JP2977557B1 - 半導体パッケ―ジ及びその製造方法 - Google Patents

半導体パッケ―ジ及びその製造方法

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Abstract

【要約】 【課題】 積層型ＢＧＡ半導体パッケージを製造し得る
積層可能なＢＧＡ半導体パッケージ及びその製造方法を
提供しようとするものである。 【解決手段】 その上面中央に窪み部を有する下部絶縁
基板と、その中央部該窪み部に対応する位置に貫通孔を
有する上部絶縁基板と、を該下部絶縁基板の上面と該上
部絶縁基板の下面とが対向するように接合してなるＢＧ
Ａ半導体パッケージであって、各絶縁基板には同一個所
に両絶縁基板を貫通する所定数のスルーホールであっ
て、その周面に被着された金属薄膜と接触する導電ボー
ルをその中に収容するスルーホールが夫々形成されてい
ること、該スルーホールの直径が両絶縁基板の接合面側
が大きく、反対側が小さいものであること、を主特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボール・グリッド
・アレイ（Ball Grid Array：以下、ＢＧＡという）半
導体パッケージ及びその製造方法に関し、詳しくは、積
層型半導体パッケージを製造し得る積層可能なＢＧＡ半
導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今、システム機器の小型軽量化及び高
性能化の要求に対応すべく、従来の大きさの半導体パッ
ケージ内に出来るだけ多くの半導体チップを実装し得る
高密度実装半導体パッケージの研究が盛んに行われてい
る。
【０００３】その一例としては、半導体パッケージの大
きさを増大させることなく大容量の半導体チップを収容
するため、大きさは従来と同様であるが、厚みの薄い小
型パッケージ（Thin Small Outline Package：以下、Ｔ
ＳＯＰという）を積層した積層型ＴＳＯＰが挙げられ
る。
【０００４】又、他の例としては、ＢＧＡ半導体パッケ
ージがある。このＢＧＡ半導体パッケージは、図６に示
すように、複数のスルーホール３が形成された基板１
と、該基板の上・下面に夫々所定形状にパターニングさ
れ、しかも該スルーホールを埋める複数の配線５（Inte
rconnection）と、該基板の上面中央に接着された半導
体チップ７と、該半導体チップ上の複数のボンディング
パッド（図示せず）と該複数の配線とを夫々連結する複
数の導電ワイヤ９と、該基板の上・下面及び該配線の上
・下面を夫々被覆するソルダーレジスト１１と、該半導
体チップ及び該導電ワイヤを夫々被覆する封止部材１３
と、各下面の配線５の下面に夫々接着されたソルダーボ
ール１５と、を備えて構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来型のＢＧＡ半導体パッケージは、ソルダーボールを基
板の下面のみに備えているため、複数個のＢＧＡパッケ
ージを上下に積層してなる積層型ＢＧＡ半導体パッケー
ジには適用することができない。従って、実装密度を上
げることが出来ないという問題があった。
【０００６】本発明は、積層型ＢＧＡパッケージを製造
し得る積層可能なＢＧＡ半導体パッケージ及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】更に、本発明は、前記の積層可能な半導体
パッケージ及びその製造方法を利用して、実装密度の高
い積層型ＢＧＡ半導体パッケージを製造し得る方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、その上部中央
に窪み部５３を有する下部絶縁基板５１と、その中央部
該窪み部に対応する位置に貫通孔７３を有する上部絶縁
基板７１と、を該下部絶縁基板の上面と該上部絶縁基板
の下面とが対向するように接合してなるＢＧＡ半導体パ
ッケージであって、各絶縁基板には同一個所に両絶縁基
板を貫通する所定数のスルーホール５５、７５がそれぞ
れ形成されていること、該スルーホールの直径が両絶縁
基板の接合面側が大きく、反対側が小さいものであるこ
と、該スルーホールの周面には導電性の金属薄膜５７、
７７がそれぞれ被着されていること、該下部絶縁基板の
