JP2974619B2 - 大型基板の乾燥方法および乾燥装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一面に所定パター
ンで厚膜ペーストが塗布された大型基板を乾燥するため
の大型基板の乾燥方法および乾燥装置の改良に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、プラズマ・ディスプレイ・パネ
ル（ＰＤＰ）用基板、蛍光表示管（ＶＦＤ）の陽極基
板、プラズマ・アドレスド液晶表示装置（ＰＡＬＣパネ
ル）のプラズマスイッチング基板、フィールドエミッシ
ョン表示装置（ＦＥＤ）用基板等の表示デバイス用基
板、厚膜配線基板、或いはサーマルプリンタヘッドやイ
メージセンサ等の電子デバイス用基板等においては、ガ
ラスやセラミックス等から構成される基板上に、それら
の基板に所定の機能を付与するための金属や無機材料等
に必要に応じてガラスボンド成分が添加されて成る構成
要素が所定パターンで設けられる。例えば、ＰＤＰ用基
板等の表示デバイス用基板においては、放電空間を形成
し或いは発光空間を区画するための隔壁や電極、蛍光体
層等が設けられ、厚膜配線基板や電子デバイス用基板等
においては、導体配線や絶縁膜、抵抗体等が設けられ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の各構成要素は、
一般に、厚膜ペーストを用いた所謂厚膜印刷法によって
基板上に印刷形成されて設けられる。この厚膜ペースト
には、一般に、上記の構成要素成分に加えて、印刷形成
後に所定の形状を保持するための例えばエチルセルロー
スやアクリル等の熱分解性のよい高分子化合物（樹脂成
分）と、印刷に適した所定の粘性を与えるための例えば
テルピネオールやカルビトールアセテート等の溶剤とが
含まれる。

【０００４】ところで、厚膜印刷法においては、基板上
に厚膜ペーストを所定パターンで印刷した後、例えば数
百 (℃) 程度の所定温度で加熱処理することにより、そ
のガラスボンド成分の溶融や材料自体の軟化、溶融、或
いは焼結によって、所定の機能を有する構成要素が基板
上に固着される。このとき、上述のように厚膜ペースト
には所定の粘性を与えるための溶剤が含まれていること
から、上記の加熱処理に先立って、その溶剤を除去する
乾燥処理が行われる。これにより、加熱処理炉内で溶剤
蒸気濃度が高まることが防止される一方、印刷膜が強固
になることから、加熱処理前の基板の取扱いが容易にな
ると共に、印刷工程を繰り返して厚膜ペーストを積層
し、或いは別パターンで厚膜ペーストを印刷することが
可能となる。

【０００５】一般に、厚膜ペーストの乾燥過程において
印刷膜は、温度上昇に伴う樹脂の粘性低下によって軟化
作用を与えられる一方、溶剤の蒸発によって硬化作用を
与えられる。これらの軟化および硬化作用による印刷膜
形状への影響の度合いは特に昇温速度によって変化し、
昇温速度が遅い程軟化する傾向にあると考えられる。そ
のため、乾燥過程において基板の面内で大きな温度差
（温度分布）が生じると、印刷膜の高さや幅が不均一と
なって、厚膜形成される構成要素の所望の機能を得るこ
とが基板が大型となる程困難になる。すなわち、乾燥処
理は、基板の面内の温度分布を可及的に均一に保ちつつ
実施されることが望まれるのである。

【０００６】従来、上記の乾燥処理は、例えば、図１乃
至図３に示されるような乾燥機を用いて熱風循環或いは
棒状ヒータで加熱することによって行われていた。例え
ば、図１に示されるバッチ式乾燥機では、各バッチ毎
に、炉室内に基板１０を入れて熱風を循環させることに
より所定温度まで昇温し、その温度で所定時間保持した
後、送風或いは自然放冷によって冷却して基板１０を炉
室外に取り出すことによって乾燥処理が行われる。この
とき、基板の中央部では温度が上昇し難いことから、昇
温速度はその中央部の温度上昇速度に合わせた低速度と
なる。そのため、昇温に多大な時間を要することとなっ
て、バッチ毎に昇降温が必要であることと相俟って、基
板１枚当たりの処理時間が極めて長くなるという問題が
ある。

