間に配置され、
両者を支持する高熱伝導性の複数の円柱セラミックと、
を有することを特徴とするものである。
クタは、真空内において低蒸発量である金属薄膜を外周
面に被覆した有底筒状のコレクタ電極と、そのコレクタ
電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、真空内におい
て低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆した有底筒状
の外囲器と、コレクタ電極と外囲器との間に配置され、
両者を支持する高熱伝導性の複数の円柱セラミックと、
を有することを特徴とするものである。
【００１６】本発明によれば、コレクタ電極の外周面を
被覆した金属薄膜と、外囲器の内周面を被覆した金属薄
膜とによって、コレクタ電極及び外囲器が銅製であって
も、円柱セラミックに銅が蒸着することがなく、円柱セ
ラミックの沿面距離は減少することがなくなる。
被覆した金属薄膜と、外囲器の内周面を被覆した金属薄
膜とによって、コレクタ電極及び外囲器が銅製であって
も、円柱セラミックに銅が蒸着することがなく、円柱セ
ラミックの沿面距離は減少することがなくなる。
【００１７】本発明の他の形態の進行波管のコレクタ
は、真空内において低蒸発量である金属薄膜を外周面に
被覆した有底筒状の複数のコレクタ電極と、そのコレク
タ電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、真空内にお
いて低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆した有底筒
状の外囲器と、コレクタ電極と外囲器との間に配置さ
れ、両者を支持する高熱伝導性の複数の円柱セラミック
と、を有し、コレクタ電極は、外囲器の底部側から開口
部側に向かって配列されることを特徴とするものであ
る。
は、真空内において低蒸発量である金属薄膜を外周面に
被覆した有底筒状の複数のコレクタ電極と、そのコレク
タ電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、真空内にお
いて低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆した有底筒
状の外囲器と、コレクタ電極と外囲器との間に配置さ
れ、両者を支持する高熱伝導性の複数の円柱セラミック
と、を有し、コレクタ電極は、外囲器の底部側から開口
部側に向かって配列されることを特徴とするものであ
る。
【００１８】コレクタ電極の開口側に接続されたコレク
タリード線は、絶縁性を保持するために円筒セラミック
内を貫通するのが好ましい。
タリード線は、絶縁性を保持するために円筒セラミック
内を貫通するのが好ましい。
【００１９】外囲器の内周面には、耐電圧の向上を図る
ために、円柱セラミックの両端部に位置する部分に、円
柱セラミックと接触しないような隙間をつくる段差が設
けられるのが好ましい。
ために、円柱セラミックの両端部に位置する部分に、円
柱セラミックと接触しないような隙間をつくる段差が設
けられるのが好ましい。
【００２０】金属薄膜は、例えば、Ｎｉメッキにより形
成され、コレクタ電極及び外囲器は、銅により作られ
る。
成され、コレクタ電極及び外囲器は、銅により作られ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１を参照しながら説明する。第１の実施の形態に係
る進行波管のコレクタ１は、有底筒状の外囲器４内に配
置される複数の高熱伝導性の円柱セラミック３が、一つ
の有底筒状のコレクタ電極２を保持するようにしたもの
であって、外囲器４の内周面とコレクタ電極２の外周面
とに金属薄膜５を被覆したことを特徴とするものであ
る。
を図１を参照しながら説明する。第１の実施の形態に係
る進行波管のコレクタ１は、有底筒状の外囲器４内に配
置される複数の高熱伝導性の円柱セラミック３が、一つ
の有底筒状のコレクタ電極２を保持するようにしたもの
であって、外囲器４の内周面とコレクタ電極２の外周面
とに金属薄膜５を被覆したことを特徴とするものであ
る。
【００２２】外囲器４の内周面とコレクタ電極２の外周
面とに被覆する金属薄膜５は、真空内で蒸発しにくいＮ
ｉなどの金属をメッキによって形成する。円柱セラミッ
ク３はコレクタ電極２の軸の両端がずれないように接触
させる。かつ、耐電圧の向上を図るため、電界が集中す
る円柱セラミック３の両端部分の外囲器４の内周面に段
差４ａを設け、外囲器４と円柱セラミック３とが接触し
ないような数ｍｍの隙間６をあけることにより、沿面距
離を確保するようにすることが好ましい。
面とに被覆する金属薄膜５は、真空内で蒸発しにくいＮ
ｉなどの金属をメッキによって形成する。円柱セラミッ
ク３はコレクタ電極２の軸の両端がずれないように接触
させる。かつ、耐電圧の向上を図るため、電界が集中す
る円柱セラミック３の両端部分の外囲器４の内周面に段
差４ａを設け、外囲器４と円柱セラミック３とが接触し
