JP2978258B2 - α−オレフィン重合用触媒成分 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、α−オレフィン重合用
触媒成分に関する。

【０００２】

【従来の技術】マグネシウム，チタン，ハロゲン及び電
子供与性化合物を含有すα−オレフィン重合用触媒成分
は知られている。触媒成分の粒子強度が低いと、重合に
より生成するポリマーは破壊され、微粉化する。これを
防ぐ典型的な手法として、触媒成分を予めオレフィンと
接触させ、そこで生成するポリマーを触媒成分内に取り
込ませて、触媒成分粒子の強度を高める、いわゆる予備
重合がある。この予備重合時に、珪素化合物等の電子供
与性化合物を添加することにより、粒子強度の向上と共
に、最終ポリα−オレフィンの立体規則性をも高めよう
とする試みがなされている。

【０００３】しかし、通常予備重合時の電子供与性化合
物の添加は、触媒活性の低下、或いは触媒の保存中の性
能劣化を引き起す等の影響をもたらす。又、予備重合時
に用いられる珪素化合物としては、その性能の点から、
芳香族基を持つ化合物が一般に用いられているが、ポリ
マーの使用目的によっては芳香族基を有する珪素化合物
が有害になることがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、触媒粒子強
度の増大、得られるポリマーの立体規則性の向上、触媒
高活性の維持、触媒の保存中の性能劣化防止等を計るこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
行った結果、予備重合時に添加する珪素化合物として、
特定の化合物を用いれば、芳香族基を有する有機珪素化
合物と同等又はそれ以上の性能でポリα−オレフィンが
得られ、かつ本発明の目的が達成できることを見出して
本発明を完成した。

【０００６】発明の要旨 すなわち、本発明の要旨は、（Ａ）マグネシウム，チタ
ン，ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする固
体成分を、（Ｂ) トリアルキルアルミニウム及び（Ｃ）
一般式

【化２】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
同意義である。〕の有機珪素化合物の存在下、（Ｄ）オ
レフィンと接触させてなるα−オレフィン重合用触媒成
分にある。

【０００７】固体成分 本発明で用いられる固体成分（以下、成分Ａという）
は、マグネシウム，チタン，ハロゲン及び電子供与性化
合物を必須成分とするが、このような成分は通常マグネ
シウム化合物、チタン化合物及び電子供与性化合物、更
に前記各化合物がハロゲンを有しない化合物の場合は、
ハロゲン含有化合物を、それぞれ接触することにより調
製される。

【０００８】（１）マグネシウム化合物 マグネシウム化合物は、一般式ＭｇＲ¹ Ｒ² で表わされ
る。式において、Ｒ¹及びＲ² は同一か異なる炭化水素
基、ＯＲ基（Ｒは炭化水素基）、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、Ｒ¹ 及びＲ² の炭化水素基としては、炭
素数１〜２０個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、ＯＲ基としては、Ｒが炭素
数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。

【０００９】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル、Ｐｒ :プ
ロピル、Ｂｕ：ブチル、Ｈｅ：ヘキシル、Ｏｃｔ：オク
チル、Ｐｈ：フェニル、ｃｙＨｅ：シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。ＭｇＭｅ₂ , ＭｇＥｔ₂ , Ｍｇｉ−Ｐ
ｒ₂ , ＭｇＢｕ₂ , ＭｇＨｅ₂ , ＭｇＯｃｔ₂ ，ＭｇＥ
ｔＢｕ，ＭｇＰｈ₂ , ＭｇｃｙＨｅ₂ , Ｍｇ（ＯＭｅ）
₂ , Ｍｇ（ＯＥｔ）₂ , Ｍｇ（ＯＢｕ）₂ , Ｍｇ（ＯＨ
ｅ）₂ , Ｍｇ（ＯＯｃｔ）₂ , Ｍｇ（ＯＰｈ）₂ , Ｍｇ
（ＯｃｙＨｅ）₂ , ＥｔＭｇＣｌ，ＢｕＭｇＣｌ，Ｈｅ
ＭｇＣｌ，ｉ−ＢｕＭｇＣｌ，ｔ−ＢｕＭｇＣｌ，Ｐｈ
ＭｇＣｌ，ＰｈＣＨ₂ ＭｇＣｌ，ＥｔＭｇＢｒ，ＢｕＭ
ｇＢｒ，ＰｈＭｇＢｒ，ＢｕＭｇＩ，ＥｔＯＭｇＣｌ，
ＢｕＯＭｇＣｌ，ＨｅＯＭｇＣｌ，ＰｈＯＭｇＣｌ，Ｅ
ｔＯＭｇＢｒ，ＢｕＯＭｇＢｒ，ＥｔＯＭｇＩ，ＭｇＣ
ｌ_{2 ,} ＭｇＢｒ_{2 ,} ＭｇＩ₂ 。

【００１０】上記マグネシウム化合物は、成分Ａを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Ｘ_n Ｍ（ＯＲ）_m-n のアルコキシ基含有化合物〔式にお
いて、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜２０
個の炭化水素基、Ｍは硼素、炭素、アルミニウム、珪素
又は燐原子、Ｒは炭素数１〜２０個の炭化水素基、ｍは
Ｍの原子価、ｍ＞ｎ≧０を示す。〕を接触させる方法が
挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のＸ及
びＲの炭化水素基としては、メチル（Ｍｅ) 、エチル
（Ｅｔ) 、プロピル（Ｐｒ）、ｉ−プロピル（ｉ−Ｐ
ｒ) 、ブチル（Ｂｕ) 、ｉ−ブチル（ｉ−Ｂｕ) 、ヘキ
シル（Ｈｅ) 、オクチル（Ｏｃｔ）等のアルキル基、シ
クロヘキシル（ｃｙＨｒ）、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル（Ｐｈ) 、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、３−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数１〜１０個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。

