JP2976136B2

JP2976136B2 - 電子線発生装置とその製造方法及び画像形成装置

Info

Publication number: JP2976136B2
Application number: JP25681490A
Authority: JP
Inventors: 俊彦武田; 一郎野村; 哲也金子; 伸也三品; 治人小野; 英俊鱸
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-09-28
Filing date: 1990-09-28
Publication date: 1999-11-10
Anticipated expiration: 2014-11-10
Also published as: JPH04137331A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、電子放出素子を用いた電子線発生装置及び
該装置を用いた画像形成装置に関し、特に複数の電子放
出素子を高密度に配置した電子線発生装置とその製造方
法及び画像形成装置に関する。

［従来の技術］従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えばエム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等
によって発表された冷陰極素子が知られている［ラジオ
・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス（Ra
dio Eng.Electron.Phys.）第10巻,1290〜1296頁,1965
年］。

これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼
ばれている。

この表面伝導形電子放出素子としては、前記エリンソ
ン等により開発されたSnO₂（Sb）薄膜を用いたものの
他、Au薄膜によるもの［ジー・ディトマー“スイン・ソ
リド・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Film
s"）,9巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの
［エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド：“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ”（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“I
EEE Trans.ED Conf."）519頁，（1975年）］、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久他：“真空",第26巻，第１
号,22頁，（1983年）］等が報告されている。

また、我々は鋭意検討した結果、新型表面伝導形電子
放出素子を技術開示した。

本発明で使用できる表面伝導形電子放出素子は、上記
以外にもその電子放出部が金属微粒子分散によって形成
されているものであっても良い。

一般に表面伝導形電子放出素子とは、前記電極間距離
が0.01μｍ〜100μｍ、前記電子放出素子のシート抵抗
が10³Ω／□〜10⁹Ω／□のものをいう。

また上記以外にも薄膜熱カソードやMIM形放出素子等
有望な電子放出素子が多数報告されている。

これらは、成膜技術やホトリソグラフィー技術の急速
な進歩に伴い基板上に多数の素子を形成することが可能
となりつつあり、マルチ電子線源として、蛍光表示管、
平板型CRT等の各種画像形成装置への応用が期待される
ところである。

これらの素子を画像表示装置に応用した場合、一般に
は、基板上に多数の素子を配列し、各素子間を薄膜もし
くは厚膜の電極で電気的に配線し、マルチ電子線源とし
て用いている。

これら電子線ディスプレイ装置は、基本的に次のよう
な構造からなる。

第５図及び第６図は従来ディスプレイ装置の概要を示
すものである。第５図中、１は基板、12は支持体、８は
配線電極、４は電子放出部、10は電子通過孔、５は変調
電極、11はガラス板、13は画像形成部材で、例えば蛍光
体、レジスト材等電子が衝突することにより発光，変
色，帯電，変質等する部材から成る。11,13はフェース
プレート、15は蛍光体の輝点である。電子放出部４は薄
膜技術により形成され、基板（ガラス）１とは接触する
ことがない中空構造を成すものである。配線電極８は電
子放出部材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を
用いても良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいもの
が用いられる。支持体12は絶縁体材料もしくは導電体材
料で形成されている。

これら電子線ディスプレイ装置は、配線電極８に電圧
を印加せしめ中空構造をなす電子放出部より電子を放出
させ、これら電子流を情報信号に応じて変調する変調電
極５に電圧を印加することにより電子を取り出し、取り
出した電子を加速させ蛍光体13に衝突させるものであ
る。また、配線電極８と変調電極５でXYマトリックスを
形成せしめ、画像形成部材たる蛍光体13上に画像表示を
行うものである。

また、第６図において、91は基板、92は変調電極、93
は熱電子線源（電子放出素子）94は、上偏向電極、95は
下偏向電極、96は透明電極と蛍光体（画像形成部材）を
設けたフェースプレートであって、基板91上に変調電極
92,電子放出素子93及び画像形成部材を順次配置した構
成を有する電子線ディスプレイ装置である。かかる装置
においては、同図被線円内に示す如く、変調電極92と電
子放出素子93とは、間に空間を有して配置されている。
また、熱電子線源93は、タングステン線に電子放出物質
を被覆したもので、外径は約35μｍ、動作温度は700〜8
50℃で熱電子を放出する。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上記従来例の原理に基づき、複数配置
された点状あるいは線状電子放出素子を用いて前記電子
放出素子と複数の変調電極との間でXYマトリクスを構成
する画像表示装置では、以下の問題点があった。

