JP2976899B2 - 真空成膜方法および装置 - Google Patents
真空成膜方法および装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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- H01L21/28568—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising transition metals
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜技術に関し、
裏面での成膜具合をコントロールすることが可能な真空
成膜方法および装置に関する。
裏面での成膜具合をコントロールすることが可能な真空
成膜方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハの表面に順次Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、Ｗを成膜する成膜方法および装置が開発されてい
る。例えば次のような従来例がある。
Ｎ、Ｗを成膜する成膜方法および装置が開発されてい
る。例えば次のような従来例がある。
【０００３】図３は従来の真空成膜機構の概略構成を説
明する図で、（ａ）は従来例１、（ｂ）は従来例２を示
す。 （１）特開平６ー２９２４１（従来例１） 層間絶縁膜３１上にポリシリコン膜３３を形成した後、
Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜３５を順次スパッタリングする。この
ときウェハ周辺部はクランプ３６で支持し、アニール
後、次工程のブランケットタングステン膜３８を形成す
る。これによりブランケットタングステン膜３８はポリ
シリコン膜３３上に成膜されるため、ブランケットタン
グステン膜３８の剥れが防止できる（ブランケットタン
グステン膜３８と層間絶縁膜３１との密着性が悪いため
にブランケットタングステン膜３８の膜剥れが起き
る）。チタンシリサイド膜３７はＴｉ膜とポリシリコン
膜３３が反応してできる。３０はシリコンウェハであ
る。 （２）特開平４ー３２５６３（従来例２） チャンバー４１内で剥離傾向の大きい膜（ＴｉＮ）と剥
離傾向の小さい膜（Ｔｉ）４３の両方の成膜を同一チャ
ンバー内でスパッタリングガスを変化させて行う。その
ことによりチャンバー内におけるパーティクルを低減す
る。４１はチャンバ、４２は基板ホルダ、４３はＴｉ、
４４はターゲット、４５はシャッター板、４８は高周波
電源、４９はガス導入系、５０はアルゴンガスボンベ、
５２は窒素ガスボンベ、５４は基板である。
明する図で、（ａ）は従来例１、（ｂ）は従来例２を示
す。 （１）特開平６ー２９２４１（従来例１） 層間絶縁膜３１上にポリシリコン膜３３を形成した後、
Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜３５を順次スパッタリングする。この
ときウェハ周辺部はクランプ３６で支持し、アニール
後、次工程のブランケットタングステン膜３８を形成す
る。これによりブランケットタングステン膜３８はポリ
シリコン膜３３上に成膜されるため、ブランケットタン
グステン膜３８の剥れが防止できる（ブランケットタン
グステン膜３８と層間絶縁膜３１との密着性が悪いため
にブランケットタングステン膜３８の膜剥れが起き
る）。チタンシリサイド膜３７はＴｉ膜とポリシリコン
膜３３が反応してできる。３０はシリコンウェハであ
る。 （２）特開平４ー３２５６３（従来例２） チャンバー４１内で剥離傾向の大きい膜（ＴｉＮ）と剥
離傾向の小さい膜（Ｔｉ）４３の両方の成膜を同一チャ
ンバー内でスパッタリングガスを変化させて行う。その
ことによりチャンバー内におけるパーティクルを低減す
る。４１はチャンバ、４２は基板ホルダ、４３はＴｉ、
４４はターゲット、４５はシャッター板、４８は高周波
電源、４９はガス導入系、５０はアルゴンガスボンベ、
５２は窒素ガスボンベ、５４は基板である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、周辺
部をクランプ支持することで有効領域が狭くなることで
あり、その理由は周辺部をクランプ支持するために生じ
ている。
部をクランプ支持することで有効領域が狭くなることで
あり、その理由は周辺部をクランプ支持するために生じ
ている。
【０００５】第２の問題点は、ＴｉＮ成膜とＴｉ成膜時
に同一ハードではＴｉ膜を完全にＴｉＮ膜で覆える保証
がないし、マージンもない。その理由はウェハ側面部や
裏面部で膜の回り込み具合を調整できないためである。
に同一ハードではＴｉ膜を完全にＴｉＮ膜で覆える保証
がないし、マージンもない。その理由はウェハ側面部や
