JP2979099B2

JP2979099B2 - データ記憶装置

Info

Publication number: JP2979099B2
Application number: JP2334527A
Authority: JP
Inventors: 信行利根川
Original assignee: KASHIO KEISANKI KK
Current assignee: KASHIO KEISANKI KK
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1999-11-15
Anticipated expiration: 2014-11-15
Also published as: JPH04205367A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は各種データを記憶するデータ記憶装置に関
する。

［従来の技術］従来、例えば電子手帳，電子時計等のデータ記憶装置
は名前・電話番号、スケジュール等の各種データをRAM
に記憶しており、このRAMには記憶内容を保持するため
に電池から電源が供給されている。そして、電池の電圧
が低下してくると使用者に電池切れを報知するようにな
っている。然して、電池交換時等に記憶内容が消えない
ようにする為に、例えば電池を２個並列配置させてお
き、交換する時は電池を１個ずつ交換することによりRA
Mに記憶したデータが消失しないようにすること等が行
なわれている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、従来のデータ記憶装置では誤って２個
の電池を同時に取り外したり、電池を交換しないで放置
すると、RAMに記憶したデータが消失してしまうという
欠点があった。そのため、電源をオフしても記憶内容を
保持する不揮発性メモリ、例えばEE−PROM（electrical
ly erasable and programmable read only memory）をR
AMと併用することが考えられる。即ち、必要とされる任
意のデータをEE−PROMに記憶させ、他はRAMに記憶する
ようにすれば、電池電圧が低下したときEE−PROMに記憶
したデータだけは保護される。

ところで、EE−PROMは高い駆動電圧で書込動作を行な
うため、電池電圧が十分でないとデータが正常に書き込
めない。また、EE−PROMには書込回数の制限があり、通
常は所定回数以上の書き込みを繰り返すと、その領域記
憶は書込不能となってデータの書き込みが出来なくな
る。

一般に、名前・電話番号、スケジュール等の各種デー
タをEE−PROMに記憶する場合はデータ編集を頻繁に繰り
返すので書き込い回数も多くなる。従って、データをEE
−PROMに書き込む際に書込不能が起こったとき、使用者
は電池の消耗による書込不能か書込回数の超過による書
込不能かを判断できないという欠点があった。

この発明は上記問題を解消する為になされたもので、
不揮発性メモリに対してデータが書込不能となった際
に、電池電圧の低下による書込不能か書込回数の超過等
電池電圧の低下以外の要因による書込不能かを報知でき
るデータ記憶装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］この発明は上記課題を解決するために、各種データを
記憶する書き換え可能な不揮発性メモリと、上記不揮発
性メモリに電源を供給する電池とを備えたデータ記憶装
置であって、上記不揮発性メモリに対してデータが正常
に書き込めたか否かを判断する書込判断手段と、この書
込判断手段により書込不能と判断されたときに電池の電
圧を検出する検出手段と、この検出手段の検出結果に基
づいて電池電圧の低下による書込不能かそれ以外の要因
による書込不能かを報知する報知手段とを具備したこと
を特徴とする。

［実施例］以下、この発明の一実施例を第１図ないし第12図に基
づいて説明する。この実施例ではデータ記憶装置として
電子腕時計に適用した例を示す。

第１図は本発明を適用した電子腕時計の外観図であ
る。電子腕時計本体１にはLCD（液晶表示パネル）２お
よび押釦型のS₁キー〜S₆キーが設けられている。この場
合、S₁キーは後述するモードレジスタＭの内容を反転さ
せるキーである。S₂キーは「Ｍ＝１」の時にフラグレジ
スタＦの内容を反転させてデータ表示状態と設定データ
表示状態とを切換えるキーである。S₃キーは後述するRA
Mにおけるデータシーケンシャルサーチを行なわせると
共に、データ修正の桁選択を行なわせるキーである。S₄
キーは後述するEE−PROMにおけるデータシーケンシャル
サーチを行なわせると共に、データ修正のキャラクタ選
択を行なわせるキーである。S₅キーはEE−PROMに対する
データの書込回数を表示させるキーである。S₆キーはそ
の他の処理で使用されるキーである。