【０００７】また、図２に示される連続乾燥機では、一
方向に沿って（図においては右方向）設けられた各領域
１２，１４，１６が昇温、保持、降温の各過程を分担
し、基板１０は、その一方向に沿って搬送される過程で
昇降温させられる。そのため、バッチ毎の昇降温は不要
である。しかしながら、このような連続乾燥機では、基
板１０を搬送する過程で所定の温度曲線に従って昇降温
させるために、昇温領域１２および降温領域１６におい
て上記の一方向に沿って温度勾配が設けられる。そのた
め、その温度勾配によって基板１０の搬送方向前後に温
度分布が生じることを抑制するためには、例えば昇降温
領域１２，１６を長く設けて昇降温速度を低下させる必
要があって、基板１枚当たりの処理時間が長くなる。

【０００８】また、図３に示される半バッチ式連続乾燥
機では、上下方向に移動可能とされて下端位置において
炉室内を第１室１８、第２室２０、第３室２２に区画す
るための仕切り２４，２４が一方向に沿って複数箇所に
設けられている。この乾燥機においては、第１室１８、
第２室２０、第３室２２で順次停止するように間歇的に
基板１０が移動させられ、各室１８、２０、２２は、仕
切り２４、２４で相互に略独立させられた状態で熱風或
いは冷風が循環させられることにより、それぞれ予め定
められた所定温度とされる。このため、基板１０に搬送
方向の温度分布は生じ難いが、各室１８、２０、２２の
設定温度を相互に大きく異なるものとすると、基板１０
は移動直後に昇温速度の速い温度曲線に従って昇温させ
られることから、基板１０の中央部が周縁部に比較して
温度上昇し難いことに起因する温度分布が生じ得る。し
たがって、各室１８，２０，２２相互の温度差を小さく
して急昇温を避けるためには、昇温領域を多く設ける必
要があることから、この場合にも１枚当たりの処理時間
が長くなるのである。

【０００９】すなわち、図４に昇温時間と基板温度との
関係を模式的に示すように、上記従来の乾燥機では、昇
温時間を短くすると基板１０の面内での最高温度と最低
温度との差ΔＴが大きくなる傾向にあり、反対に温度差
ΔＴを小さくしようとすると昇温時間が長くなる傾向に
あることから、何れも基板１０の面内の温度分布を均一
にしようとすると乾燥時間が長くなるという欠点を有し
ていた。なお、上述のように基板１０は中央部で温度上
昇し難いことから、図４において、最高温度は基板の周
縁部で得られ、最低温度は基板の中央部で得られること
となる。しかも、上記の欠点は例えば40インチ程度以上
の大表示面のＰＤＰ用基板を製造する場合のように、基
板１０が大型化する程温度分布が生じ易くなって顕著と
なる。しかしながら、印刷膜が軟化させられない程、印
刷形状からの変形が小さくされて各構成要素を高精度で
形成し得ることとなり、しかも、基板の面内における温
度分布を小さくするために多大な乾燥時間が必要となる
ことは生産性の面から好ましいことではないため、昇温
時間は短い程好ましいのである。

【００１０】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的とするところは、厚膜印刷に
よってパターン形成された大型基板を乾燥するに際し
て、面内の温度分布を均一にしつつ短時間で乾燥し得る
乾燥方法および乾燥装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための第１の手段】斯かる目的を達成
するため、第１発明の乾燥方法の要旨とするところは、
溶剤を含む厚膜ペーストが所定パターンで塗布された大
型基板を乾燥する方法であって、(a) 前記大型基板を一
方向に沿って設けられた複数の停止位置に間歇的に移動
させる移動工程と、(b) 前記複数の停止位置の各々にお
いて、前記大型基板を構成する複数の領域毎に各々の温
度上昇特性に応じて温度上昇し難い領域程高い放射照度
の遠赤外線をその大型基板に対向する遠赤外線放射体を
備えた遠赤外線ヒータから照射することにより前記大型
基板を均一に加熱する加熱工程と、(c)前記複数の停止
位置の各々において、前記加熱と同時に前記遠赤外線ヒ
ータの裏面側から該遠赤外線ヒータを通して前記大型基
板の中央に向かって空気を供給する送風工程とを、含む
ことにある。