裏面部で膜の回り込み具合を調整できないためである。
【０００６】ＴｉＮ／Ｔｉを成膜した後、Ｗを成膜する
場合、Ｔｉが完全にＴｉＮに覆われていないとＷが反応
して剥れを生じる。そのため、従来技術ではＴｉ成膜時
とＴｉＮ成膜時のチャンバーを固定化しかつＴｉ成膜時
に裏面に回り込まないようにクランプしている。そのこ
とにより（１）成膜有効領域の減少および（２）成膜チ
ャンバーの固定化によりメンテ性のダウンが起こる。
場合、Ｔｉが完全にＴｉＮに覆われていないとＷが反応
して剥れを生じる。そのため、従来技術ではＴｉ成膜時
とＴｉＮ成膜時のチャンバーを固定化しかつＴｉ成膜時
に裏面に回り込まないようにクランプしている。そのこ
とにより（１）成膜有効領域の減少および（２）成膜チ
ャンバーの固定化によりメンテ性のダウンが起こる。
【０００７】そこで本発明はＴｉＮ／Ｔｉを成膜した
後、Ｗを成膜する場合のＷ剥れを防止し、かつＴｉ成膜
のウェハ全面成膜化およびＴｉＮ／Ｔｉ成膜時のチャン
バーの交互使用化を実現し、成膜有効領域の拡大および
生産性の向上が可能な真空成膜方法および装置を提供す
ることを目的とする。
後、Ｗを成膜する場合のＷ剥れを防止し、かつＴｉ成膜
のウェハ全面成膜化およびＴｉＮ／Ｔｉ成膜時のチャン
バーの交互使用化を実現し、成膜有効領域の拡大および
生産性の向上が可能な真空成膜方法および装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は真空チャンバ内でウェハを支持するホルダ
ーと、該ホルダーの外周面に接するカバーシールドと、
該カバーシールドと前記ウェハとの距離を変化させて前
記ウェハ上へ成長する膜が該ウェハの下面へ回り込む面
積を変化させる手段とを備えた真空成膜装置を用いた真
空成膜方法において、前記カバーシールドと前記ウェハ
との距離を第１の距離として、前記ウェハの上面の全面
積と該ウェハの下面が第１の面積で覆われるようにＴｉ
膜を形成する第１の工程と、前記カバーシールドと前記
ウェハとの距離を前記第１の距離より大きい第２の距離
とし、前記ウェハの上面の全面積と該ウェハの下面が前
記第１の面積よりも広い第２の面積で覆われるようにＴ
ｉＮ膜を形成し、該ＴｉＮ膜で前記Ｔｉ膜を全て覆う第
２の工程とを備えたことを特徴とする。
め、本発明は真空チャンバ内でウェハを支持するホルダ
ーと、該ホルダーの外周面に接するカバーシールドと、
該カバーシールドと前記ウェハとの距離を変化させて前
記ウェハ上へ成長する膜が該ウェハの下面へ回り込む面
積を変化させる手段とを備えた真空成膜装置を用いた真
空成膜方法において、前記カバーシールドと前記ウェハ
との距離を第１の距離として、前記ウェハの上面の全面
積と該ウェハの下面が第１の面積で覆われるようにＴｉ
膜を形成する第１の工程と、前記カバーシールドと前記
ウェハとの距離を前記第１の距離より大きい第２の距離
とし、前記ウェハの上面の全面積と該ウェハの下面が前
記第１の面積よりも広い第２の面積で覆われるようにＴ
ｉＮ膜を形成し、該ＴｉＮ膜で前記Ｔｉ膜を全て覆う第
２の工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
【００１０】また、本発明は真空チャンバー内でウェハ
を支持し、該ウェハの外径よりも小さいホルダーと、該
ホルダーの外周面に接するカバーシールドと、該カバー
シールドと前記ウェハとの距離を変化させて前記ウェハ
上へ成長する膜が該ウェハの裏面へ回り込む面積を第１
の面積から第２の面積に変化させる手段とを備えたこと
を特徴とする。
を支持し、該ウェハの外径よりも小さいホルダーと、該
ホルダーの外周面に接するカバーシールドと、該カバー
シールドと前記ウェハとの距離を変化させて前記ウェハ
上へ成長する膜が該ウェハの裏面へ回り込む面積を第１
の面積から第２の面積に変化させる手段とを備えたこと
を特徴とする。
【００１１】また、本発明は前記ウェハ上へ成長する膜
が該ウェハの裏面へ回り込む面積を第１の面積とする場
合は前記カバーシールドと前記ウェハとの距離を１ｍｍ
以上２ｍｍ以下とし、該ウェハの裏面へ回り込む面積を
第２の面積とする場合は前記カバーシールドと前記ウェ
ハとの距離を２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることを特
徴とする。
が該ウェハの裏面へ回り込む面積を第１の面積とする場
合は前記カバーシールドと前記ウェハとの距離を１ｍｍ
以上２ｍｍ以下とし、該ウェハの裏面へ回り込む面積を
第２の面積とする場合は前記カバーシールドと前記ウェ
ハとの距離を２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることを特
徴とする。
【００１２】また、本発明は前記ホルダーは前記ウェハ
の外径よりも５ｍｍ小さいことを特徴とする。