．変調電極が電子放出素子の電子放出方向上方に配置
されるため、上記電極と電子放出素子との位置合せが難
しく、大画面かつ高精細な画像表示装置が作製し難い。

．変調電極が電子放出部との間に空間を介して配置さ
れるため、変調電極と放出部との距離を全て一定に揃え
ることが難しく、大画面で高精細な画像表示装置が作製
し難い。

．大画面，高精細な画像表示装置を作製しようとする
と、表示画像の輝度むらが顕著となる。

すなわち、本発明の目的とするところは、上述した製
造上の問題点を解決し、複数の電子放出素子と変調電極
との位置合わせを容易にし、更に、チャージアップ等に
起因するクロストーク等を防止し得る電子線発生装置及
びそれを用いた高密度高精細を可能ならしめる画像形成
装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明者等は、従来の画像表示装置における先述した
作製上の問題点である変調電極と電子放出素子の電子放
出部とのアライメントの困難性と、大画面で高精細の画
像形成装置を作製した際の該装置の表示むらの発生との
関連性に着目し、鋭意研究の結果以下のことを解明し
た。先ず、変調電極の電子ビーム通過孔と電子放出素子
の電子放出部との若干の位置ずれが画像形成部材に達す
る電子ビームの飛翔に大きな影響を与え、結果として画
像形成部材面での輝度むらを生じてしまう。更には、個
々の、変調電極と電子放出素子の電子放出部間の距離の
相違が画像形成部材に達する電子ビームの飛翔に大きな
影響を与え、結果として画像形成部材面での輝度むらを
生じてしまう。以上の事を知見し、後述する構成を有す
る本発明に至った。

すなわち、本発明の第１は、基板上に、電子放出素子
と、該電子放出素子から放出される電子ビームを情報信
号に応じて変調する変調電極とを有する電子線発生装置
において、前記電子放出素子が、前記変調電極上に絶縁
層を介して積層配置されており、該変調電極は、熱伝導
率10W/m・Ｋ以上の導電性材料からなり、該基板の裏面
の一部から露出していることを特徴とする電子線発生装
置にある。

上記本発明の第１の電子線発生装置は、さらにその特
徴として、前記絶縁層の厚さが、0.1μｍ〜200μｍであること、前記電子放出素子の電子線放出方向での厚さが、0.1
μｍ〜200μｍであること、前記電子放出素子が、基板面に沿って並設された電極
間に、該電極を介して電圧が印加される電子放出部を有
する電子放出素子であること、前記電子放出素子が、表面伝導形電子放出素子である
こと、前記電子放出素子の複数が結線された線状電子放出素
子の複数と、前記変調電極の複数とがXYマトリクスを構
成していること、をも含む。

また、本発明の第２は、上記本発明の第１の電子線発
生装置の製造方法であって、前記変調電極を形成する工
程が、前記基板の裏面の一部を除去した後、除去した領
域に該変調電極材料層を形成する工程を有することを特
徴とする電子線発生装置の製造方法にある。

さらに、本発明の第３は、上記本発明の第１の電子線
発生装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して
画像を形成する画像形成部材を設けたことを特徴とする
画像形成装置にある。