【００１２】

【発明の効果】このようにすれば、大型基板は一方向に
沿って間歇的に搬送される過程で複数の停止位置に順次
停止させられ、そこで遠赤外線を照射されて加熱される
と同時に遠赤外線ヒータを通してその中央部に向かって
空気を供給されることによって乾燥させられる。このと
き、その大型基板に照射される遠赤外線は、大型基板を
構成する複数の領域毎に各々の温度上昇特性に応じて温
度上昇し難い領域程高い放射照度とされて、大型基板が
均一に加熱される。遠赤外線を利用して加熱する場合に
は、大型基板の各領域毎に入射させられる遠赤外線でそ
の各領域がそれぞれ直接的に加熱されることから、その
各領域はその遠赤外線の入射量に応じた速度でそれぞれ
昇温させられる。そのため、温度上昇し難い領域程、放
射照度すなわち単位時間・単位面積当たりの放射エネル
ギの入射量（ｄΦ_e ／ｄＡ[W/m²]）すなわち入射エネル
ギ密度或いは入射エネルギ強度を大きくすることによっ
て、各領域の温度上昇速度が略均一となるように加熱で
きる。しかも、加熱の際同時に大型基板の中央に向かっ
て供給される空気はその中央から周縁部に向かって流れ
ることから、厚膜ペースト中の溶剤から乾燥時に発生す
る分解ガスがその大型基板上から積極的に除去されてそ
の近傍に滞留することが抑制されるため、溶剤の分解が
促進される。したがって、大型基板の面内における温度
分布を均一にしつつ速やかに昇温させて、短時間で大型
基板を乾燥することが可能となる。

【００１３】

【第１発明の他の態様】ここで、好適には、前記の大型
基板の乾燥方法において、(c-2) 前記送風工程は、前記
供給した空気を前記大型基板の下方から外部に排出する
ものである。このようにすれば、大型基板を乾燥する際
の空気の流れが専ら上方から下方に向かうことから、大
型基板表面における溶剤の分解ガスの濃度が一層低く保
たれるため大型基板が一層均一に乾燥させられると共
に、その空気の流れによる塵埃の舞上がりが抑制されて
高いクリーン度の下で乾燥処理を施すことができる。

【００１４】

【課題を解決するための第２の手段】また、前記目的を
達成するための第２発明の乾燥装置の要旨とするところ
は、溶剤を含む厚膜ペーストが所定パターンで塗布され
た大型基板を乾燥するための大型基板の乾燥装置であっ
て、(a) 前記大型基板を予め定められた複数の停止位置
毎に停止させつつ一方向に沿って所定のサイクルで間歇
的に搬送するための搬送装置と、(b) 前記複数の停止位
置の各々において遠赤外線放射体が前記大型基板に対向
するように設けられ、該遠赤外線放射体から放射される
遠赤外線の放射発散度が予め定められた所定区画毎に制
御される複数の遠赤外線ヒータと、(c)その遠赤外線放
射体の所定区画毎に放射される遠赤外線の放射発散度
を、前記大型基板を構成する複数の領域毎に各々の温度
上昇特性に応じて温度上昇し難い領域程照射される遠赤
外線の放射照度が高くなるように該複数の遠赤外線ヒー
タ毎に制御するための制御装置と、(d) 前記複数の停止
位置の各々において前記遠赤外線ヒータの裏面側に備え
られ、該遠赤外線ヒータを通してその大型基板の中央に
向かって空気を供給するための送風装置とを、含むこと
にある。

【００１５】

【第２発明の効果】このようにすれば、搬送装置は大型
基板を一方向に沿って間歇的に搬送する過程で複数の停
止位置に順次停止させるが、複数の停止位置の各々には
その大型基板に対向する遠赤外線放射体を有する遠赤外
線ヒータが備えられているため、そこで遠赤外線ヒータ
から遠赤外線が照射されることによってその大型基板が
乾燥させられる。このとき、その遠赤外線放射体は、遠
赤外線の放射発散度すなわち単位時間・単位面積当たり
の放射エネルギの発散量（ｄΦ_e ／ｄＡ[W/m²]）が予め
定められた所定区画毎に制御装置によって制御されるも
のであるため、大型基板に照射される遠赤外線の放射発
散度を、大型基板を構成する複数の領域毎に各々の温度
上昇特性に応じて温度上昇し難い領域程大きくできる。
遠赤外線の放射発散度は、遠赤外線放射体の表面温度の
４乗に比例することから、その温度を上記所定区画毎に
制御することにより、放射発散度をその所定区画毎に制
御できるのである。したがって、大型基板の各領域の温
度上昇速度を略均一にできる。しかも、上記停止位置の
各々には更に送風装置が備えられているため、加熱の際
同時に大型基板の中央に向かって空気を供給することに
より、その中央から周縁部に向かう空気の流れで厚膜ペ
ースト中の溶剤から乾燥時に発生する分解ガスがその大
型基板上から積極的に除去される。そのため、その分解
ガスがその近傍に滞留することが抑制されることから、
溶剤の分解が促進される。したがって、温度分布の発生
を抑制しつつ昇温速度を一層速くすることが可能となっ
て、乾燥処理時間を短くすることが可能となる。