の外径よりも５ｍｍ小さいことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は前記カバーシールドの幅を
３ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることを特徴とする。
３ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることを特徴とする。
【００１４】また、本発明は前記ウェハの裏面へ回り込
む面積を第１の面積から第２の面積に変化させる手段
が、前記カバーシールドに接続されたベローと、該ベロ
ーの中に送入するガスを調節することで前記カバーシー
ルドを所定の位置に上下動させるカバーシールドコント
ローラとを有することを特徴とする。
む面積を第１の面積から第２の面積に変化させる手段
が、前記カバーシールドに接続されたベローと、該ベロ
ーの中に送入するガスを調節することで前記カバーシー
ルドを所定の位置に上下動させるカバーシールドコント
ローラとを有することを特徴とする。
【００１５】図１は本発明のカバーシールドの上下駆動
可能な機構を有する真空成膜装置の概略構成を説明する
図、図２は本発明の真空成膜装置の成膜時の構成を示す
図で、（ａ）はＴｉＮ成膜時、（ｂ）はＴｉ成膜時を示
す。
可能な機構を有する真空成膜装置の概略構成を説明する
図、図２は本発明の真空成膜装置の成膜時の構成を示す
図で、（ａ）はＴｉＮ成膜時、（ｂ）はＴｉ成膜時を示
す。
【００１６】本発明によると、成膜チャンバー内にカバ
ーシールド２（図１）を上下駆動可能な機構すなわちカ
バーシールドコントローラ１（図１）を有し、ＴｉＮ成
膜時（図２（ａ））、Ｔｉ成膜時（図２（ｂ））にカバ
ーシールド２の位置をそれぞれ上下方向に変えることに
より、成膜時にウェハ裏面への膜の回り込みを制御する
ことにより、全面Ｔｉ成膜ができ、かつＴｉを完全にＴ
ｉＮで覆うことができるようにした。
ーシールド２（図１）を上下駆動可能な機構すなわちカ
バーシールドコントローラ１（図１）を有し、ＴｉＮ成
膜時（図２（ａ））、Ｔｉ成膜時（図２（ｂ））にカバ
ーシールド２の位置をそれぞれ上下方向に変えることに
より、成膜時にウェハ裏面への膜の回り込みを制御する
ことにより、全面Ｔｉ成膜ができ、かつＴｉを完全にＴ
ｉＮで覆うことができるようにした。
【００１７】
【作用】本発明によれば、ＴｉＮ成膜時には図２（ａ）
に示すようにカバーシールド２（図１）の停止位置を下
限にし、ウェハとカバーシールドの距離を最大にするこ
とでウェハ裏面への膜の回り込みを大きくする。
に示すようにカバーシールド２（図１）の停止位置を下
限にし、ウェハとカバーシールドの距離を最大にするこ
とでウェハ裏面への膜の回り込みを大きくする。
【００１８】また、本発明によれば、Ｔｉ成膜時には図
２（ｂ）に示すようにカバーシールド２（図１）の停止
位置を上限にし、ウェハとカバーシールドの距離を最小
にすることでウェハ裏面への膜の回り込みを小さくす
る。
２（ｂ）に示すようにカバーシールド２（図１）の停止
位置を上限にし、ウェハとカバーシールドの距離を最小
にすることでウェハ裏面への膜の回り込みを小さくす
る。
【００１９】このことによりＴｉを完全にＴｉＮで覆う
ことが可能となる。
ことが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は図１に示すとお
り、真空成膜チャンバ内に上下駆動可能なカバーシール
ド２と、それをコントロールするカバーシールドコント
ローラ１を有し、図２に示すようにＴｉＮ、Ｔｉ成膜時
にそれぞれカバーシールド２の位置を変えることによ
り、ウェハ裏面への膜の回り込みをコントロールする。
カバーシールド２の位置を上限停止位置Ｈ（図２
（ｂ））にするとウェハ裏面への膜の回り込みが少な
く、カバーシールド２の位置を下限停止位置Ｌ（図２
（ａ））にするとウェハ裏面への膜の回り込みが大とな
る。このことによりＴｉを全面成膜することができ、か
つＴｉを完全にＴｉＮで覆うことができるため、Ｗを全
面成膜しても剥れが起こらない。
り、真空成膜チャンバ内に上下駆動可能なカバーシール
ド２と、それをコントロールするカバーシールドコント
ローラ１を有し、図２に示すようにＴｉＮ、Ｔｉ成膜時
にそれぞれカバーシールド２の位置を変えることによ
り、ウェハ裏面への膜の回り込みをコントロールする。
カバーシールド２の位置を上限停止位置Ｈ（図２
（ｂ））にするとウェハ裏面への膜の回り込みが少な
く、カバーシールド２の位置を下限停止位置Ｌ（図２
（ａ））にするとウェハ裏面への膜の回り込みが大とな
る。このことによりＴｉを全面成膜することができ、か
つＴｉを完全にＴｉＮで覆うことができるため、Ｗを全
面成膜しても剥れが起こらない。
【００２１】発明の実施動作は次のようである。 （１）図２（ｂ）に示すようにカバーシールド２の停止
位置を上限ＨにしてＴｉを成膜する（ウエハー表面全面