【００１１】Ｍが炭素の場合の化合物 式Ｃ（ＯＲ）₄ に含まれるＣ（ＯＭｅ）₄ ，Ｃ（ＯＥ
ｔ）₄ ，Ｃ（ＯＰｒ）₄，Ｃ（ＯＢｕ）₄ ，Ｃ（Ｏｉ−
Ｂｕ）₄ ，Ｃ（ＯＨｅ）₄ ，Ｃ（ＯＯｃｔ）₄ ：式ＸＣ
（ＯＲ）₃ に含まれるＨＣ（ＯＭｅ）₃ ，ＨＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＨＣ（ＯＰｒ）₃ ，ＨＣ（ＯＢｕ）₃ ，ＨＣ
（ＯＨｅ）₃ , ＨＣ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＣ（ＯＭ
ｅ）₃ ，ＭｅＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＥｔＣ（ＯＭｅ）₃ ，Ｅ
ｔＣ（ＯＥｔ）₃ ，ｃｙＨｅＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＰｈＣ
（ＯＭｅ）₃ ，ＰｈＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＣＨ₂ ＣｌＣ（Ｏ
Ｅｔ）₃ ，ＭｅＣＨＢｒＣ（ＯＥｔ）₃ ；ＭｅＣＨＣｌ
Ｃ（ＯＥｔ）₃ ；ＣｌＣ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＣｌＣ（Ｏｉ−Ｂｕ）₃ ，ＢｒＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ；式Ｘ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ に含まれるＭｅＣＨ（ＯＭ
ｅ）₂ , ＭｅＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＣＨ₂ （ＯＭｅ）₂ ,
ＣＨ₂ （ＯＥｔ）₂ , ＣＨ₂ ＣｌＣＨ（ＯＥｔ）₂ , Ｃ
ＨＣｌ₂ ＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＣＣｌ₃ ＣＨ（ＯＥ
ｔ）₂ , ＣＨ₂ ＢｒＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＰｈＣＨ（ＯＥ
ｔ）₂ 。

【００１２】Ｍが珪素の場合の化合物 式Ｓｉ（ＯＲ）₄ に含まれるＳｉ（ＯＭｅ）₄ , Ｓｉ
（ＯＥｔ）₄ , Ｓｉ（ＯＢｕ）₄ , Ｓｉ（Ｏｉ−Ｂｕ）
₄ , Ｓｉ（ＯＨｅ）₄ , Ｓｉ（ＯＯｃｔ）₄ , Ｓｉ（Ｏ
Ｐｈ）₄ ：式ＸＳｉ（ＯＲ）₃ に含まれるＨＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＨＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＨＳｉ（ＯＨｅ）₃ ，Ｈ
Ｓｉ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₃，ＭｅＳｉ
（ＯＥｔ）₃ , ＭｅＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＥｔＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＰｈＳｉ（ＯＥｔ）₃ , ＥｔＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ；ＣｌＳｉ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＣｌＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＣｌＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ，ＢｒＳｉ（ＯＥｔ）₃ ；式Ｘ₂ Ｓｉ（ＯＲ）₂
に含まれるＭｅ₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，Ｍｅ₂ Ｓｉ（ＯＥ
ｔ）₂ ，Ｅｔ₂ Ｓｉ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）₂ ；ＣＨＣｌ₂ＳｉＨ（ＯＥｔ）₂ ；ＣＣｌ₃ Ｓｉ
Ｈ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＢｒＳｉ（ＯＥｔ）₂：Ｘ₃ Ｓｉ
ＯＲに含まれるＭｅ₃ ＳｉＯＭｅ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＥｔ，
Ｍｅ₃ ＳｉＯＢｕ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＰｈ，Ｅｔ₃ ＳｉＯＥ
ｔ，Ｐｈ₃ ＳｉＯＥｔ。

【００１３】Ｍが硼素の場合の化合物 式Ｂ（ＯＲ）₃ に含まれるＢ（ＯＥｔ）₃ , Ｂ（ＯＢ
ｕ）₃ , Ｂ（ＯＨｅ）₃, Ｂ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１４】Ｍがアルミニウムの場合の化合物 式Ａｌ（ＯＲ）₃ に含まれるＡｌ（ＯＭｅ）₃ ，Ａｌ
（ＯＥｔ）₃ , Ａｌ（ＯＰｒ）₃ ，Ａｌ（Ｏｉ−Ｐｒ）
₃ ，Ａｌ（ＯＢｕ）₃ , Ａｌ（Ｏｔ−Ｂｕ）₃ ,Ａｌ
（ＯＨｅ）₃ , Ａｌ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１５】Ｍが燐の場合の化合物 式Ｐ（ＯＲ）₃ に含まれるＰ（ＯＭｅ）₃ ，Ｐ（ＯＥ
ｔ）₃ , Ｐ（ＯＢｕ）₃, Ｐ（ＯＨｅ）₃ , Ｐ（ＯＰ
ｈ）₃ 。