上面には、該下部絶縁基板のスルーホール５５の金属薄
膜５７にその一端が、該窪み部の底面に載置・接着され
る半導体チップ９１に導電ワイヤ９３を介してその他端
が、それぞれ接触する所定形状の導電配線５９が形成さ
れていること、該窪み部と該貫通孔内には該導電ワイヤ
と該半導体チップを封止する封止部材９７が充填されて
いること、及び該各スルーホール内には該各金属薄膜と
その表面が接触するように導電ボール９５がそれぞれ収
容されていること、を特徴とする。
【０００９】また本発明は、積層可能なＢＧＡ半導体パ
ッケージの製造方法であって、その上部中央に窪み部５
３が、その所定位置に上部直径が下部直径より大なるホ
ールであって、周面に導電性の金属薄膜５７を被着せし
めてなる複数の下部スルーホール５５が、その上面に一
端が該金属薄膜と接触する所定形状の導電配線５９が、
それぞれ形成された下部絶縁基板５１を準備する工程
と、該窪み部の底面に半導体チップ９１を載置・接着す
る工程と、該導電配線の他端部と該半導体チップとを導
電ワイヤ９３により連結する工程と、該導電ワイヤ、該
半導体チップを封止するように該窪み部に封止部材９７
を充填・成形する工程と、該各下部スルーホール内にそ
の下方の面が該下部絶縁基板の下面より露出するよう
に、導電ボール９５の下半部をそれぞれ収容する工程
と、その下面を該下部絶縁基材の上面に接合する際に、
該下部絶縁基板の封止部材が充填・成形された部位に対
応する部位に貫通孔７３が、該下部スルーホールに対応
する部位に該導電ボールの上半部収容し得る上部直径が
下部直径より小なるホールであって、周面に導電性の金
属薄膜７７を被着せしめてなる複数の上部スルーホール
７５が、が、それぞれ形成された上部絶縁基板７１を準
備し、次いでその下面を該下部絶縁基板の上面と接合す
るする工程と、を順次行うことを特徴とする。
【００１０】更に本発明は、積層型ＢＧＡ半導体パッケ
ージの製造方法であって、前記の積層可能なＢＧＡ半導
体パッケージを所定数製造する工程と、該積層可能なＢ
ＧＡ半導体パッケージの第１のＢＧＡ半導体パッケージ
１０１をプリント配線板１００上の所定の位置に載置す
る工程と、該第１の半導体パッケージ１０１上に、第２
のＢＧＡ半導体パッケージ１１１の下面を、該第１のＢ
ＧＡ半導体パッケージの導電ボール９５ａと該第２ＢＧ
Ａパッケージの導電ボール９５ｂとが対応するように接
合する工程と、導電ボール９５ａと導電ボール９５ｂを
リフローしてそれらの上方面と下方面とが一体化するよ
うに連結する工程と、前記の二つのＢＧＡ半導体パッケ
ージの接合工程とそれに引き続く導電ボールのリフロー
・一体化工程を所定回数繰り返す、ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施態様を示す
図面を参照しつつ本発明をより具体的に説明する。
【００１２】本発明に係る積層可能なＢＧＡ半導体パッ
ケージは、図１に示すように、下部絶縁基板５１と上部
絶縁基板７１とが前者の上面と後者の下面とが対向する
ように接合されて構成されている。
【００１３】先ず、各絶縁基板５１、７１の構造を説明
し、次いで積層可能なＢＧＡ半導体パッケージの構造を
説明する。
【００１４】、下部絶縁基板５１は、全体として平板状
の絶縁基板５２の上部中央に窪み部５３を掘削・形成す
ると共に、該窪み部外方に該絶縁基板を貫通する複数個
の下部スルーホール５５が穿孔・形成されたものである
（図２参照）。
【００１５】図２（Ｂ）に示すように、これらの下部ス
ルーホール５５は、その上部直径がその下部直径よりも
大きい、その頭部を切り欠かれた逆円錐形状をしてお
り、更に、該各下部スルーホールの周面には、チタンの
ような導電性金属からなる薄膜５７が被着される。
【００１６】尚、前記の下部絶縁基板５１の上面には、
半導体チップ９１のボンディングパッド（図示せず）及
び後述する導電ボール（Conductive ball）９５にそれ
ぞれ電気的に接続され、該半導体チップの信号を外部回
路（例えば、プリント配線板上の回路）に伝達する信号
の通路となる導電配線５９が形成されている（図５(A)
及び(Ｂ)参照）。正確には該導電配線の一端は下部スル
ーホール５５の周面に被着せしめた金属薄膜５７を介し
て、一方、その他端は後述する導電ワイヤ９３を介し