成膜）。 （２）次に、図２（ａ）に示すようにカバーシールド２
の停止位置を下限ＬにしてＴｉＮを成膜する（ウェハ表
面全面成膜）。 （３）次にＷを成膜する（ウェハ表面全面成膜）。
位置を上限ＨにしてＴｉを成膜する（ウエハー表面全面
成膜）。 （２）次に、図２（ａ）に示すようにカバーシールド２
の停止位置を下限ＬにしてＴｉＮを成膜する（ウェハ表
面全面成膜）。 （３）次にＷを成膜する（ウェハ表面全面成膜）。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００２３】図１に示すように、厚さ５ｍｍ程度のカバ
ーシールド２をカバーシールドコントローラ１により上
下に移動させる。カバーシールドコントローラ１はベロ
ー６を有し、この中に送入するガスを調節することによ
りカバーシールド２を上下に移動させ、また停止させる
ことができる。
ーシールド２をカバーシールドコントローラ１により上
下に移動させる。カバーシールドコントローラ１はベロ
ー６を有し、この中に送入するガスを調節することによ
りカバーシールド２を上下に移動させ、また停止させる
ことができる。
【００２４】図２（ｂ）に示すように、Ｔｉ成膜時には
カバーシールド２の停止位置を上限Ｈで停止させる。ウ
ェハ４とカバーシールド２間の距離を１〜２ｍｍ程度に
する。
カバーシールド２の停止位置を上限Ｈで停止させる。ウ
ェハ４とカバーシールド２間の距離を１〜２ｍｍ程度に
する。
【００２５】また、図２（ａ）に示すようにＴｉＮ成膜
時にはカバーシールド２の停止位置を下限Ｌで停止させ
る。ウェハ４とカバーシールド２間の距離を２０〜５０
ｍｍ程度にする。
時にはカバーシールド２の停止位置を下限Ｌで停止させ
る。ウェハ４とカバーシールド２間の距離を２０〜５０
ｍｍ程度にする。
【００２６】この際、ウェハ４がホルダー３より出っ張
る距離は５ｍｍ程度、カバーシールド２の幅は３〜５ｍ
ｍ程度、ウェハ４とリングチャック５の距離は３〜５ｍ
ｍ程度にする。
る距離は５ｍｍ程度、カバーシールド２の幅は３〜５ｍ
ｍ程度、ウェハ４とリングチャック５の距離は３〜５ｍ
ｍ程度にする。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハにＴｉを成膜した後、ＴｉＮを成膜する真空成膜方
法において、ウェハ周辺部のＴｉＮの成膜面積がＴｉの
成膜面積より広くなるようにしたので、次のようなきわ
めて優れた効果が得られる。 （１）ウェハ全面でＴｉ成膜を完全にＴｉＮで覆うこと
ができ、これにより全面Ｔｉ成膜と全面Ｗ成膜がＷ剥れ
を起さずに可能となる。 （２）Ｔｉ成膜、ＴｉＮ成膜を実施する際に一つのチャ
ンバでＷ剥れを起さずにＴｉ、ＴｉＮどちらでもウェハ
全面成膜ができ、これによりＴｉ成膜、ＴｉＮ成膜のチ
ャンバを固定化せずに共用もしくは交互使用が可能にな
る。
ェハにＴｉを成膜した後、ＴｉＮを成膜する真空成膜方
法において、ウェハ周辺部のＴｉＮの成膜面積がＴｉの
成膜面積より広くなるようにしたので、次のようなきわ
めて優れた効果が得られる。 （１）ウェハ全面でＴｉ成膜を完全にＴｉＮで覆うこと
ができ、これにより全面Ｔｉ成膜と全面Ｗ成膜がＷ剥れ
を起さずに可能となる。 （２）Ｔｉ成膜、ＴｉＮ成膜を実施する際に一つのチャ
ンバでＷ剥れを起さずにＴｉ、ＴｉＮどちらでもウェハ
全面成膜ができ、これによりＴｉ成膜、ＴｉＮ成膜のチ
ャンバを固定化せずに共用もしくは交互使用が可能にな
る。
【図１】本発明のカバーシールドの上下駆動可能な機構
を有する真空成膜装置の概略構成を説明する図である。
を有する真空成膜装置の概略構成を説明する図である。
【図２】本発明の真空成膜装置の成膜時の構成を示す図
で、（ａ）はＴｉＮ成膜時、（ｂ）はＴｉ成膜時を示
す。
で、（ａ）はＴｉＮ成膜時、（ｂ）はＴｉ成膜時を示
す。
【図３】従来の真空成膜機構の概略構成を説明する図
で、（ａ）は従来例１、（ｂ）は従来例２を示す。
で、（ａ）は従来例１、（ｂ）は従来例２を示す。
１ カバーシールドコントローラ ２ カバーシールド ３ ホルダー ４ ウェハ ５ リングチャック ６ ベロー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/469
Claims (6)
- 【請求項１】 真空チャンバ内でウェハを支持するホル
ダーと、該ホルダーの外周面に接するカバーシールド
と、該カバーシールドと前記ウェハとの距離を変化させ
て前記ウェハ上へ成長する膜が該ウェハの下面へ回り込
む面積を変化させる手段とを備えた真空成膜装置を用い
た真空成膜方法において、前記カバーシールドと前記ウ
ェハとの距離を第１の距離として、前記ウェハの上面の
全面積と該ウェハの下面が第１の面積で覆われるように
Ｔｉ膜を形成する第１の工程と、前記カバーシールドと
前記ウェハとの距離を前記第１の距離より大きい第２の