【００１６】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第II族又は第III ａ族金属（Ｍ）の有機化合物との錯体
も使用することができる。該錯体は一般式ＭｇＲ¹ Ｒ²
・ｎ（ＭＲ³ _m ) で表わされる。該金属としては、アル
ミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、Ｒ³ は炭素数１
〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルアルキル基である。又、ｍは金属Ｍの原子価
を、ｎは０．１〜１０の数を示す。ＭＲ³ _m で表わされ
る化合物の具体例としては、ＡｌＭｅ₃ , ＡｌＥｔ ₃ ,
Ａｌｉ−Ｂｕ₃ , ＡｌＰｈ₃ , ＺｎＭｅ₂ ，, ＺｎＥｔ
₂ , ＺｎＢｕ₂ , ＺｎＰｈ₂ , ＣａＥｔ₂ , ＣａＰｈ₂
等が挙げられる。

【００１７】 （２）チタン化合物 チタン化合物は、三価及び四価のチタン化合物であり、
それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チタン、ト
リクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシチタン、
ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキシチタ
ン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエトキシ
チタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブトキシチ
タン、三塩化チタン等を挙げることができる。これらの
中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタン、ジ
クロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシチタン
等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に四塩化
チタンが望ましい。

【００１８】（３）電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カル
ボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコー
ル類、エーテル類が好ましく用いられる。

【００１９】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−１，２−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−４−メチルシクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、ｐ−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。

【００２０】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ
−第三級ブチル安息香酸エチル、ｐ−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ２−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。

【００２１】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物を使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、１−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、ｐ−トルイル酸クロリド、ｐ−トルイ
ル酸ブロミド、ｐ−アニス酸クロリド、ｐ−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。

【００２２】アルコール類は、一般式ＲＯＨで表わされ
る。式においてＲは炭素数１〜１２個のアルキル、アル
ケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルであ
る。その具体例としては、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタ
ノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、
２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピル
フェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、ｎ−
オクチルフェノール等である。

【００２３】エーテル類は、一般式ＲＯＲ¹ で表わされ
る。式においてＲ，Ｒ¹ は炭素数１〜１２個のアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアル
キルであり、ＲとＲ¹ は同じでも異ってもよい。その具
体例としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイ
ソアミルエーテル、ジ−２−エチルヘキシルエーテル、
ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル、ブチルアリ
ルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール、エチル
フェニルエーテル等である。

【００２４】成分Ａの調製法としては、マグネシウム
化合物（成分１）、チタン化合物（成分２）及び電子供
与性化合物（成分３）をその順序に接触させる。成分
１と成分３を接触させた後、成分２を接触させる。成
分１，成分２及び成分３を同時に接触させる等の方法が
採用し得る。又、成分２を用いて接触させる前にハロゲ
ン含有化合物と接触させることもできる。

【００２５】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第IIａ族、IVａ
族、Ｖａ族元素のハロゲン化物（以下、金属ハライドと
いう。）等が挙げられる。

【００２６】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数１〜
１２個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、１，２−
ジクロルエタン、１，２−ジブロムエタン、１，２−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、１，１，２−トリクロルエチ
レン、１，１，２−トリブロモエチレン、１，１，２,
２−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、ｎ−プロピルク
ロライド、１，２−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−
ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、ｐ−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。

【００２７】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。

【００２８】それら化合物を例示すると、２−クロルエ
タノール、１−クロル−２−プロパノール、３−クロル
−１−プロパノール、１−クロル−２−メチル−２−プ
ロパノール、４−クロル−１−ブタノール、５−クロル
−１−ペンタノール、６−クロル−１−ヘキサノール、
３−クロル−１，２−プロパンジオール、２−クロルシ
クロヘキサノール、４−クロルベンズヒドロール、
（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルベンジルアルコール、４−クロ
ルカテコール、４−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、
６−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、４−クロル−
３，５−ジメチルフェノール、クロルハイドロキノン、
２−ベンジル−４−クロルフェノール、４−クロル−１
−ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルフェノール、ｐ
−クロル−α−メチルベンジルアルコール、２−クロル
−４−フェニルフェノール、６−クロルチモール、４−
クロルレゾルシン、２−ブロムエタノール、３−ブロム
−１−プロパノール、１−ブルム−２−プロパノール、
１−ブロム−２−ブタノール、２−ブロム−ｐ−クレゾ
ール、１−ブロム−２−ナフトール、６−ブロム−２−
ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−ブロムフェノール、４−
ブロムレゾルシン、（ｍ，ｏ，ｐ）−フロロフェノー
ル、ｐ−イオドフェノール：２，２−ジクロルエタノー
ル、２，３−ジクロル−１−プロパノール、１，３−ジ
クロル−２−プロパノール、３−クロル−１−（α−ク
ロルメチル）−１−プロパノール、２，３−ジブロム−
１−プロパノール、１，３−ジブロム−２−プロパノー
ル、２，４−ジブロムフェノール、２，４−ジブロム−
１−ナフトール：２，２，２−トリクロルエタノール、
１，１，１−トリクロル−２−プロパノール、β，β，
β−トリクロル−tert−ブタノール、２，３，４−トリ
クロルフェノール、２，４，５−トリクロルフェノー
ル、２，４，６−トリクロルフェノール、２，４，６−
トリブロムフェノール、２，３，５−トリブロム−２−
ヒドロキシトルエン、２，３，５−トリブロム−４−ヒ
ドロキシトルエン、２，２，２−トリフルオロエタノー
ル、α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、２，
４，６−トリイオドフェノール：２，３，４，６−テト
ラクロルフェノール、テトラクロルハイドロキノン、テ
トラクロルビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノ
ールＡ、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパ
ノール、２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、
テトラフルオロレゾルシン等が挙げられる。