第２図はLCD2の構成を示す図である。LCD2は文字を表
示するドットマトリクス表示部2a、数字を表示する数字
セグメント表示部2b,2c、登録完了マーク（Ｒ文字表示
体）表示部2d、および保護マーク表示部（Ｋ文字表示
体）2eを備えている。ドットマトリクス表示部2aには名
前・電話番号データにおける名前データが表示される。
数字セグメント表示部2b,2cには時刻，名前・電話番号
データにおける電話番号データが表示される。登録完了
マーク（Ｒ）表示部2dはドットマトリクス表示部2aおよ
び数字セグメント表示部2b,2cに表示された名前・電話
番号データをEE−PROM7に登録（Ｒeserve）する処理が
完了したことを示すものである。保護マーク表示部
（Ｋ）2eは表示された上記名前・電話番号データがEE−
PROM7に保護（Ｋeep）されることを示すものである。

第３図は上記電子腕時計の回路構成を示すブロック図
である。同図において、スイッチ部３は第１図に示した
S₁キー〜S₆キーを具備し、キー入力に応じたキー入力信
号を制御部４に出力する。制御部（CPU）４はROM5に予
め記憶したマイクロプログラムに基づいて各種処理を行
なう中央処理部である。揮発性メモリであるRAM6は名前
・電話番号データ等の各種データを記憶するメモリであ
る。７は書き換え可能な不揮発性メモリであるEE−PROM
であって、このEE−PROM7は任意選択された名前・電話
番号データを記憶するメモリである。電源回路８はリチ
ウム電池９から供給される電圧（3V）に基づいて各部に
駆動電圧（定格1.5V）を供給すると共に、制御部４から
出力される信号ａによってEE−PROM7に対して所定の駆
動電圧，例えば2Vの電圧を供給する。

電池電圧検出部10は電源回路８から出力される上記駆
動電圧が正常か否か即ち2V以上であるか否かを判断し、
上記駆動電圧が2Vより低下した場合は検出信号ｂを制御
部４に出力する。この電池電圧検出部10の詳細を第４図
に基づいて説明する。電源回路８から出力される上記駆
動電圧2Vは分圧抵抗R1,R2により1Vずつに分圧される。
分圧抵抗R1,R2の接続点Ｊの電圧（定格1V）はコンパレ
ータ10aに一方の入力端子に供給される。またコンパレ
ータ10aに他方の入力端子には基準電圧発生部10bから例
えば1Vの基準電圧が供給されている。そして、コンパレ
ータ10aは接続点Ｊの電圧と基準電圧（1V）とを比較
し、接続点Ｊの電圧が基準電圧（1V）より低下した場合
は検出信号ｂを制御部４に出力する。

第３図に戻って、MOSトランジスタ11はEE−PROM7に対
する電源供給を制御するためのゲート素子である。即
ち、MOSトランジスタ11は制御部４から出力される信号
ａによりONし、EE−PROM7を接地電圧（GND）に接続す
る。デコーダ・ドライバ12は制御部４から出力される表
示データに基づく表示駆動信号をLCD2に出力する。発振
器13は水晶発振子を内蔵し例えば32k（32768）Hzのクロ
ックパルスを出力するもので、クロックパルスは分周・
タインミング信号発生回路14に供給される。分周・タイ
ミング信号発生回路14は発振器13から供給されるクロッ
クパルスを分周して計時信号等の各種タインミング信号
を発生し、制御部４に供給する。

第５図はRAM6のメモリ構成を示す図である。同図に示
すように、RAM6には各種レジスタおよび、名前・電話番
号データを記憶するTELデータメモリC₀〜C_nが設けられ
ている。表示レジスタはLCD2で表示されるデータを記憶
するレジスタである。モードレジスタＭはモードデータ
を記憶するレジスタであり、「Ｍ＝０（レジスタＭの値
が０）」のときは現在時刻表示モード、「Ｍ＝１（レジ
スタＭの値が１）」のときはデータ表示モードである。
フラグレジスタＦはデータ修正状態か否かを示すフラグ
を記憶するレジスタである。フラグレジスタＬはデータ
の読出し／書込みにおいてRAM6またはEE−PROM7のどち
らを選択するかを示す選択フラグを記憶するレジスタで
ある。この場合「Ｌ＝０」の場合はRAM6が選択され、
「Ｌ＝１」の場合はEE−PROM7が選択される。レジスタ
ＳはEE−PROM7に対する書き込み動作の実行回数をカウ
ントするトライカウンタである。時刻計時レジスタは制
御部４により計時される現在時刻（日付，時刻）を記憶
するレジスタである。レジスタP₀はTELデータメモリC₀
〜C_nのアドレスを指定するポインタである。レジスタP₁
は第６図に示すEE−PROM7におけるTELデータメモリD₀,D
₁,…のアドレスを指定するポインタである。レジスタＢ
はEE−PROM7対する書込不能が発生したとき、その原因
を示すデータを記憶するレジスタである。この場合、電
池電圧の低下による書込不能では「Ｂ＝１」となり、そ
の他の要因、例えば書込回数の超過による書込不能では
「Ｂ＝２」となる。TELデータメモリC₀〜C_nにおいて、
エリアCXにはアルファベットによる名前データが記憶さ
れ、エリアCYには数字および記号（ハイフン）による電
話番号データが記憶される。