【００１６】

【第２発明の他の態様】ここで、好適には、前記の大型
基板の乾燥装置は、(e) 前記送風装置から供給された空
気を外部に排出するために前記大型基板の下側に設けら
れた排気口を更に含むものである。このようにすれば、
大型基板中央に向かって供給された空気がその大型基板
の下側に設けられた排気口に向かわせられるため、乾燥
装置内の空気の流れが専ら上方から下方に向かうことと
なる。そのため、大型基板表面における溶剤の分解ガス
の濃度を一層低く保つことが可能になると共に、乾燥装
置内における空気の流れによる塵埃の舞上がりが抑制さ
れて高いクリーン度を得ることができる。

【００１７】

【００１８】

【００１９】また、好適には、前記遠赤外線放射体は、
少なくとも前記所定区画毎に独立させられた複数の矩形
放射体がマトリックス状に配列されたものである。この
ようにすれば、少なくとも別々に制御される所定区画毎
に遠赤外線放射体が独立させられるため、その所定区画
毎の放射発散度の制御が一層容易となって、大型基板の
温度分布を一層均一にすることができる。

【００２０】また、好適には、前記搬送装置は、前記複
数の停止位置において前記大型基板をそれぞれ支持する
ために設けられた固定支持部材と、その大型基板をその
固定支持部材による支持位置よりも上方で支持するため
に設けられた可動支持部材と、その可動支持部材を少な
くとも上記複数の停止位置の各々において、その固定支
持部材に対して前記大型基板に垂直な上下方向に相対移
動させるための上下移動装置と、その可動支持部材を前
記一方向に沿った前後方向に移動させるための前後移動
装置とを、含むものである。このようにすれば、大型基
板が停止位置において固定支持部材によって支持されて
いる状態で可動支持部材が相対的に上昇させられると、
その大型基板は、その固定支持部材に代わってその可動
支持部材に支持され、その可動支持部材が大型基板を支
持した状態で前方に隣接する停止位置に移動させられて
相対的に下降させられると、その大型基板がその停止位
置において固定支持部材に支持され、その後、可動支持
部材は後方に移動させられ、これが繰り返されることに
よって、所謂ウォーキングビーム駆動方法で大型基板が
一方向に沿って設けられた複数の停止位置に順次移動さ
せられる。そのため、可動支持部材の駆動機構である上
下移動装置および前後移動装置を乾燥室外に設けること
が可能となるため、大型基板が位置させられる乾燥室内
に、その大型基板を移動させるための駆動部を設ける必
要がなくなって、その移動に伴う乾燥装置構成部相互お
よび大型基板との摺動がなくなる。したがって、ベルト
コンベアやローラによって大型基板を移動させる場合に
比較して、一層高いクリーン度を得ることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、
各部の寸法比等は必ずしも正確に描かれていない。

【００２２】図５は、本発明の一実施例の乾燥装置３０
の構成を示す断面図である。図において、乾燥装置３０
は、加熱部３２と、その加熱部３２の下方に駆動機構が
位置させられた搬送部３４とを備えている。この乾燥装
置３０は、例えば、ガラスやセラミックス等から構成さ
れる例えば1000×600 (mm)程度の比較的大型の基板１０
に所定の機能を付与するための金属や無機材料等に必要
に応じてガラスボンド成分が添加されて成る構成要素
（例えば表示デバイス用基板においては隔壁や電極、蛍
光体層等、或いは電子デバイス用基板においては導体配
線や絶縁膜、抵抗体等）を厚膜印刷によって所定パター
ンで形成するに際して、印刷された厚膜ペーストを乾燥
する目的で用いられるものである。基板１０は、上記の
搬送部３４によって図の左方から右方に搬送され、その
過程において、加熱部３２によって所定温度に加熱され
て乾燥させられる。