以下、本発明の構成要素及び作用について詳細に説明
する。

本発明における電子放出素子は、従来より画像形成装
置の電子源として用いられているものであれば、熱陰
極，冷陰極のいずれであっても良いが、熱陰極の場合は
基板への熱拡散により電子放出効率が低下するので好ま
しくは冷陰極である方がよい。さらには、冷陰極の中で
も表面伝導形電子放出素子と呼ばれる電子放出素子を用
いた方が、本発明の電子線発生装置及び画像形成装置に
あっては、１）高い電子放出効率が得られる、２）構造が簡単であるため、製造が容易である、３）同一基板上に多数の素子を配列形成できる、４）応答速度が速い、５）輝度コントラストが優れている、等の利点を有するので特に好ましい。前記利点の中でも
とりわけ５）に関しては、表面伝導形電子放出素子が薄
膜素子であることに大きく起因している。即ち、本発明
に係る変調電極は、電子放出素子の電子放出側と反対側
面に、あるいは、放出素子と同一面上に配置されるた
め、電子放出素子の厚さ（電子ビームの放出方向での厚
さ）が極端に厚すぎると変調電極と電子放出素子の電子
放出面との距離が離れすぎて、放出される電子ビームの
充分な変調ができなくなる為、輝度コントラストが悪く
なる等の新たな問題点を生じてしまう。従って、本発明
に用いられる電子放出素子は、その厚さが100Å〜200μ
ｍであることが好ましく、優れた輝度コントラストを得
る為に特に好ましくは100Å〜10μｍであることが望ま
しい。ここで表面伝導形電子放出素子とは、例えば、エ
ム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等によって発表
された冷陰極素子［ラジオ・エンジニアリング・エレク
トロン・フィジィッス（Radio Eng.Electron.Phys.）
第10巻,1290〜1296頁,1965年］であり、これは基板面上
に設けられた小面積の薄膜（電子放出部）を挟持した電
極（素子電極）間に電圧を印加して、該膜面に平行に電
流を流すことにより、電子放出が生じる素子である。か
かる素子については、エリンソン等により開発されたSn
O₂（Sb）薄膜を用いたものの他、Au薄膜によるもの［ジ
ー・ディトマー：“スイン・ソリッド・フィルムス”
（G.Dittmer:“Thin Solid Films"）,9巻,317頁，（1
972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・ハートウェル・
アンド・シー・ジー・フォンスタッド：“アイ・イー・
イー・イー・トランス・イー・ディー・コンフ（M.Hart
well and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.ED Conf."）5
19頁，（1975年）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久
他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（1983年）］等が
報告されている。

本発明で使用できる表面伝導形電子放出素子として
は、上記以外にも後述する様にその電子放出部が金属微
粒子分散によって形成されているものであっても良い。
ここで述べられる表面伝導形電子放出素子とは、一般に
0.01μｍ〜100μｍの電極間隔を有し、該電極間にシー
ト抵抗10³〜10⁹Ω／□の薄膜を有する素子をさす。

更に、本発明に係る変調電極とは、情報信号に応じて
電圧を印加することにより、電子放出素子から放出され
る電子ビームのON/OFF制御をする為の電極であり、熱伝
導率10W/m・Ｋ以上の導電性材料であればいかなる材料
から形成されていても良い。

更に、本発明に係る基板とは、電子放出素子と変調電
極の両方を保持する為の基体であって、絶縁性材料であ
ればいかなる材料から形成されていても良い。

更に、本発明に係る絶縁層は、変調電極と電子放出素
子の電子放出面との距離が、全ての電子放出素子に対し
て等しくなる様に、その厚さが均一に形成されているこ
とが望ましい。

以上述べたように、電子放出素子と変調電極が基板を
媒体として一体に形成されることで、アライメント精度
の向上を図ることができ、従来例に観るような問題点を
解消できる。

すなわち、本発明の技術思想は、変調電極と電子放出
素子とを絶縁性基板を媒介として一体に形成し、かつ、
かかる変調電極に素子駆動により生じる熱の発散作用を
持たせる点にある。

ここで、上記一体形成は薄膜製造技術を用いることに
より可能となり、また、効率の良い発散作用を得るため
には、変調電極材が10W/m・Ｋ以上の熱伝導率を有する
導電性材料である必要がある。

また、絶縁層の厚さが0.1〜200μｍの範囲であれば放
熱作用への寄与率が高くなり、さらに加えて電子放出素
子の電子線放出方向での厚さが、0.1〜200μｍの範囲で
あればより好ましい放熱作用を得ることができる。尚、
素子等の幅方向の寸法については、その集積化に応じて
適宜好ましい寸法とするのが良い。

上述のような構成を有する本発明の電子線発生装置を
用いた本発明の画像形成装置にあっては、長時間の駆動
においても画像の輝度，コントラスト等の劣化のない優
れた画像表示を得ることが可能となる。