て、該ボンディングパッド及び該導電ボールとそれぞれ
接続されている。
【００１７】ここで、前記の下部スルーホール５５の周
面には金属薄膜５７を被着してあるが、導電ボール９５
（半導体チップと外部回路との信号のやり取りはこれを
介してなされる）と導電性配線５９との電気的接続とい
う意味においては必ずしも必須ではない。しかし、その
実行は該電気的接続の信頼性を向上し得るので好まし
い。
【００１８】すなわち、金属薄膜５７が被着されていな
いスルーホール５５の内部に導電ボール９５を収容した
場合、導電配線５９の一端と該導電ボールとを直接接触
させることになり、半導体チップ９１と該導電ボールと
の電気的信号伝達経路を形成することはできるが、該導
電性配線の一端と該導電ボールとの接触面積が小さいた
め、接続不良によるＢＧＡ半導体パッケージの信頼性の
低下を招く恐れがあるからである。
【００１９】一方、上部絶縁基板７１は、図３（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、全体として平板状の絶縁基板７２
の中央部に貫通孔７３を穿孔・形成すると共に、該貫通
孔外方に該絶縁基板を貫通する複数の上部スルーホール
７５が穿孔・形成されたものである（その上部直径がそ
の下部直径よりも小さい、その頭部が切り欠かれた円錐
形状をしている）。これらの上部スルーホール７５の周
面にも前記の下部絶縁基板のスルーホール５５と同様、
金属薄膜７７が被着されている（該金属薄膜の被着の理
由は前記のスルーホール５５のそれに同じ）。
【００２０】ここで、図示（図３（Ｂ）参照）では、そ
の中央部に貫通孔７３が穿孔・形成されたフレーム状の
上部絶縁基板７１とされているが、該貫通孔に代えて前
記の下部絶縁基板５１と同様に、窪み部を掘削・形成す
ることもできる。しかし、窪み部を形成すると、貫通孔
を形成する場合に比べ、全体的なパッケージの厚さが厚
くなる。
【００２１】尚、前記の上部絶縁基板７１の貫通孔７３
（又は窪み部）は後述する封止部材が充填・成形される
位置に、スルーホール７５は下部絶縁基板のスルーホー
ル５５の対応する位置に、それぞれ形成する。
【００２２】次に、積層可能なＢＧＡ半導体パッケージ
の構造を説明する。
【００２３】図１に示すように、本発明の積層可能なＢ
ＧＡ半導体パッケージは、前記の構造を有する下部絶縁
基板５１の上面に前記の構造を有する上部絶縁基板７１
の下面を、前者の窪み部５３と後者の貫通孔７３とを対
応させると共に、前者のスルーホール５５と後者のスル
ーホール７５とを対応させて接合したものである。尚、
該窪み部の底面には半導体チップ９１が載置・接着さ
れ、該半導体チップのボンディングパッド（図示せず）
と導電配線５９の他端部とが導電ワイヤ９３により連結
されていると共に、該半導体チップ及び該導電ワイヤを
封すするように該窪み部及び該貫通孔内には風す部材９
７が充填。成形されている。
【００２４】更に、前記の各上・下部スルーホール７
５、５５にて形成される空間内には導電ボール９５が各
一個収容されている。図示では、該各導電ボールは、前
記の上・下部絶縁基板７１、５１の上面及び下面よりそ
の上部及び下部がそれぞれ突出しているが、該上・下部
スルーホールの上部開口及び下部開口に、その上部及び
下部が単に露出せしめられるだけであっても良い。
【００２５】尚、前記の導電ボール９５は、リフロー温
度の低いソルダーから形成される。
【００２６】また、前記の導電ワイヤ９３及び半導体チ
ップ９１は封止部材９７により封止されているが、成形
後の封止部材９７の上面は前記のスルーホール７５，５
５にて形成された空間内に収容された各導電ボール９５
の高さよりも低くなるようにしなければならない。その
ようにしないと、本発明に係る積層可能なＢＧＡ半導体
パッケージの積層において、積層されるべきＢＧＡ半導
体パッケージの導電ボール同士が相互に接触せずに、積
層された半導体パッケージ間の信号伝達が不可能になる
ためである。
【００２７】図４は、本発明に係る積層型のＢＧＡ半導
体パッケージを示した図（プリント配線板１００上に２
層の積層可能なＢＧＡ半導体パッケージを実装した状態
を示した縦断面図。尚、説明の都合上、２層の積層とし
ているが、本発明の積層型ＢＧＡ半導体パッケージの積
層数は任意である）である。図示の通り、本発明の積層