【００２９】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、ＨＳｉＣｌ₃ , Ｈ₂ＳｉＣｌ₂ , Ｈ₃ Ｓ
ｉＣｌ，ＨＣＨ₃ ＳｉＣｌ₂ , ＨＣ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ₂ ,
Ｈ（ｔ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）ＳｉＣｌ₂ , ＨＣ₆ Ｈ₅ ＳｉＣ
ｌ₂ , Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ，Ｈ（ｉ−Ｃ₃ Ｈ₇ ）Ｓ
ｉＣｌ, Ｈ₂ Ｃ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ，Ｈ₂ （ｎ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）
ＳｉＣｌ，Ｈ₂ （Ｃ₆ Ｈ₄ ＣＨ₃ ）ＳｉＣｌ, ＨＳｉＣ
ｌ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ 等が挙げられる。

【００３０】金属ハライドとしては、Ｂ, Ａｌ，Ｇａ,
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ, Ｇｅ，Ｓｎ, Ｐｂ，Ａｓ, Ｓｂ，Ｂ
ｉの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にＢＣｌ₃ , ＢＢｒ₃ , ＢＩ₃ , ＡｌＣｌ₃ , ＡｌＢｒ
₃ , ＧａＣｌ₃ , ＧａＢｒ₃, ＩｎＣｌ₃ , ＴｌＣｌ₃ ,
ＳｉＣｌ₄ , ＳｎＣｌ₄ , ＳｂＣｌ₅ , ＳｂＦ₅ 等が
好適である。

【００３１】成分１，成分２及び成分３、更に必要に応
じて接触させることのできるハロゲン含有化合物との接
触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混合攪拌す
るが、機械的に共粉砕することによりなされる。接触は
４０〜１５０℃の加熱下で行うことができる。

【００３２】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。

【００３３】本発明における成分Ａの望ましい調製法
は、特開昭６３−２６４６０７号、同５８−１９８５０
３号、同６２−１４６９０４号公報等に開示されている
方法である。より詳細には、 （イ）金属マグネシウム、（ロ）ハロゲン化炭化水
素、（ハ）一般式Ｘ_n Ｍ（ＯＲ) _m-n の化合物（前記の
アルコキシ基含有化合物と同じ）を接触させることによ
り得られるマグネシウム含有固体を（ニ）ハロゲン含有
アルコールと接触させ、次いで（ホ）電子供与性化合物
及び（ヘ）チタン化合物と接触させる方法（特開昭６３
−２６４６０７号公報）、 （イ）マグネシウムジアルコキシドと（ロ）水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた
後、（ハ）ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで
（ニ）電子供与性化合物と接触させ（必要に応じて更に
ハロゲン化チタン化合物と接触させる）る方法（特開昭
６２−１４６９０４号公報）、 （イ）マグネシウムジアルコキシドと（ロ）水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた
後、（ハ）電子供与性化合物と接触させ、次いで（ニ）
チタン化合物と接触させる方法（特開昭５８−１９８５
０３号公報）である。これらの内でも特にの方法が最
も望ましい。

【００３４】上記のようにして成分Ａは調製されるが、
成分Ａは必要に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよ
く、更に乾燥してもよい。

【００３５】トリアルキルアルミニウム トリアルキルアルミニウム（以下、成分Ｂという。）
は、一般式ＡｌＲ₃ 〔但し、Ｒは炭素数１〜１２個のア
ルキル基を示す。〕で表わされる。その具体例として
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアル
ミニウム、トリブチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等が挙げられ
る。

【００３６】有機珪素化合物 本発明の触媒成分を調製される際に用いられる有機珪素
化合物（以下、成分Ｃという。）は、前記一般式で表わ
される。該式において、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪
族若しくは脂環式炭化水素基であるが、望ましくはアル
キル基、アルケニル基等の脂肪族炭化水素基であり、特
に望ましくはアルキル基である。なお、アルキル基にあ
っては、分岐したアルキル基の場合、好結果を示すこと
が多い。Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏである。該炭化水素基として
は、望ましくはシクロアルキル基、シクロアルケニル
基、シクロアルカジエニル基等の脂環式炭化水素基であ
る。Ｒ⁴ ＯのＲ⁴ はＲ¹ と同意義である。Ｒ³ はメチル
基若しくはエチル基である。ｘは１若しくは２、ｙは０
若しくは１、ｚは２若しくは３であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４
である。

【００３７】以下、成分Ｃの具体例を列挙する。なお、
以下において、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プ
ロピル、Ｂｕ＝ブチル、Ａｍｙ＝アミル、Ｈｅｘ＝ヘキ
シ、Ｏｃｔ＝オクチル、Ｄｅｃ＝デシル、ＣｙＰｅ＝シ
クロペンチル、ＣｙＨｅ＝シクロヘキシル、ＣｙＰｙ＝
シクロペンテニル、ＣｙＰｔ＝シクロペンタジエニル、
ＣｙＨｙ＝シクロヘキセニル基をそれぞれ示す。なお、
以下の具体例は、前記一般式において、Ｒ³ がメチル基
の場合についてのみであり、エチル基の場合は省略し
た。これら具体例のＲ³ のメチル基をエチル基に代えた
化合物も、具体例として上げることができる。