［作用］本発明においては、従来別体として設けていた変調電
極を、絶縁性基板を媒介として電子源と一体（電子源の
下方あるいは同一面上）に設けた構造とすることで、電
子源と変調電極のアライメントが容易になる。すなわ
ち、従来の別体置き変調電極では、電子源から一定の間
隔を取ってかかる変調電極を設けているため、その若干
のずれが、画像形成部に達する電子ビームの飛翔に大き
な影響を与えていた。

まさしくこの問題を解消できる作用が、本発明に用い
られる変調電極にはある。

また、本発明の特徴であるところの10W/m・Ｋ以上の
熱伝導率を有する導電性材料から成る変調電極とするこ
とで、電子放出部で発生した熱を変調電極を介してただ
ちに放熱させ、放出部の温度上昇を極めて小さく抑える
ことを可能としている。

さらに、放熱効果を変調電極に具備させるため、変調
電極は極力放出部に近接させることが望ましく、これは
変調電圧の低減にも有効に作用することになる。

次に、本発明の電子線発生装置を用いた画像表示装置
の一態様例を第７図を基に述べる。

第７図は表示パネルの構造を示しており、図中、47は
ガラス製の真空容器で、その一部である41は表示面側の
フェースプレートを示している。フェースプレート41の
内面には、例えばITOを材料とする透明電極が形成さ
れ、さらにその内側には、赤，緑，青の蛍光体（画像形
成部材）がモザイク状に塗り分けられ、CRTの分野では
公知のメタルバック処理が施されている。また、前記透
明電極は、加速電圧を印加する為に端子を通じて、真空
容器外と電気的に接続されている。

また、前記真空容器47の底面には、本発明の電子線発
生装置が固定されている。１はガラス基板（絶縁性基
体）で、その上面には電子放出素子がＮ個×ｌ列にわた
り配列形成されている。該電子放出素子群は、列毎に電
気的に並列接続されており、各列の正極側配線44（負極
側配線45）は、端子D_p1〜D_pl（端子D_m1〜D_ml）によって
真空容器外と電気的に接続されている。

また、該基板１を介して、基板１の裏面にはグリッド
電極（変調電極）５が設けられている。かかるグリッド
電極（変調電極）５は、前記素子列と直交してＮ本設け
られており、また、各グリッド電極（変調電極）５は、
端子46（G₁〜G_N）によって真空容器外と電気的に接続さ
れている。

本表示パネルでは、ｌ個の電子放出素子列（線電子放
出素子）と、Ｎ個のグリッド電極（変調電極）列によ
り、XYマトリクスが構成されている。上記電子放出素子
列を一列づつ順次駆動（走査）するのと同期してグリッ
ド電極（変調電極）に情報信号に応じて画像１ライン分
の変調信号を同時に印加することにより、各電子ビーム
の蛍光体への照射を制御し、画像を１ラインづつ表示し
ていくものである。

以上述べた画像表示装置は、先述した本発明の電子線
発生装置の有する利点に起因して、とりわけ高解像性，
輝度むらがなく、高輝度の高コントラストの表示画像が
得られる画像表示装置となる。

［実施例］以下、本発明の実施例を具体的に説明する。

実施例１第１図は、本発明の第１の実施形態を示す電子線発生
装置の部分断面図である。

同図において、１は絶縁性シリコン基板、２はSiO₂薄
膜から成る絶縁層、３は表面伝導形電子放出素子の素子
電極、４は電子放出部、５は変調電極である。同図中の
５が本発明の特徴とするところであり、かかる変調電極
５がシリコン基板裏面まで露出しており、変調電極の配
線を兼ねている。また、素子電極３と変調電極５とは絶
縁層２によって電気的に絶縁されている。

次に、本実施例装置の製造方法を、第２図を用いて略
述する。

．先ず、充分洗浄，乾燥した絶縁性シリコン基板１上
に、RFスパッタ法を用いて絶縁層２としてのSiO₂薄膜を
５μｍ、基板温度250℃において蒸着した。

．次に、上記で得られたシリコン基板１裏面に、通
常のフォトリソグラフィ技術を用いてレジストを形成し
た後、真空蒸着によりCr/Ni/Cr薄膜（保護マスク）６を
形成した。