【００２３】上記の加熱部３２は、基板１０から例えば
200 (mm)程度の所定距離隔ててその基板１０と平行とな
るように炉室３６内に備えられて、その基板１０に向か
って遠赤外線を放射する例えば３つの遠赤外線マトリッ
クスヒータ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ（以下、特に区別し
ないときは単にヒータ３８という）と、そのヒータ３８
を制御する制御装置４０と、炉室３６内に冷気或いは熱
気を供給するためにヒータ３８ａ，３８ｂ，３８ｃの上
側にそれぞれ備えられたダウンブローユニット４８ａ，
４８ｂ，４８ｃ（以下、特に区別しないときは単にダウ
ンブローユニット４８という）とから構成される。な
お、上記３つのヒータ３８は、後述のように各停止位置
８０の直上に設けられており、停止位置８０ａ、８０
ｂ、８０ｃがそれぞれ温度曲線の昇温、保持、降温の各
温度領域に対応して、例えば120 〜180(℃) の範囲の保
持温度が得られるように、それぞれ異なる温度に設定さ
れる。

【００２４】上記のヒータ３８は、例えば、図６に基板
１０との上下位置関係を反対とし、且つそれらの相互間
隔ｄを拡大した状態で示されるように、多数（本実施例
においては５４個）の面状ヒータ４２がマトリックス状
に配列されたものである。個々の面状ヒータ４２は、例
えば120 ×120 (mm)程度の大きさの矩形表面を有する遠
赤外線放射体４４の背面側に後述の図１０に示されるよ
うに発熱体１３６をそれぞれ備えている。ヒータ３８に
は、例えば130 〜150 (mm)程度の中心間隔をもって図に
おける右上がり方向に沿って並ぶ６本の長手状支持部材
４６が備えられており、上記の面状ヒータ４２は、この
長手状支持部材４６上にそれぞれ９個ずつ取り付けられ
ることによって全体がマトリックス状に配列されてい
る。

【００２５】上記発熱体１３６は、それぞれ図５に示さ
れる制御装置４０によって独立に駆動されるものであ
り、予め定められた面状ヒータ設定温度と、面状ヒータ
４２の放熱面またはその近傍に設けられた熱電対等から
構成される多数の温度センサ４７によって検出された面
状ヒータ４２の表面温度すなわち遠赤外線放射体４４の
表面温度とに基づいて、その発熱体１３６に通電する電
流値が変化させられることにより、それぞれの遠赤外線
放射体４４から放射される遠赤外線のエネルギ量すなわ
ち放射発散度が調節される。すなわち、本実施例におい
ては、ヒータ３８が遠赤外線ヒータに相当し、遠赤外線
放射体４４をそれぞれ備えてマトリックス状に配列され
た相互に独立する複数の面状ヒータ４２からそのヒータ
３８が構成され、その面状ヒータ４２が個々に制御され
ることにより、遠赤外線放射体４４から放射される遠赤
外線の放射発散度が所定区画毎に制御されて、例えば20
0 (mm)程度の所定距離ｄだけ隔てて位置する基板１０に
入射させられる遠赤外線の放射照度が基板１０を構成す
る各領域１４０毎に制御されるようになっている。した
がって、本実施例においては、放射発散度を制御する区
画は面状ヒータ４２毎に形成されており、基板１０に入
射させられる遠赤外線の放射照度はその面状ヒータ４２
の境界に対応して形成される図６に破線で示される領域
１４０毎に制御されることとなる。なお、複数の面状ヒ
ータ４２によって構成されるヒータ３８の面積は、乾燥
装置３０内で乾燥される種々の大きさの基板１０のうち
の最大のもの（例えば1000×600 [mm]程度）よりも例え
ば面状ヒータ４２の１枚分程度の幅（すなわち各辺で12
0 [mm]程度）だけ大きな面積となるように設定されてお
り、その個数すなわちヒータ３８の分割数は、後述のよ
うに所望の温度分布を得るために必要な制御区画数に応
じて定められている。