第６図はEE−PROM7のメモリ構成を示す図である。同
図に示すように、EE−PROM7には多数のTELデータメモリ
D₀,D₁,…が設けられている。TELデータメモリD₀,D₁,…
において、エリアDXにはアルファベットによる名前デー
タが記憶され、エリアDYには数字および記号（ハイフ
ン）による電話番号データが記憶され、エリアDZには各
TELデータメモリD₀,D₁,…に対応する書込回数N₀,N₁,N₂,
…が夫々記憶される。

次に、上記実施例の動作を第７図ないし第12図に基づ
いて説明する。第７図は全体動作を示すフローチャー
ト、第８図はデータ設定時の表示例を示す図、第９図は
第７図におけるEE−PROM内格納処理の動作を示すフロー
チャート、第10図は書込回数表示の表示例を示す図、第
11図は電池電圧の低下による書込不能が発生した時の表
示例を示す図、第12図は書込回数の超過による書込不能
が発生した時の表示例を示す図である。

初めに、第７図を参照して全体動作を説明する。制御
部４は分周・タイミング信号発生回路14から計時信号が
出力されるまでステップA1のHALT状態にある。

計時信号が出力されると、ステップA1で計時信号あり
と判断されてステップA2に進む。ステップA2の計時処理
では，時刻計時レジスタに記憶された現在時刻データが
更新される。ステップA3の表示処理においてはモードレ
ジスタM,フラグレジスタＦの内容に応じて現在時刻デー
タ、名前・電話番号データ、書込回数データ等がLCD2に
表示される。ステップA3の実行後はステップA1に戻る。

また、スイッチ部３でS₁キー〜S₆キーを入力すると、
ステップA1でキー有りと判断されてステップA4に進む。
ステップA4では入力されたキーがS₁キーか否かが判断さ
れる。S₁キーが入力された場合は、ステップA4でYESと
判断されてステップA5に進む。ステップA5においてはモ
ードレジスタＭの内容が反転されてモード内容が変更さ
れる。例えば、「Ｍ＝０」の時に、S₁キーが入力される
と「Ｍ＝１」になりデータ表示モードとなる。ステップ
A5の実行後はステッパA1に戻る。また、「Ｍ＝１」の時
に、S₁キーが入力されると「Ｍ＝０」の現在時刻表示モ
ードになる。

上記ステップA4でNOと判断された場合はステップA6に
進む。ステップA6では入力されたキーがS₂キーか否かが
判断される。S₂キーが入力された場合は、ステップA6で
YESと判断されてステップA7に進む。ステップA7におい
ては「Ｍ＝１」か否か即ちモードレジスタＭの内容が
「１」か否かが判断される。このステップA7でYESと判
断されるとステップA8に進み、NOの場合はステップA28
に進む。

ここで、「Ｍ＝１」の場合はステップA7でYESと判断
されてステップA8に進む。ステップA8では「Ｆ＝０」か
否か即ちフラグレジスタＦの内容が「０」か否かが判断
される。このステップA8でYESと判断されるとステップA
9に進み、NO（Ｆ＝１）の場合はステップA10に進む。
「Ｆ＝０」の場合は、ステップA8でYESと判断されてス
テップA9に進む。ステップA9ではフラグレジスタＦに
「１」が書き込まれて「Ｍ＝1,F＝１」となり、データ
設定モードとなる。ステップA9の実行後はステップA1に
戻る。

また、上記ステップA8でNO（Ｆ＝１）と判断された場
合は、ステップA10に進む。ステップA10においてはフラ
グレジスタＦに「０」が書き込まれて「Ｍ＝1,F＝０」
となり、ステップA11に進む。ステップA11では設定され
たデータをEE−PROM7に保護するか否かをフラグレジス
タＬの内容に基づいて判断する。即ち、「Ｌ＝１」であ
ればステップA11でYESと判断されてステップA12のEE−P
ROM内格納処理に進み、RAM6の表示レジスタに設定され
たデータをEE−PROM7に格納する。このEE−PROM内格納
処理の詳細は第９図により後述する。また、「Ｌ＝０」
であればステップA11でNOと判断されてステップA13に進
み、設定されたデータをRAM6に格納する。ステップA12,
A13の実行後はステップA1に戻る。