．次に、加熱したKOH液中に上記シリコン基板を入
れ、シリコン基板裏面の一部をエッチング除去し、Cr/N
i/Cr薄膜６をマスクとして穴７を開けた。このとき、シ
リコンとSiO₂とのエッチングレートの違いによって、シ
リコンはSiO₂部までエッチングされた。

．次に、上記シリコン基板表面上に、フォトリソグラ
フィ技術を用いて素子電極３を形成した。用いた材料は
Ni（厚さ約1000Å）であり、素子電極３の間のギャップ
は約２μｍである。

．次に、上記素子電極間及び電極上に有機パラジウム
（奥野製薬工業製ccp4230cs）を塗布，焼成し、電子放
出部４を形成した。

．次に、シリコン基板裏面のCr/Ni/Cr薄膜６を除去し
た後、裏面から基板全面に印刷により厚さ約600μｍのC
r薄膜を形成して変調電極５とし、電子線発生装置を完
成した。

以上により得られた電子線発生装置を１×10^-6Torrの
真空環境下において、第３図に示す測定系を用いて放出
電流を測定した。尚、この時の引き出し電圧は1KV、素
子電圧は14V、引き出し電極は素子電極の上方5mmに配置
した。

本実施例における１素子あたりの放出電流値及び放熱
部位の存在しない場合（比較例）における電流値の結果
を以下の表１に示す。

実施例２第４図は、本発明の第２の実施例であるところの、本
発明に係る素子を用いた画像表示装置である。

本実施例で作製した画像表示装置は、先ずガラス基板
１上にCr/Ni/Cr薄膜を用いて変調電極５を形成し、次に
基板全面にSiO₂絶縁層２を形成した上で、表面伝導形電
子放出素子を並べた素子列を変調電極５と直交する形で
形成し、最後に放熱作用を兼ねる変調電極配線を形成し
て電子線発生装置を得た。尚、素子列はＹ方向に25素
子、Ｘ方向に25ラインとし、計625素子から成る電子源
とした。

そして、かかる電子線発生装置の上方5mmの位置に、
ガラス基板11上に蛍光体13が塗布されたフェースプレー
トを設けた。該画像表示装置を１×10^-6Torrの真空環境
下において、素子配線電極８と変調電極５でXYマトリク
スを形成した。

上記画像表示装置の各素子列に順次＋14Vの電圧を印
加し、各電子放出部４から電子を放出させ、変調電極５
に適当な電圧を印加ることにより、電子放出素子から電
子を引き出し、蛍光体13に電子を衝突させた。尚、蛍光
体13を設けた画像形成部材には、500〜10000Vの電圧を
印加した。

本実施例において画像形成部材上に受光素子を設け明
るさを測定したところ、30時間経過後も目立った低下は
なかった。

実施例３第７図は本発明の他の実施例として画像表示装置を示
す斜視図である。５は変調電極、３は素子電極、４は電
子放出部、８は配線電極、41はフェースプレートであ
る。

電子放出素子をライン状に2mmピッチで複数配列し、
かつ複数の変調電極５を該ライン状電子放出素子に直交
し配列し、配線電極８であるCuを厚さ２μｍに積層した
以外は実施例１と全く同様の方法にて基板１である青板
ガラス（市川特殊ガラス社製）上に電子線発生装置を形
成した。

次に画像形成部材である蛍光体を有するフェースプレ
ート41を基板１から5mm（＝ｌ）離して設け、画像表示
装置を作製した。

蛍光体面に1.5KVの電圧を印加し、一対の配線電極８
に14Vの電圧パルスを印加しライン状に並べた複数の電
子放出素子から電子を放出させた。と同時に情報信号と
して変調電極群に電圧を印加することにより電子ビーム
をON/OFF制御した。

更にこの隣りの配線電極に電圧パルスを印加し前述の
一ライン表示を行なった。これを順次行い一画面の画像
を形成した。つまり配線電極を走査電極として走査電極
と変調電極でXYマトリクスを形成し画像表示が可能であ
った。