【００２６】また、前記のダウンブローユニット４８
は、図示しないエア供給源に接続されているダクト５０
と、そのダクト５０を介して供給されるエアを必要に応
じて加熱するための加熱ヒータ５２と、そのエアから塵
埃を除去するためのフィルタ５４とをそれぞれ備えてお
り、開口５６を介して炉室３６内に清浄な冷気或いは熱
気を供給するものである。このダウンブローユニット４
８は、図に示されるようにヒータ３８の背面に向かって
空気を供給するように配置されているが、ヒータ３８を
構成する複数の長手状支持部材４６相互の間には10(mm)
程度の隙間が設けられていることから、その背面に供給
された空気は、その隙間を通ってヒータ３８の下側に位
置する基板１０の中央に吹きつけられることとなる。し
たがって、本実施例においては、ダウンブローユニット
４８が送風装置に相当する。このとき、ダウンブローユ
ニット４８によって基板１０上に供給されるエア量は、
例えばそれぞれ 2(m³/分) 以下程度である。ダウンブロ
ーユニット４８の開口面積は例えば1(m²) 程度であるこ
とから、空気は風速2(m/分) 以下程度で供給されること
となる。なお、炉室３６内に供給された空気は、炉床７
０に設けられている排気口５７およびそれに続く排気管
を介して外部に排出される。また、ヒータ３８は、長手
状支持部材４６の長手方向が基板１０の搬送方向と垂直
となるように、すなわち図５において紙面と垂直となる
ように、図６に示される両端部５８、６０において炉体
６２に支持されている。

【００２７】また、前記の搬送部３４は、炉室３６内を
通って炉体６２の前後すなわち基板１０の搬送方向に延
びる互いに平行な３本の固定ビーム６４と、それら固定
ビーム６４に沿ってそれらの間に位置する互いに平行な
一対の可動ビーム６６とを備えている。図７に図５にお
けるVII −VII 視断面を示されるように、炉体６２に
は、基板１０の搬送方向（すなわち図５における左右方
向）に延びる一対の長手状溝６８、６８が炉床７０に形
成されている。３本の固定ビーム６４ａ、６４ｂ、６４
ｃ（以下、特に区別しないときは単に固定ビーム６４と
いう）は何れも炉床７０から立設された棒状の支持部材
７２上に固定されているが、両側に位置する２本（６４
ａ，６４ｃ）はその長手状溝６８、６８の外側に、残る
１本（６４ｂ）はその長手状溝６８、６８によって炉体
６２から分離されている部分の中央にそれぞれ位置させ
られている。また、２本の可動ビーム６６ａ，６６ｂ
は、長手状溝６８、６８内において炉床７０を貫通する
ように設けられている可動支持部材７４上に固定されて
おり、可動ビーム６６ａが固定ビーム６４ａの近傍に、
可動ビーム６６ｂが固定ビーム６６ｃの近傍にそれぞれ
位置させられている。なお、図７においてはヒータ３８
およびダウンブローユニット４８等が省略して示されて
いる。

【００２８】上記の固定ビーム６４および可動ビーム６
６には、それぞれ複数本の固定ピン７６および可動ピン
７８が固着されている。図５に示されるように、乾燥装
置３０の炉室３６内には、３つのヒータ３８の直下の位
置に基板１０の搬送方向に連なる３つの停止位置８０
ａ、８０ｂ、８０ｃ（以下、特に区別しないときには単
に停止位置８０という）が設けられており、基板１０
は、図の左方から右方に搬送される過程において、その
３つの停止位置８０に順次停止させられるようになって
いる。その停止位置８０のそれぞれにおいては、炉室３
６内で左端に位置する基板１０について示されるよう
に、基板１０は複数本の固定ピン７６によって支持され
ている。なお、炉室３６内においては固定ビーム６４が
部分的に省略して示されているが、その省略部分に位置
する他の２枚の基板１０、１０も同様に固定ピン７６に
よって支持されている。

【００２９】また、前記の可動支持部材７４は、基板１
０の搬送方向に延びる一対の可動フレーム８２、８２上
に固定されている。この可動フレーム８２、８２は、長
手方向の３か所に設けられた桟８４によって相互に連結
されると共に、長手方向の２か所において、下端部にロ
ーラ８６を備えた一対のフレーム支持部材８８がそれぞ
れ外側に取り付けられている。このフレーム支持部材８
８のローラ８６は、可動フレーム８２の下方に位置する
一対のレール９０、９０に、その上下から挟み込むよう
に係合させられている。このため、フレーム支持部材８
８がレール９０上を滑動させられることによって、可動
フレーム８２が基板１０の搬送方向の前後に移動させら
れるようになっている。