上記ステップA6でNOと判断された場合はステップA14
に進む。ステップA14では入力されたキーがS₃キーか否
かが判断される。

S₃キーが入力された場合は、ステップA14でYESと判断
されてステップA15に進む。ステップA15においては「Ｍ
＝１」か否かが判断される。このステップA15でYESと判
断されるとステップA16に進み、NOの場合はステップA28
に進む。ここで、「Ｍ＝１」の場合はステップA15でYES
と判断されてステップA16に進む。ステップA16では「Ｆ
＝０」か否かが判断される。このステップA16でYESと判
断されるとステップA17に進み、NO（Ｆ＝０）の場合は
ステップA18に進む。

ここで、「Ｍ＝1,F＝０」の場合はステップA15,A16で
夫々YESと判断されてステップA17に進む。ステップA17
においてはレジスタP₀が更新されてRAM6に記憶されたデ
ータのシーケンシャルサーチ処理が実行され、ステップ
A1に戻る。またステップA16で「Ｆ＝１」と判断された
場合はデータ設定モードであるからステップA18に進
む。ステップA18では桁選択処理が行なわれ、データ修
正における修正桁が１桁下位に移動する。ステップA18
の実行後はステップA1に戻る。

また、上記ステップA14でNOと判断された場合はステ
ップA19に進む。ステップA19では入力されたキーがS₄キ
ーか否かが判断される。ステップA19でYESと判断される
とステップA20に進み、NOの場合はステップA24に進む。

S₄キーが入力された場合は、ステップA19でYESと判断
されてステップA20に進む。ステップA20においては「Ｍ
＝１」か否かが判断され、YESの場合ステップA21へ、NO
の場合はステップA28に進む。ステップA20でYESと判断
された場合は、ステップA21に進んで「Ｆ＝０」か否か
が判断される。このステップA21でYESと判断されるとス
テップA22に進み、NOの場合はステップA23に進む。

ここで、「Ｍ＝1,F＝０」の場合はステップA20,A21で
夫々YESと判断されてステップA22に進む。ステップA22
においてはレジスタP₁が更新されてEE−PROM7に記憶さ
れたデータのシーケンシャルサーチ処理が実行され、ス
テップA1に戻る。またステップA21で「Ｆ＝１」と判断
された場合はデータ設定モードであるからステップA23
に進む。ステップA23では設定（修正）処理が行なわ
れ、データ修正におけるキャラクタが修正される。ステ
ップA23の実行後はステップA1に戻る。

また、上記ステップA19でNOと判断された場合はステ
ップA24に進む。ステップA24では入力されたキーがS₅キ
ーか否かが判断される。ステップA24でYESと判断される
とステップA25に進み、NOの場合はステップA28に進む。

S₅キーが入力された場合は、ステップA24でYESと判断
されてステップA25に進む。ステップA25においては「Ｍ
＝１」か否かが判断され、YESの場合ステップA26へ、NO
の場合はステップA28に進む。ステップA25でYESと判断
された場合は、ステップA26に進んで「Ｆ＝０」か否か
が判断される。このステップA21でYESと判断されるとス
テップA27に進み、NOの場合はステップA28に進む。

ここで、「Ｍ＝1,F＝０」の場合はステップA25,A26で
夫々YESと判断されてステップA27に進む。ステップA27
においては表示されたデータを記憶したEE−PROM7のTEL
データメモリD₀,D₁,…に対応する書込回数N₀,N₁,N₂,…
がLCD2に表示される。

また、ステップA24,A25,A26で夫々NOと判断された場
合はステップA28に進み、その他のキー処理が実行され
る。ステップA28の実行後はステップA1に進む。

次に、第８図を参照して名前・電話番号データの設定
処理を説明する。この場合、S₁キーを入力してステップ
A5の処理により「Ｍ＝１」とし、更にS₂キーを入力して
ステップA9の処理により「Ｆ＝１」とする。

これにより、データ設定モードとなり、ステップA3の
表示処理では第８図Ａに示すようにLCD2のドットマトリ
クス表示部2aには文字「Ａ」が点滅表示される。

ここで、S₄キーを順次入力すると、キャラクタ選択が
行なわれて第８図Ｂに示すように文字「Ｓ」が点滅表示
される。表示された文字「Ｓ」を設定する場合は、S₃キ
ーを入力して次の桁を選択する。