型ＢＧＡ半導体パッケージは、下層のＢＧＡ半導体パッ
ケージ１０１上に上層のＢＧＡ半導体パッケージ１１１
が載置され、該下層のＢＧＡ半導体パッケージの各導電
ボール９５ａの上部と該上層のＢＧＡ半導体パッケージ
の各導電ボール９５ｂの下部とが夫々当接せしめられて
おり、この両導電ボールの当接により、該上層のＢＧＡ
半導体パッケージ内の半導体チップ（符号９１が付され
たもの）と該下層のＢＧＡ半導体パッケージ内の半導体
チップ（符号５３が付されたものの上に載置されたも
の）間の信号伝達を可能にしているものである。
【００２８】勿論、前記の下層ＢＧＡ半導体パッケージ
１０１の各導電ボール９５ａの下部は、プリント配線板
１００上に設けられた所定個所のボンディングパッド
（図示せず）とそれぞれ接触・連結している。
【００２９】次に、前記の構造を有する本発明に係る積
層可能なＢＧＡ半導体パッケージの製造方法について、
図５（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。
【００３０】先ず、絶縁基板５２を準備し、該絶縁基板
の上部中央に窪み部５３を掘削・形成し、該絶縁基板の
該窪み部を除く上面全体に金属被膜を形成した後、該絶
縁基板の所定個所に複数の下部スルーホール５５を穿孔
・形成する。
【００３１】このとき、前記の絶縁基板５２上の各スル
ーホール形成予定個所のみが露出するようにレジストパ
ターンを該窪み部を含む該絶縁基板の上面に形成した
後、湿式エッチングを施す。
【００３２】その結果、前記のレジストにて保護されて
いない絶縁基板５２の部位にエッチングが行われ、そこ
ではアンダーカット現象が発生して該部位の該絶縁基板
の上方側が下方側よりも甚だしくエッチングされるた
め、必然的にその頭部が切り欠かれた逆円錐状のスルー
ホールが穿孔・形成されるのである。
【００３３】次いで、前記の各下部スルーホール５５の
周面にチタンのような導電性の金属を用いたメッキを施
して該周面に金属薄膜５７を被着せしめ、次いで該絶縁
基板の上面に予め形成しておいた金属被膜をパターニン
グして導電性配線５９を形成し、下部絶縁基板５１を製
造する。
【００３４】次いで、前記の下部絶縁基板５１の窪み部
５３の底面の中央部に接着剤を塗布して、半導体チップ
９１を接着し（ダイボンディング工程）、該半導体チッ
プ上のボンディングパッド（図示せず）と前記の導電配
線５９の他端部とを導電ワイヤ９３により連結する（ワ
イヤリング工程）。
【００３５】次いで、前記の導電ワイヤ９３、半導体チ
ップ９１を封止するように窪み部５３に封止部材９７を
充填・成形する。尚、具体的操作としては通常のモール
ディング操作を行なえばよい（生産性及び費用の面から
見て好ましい）。
【００３６】次いで、図５（Ｂ）に示すように、前記の
下部絶縁基板５１の各スルーホール５５内にそれぞれ１
個の卵状の導電ボール９５を装填する。このとき、該ス
ルーホール５５上に複数の導電ボール９５を載置した
後、該下部絶縁基板を左右に揺らすと、該導電ボールは
容易に１個ずつ各スルーホール内に装填することができ
る。従って、本発明では、該導電ボールの装填のための
特別の治具を必要としない。
【００３７】次いで、図５（Ｃ）に示すように、前記の
下部絶縁基板５１上に、その中央部に貫通孔７３を有す
るフレーム状の上部絶縁基板７１（その中央部に窪み部
が掘削・形成された上部絶縁基板であってもよい。但
し、この形態の絶縁基板を用いる場合には、該窪み部の
開口を該下部絶縁基板の窪み部の開口部と対向するよう
にする）を接着剤により接合する。その結果、該上部絶
縁基板７１には、各上部スルーホール７５が前記の下部
絶縁基板５１の各下部スルーホール５５に対応する位置
に該下部スルーホールとは逆向きの頭部を切り欠かれた
円錐状に形成されているため、該上部スルーホールと該
下部スルーホールとで形成される空間の形状が卵状の導
電ボール９５の外形に全体として相似し、その結果、該
導電ボールは、該空間より外部に離脱することなく該上
・下スルーホールにて形成される空間内にあたかも収容
されているが如く係止される。
【００３８】次に、本発明に係る積層型ＢＧＡ半導体パ
ッケージの製造方法であるが、これは、図４に示すよう
に、前記の方法にて製造された積層可能なＢＧＡ半導体