【００３０】また、上記のレール９０上には、前記の制
御装置４０によって駆動制御される前後移動用モータ９
２が取り付けられており、同様にレール９０上に固定さ
れた一対の軸受け９４、９４によって支持されているネ
ジ軸９６が、そのモータ９２に連結されてその軸心回り
に正転および逆転させられるようになっている。前記の
可動フレーム８２には、下方に延びて先端部に雌ねじ穴
を有するナット９８が取り付けられており、そのナット
９８がネジ軸９６に嵌め込まれている。このため、可動
フレーム８２は、モータ９２が回転させられてナット９
８がネジ軸９６上をその軸心方向に移動させられること
によって、フレーム支持部材８８がレール９０上を滑動
させられつつ長手方向の前後何れかに移動させられる。

【００３１】また、レール９０、９０の長手方向の両端
部および中央部の３位置には、そのレール９０から下方
に延びる突片１００がそれぞれ設けられると共に、その
長手方向と垂直かつ水平方向に延びるクランク軸１０２
ａ、１０２ｂ、１０２ｃ（以下、特に区別しないときは
単にクランク軸１０２という）がそれぞれフレーム１０
３上に固定された一対の軸受け１０４によって支持され
て設けられている。なお、図７において省略されている
左方に位置する一方の軸受け１０４は、ネジ軸９６およ
び固定ビーム６４の軸心を通る平面に関して右方の軸受
け１０４と対称位置に設けられている。それぞれのクラ
ンク軸１０２には、レール９０、９０の間の位置におい
て、それぞれに設けられている突片１００に向かって延
びる第１アーム１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ（以下、
特に区別しないときは単に第１アーム１０６という）が
相対回動不能に固定されており、その第１アーム１０６
と突片１００とは、クランク軸１０２に平行な軸心回り
の相対回動可能にそれぞれ係合されている。また、それ
ぞれのクランク軸１０２には、図７において右側に位置
するレール９０の外側位置において上方に向かって延び
る第２アーム１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ（以下、特
に区別しないときは単に第２アーム１０８という）が相
対回動不能に固定されている。３つの第２アーム１０８
は、その上端部がレール９０と平行に延びるクランク連
結棒１１０にそれぞれ相対回動可能に取り付けられるこ
とによって相互に連結されている。

【００３２】レール９０の長手方向の中央に位置するク
ランク軸１０２ｂには、図７に示されるように第２アー
ム１０８ｂの更に外側位置に、その第２アーム１０８ｂ
と同様な形状を為して上方に向かって延びる第３アーム
１１２が相対回動不能に取付けられている。図８に図７
におけるVIII−VIII視断面の要部を示すように、第３ア
ーム１１２の先端部はモータ９２の近傍に固定されてい
る昇降用エアシリンダ１１４のロッド１１６先端部に取
り付けられている。これら第３アーム１１２とロッド１
１６とは、クランク軸１０２に平行な回動軸回りの相対
回動可能である。なお、上記のシリンダ１１４は、フレ
ーム１０３上に固定されているシリンダ支持部材１１８
の先端部に、クランク軸１０２に平行な回動軸回りの相
対回動可能に取り付けられており、ロッド１１６の突き
出しおよび引き込みに伴って第３アーム１１２が回動さ
せられることに起因するそのロッド１１６先端の高さ変
化が吸収されるようになっている。

【００３３】前記の図５および上記の図８は、上記のシ
リンダ１１４からロッド１１６が最も突き出した状態を
示している。図に示される状態からロッド１１６が引き
込まれると、その引き込みに伴って第３アーム１１２の
先端が図８における左方向に引っ張られることにより、
クランク軸１０２ｂが図８の左回りに回動させられる。
そのため、そのクランク軸１０２ｂに相対回動不能に取
り付けられている第２アーム１０８ｂが第３アーム１１
２と同様にクランク軸１０２ｂ回りの左回りに回動させ
られ、その先端が図５における左方向に移動させられ
る。ところが、第２アーム１０８ａ、１０８ｂ、１０８
ｃの先端部は、何れもクランク連結棒１１０に相対回動
可能に取り付けられていることから、第２アーム１０８
ｂの回動に伴ってクランク連結棒１１０がその長手方向
すなわち図の左方向に移動させられることとなる。その
ため、その第２アーム１０８ｂに同期して他の第２アー
ム１０８ａ、１０８ｃもクランク軸１０２回りに回動さ
せられることとなる。なお、上記のロッド１１６の最大
突き出し量は例えば50(mm)程度とされていることから、
そのロッド１１６が最も引き込まれるまでにクランク連
結棒１１０は50(mm)程度移動することとなる。