この操作により、第８図Ｃに示すように点滅表示がド
ットマトリクス表示部2aの第２桁にシフトする。以下同
様に、S₃,S₄キーを操作して文字データおよび数字デー
タを設定すると、第８図Ｄに示すようにドットマトリク
ス表示部2aに名前「SUZUKI」が表示され、数字セグメン
ト表示部2b,2cに電話番号「0123−45−7890」が表示さ
れ、最下桁の数字「０」が点滅表示される。このとき、
LCD2に表示された名前・電話番号データ「SUZUKI 0123
−45−7890」はRAM6の表示レジスタに記憶されている。

この状態で、S₃キーを操作するとフラグレジスタＬに
「１」が書き込まれて「Ｌ＝１」となりEE−PROM7が選
択される。この結果、第８図Ｅに示すようにLCD2の保護
マーク表示部2dが点滅表示される。保護マーク「Ｋ」の
点滅表示は、LCD2に表示された名前・電話番号データ
「SUZUKI 0123−45−7890」がEE−PROM7に格納保護さ
れることを示す。

また、第８図Ｅに示す状態でS₄キーが操作されると、
レジスタＬの値は反転して「０」になる。即ちS₄キーは
レジスタＬの内容を反転させる。

第８図Ｅに示す状態でS₂キーを入力すると、ステップ
A12のEE−PROM内格納処理が実行される。このEE−PROM
内格納処理の詳細を第９図に基づいて説明する。上述の
ように「Ｍ＝1,F＝１」の状態でS₂キーが入力される
と、ステップA6〜A8からステップA10,A11と進んで、ス
テップA12が実行される。

まず、ステップB1ではRAM6の表示レジスタに記憶され
た名前・電話番号データ「SUZUKI 0123−45−7890」を
EE−PROM7のTELデータメモリD₀,D₁,D₂,…のうちレジス
タP₁で指定されるTELデータメモリ、例えばTELデータメ
モリD_nに書き込む。

ステップB2においては、データが正常に書き込まれた
か否かを確認するために、レジスタP₁で指定されるTEL
データメモリD_nに記憶された名前・電話番号データを今
度は読み出す。

ステップB3ではEE−PROM7から読み出された名前・電
話番号データと、表示レジスタに記憶された名前・電話
番号データ「SUZUKI 0123−45−7890」とが一致するか
否かが判断される。このステップB3でYESと判断された
場合はデータが正しく記憶された場合でありステップB4
に進み、NOの場合はステップB6に進む。通常、EE−PROM
7はRAMに比べてデータを書き込みにくいメモリ素子であ
るから、書込動作を数回繰り返す必要がある。

従って、最初はEE−PROM7から読み出された名前・電
話番号データと、表示レジスタに記憶された名前・電話
番号データとが一致せず、ステップB3でNOと判断されて
ステップB6に進む。ステップB6ではレジスタＳの内容が
＋１されて書込実行回数がカウントされる。次のステッ
プB7において、レジスタＳの内容が「20」以上になった
か否かを判断する。このステップB7でYESの場合はステ
ップB8に進み、NOの場合はステップB1に戻ってステップ
B1〜B3,B6,B7の処理を繰り返し実行する。

しかして、EE−PROM7に対する書込動作を数回繰り返
し、データが正常に書き込まれると、ステップB3がYES
と判断されてステップB4に進む。ステップB4ではレジス
タP₁で指定されるTELデータメモリD_nの書込回数記憶エ
リアDZを＋１してカウントアップする。続くステップB5
ではLCD2における登録完了マーク（Ｒ）表示部2dを表示
して、表示された名前・電話番号データがEE−PROM7に
対する書込が完了したことを示す。ステップB5の実行後
は第９図の処理を終了し、ステップA1に戻る。この結
果、ステップA3の表示処理では第10図Ａに示すように名
前・電話番号データ「SUZUKI 0123−45−7890」が保護
マーク「Ｋ」，登録完了マーク「Ｒ」と共にLCD2に表示
される。

上記書込回数記憶エリアDZの内容はS₅キーの操作によ
って表示されるもので、第10図Ａに示す表示状態でS₅キ
ーが操作されると、ステップA24,A25,A26で夫々YESと判
断されてステップA27に進む。ステップA27では、第10図
Ｂに示すように、表示された名前・電話番号データ「SU
ZUKI 0123−45−7890」を記憶したEE−PROM7のTELデー
タメモリのエリアCZに記憶された書込回数例えば「23
0」が名前デェータ「SUZUKI」と共にLCD2に表示され
る。