パッケージから任意に選択されたＢＧＡ半導体パッケー
ジ１０１（以下、下層ＢＧＡ半導体パッケージという）
をプリント配線板１００上の所定の位置に載置し、該下
層ＢＧＡ半導体パッケージの上面と、前記の方法にて製
造された積層可能な別のＢＧＡ半導体パッケージ１１１
（以下、上層ＢＧＡ半導体パッケージという）の下面と
を、前者の各導電ボール９５ａの上部と該上層ＢＧＡ半
導体パッケージの各導電ボール９５ｂの下部とがそれぞ
れ対応するように接合した後、リフローして導電ボール
９５ａの上部と導電ボール９５ｂの下部とをそれぞれ接
続させると、積層型ＢＧＡ半導体パッケージを製造する
ことができる。尚、図示では積層数が２であるが、本発
明の積層型ＢＧＡ半導体パッケージの積層数はこれに限
定されない。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＢＧＡ半
導体パッケージによれば、導電ボールを上部絶縁基板と
下部絶縁基板とを接合してなる基板（以下、単に基板と
いう）の上下両面に露出するように形成してあるので、
該ＢＧＡ半導体パッケージを上下垂直方向に複数個積層
することができ、したがって半導体チップのパッケージ
実装密度を向上させ得るという効果がある。
【００４０】更に、前記の導電ボールを基板の上下両面
より突出させた態様の本発明のＢＧＡ半導体パッケージ
によれば、該導電ボールをリフローすることによって、
容易に積層型ＢＧＡ半導体パッケージを製造することが
できるし、またプリント配線板への該ＢＧＡ半導体パッ
ケージの実装において、プリント配線板上のボンディン
グパッド上に載置して該導電ボールをリフローすれば外
部回路との電気的接合を簡単に行い得るため、実装工程
を簡便化し得るという効果がある。
【００４１】また、本発明のＢＧＡ半導体パッケージの
製造方法によれば、導電ボールが基板に形成されたスル
ーホール中に該基板の接合過程において単に収容される
形態ゆえ、該導電ボールの装填操作は簡単であり、しか
も該装填操作には特別の治具を必要としないのでその製
造設備を準備するための費用を減らすことが出来るし、
該装填された導電ボールは該スルーホール中にしっかり
と収容・係止され離脱しないため、ＢＧＡ半導体パッケ
ージのの信頼性を向上し得るという効果がある。
【００４２】更に、本発明の積層型ＢＧＡ半導体パッケ
ージの製造方法によれば、積層可能なＢＧＡ半導体パッ
ケージを単に上下方向に積層し、リフローするだけで積
層が行われるので、高集積半導体パッケージを容易に製
造し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層可能なＢＧＡ半導体パッケー
ジの一実施態様の構造を示した縦断面図である。
【図２】図１図示のＢＧＡ半導体パッケージの下部絶縁
基板の構造を示した図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線切断縦断面図である。
【図３】図１図示のＢＧＡ半導体パッケージの上部絶縁
基板の構造を示した図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は、同図（Ａ）のＢ−Ｂ線切断縦断面図である。
【図４】本発明に係る積層型ＢＧＡ半導体パッケージの
一実施態様の構造を示した縦断面図である。
【図５】本発明に係る積層可能なＢＧＡ半導体パッケー
ジの製造方法をその主要工程順に示した縦断面図であ
る。
【図６】従来のＢＧＡ半導体パッケージの構造を示した
縦断面図である。
【符号の説明】
５１：下部絶縁基板 ５２：絶縁基板 ５３：窪み部 ５５：下部スルーホール ５７、７７：金属薄膜 ５９：導電配線 ７１：上部絶縁基板 ７３：貫通孔 ７５：上部スルーホール ９１：半導体チップ ９３：導電ワイヤ ９５、９５ａ、９５ｂ：導電ボール ９７：封止部材 １００：プリント配線板 １０１：下層ＢＧＡ半導体パッケージ １１１：上層ＢＧＡ半導体パッケージ

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その上部中央に窪み部５３を有する下部
    絶縁基板５１と、その中央部該窪み部に対応する位置に
    貫通孔７３を有する上部絶縁基板７１と、を該下部絶縁
    基板の上面と該上部絶縁基板の下面とが対向するように