【００３８】 ◯（Ｒ^１Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＲ^３）_２の化合物 （ｎ−ＰｒＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ
−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＯｃｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）
_２，（ｎ−ＤｅｃＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅ
Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰ
ｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２。

【００３９】 ○（Ｒ¹ Ｏ) （Ｒ⁴ Ｏ) Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ
−ＰｒＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂ
ｕＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）（ｉ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）
（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）
（ｓ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）
（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ
−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂，（Ｃ
ｙＨｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂，（Ｃ
ｙＰｔＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｔＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ 。

【００４０】 ○（Ｒ¹ Ｏ) Ｒ² Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）
ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ｔ−Ａｍｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ
−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）Ｅｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ｉ
−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＢｕＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｈｅｘ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＥｔＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−
ＨｅｘＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）ｎ−Ｏｃ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏ
ｃｔ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃｙ
ＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂，（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍ
ｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃ
ｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａ
ｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）
ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）ＣｙＨｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｅＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｍ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｉ−Ｂ
ｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ
−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−Ｏｃｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ 。

【００４１】 ◯（Ｒ^１Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ^３）_３の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｉ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_３，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｅＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３。

【００４２】予備重合 固体成分（成分Ａ）の予備重合は、トリアルキルアルミ
ニウム化合物（成分Ｂ）及び有機珪素化合物（成分Ｃ）
の存在下、オレフィンと接触させることによりなされ
る。

【００４３】オレフィンとしては、エチレンの他、プロ
ピレン，１−ブテン，１−ヘキセン，４−メチル−１−
ペンテン等のα−オレフィンが使用し得る。

【００４４】予備重合は、前記の不活性媒体の存在下で
行うのが望ましい。予備重合は、通常１００℃以下の温
度、望ましくは−３０℃〜＋３０℃、更に望ましくは−
２０℃〜＋１５℃の温度で行なわれる。重合方式として
は、バッチ式、連続式のいずれでもよく、又二段以上の
多段で行ってもよい。多段で行う場合、重合条件をそれ
ぞれ変え得ることは当然である。

【００４５】成分Ｂは、予備重合系での濃度が５０〜５
００ミリモル／リットル、望ましくは８０〜２００ミリ
モル／リットルになるように用いられ、又成分Ａ中のチ
タン１グラム原子当り、４〜５０，０００モル、望まし
くは６〜１，０００モルとなるように用いられる。

【００４６】成分Ｃは、予備重合系での濃度が１〜１０
０ミリモル／リットル、望ましくは５〜５０ミリモル／
リットルになるように用いられる。

【００４７】予備重合により成分Ａ中にオレフィンボリ
マーが取り込まれるが、そのポリマー量を成分Ａ１ｇ当
り０．１〜２００ｇ、特に０．５〜５０ｇとするのが望
ましい。

【００４８】上記のようにして調製された本発明の触媒
成分は、前記の不活性媒体で希釈或いは洗浄することが
できるが、触媒成分の保存劣化を防止する観点からは、
特に洗浄するのが望ましい。洗浄後、必要に応じて乾燥
してもよい。又、触媒成分を保存する場合は、出来る丈
低温で保存するのが望ましく、−５０℃〜＋３０℃、特
に−２０℃〜＋５℃の温度範囲が推奨される。

【００４９】α−オレフィンの重合 上記のようにして得られた本発明の触媒成分は、有機金
属化合物、更には必要に応じて電子供与性化合物と組み
合せて炭素数３〜１０個のα−オレフィンの単独重合又
は他のモノオレフィン若しくは炭素数３〜１０個のジオ
レフィンとの共重合の触媒として有用であるが、特に炭
素数３ないし６個のα−オレフィン、例えばプロピレ
ン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキ
セン等の単独重合又は上記のα−オレフィン相互及び／
又はエチレンとのランダム及びブロック共重合の触媒と
して極めて優れた性能を示す。

【００５０】用い得る有機金属化合物は、周期表第Ｉ族
ないし第III 族金属の有機化合物である。該化合物とし
ては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及び
アルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中で
も特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得
る有機アルミニウム化合物としては、一般式Ｒ_n ＡｌＸ
_3-n （但し、Ｒはアルキル基又はアリール基、Ｘはハロ
ゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示し、ｎは１≦
ｎ≦３の範囲の任意の数である。）で示されるものであ
り、例えばトリアルキルアルミニウム、ジアルキルアル
ミニウムモノハライド、モノアルキルアルミニウムジハ
ライド、アルキルアルミニウムセスキハライド、ジアル
キルアルミニウムモノアルコキシド及びジアルキルアル
ミニウムモノハイドライドなどの炭素数１ないし１８
個、好ましくは炭素数２ないし６個のアルキルアルミニ
ウム化合物又はその混合物もしくは錯化合物が特に好ま
しい。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチ
ルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウムなどの
トリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロ
リド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミ
ニウムブロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、
ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルア
ルミニウムモノハライド、メチルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジブロミド、エチル
アルミニウムジアイオダイド、イソブチルアルミニウム
ジクロリドなどのモノアルキルアルミニウムジハライ
ド、エチルアルミニウムセスキクロリドなどのアルキル
アルミニウムセスキハライド、ジメチルアルミニウムメ
トキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチル
アルミニウムフェノキシド、ジプロピルアルミニウムエ
トキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジイ
ソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジアルキルア
ルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアルミニウムハ
イドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプ
ロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイ
ドライドが挙げられる。これらの中でも、トリアルキル
アルミニウムが、特にトリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウムが望ましい。又、これらトリアル
キルアルミニウムは、その他の有機アルミニウム化合
物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアル
ミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムエトキ
シド、ジエチルアルミニウムハイドライド又はこれらの
混合物若しくは錯化合物等と併用することができる。