距離とし、前記ウェハの上面の全面積と該ウェハの下面
が前記第１の面積よりも広い第２の面積で覆われるよう
にＴｉＮ膜を形成し、該ＴｉＮ膜で前記Ｔｉ膜を全て覆
う第２の工程とを備えたことを特徴とする真空成膜方
法。 - 【請求項２】 真空チャンバー内でウェハを支持し、該
ウェハの外径よりも小さいホルダーと、該ホルダーの外
周面に接するカバーシールドと、該カバーシールドと前
記ウェハとの距離を変化させて前記ウェハ上へ成長する
膜が該ウェハの裏面へ回り込む面積を第１の面積から第
２の面積に変化させる手段とを備えたことを特徴とする
真空成膜装置。 - 【請求項３】 前記ウェハ上へ成長する膜が該ウェハの
裏面へ回り込む面積を第１の面積とする場合は前記カバ
ーシールドと前記ウェハとの距離を１ｍｍ以上２ｍｍ以
下とし、該ウェハの裏面へ回り込む面積を第２の面積と
する場合は前記カバーシールドと前記ウェハとの距離を
２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることを特徴とする請求
項２に記載の真空成膜装置。 - 【請求項４】 前記ホルダーは前記ウェハの外径よりも
５ｍｍ小さいことを特徴とする請求項２に記載の真空成
膜装置。 - 【請求項５】 前記カバーシールドの幅を３ｍｍ以上５
ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項２に記載の真空
成膜装置。 - 【請求項６】 前記ウェハの裏面へ回り込む面積を第１
の面積から第２の面積に変化させる手段が、前記カバー
シールドに接続されたベローと、該ベローの中に送入す
るガスを調節することで前記カバーシールドを所定の位
置に上下動させるカバーシールドコントローラとを有す
ることを特徴とする請求項２に記載の真空成膜装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8234055A JP2976899B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 真空成膜方法および装置 |
| US08/922,647 US6025266A (en) | 1996-09-04 | 1997-09-03 | Vacuum film formation method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8234055A JP2976899B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 真空成膜方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079359A JPH1079359A (ja) | 1998-03-24 |
| JP2976899B2 true JP2976899B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=16964879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8234055A Expired - Lifetime JP2976899B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 真空成膜方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6025266A (ja) |
| JP (1) | JP2976899B2 (ja) |
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| JP4520677B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-08-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | マルチチャンバースパッタ処理装置 |
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-
1996
- 1996-09-04 JP JP8234055A patent/JP2976899B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-09-03 US US08/922,647 patent/US6025266A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH1079359A (ja) | 1998-03-24 |
| US6025266A (en) | 2000-02-15 |
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