ないような数ｍｍの隙間６をあけることにより、沿面距
離を確保するようにすることが好ましい。
【００２３】コレクタ電極２に接続されたコレクタリー
ド線７は、外囲器４の底部に取り付けられたコレクタ端
子８によって、絶縁された状態で、進行波管の外部へと
繋がっている。
ド線７は、外囲器４の底部に取り付けられたコレクタ端
子８によって、絶縁された状態で、進行波管の外部へと
繋がっている。
【００２４】また、コレクタ全体として、本構造を組み
上げた後、熱伝導を考慮して、プレスなどにより外側か
ら圧力を加えて、外囲器４を圧縮させると、コレクタ電
極２は図１（ａ）の断面に示すように円柱セラミック３
によって固定される。
上げた後、熱伝導を考慮して、プレスなどにより外側か
ら圧力を加えて、外囲器４を圧縮させると、コレクタ電
極２は図１（ａ）の断面に示すように円柱セラミック３
によって固定される。
【００２５】本発明によれば、コレクタ電極２の外周面
と外囲器４の内周面とに金属薄膜５を被覆したことによ
り、コレクタ電極２及び外囲器４が銅製であっても、円
柱セラミック３に銅が蒸着することがない。したがっ
て、円柱セラミック３の沿面距離が減少することがなく
なり、本発明の進行波管のコレクタは耐電圧特性の劣化
を防止することができる。その結果、進行波管の長寿命
化を図ることができる。
と外囲器４の内周面とに金属薄膜５を被覆したことによ
り、コレクタ電極２及び外囲器４が銅製であっても、円
柱セラミック３に銅が蒸着することがない。したがっ
て、円柱セラミック３の沿面距離が減少することがなく
なり、本発明の進行波管のコレクタは耐電圧特性の劣化
を防止することができる。その結果、進行波管の長寿命
化を図ることができる。
【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態を図２を
参照しながら説明する。第２の実施の形態は、有底筒状
の外囲器１３内に開口側の第１コレクタ電極１０と底側
の第２コレクタ電極１１を直列に配列し、各コレクタ電
極１０，１１を高熱伝導性の円柱セラミック１２が保持
する進行波管の２段コレクタ９であり、外囲器１３の内
周面と、第１コレクタ電極１０から第２コレクタ電極１
１の外周面に金属薄膜１６を被覆したことを特徴とする
ものである。
参照しながら説明する。第２の実施の形態は、有底筒状
の外囲器１３内に開口側の第１コレクタ電極１０と底側
の第２コレクタ電極１１を直列に配列し、各コレクタ電
極１０，１１を高熱伝導性の円柱セラミック１２が保持
する進行波管の２段コレクタ９であり、外囲器１３の内
周面と、第１コレクタ電極１０から第２コレクタ電極１
１の外周面に金属薄膜１６を被覆したことを特徴とする
ものである。
【００２７】外囲器１３の内周面とコレクタ電極１０，
１１の外周面とに被覆する金属薄膜１６は、真空内で蒸
発しにくいＮｉなどの金属をメッキによって形成する。
円柱セラミック１２はコレクタ電極１０，１１の軸の両
端がずれないように接触させる。かつ、耐電圧の向上を
図るため、電界が集中する円柱セラミック１２の両端部
分の外囲器１３の内周面に段差１３ａを設け、外囲器１
３と円柱セラミック１２とが接触しないような数ｍｍの
隙間１７をあけることにより、沿面距離を確保するよう
にすることが好ましい。
１１の外周面とに被覆する金属薄膜１６は、真空内で蒸
発しにくいＮｉなどの金属をメッキによって形成する。
円柱セラミック１２はコレクタ電極１０，１１の軸の両
端がずれないように接触させる。かつ、耐電圧の向上を
図るため、電界が集中する円柱セラミック１２の両端部
分の外囲器１３の内周面に段差１３ａを設け、外囲器１
３と円柱セラミック１２とが接触しないような数ｍｍの
隙間１７をあけることにより、沿面距離を確保するよう
にすることが好ましい。
【００２８】第２の実施の形態にあっては、第１コレク
タ電極１０に接続された第１コレクタリード線１４と、
第２コレクタ電極１１に接続された第２コレクタリード
線１８とは、ともに外囲器１３の底部に取り付けられた
コレクタ端子１９，１９によって、絶縁された状態で、
進行波管の外部へと繋がっている。また、第１コレクタ
リード線１４が第１コレクタ電極１０から第２コレクタ
電極１１の外周面を通って２段コレクタ９の底部へと抜
けるようにするための１本の円筒セラミック１５が、外
囲器１３と第１及び第２のコレクタ電極１０，１１との
間に配置される。
タ電極１０に接続された第１コレクタリード線１４と、
第２コレクタ電極１１に接続された第２コレクタリード
線１８とは、ともに外囲器１３の底部に取り付けられた
コレクタ端子１９，１９によって、絶縁された状態で、
進行波管の外部へと繋がっている。また、第１コレクタ
リード線１４が第１コレクタ電極１０から第２コレクタ
電極１１の外周面を通って２段コレクタ９の底部へと抜
けるようにするための１本の円筒セラミック１５が、外
囲器１３と第１及び第２のコレクタ電極１０，１１との
間に配置される。
【００２９】２段コレクタ９は第１の実施の形態のコレ
クタ１よりもコレクタの段数が増えているにもかかわら