【００５１】又、酸素原子や窒素原子を介して２個以上
のアルミニウムが結合した有機アルミニウム化合物も使
用可能である。そのような化合物としては、例えば

【化３】 等を例示できる。

【００５２】アルミニウム金属以外の金属の有機化合物
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他ＬｉＡｌ（Ｃ
₂ Ｈ₅ ）₄ ，ＬｉＡｌ（Ｃ₇ Ｈ₁₅）₄ 等の化合物が挙げ
られる。

【００５３】本発明の触媒成分及び有機金属化合物と必
要に応じて組み合せることができる電子供与性化合物と
しては、前記成分Ａを調製する際に用いられる化合物及
び前記予備重合の際に用いられる有機珪素化合物（成分
Ｃ）の中から適宜選ばれる他、該珪素化合物以外の有機
珪素化合物からなる電子供与性化合物や、窒素、イオ
ウ、酸素、リン等のヘテロ原子を含む電子供与性化合物
も使用可能である。

【００５４】有機珪素化合物の具体例としては、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキ
シシラン、テトライソブトキシシラン、テトラフェノキ
シシラン、テトラ（ｐ−メチルフェノキシ）シラン、テ
トラベンジルオキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリブトキシシ
ラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリエトキ
シシラン、エチルトリイソブトキシシラン、エチルトリ
フェノキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチル
トリエトキシシラン、ブチルトリブトキシシラン、ブチ
ルトリフェノキシシラン、イソブチルトリイソブトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキ
シシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチル
ジブトキシシラン、ジメチルジヘキシルオキシシラン、
ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジエトキシシラ
ン、ジエチルジイソブトキシシラン、ジエチルジフェノ
キシシラン、ジブチルジイソプロポキシシラン、ジブチ
ルジブトキシシラン、ジブチルジフェノキシシラン、ジ
イソブチルジエトキシシラン、ジイソブチルジイソブト
キシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル
ジエトキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、ジベ
ンジルジエトキシシラン、ジビニルジフェノキシシラ
ン、ジアリルジプロポキシシラン、ジフェニルジアリル
オキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、クロ
ロフェニルジエトキシシラン等が挙げられる。

【００５５】ヘテロ原子を含む電子供与性化合物の具体
例としては、窒素原子を含む化合物として、２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン、２，６−ジメチルピ
ペリジン、２，６−ジエチルピペリジン、２，６−ジイ
ソプロピルピペリジン、２，６−ジイソブチル−４−メ
チルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピ
ペリジン、２，２，５，５−テトラメチルピロリジン、
２，５−ジメチルピロリジン、２，５−ジエチルピロリ
ジン、２，５−ジイソプロピルピロリジン、１，２，
２，５，５−ペンタメチルピロリジン、２，２，５−ト
リメチルピロリジン、２−メチルピリジン、３−メチル
ピリジン、４−メチルピリジン、２，６−ジイソプロピ
ルピリジン、２、６−ジイソブチルピリジン、１，２，
４−トリメチルピペリジン、２，５−ジメチルピペリジ
ン、ニコチン酸メチル、ニコチン酸エチル、ニコチン酸
アミド、安息香酸アミド、２−メチルピロール、２，５
−ジメチルピロール、イミダゾール、トルイル酸アミ
ド、ベンゾニトリル、アセトニトリル、アニリン、パラ
トルイジン、オルトトルイジン、メタトルイジン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、テト
ラメチレンジアミン、トリブチルアミン等が、イオウ原
子を含む化合物として、チオフェノール、チオフェン、
２−チオフェンカルボン酸エチル、３−チオフェンカル
ボン酸エチル、２−メチルチオフェン、メチルメルカブ
タン、エチルメルカプタン、イソプロピルメルカプタ
ン、ブチルメルカプタン、ジエチルチオエーテル、ジフ
ェニルチオエーテル、ベンゼンスルフォン酸メチル、メ
チルサルファイト、エチルサルファイト等が、酸素原子
を含む化合物として、テトラヒドロフラン、２−メチル
テトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、
２−メチルテトラヒドロフラン、２，２，５，５−テト
ラエチルテトラヒドロフラン、２，２，５，５−テトラ
メチルテトラヒドロフラン、２，２，６，６−テトラエ
チルテトラヒドロピラン、２，２，６，６−テトラヒド
ロピラン、ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエチルエ
ーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジ
フェニルエーテル、アニソール、アセトフェノン、アセ
トン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、ｏ−ト
リル−ｔ−ブチルケトン、メチル−２，６−ジｔ−ブチ
ルフェニルケトン、２−フラル酸エチル、２−フラル酸
イソアミル、２−フラル酸メチル、２−フラル酸プロピ
ル等が、リン原子を含む化合物として、トリフェニルホ
スフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフ
ァイト、トリベンジルホスファイト、ジエチルホスフェ
ート、ジフェニルホスフェート等が挙げられる。