    接合してなるＢＧＡ半導体パッケージであって、 各絶縁基板には同一個所に両絶縁基板を貫通する所定数
    のスルーホール５５、７５がそれぞれ形成されているこ
    と、 該スルーホールの直径が両絶縁基板の接合面側が大き
    く、反対側が小さいものであること、 該スルーホールの周面には導電性の金属薄膜５７、７７
    がそれぞれ被着されていること、 該下部絶縁基板の上面には、該下部絶縁基板のスルーホ
    ール５５の金属薄膜５７にその一端が、該窪み部の底面
    に載置・接着される半導体チップ９１に導電ワイヤ９３
    を介してその他端が、それぞれ接触する所定形状の導電
    配線５９が形成されていること、 該窪み部と該貫通孔内には該導電ワイヤと該半導体チッ
    プを封止する封止部材９７が充填されていること、及び
    該各スルーホール内には該各金属薄膜とその表面が接触
    するように導電ボール９５がそれぞれ収容されているこ
    と、を特徴とするＢＧＡ半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記の各導電ボール９５が、前記の上部
    絶縁基板７１の上面よりその上部を、前記の下部絶縁基
    板５１の下面よりその下部をそれぞれ突出するように前
    記のスルーホール５５、７５内に収容されている請求項
    １記載のＢＧＡ半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 積層可能なＢＧＡ半導体パッケージの製
    造方法であって、 その上部中央に窪み部５３が、その所定位置に上部直径
    が下部直径より大なるホールであって、周面に導電性の
    金属薄膜５７を被着せしめてなる複数の下部スルーホー
    ル５５が、その上面に一端が該金属薄膜と接触する所定
    形状の導電配線５９が、それぞれ形成された下部絶縁基
    板５１を準備する工程と、 該窪み部の底面に半導体チップ９１を載置・接着する工
    程と、 該導電配線の他端部と該半導体チップとを導電ワイヤ９
    ３により連結する工程と、 該導電ワイヤ、該半導体チップを封止するように該窪み
    部に封止部材９７を充填・成形する工程と、 該各下部スルーホール内にその下方の面が該下部絶縁基
    板の下面より露出するように、導電ボール９５の下半部
    をそれぞれ収容する工程と、 その下面を該下部絶縁基材の上面に接合する際に、該下
    部絶縁基板の封止部材が充填・成形された部位に対応す
    る部位に貫通孔７３が、該下部スルーホールに対応する
    部位に該導電ボールの上半部収容し得る上部直径が下部
    直径より小なるホールであって、周面に導電性の金属薄
    膜７７を被着せしめてなる複数の上部スルーホール７５
    が、それぞれ形成された上部絶縁基板７１を準備し、次
    いでその下面を該下部絶縁基板の上面と接合するする工
    程と、を順次行うことを特徴とするＢＧＡ半導体パッケ
    ージの製造方法。
  4. 【請求項４】 積層型ＢＧＡ半導体パッケージの製造方
    法であって、 請求項１又は２に記載の積層可能なＢＧＡ半導体パッケ
    ージを所定数製造する工程と、 該積層可能なＢＧＡ半導体パッケージの第１のＢＧＡ半
    導体パッケージ１０１をプリント配線板１００上の所定
    の位置に載置する工程と、 該第１の半導体パッケージ上に、第２のＢＧＡ半導体パ
    ッケージ１１１の下面を、該第１のＢＧＡ半導体パッケ
    ージの導電ボール９５ａと該第２のＢＧＡパッケージの
    導電ボール９５ｂが対応するように接合する工程と、 該対応する導電ボールをリフローして該第１のＢＧＡ半
    導体パッケージの導電ボールの上方面と該第２のＢＧＡ
    半導体パッケージの導電ボールの下方面とが一体化する
    ように連結する工程と、 前記の二つのＢＧＡ半導体パッケージの接合工程とそれ
    に引き続く導電ボールのリフロー・一体化工程を所定回
    数繰り返す、ことを特徴とする積層型ＢＧＡ半導体パッ
    ケージの製造方法。
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