［発明の効果］以上述べた本発明の電子線発生装置は、変調電極と電
子放出素子との位置合せが容易である為、その作製が簡
単である上、従来にくらべて充分な電子放出量が得ら
れ、駆動時の意図せぬ電子放出量の変動や複数の電子ビ
ーム間での変調むらが著しく改善された。

又、本発明の電子線発生装置を用いた画像形成装置に
おいては、表示画像のコントラストに優れており、高輝
度でかつ輝度むらの少ない画像形成装置であった。

さらに、絶縁性基板を媒体として、電子放出素子と変
調電極を一体に形成せしめ、かつ、変調電極を放熱部材
として用いる本発明の電子線発生装置及びこれを用いた
画像形成装置によれば、以下のような効果がある。

（１）．基板温度上昇がかなり抑制できるため、素子特
性が劣化しない。

（２）．駆動等による外的制御がいらないため、素子に
とって最適な駆動方法がとれる。

（３）．放熱板等を設ける必要がなく、構成が単純であ
る。

（４）．変調電極が放熱手段を兼ねるため、高密度配置
が可能となる。

【図面の簡単な説明】第１図は、本発明の電子線発生装置の一例を示す部分断
面図である。第２図は、第１図に示す電子線発生装置の製造工程を示
す図である。第３図は、特性評価装置の概略図である。第４図は、実施例２で示した画像表示装置の部分斜視図
である。第５図及び第６図は、従来の電子放出素子を用いた画像
表示装置の概略図である。第７図は、本発明の電子線発生装置を用いた画像表示装
置の一例を示す構成図である。１……絶縁性基板、２……絶縁層３……素子電極、４……電子放出部 5,9……変調電極、６……保護マスク７……穴（変調電極形成部）、８……配線電極 10……電子通過孔、11……ガラス板 12……支持体、13……蛍光体 14……フェースプレート、15……蛍光体の輝点 41……フェースプレート、44……配線端子 46……変調電極端子、47……真空容器 91……基板、92……変調電極 93……熱電子源、94……上偏向電極 95……下偏向電極、96……透明電極と蛍光体

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｊ 29/62 Ｈ０１Ｊ 29/62 31/12 31/12 Ｃ (72)発明者三品伸也東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者小野治人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者鱸英俊東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭62−6718（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01J 1/30 H01J 31/12 - 31/15 H01J 29/04,3/08,29/62

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、電子放出素子と、該電子放出素
子から放出される電子ビームを情報信号に応じて変調す
る変調電極とを有する電子線発生装置において、前記電
子放出素子が、前記変調電極上に絶縁層を介して積層配
置されており、該変調電極は、熱伝導率10W/m・Ｋ以上
の導電性材料からなり、該基板の裏面の一部から露出し
ていることを特徴とする電子線発生装置。
【請求項２】前記絶縁層の厚さが、0.1〜200μｍである
ことを特徴とする請求項１記載の電子線発生装置。
【請求項３】前記電子放出素子の電子線放出方向での厚
さが、0.1〜200μｍであることを特徴とする請求項１又
は２記載の電子線発生装置。
【請求項４】前記電子放出素子が、基板面に沿って並設
された電極間に、該電極を介して電圧が印加される電子
放出部を有する電子放出素子であることを特徴とする請
求項１〜３いずれかに記載の電子線発生装置。
【請求項５】前記電子放出素子が、表面伝導形電子放出
素子であることを特徴とする請求項４に記載の電子線発
生装置。
【請求項６】前記電子放出素子の複数が結線された線状
電子放出素子の複数と、前記変調電極の複数とがXYマト
リクス構成していることを特徴とする請求項１〜５いず
れかに記載の電子線発生装置。
【請求項７】請求項１〜６いずれかに記載の電子線発生
装置の製造方法であって、前記変調電極を形成する工程
が、前記基板の裏面の一部を除去した後、除去した領域
に該変調電極材料層を形成する工程を有することを特徴
とする電子線発生装置の製造方法。
【請求項８】請求項１〜６いずれかに記載の電子線発生
装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像
を形成する画像形成部材を設けたことを特徴とする画像
形成装置。