【００５６】これら電子供与性化合物は、二種以上用い
てもよい。又、これら電子供与性化合物は、有機金属化
合物を触媒成分と組合せて用いる際に用いてもよく、予
め有機金属化合物と接触させた上で用いてもよい。

【００５７】本発明の触媒成分に対する有機金属化合物
の使用量は、該触媒成分中のチタン１グラム原子当り、
通常１〜２，０００グラムモル、特に２０〜５００グラ
ムモルが望ましい。

【００５８】又、有機金属化合物と電子供与性化合物の
比率は、電子供与性化合物１モルに対して有機金属化合
物がアルミニウムとして０．１〜４０、好ましくは１〜
２５グラム原子の範囲で選ばれる。

【００５９】α−オレフィンの重合反応は、気相、液相
のいずれでもよく、液相で重合させる場合は、ノルマル
ブタン、イソブタン、ノルマルペンタン、イソペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の不活性炭化水素中及
び液状モノマー中で行うことができる。重合温度は、通
常−８０℃〜＋１５０℃、好ましくは４０〜１２０℃の
範囲である。重合圧力は、例えば１〜６０気圧でよい。
又、得られる重合体の分子量の調節は、水素若しくは他
の公知の分子量調節剤を存在せしめることにより行われ
る。又、共重合においてα−オレフィンに共重合させる
他のオレフィンの量は、α−オレフィンに対して通常３
０重量％迄、特に０．３〜１５重量％の範囲で選ばれ
る。重合反応は、連続又はバッチ式反応で行い、その条
件は通常用いられる条件でよい。又、共重合反応は一段
で行ってもよく、二段以上で行ってもよい。

【００６０】

【実施例】本発明を実施例及び応用例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント（％）は特に断ら
ない限り重量による。ポリマー中の結晶性ポリマーの割
合を示すヘプタン不溶分（以下ＨＩと略称する。）は、
改良型ソックスレー抽出器で沸騰ｎ−ヘプタンにより６
時間抽出した場合の残量である。

【００６１】実施例１ 成分Ａの調製 還流冷却器をつけた１リットルの反応容器に、窒素ガス
雰囲気下、チップ状の金属マグネシウム（純度９９．５
％、平均粒径１．６mm）８．３ｇ及びｎ−ヘキサン２５
０mlを入れ、６８℃で１時間攪拌後、金属マグネシウム
を取出し、６５℃で減圧乾燥するという方法で予備活性
化した金属マグネシウムを得た。次に、この金属マグネ
シウムに、ｎ−ブチルエーテル１４０ml及びｎ−ブチル
マグネシウムクロリドのｎ−ブチルエーテル溶液（１．
７５モル／リットル）を０．５ml加えた懸濁液を５５℃
に保ち、更にｎ−ブチルエーテル５０mlにｎ−ブチルク
ロライド３８．５mlを溶解した溶液を５０分間で滴下し
た。攪拌下７０℃で４時間反応を行った後、反応液を２
５℃に保持した。次いで、この反応液にＨＣ（ＯＣ₂ Ｈ
₅ ）₃ ５５．７mlを１時間で滴下した。滴下終了後、６
０℃で１５分間反応を行ない、反応生成固体をｎ−ヘキ
サン各３００mlで６回洗浄し、室温で１時間減圧乾燥
し、マグネシウムを１９．０％、塩素を２８．９％を含
むマグネシウム含有固体３１．６ｇを回収した。還流冷
却器、攪拌機及び滴下ロートを取付けた３００mlの反応
容器に、窒素ガス雰囲気下マグネシウム含有固体６．３
ｇ及びｎ−ヘプタン５０mlを入れ懸濁液とし、室温で攪
拌しながら２，２，２−トリクロルエタノール２０ml
（０．０２ミリモル）とｎ−ヘプタン１１mlの混合溶液
を滴下ロートから３０分間で滴下し、更に８０℃で１時
間攪拌した。得られた固体を濾別し、室温のｎ−ヘキサ
ン各１００mlで４回洗浄し、更にトルエン各１００mlで
２回洗浄して固体成分を得た。上記の固体成分にトルエ
ン４０mlを加え、更に四塩化チタン／トルエンの体積比
が 3/2になるように四塩化チタンを加えて９０℃に昇温
した。攪拌下、フタル酸ジｎ−ブチル２mlとトルエン５
mlの混合溶液を５分間で滴下した後、１２０℃で２時間
攪拌した。得られた固体状物質を９０℃で濾別し、トル
エン各１００mlで２回、９０℃で洗浄した。更に、新ら
たに四塩化チタン／トルエンの体積比が3/2 になるよう
に四塩化チタンを加え、１２０℃で２時間攪拌し室温の
各１００mlのｎ−ヘキサンにて７回洗浄して成分Ａ５．
５ｇを得た。

【００６２】予備重合 攪拌機を取付けた５００mlの反応器に、窒素ガス雰囲気
下、上記で得られた成分Ａ２．８ｇ及びｎ−ヘプタン２
８０mlを入れ、攪拌しながら−５℃に冷却した。次にト
リエチルアルミニウム（以下ＴＥＡＬと略称する。）の
ｎ−ヘプタン溶液（２．０モル／リットル）及びｔ−ブ
トキシトリエトキシシランのｎ−ヘプタン溶液（１．０
モル／リットル）を、反応系におけるＴＥＡＬ及びｔ−
ブトキシトリエトキシシランの濃度がそれぞれ２００ミ
リモル／リットル及び２０ミリモル／リットルとなるよ
うに添加し、５分間攪拌した。次いで、系内を減圧した
後、プロピレンガスを連続的に供給し、プロピレンを１
５分間重合させた。重合終了後、気相のプロピレンを窒
素ガスでパージし、各１００mlのｎ−ヘキサンで３回、
室温にて固相部を洗浄した。更に、固相部を室温で１時
間減圧乾燥して、触媒成分を調製した。触媒成分に含ま
れるマグネシウム量を測定した結果、予備重合量は成分
Ａ１ｇ当り１．２ｇであった。