ず、コレクタ１と同等の耐電圧を有しており、かつコレ
クタ電極１０，１１…の多段化が容易に図れる利点があ
る。
クタ１よりもコレクタの段数が増えているにもかかわら
ず、コレクタ１と同等の耐電圧を有しており、かつコレ
クタ電極１０，１１…の多段化が容易に図れる利点があ
る。
【００３０】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れることはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事
項の範囲内において種々の変更が可能である。例えば、
外囲器の内周面に被覆する金属薄膜は、全面ではなく円
柱セラミックと接触する面だけ形成することもできる。
また、コレクタ電極は２列以上に配列する場合でも実施
することができる。
れることはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事
項の範囲内において種々の変更が可能である。例えば、
外囲器の内周面に被覆する金属薄膜は、全面ではなく円
柱セラミックと接触する面だけ形成することもできる。
また、コレクタ電極は２列以上に配列する場合でも実施
することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、コレクタ電極の外周面
と外囲器の内周面とに金属薄膜を被覆したことにより、
コレクタ電極及び外囲器が銅製であっても、円柱セラミ
ックに銅が蒸着することがない。したがって、円柱セラ
ミックの沿面距離が減少することがなくなり、本進行波
管のコレクタは耐電圧特性の劣化を防止することができ
る。その結果、進行波管の長寿命化を図ることができ
る。
と外囲器の内周面とに金属薄膜を被覆したことにより、
コレクタ電極及び外囲器が銅製であっても、円柱セラミ
ックに銅が蒸着することがない。したがって、円柱セラ
ミックの沿面距離が減少することがなくなり、本進行波
管のコレクタは耐電圧特性の劣化を防止することができ
る。その結果、進行波管の長寿命化を図ることができ
る。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るコレ
クタを示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。
クタを示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るコレ
クタを示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’
線断面図である。
クタを示す縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’
線断面図である。
【図３】従来の進行波管の構成を示す横断面図であり、
（ａ）は伝導冷却タイプ、（ｂ）は強制空冷タイプ、
（ｃ）は水冷タイプである。
（ａ）は伝導冷却タイプ、（ｂ）は強制空冷タイプ、
（ｃ）は水冷タイプである。
【図４】（ａ）は従来の進行波管のコレクタを示す縦断
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図であ
る。
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図であ
る。
【図５】（ａ）は他の従来のコレクタを示す断面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
り、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
１：コレクタ ２：コレクタ電極 ３：円柱セラミック ４、１３：外囲器 ４ａ，１３ａ：段差 ５、１６：金属薄膜 ６、１７：隙間 ８：コレクタ端子 ９：２段コレクタ １０：第１コレクタ電極 １１：第２コレクタ電極 １４：第１コレクタリード線 １５：円筒セラミック １８：第２コレクタリード線 １９：コレクタ端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 23/027
Claims (6)
- 【請求項１】真空内において低蒸発量である金属薄膜を
外周面に被覆した有底筒状のコレクタ電極と、 そのコレクタ電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、
真空内において低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆
した有底筒状の外囲器と、 前記コレクタ電極と外囲器との間に配置され、両者を支
持する高熱伝導性の複数の円柱セラミックと、 を有することを特徴とする進行波管のコレクタ。 - 【請求項２】真空内において低蒸発量である金属薄膜を
外周面に被覆した有底筒状の複数のコレクタ電極と、 そのコレクタ電極の外周を所定間隔を隔てて取り囲み、
真空内において低蒸発量である金属薄膜を内周面に被覆