然して、第９図に戻り上記ステップB1〜B3,B6,B7を20
回実行してレジスタＳの内容が「20」になると、ステッ
プB7でYESと判断されてステップB8に進む。ステップB8
では、EE−PROM7に対する書込動作を20回繰り返しても
データが正常に書き込めず書込不能であるから、リチウ
ム電池９の電圧を検出する電池電圧検出処理を実行す
る。即ち、電池電圧検出部10においてはリチウム電池９
の電圧に基づいて電源回路８から出力されるEE−PROM7
の駆動電圧が、定格2Vより低下すると検出信号ｂを出力
する。ステップB9ではリチウム電池９の電圧が十分に有
るか否か即ち検出信号ｂが出力されていないか否かを判
断する。

検出信号ｂが出力された場合は、リチウム電池９の電
圧が十分でないのでステップB9でNOと判断されステップ
B10に進む。ステップB10では、EE−PROM7の書込不能の
原因がリチウム電池９の電圧低下によることを示すデー
タ「１」をレジスタＢに書き込む。ステップB10の実行
後は第９図の処理を終了し、ステップA1に戻る。この結
果、ステップA3の表示処理では、第11図に示すように電
圧の低下による書込不能を示すメッセージ「Bat.Err」
がLCD2のドットマトリクス表示部2aに表示される。この
メッセージ表示により、使用者は電池が消耗したことが
分かる。

また、検出信号ｂが出力されていない場合は、リチウ
ム電池９の電圧が十分に有るのでステップB9でYESと判
断されステップB11に進む。ステップB11では、EE−PROM
7の書込不能の原因が書込回数の超過によることを示す
データ「２」をレジスタＢに書き込む。ステップB11の
実行後は第９図の処理を終了し、ステップA1に戻る。こ
の結果、ステップA3の表示処理では、第12図に示すよう
に書込回数の超過による書込不能を示すメッセージ「Ov
er Err」がLCD2のドットマトリクス表示部2aに表示さ
れる。このメッセージ表示により、使用者はEE−PROM7
における一領域の書込回数が超過したことが分かる。

なお、上記実施例では第７図ステップA13のRAM6への
データ格納の詳細については述べていないが入力された
データはデータの記憶されていない領域に順次記憶され
るようになっているものである。然して、RAM6およびEE
−PROM7に記憶されるデータは名前・電話番号データに
限らず、スケジュールデータ，住所録データ，メモデー
タ等何でもよい。また、記憶されるデータはキー入力さ
れたデータに限らず、データ通信により転送された入力
データ或いは無線等によって入力されたデータであって
もよい。

［発明の効果］以上詳述したように、この発明によればEE−PROMに対
してデータが書込不能となった際に、電池電圧の低下に
よる書込不能かそれ以外の要因による書込不能かを使用
者に対して報知できるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第12図は発明の実施例を示し、第１図は電子
腕時計の外観図、第２図は表示構成を示す外観図、第３
図は電子腕時計の回路構成を示す図、第４図は電池電圧
検出部の回路構成を示す図、第５図はRAMのメモリ構成
を示す図、第６図はEE−PROMのメモリ構成を示す図、第
７図は全体の動作を示すフローチャート、第８図はデー
タ設定時における表示変化を示す図、第９図はEE−PROM
内格納処理の動作を示すフローチャート、第10図乃至第
12図は夫々表示状態を示す図である。１……電子腕時計本体、２……LCD、３……スイッチ
部、４……制御部、５……ROM、６……RAM、７……EE−
PROM、８……電源回路、９……リチウム電池、10……電
池電圧検出部、11……MOSトランジスタ、12……デコー
ダ・ドライバ、13……発振器、14……分周・タイミング
信号発生回路。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G07F 15/02 G01R 31/36 G11C 16/00 G11C 29/00 G06F 1/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】各種データを記憶する書き換え可能な不揮
発性メモリと、上記不揮発性メモリに電源を供給する電
池とを備えたデータ記憶装置であって、上記不揮発性メ
モリに対してデータが正常に書き込めたか否かを判断す
る書込判断手段と、この書込判断手段により書込不能と
判断されたときに電池の電圧を検出する検出手段と、こ
の検出手段の検出結果に基づいて電池電圧の低下による
書込不能か電池電圧の低下以外の要因による書込不能か
を報知する報知手段とを具備したことを特徴とするデー
タ記憶装置。