【００６３】実施例２〜８ 実施例１の予備重合において、ｔ−ブトキシトリエトキ
シシランの代りに、表１に示す有機珪素化合物を、又Ｔ
ＥＡＬもしくはＴＥＡＬの代りに表１に示すトリアルキ
ルアルミニウムをそれぞれ表１に示す濃度で用い、かつ
予備重合条件を表１に示す通りにした以外は、実施例１
と同様にして成分Ａの予備重合を行い、触媒成分を調製
した。

【００６４】なお、（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ は下記の方法で合成した。２００mlのフラスコ
に、ｔ−ブチルトリクロルシラン１２．２ｇ及び乾燥エ
ーテル６０mlを入れ、外部から氷水冷却した。これにｔ
−ブチルアルコール１８．１ｇとピリジン１８．１ｇの
混合溶液を攪拌下３０分間で滴下した。その後、５時間
加熱還流した。再び氷水で冷却し、メタノール５．４ｇ
を１５分間で滴下した。滴下終了後、１０時間加熱還流
して反応を完結した。生成した沈澱を濾別し、濾液を蒸
留することにより、目的物のｔ−ブトキシｔ−ブチルジ
メトキシシラン８．７ｇを得た。構造は、ガスクローマ
ススペクトル ¹Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。

【００６５】比較例１ 実施例１において、予備重合を行なわなかった以外は、
実施例１と同様にして触媒成分を調製した。

【００６６】比較例２ 実施例１の予備重合において、ｔ−ブトキシトリエトキ
シシランを用いず、かつ予備重合条件を表１に示す通り
にした以外は、実施例１と同様にして成分Ａの予備重合
を行い、触媒成分を調製した。

【００６７】比較例３、参考例１，２ 実施例１の予備重合において、ｔ−ブトキシトリエトキ
シシランの代りに、表１に示す有機珪素化合物を用い、
かつ予備重合条件を表１に示す通りにした以外は、実施
例１と同様にして成分Ａの予備重合を行い、触媒成分を
調製した。

【表１】

【００６８】応用例１ プロピレンの重合 攪拌機を設けた１．５リットルのステンレス製オートク
レーブに、窒素ガス雰囲気下、ＴＥＡＬのｎ−ヘプタン
溶液（０．１モル／リットル）２mlを入れた。次いで、
分子量制御剤としての水素ガス１リットル及び液体プロ
ピレン１リットルを圧入した後、反応系を７０℃に昇温
した。実施例１で得られた触媒成分２９mgを反応系に装
入した後、１時間プロピレンの重合を行った。重合終了
後、未反応のプロピレンをパージし、ＨＩ ９５．０％
の白色ポリプロピレン粉末を得た。成分Ａ１ｇ当りのポ
リプロピレン生成量（ＣＥ) は４１．２kgであった。

【００６９】応用例２ オートクレーブに、ＴＥＡＬのｎ−ヘプタン溶液２mlの
代りに、該ｎ−ヘプタン溶液２mlとジフェニルジメトキ
シシランのｎ−ヘプタン溶液（０．０１モル／リット
ル）２mlを混合し５分間保持したものを入れ、かつ触媒
成分として実施例２で得られたものを用いた以外は、応
用例１と同様にしてプロピレンの重合を行い、その結果
を表２に示した。

【００７０】応用例３〜１１ 実施例２で得られた触媒成分に代えて、実施例３〜８で
得られた触媒成分を用い、かつジフェニルジメトキシシ
ランの代りに表２に示す電子供与性化合物を用いるか用
いない以外は、応用例２と同様にしてプロピレンの重合
を行い、それらの結果を表２に示した。

【００７１】応用例１２〜１８ 実施例２で得られた触媒成分に代えて、比較例１〜３及
び参考例１，２で得られた触媒成分を用い、かつジフェ
ニルジメトキシシランの代りに表２に示す電子供与性化
合物を用いるか用いない以外は、応用例２と同様にして
プロピレンの重合を行い、それらの結果を表２に示し
た。

【表２】

【００７２】

【発明の効果】本発明は、上記の構成を採ることによ
り、触媒成分の強度を向上することができると共に、該
触媒成分はα−オレフィンの（共）重合において、高活
性を維持しつつ、高立体規則性を示し、かつ特に洗浄し
た触媒成分は、触媒の保存において性能の劣化を抑制で
きるという優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の触媒成分の調製工程を示すフ
ローチャート図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 直美 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (72)発明者 古橋 裕之 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (72)発明者 植木 ▲聡▼ 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C08F 4/60 - 4/70

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）マグネシウム，チタン，ハロゲン
   及び電子供与性化合物を必須成分とする固体成分を、
   （Ｂ）トリアルキルアルミニウム及び（Ｃ）一般式 【化１】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
   式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
   は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
   はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
   １、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
   同意義である。〕の有機珪素化合物の存在下、（Ｄ）オ
   レフィンと接触させてなるα−オレフィン重合用触媒成
   分。