した有底筒状の外囲器と、 前記コレクタ電極と外囲器との間に配置され、両者を支
持する高熱伝導性の複数の円柱セラミックと、を有し、 前記コレクタ電極は、前記外囲器の底部側から開口部側
に向かって配列されることを特徴とする請求項１に記載
の進行波管のコレクタ。 - 【請求項３】前記コレクタ電極の開口側に接続されたコ
レクタリード線は、円筒セラミック内を貫通することを
特徴とする請求項２に記載の進行波管のコレクタ。 - 【請求項４】前記外囲器の内周面には、前記円柱セラミ
ックの両端部に位置する部分に、円柱セラミックと接触
しないような隙間をつくる段差が設けられることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１つの項に記載の進行
波管のコレクタ。 - 【請求項５】前記金属薄膜は、Ｎｉメッキにより形成さ
れることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つの
項の記載の進行波管のコレクタ。 - 【請求項６】前記コレクタ電極及び外囲器は、銅により
作られることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１
つの項の記載の進行波管のコレクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221507A JP2982760B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 進行波管のコレクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221507A JP2982760B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 進行波管のコレクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167108A JPH1167108A (ja) | 1999-03-09 |
| JP2982760B2 true JP2982760B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16767804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9221507A Expired - Fee Related JP2982760B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 進行波管のコレクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982760B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543631A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-04 | 中国科学院电子学研究所 | 一种碳-无氧铜多级降压收集极及制造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653787B2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-11-25 | L-3 Communications Corporation | High power density multistage depressed collector |
| JP2010225534A (ja) | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Netcomsec Co Ltd | コレクタ及び電子管 |
| CN105762048B (zh) * | 2016-04-06 | 2018-03-02 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 内收集极和包括该内收集极的收集极及行波管 |
-
1997
- 1997-08-18 JP JP9221507A patent/JP2982760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543631A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-04 | 中国科学院电子学研究所 | 一种碳-无氧铜多级降压收集极及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167108A (ja) | 1999-03-09 |
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|---|---|---|---|
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