【００３４】このとき、クランク軸１０２には、それぞ
れ一対の第１アーム１０６が相対回動不能に取り付けら
れていることから、第２アーム１０８ａ、１０８ｂ、１
０８ｃが同期して回動させられるのに伴って、第１アー
ム１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃも同方向（左方向）に
回動させられることとなる。そのため、図９に第１アー
ム１０６ａについて拡大して示すように、３つの第１ア
ーム１０６の先端部が上昇させられることによって、突
片１００を介してレール９０が上昇させられることとな
る。なお、図は、実線がロッド１１６が引き込まれてレ
ール９０が最も上昇させられた状態を、一点鎖線がロッ
ド１１６が突き出させられてレール９０が最も下降させ
られた状態をそれぞれ示す。このため、ロッド１１６の
引き込みおよび突き出しに伴って、レール９０上に設け
られているモータ９２や可動フレーム８２、その可動フ
レーム８２上に設けられている可動ビーム６６等が一体
的に上昇および下降させられる。

【００３５】このとき、ロッド１１６の移動ストローク
すなわち第２アーム１０８ａの先端の水平方向移動スト
ロークｖは前述のように50(mm)程度であり、レール９０
の上下動ストロークｈは30(mm)程度となる。第２アーム
１０８と第１アーム１０６との長さの比は、これらの値
が得られるように定められているのである。そして、レ
ール９０が最も上昇させられた状態、すなわち可動ビー
ム６６が最も上昇させられた状態においては、炉室３６
内に位置させられている基板１０は、固定ビーム６４の
固定ピン７６に代えて可動ビーム６６の可動ピン７８に
よって支持されることとなる。すなわち、上記の上下動
ストロークｈは、可動ビーム６６が最も下降させられた
状態において可動ピン７８の先端が固定ピン７６の先端
よりも下側に位置し、可動ビーム６６が最も上昇させら
れた状態において可動ピン７８の先端が固定ピン７６の
先端よりも上側に位置するように定められている。

【００３６】図１０は、前記制御装置４０の構成を説明
する図である。前記のヒータ３８に設けられている温度
センサ４７によって検出された温度信号は、温度設定機
能および演算機能を備えた温度調節計１２４に入力され
る。この温度調節計１２４は、例えばマイクロコンピュ
ータによって構成されており、ＲＡＭの一時記憶機能を
利用しつつ予めＲＯＭに記憶されたプログラムに従っ
て、設定された温度制御データ並びに入力された温度信
号を処理して、ヒータ駆動回路１３４へ面状ヒータ４２
にそれぞれ備えられている発熱体１３６を駆動させるた
めの電圧信号を出力する。なお、図には温度センサ４７
乃至発熱体１３６が一組だけ示されているが、図６に示
されるように、ヒータ３８には多数の温度センサ４７が
備えられていることから、例えば上記の温度センサ４７
乃至発熱体１３６の回路が多数設けられる。また、制御
装置４０には、加熱時間、搬送速度、およびダウンブロ
ーの空気量等を設定する設定スイッチ１２０が設けられ
ていると共に、タイマ１２６が内蔵されており、それら
の設定信号やカウント信号、更には光電センサ等から構
成される位置検出センサ１４２からの位置信号が入力イ
ンターフェース１４４を介して演算制御回路１２２に入
力される。この位置信号が入力されることにより、可動
フレーム８２すなわち基板１０の停止位置が制御され
る。なお、可動ビーム６６上の基板１０を検出するセン
サを設け、停止位置の検出と同時に基板１０の有無を検
出してもよい。この演算制御回路１２２は、例えばマイ
クロコンピュータによって構成されており、ＲＡＭの一
時記憶機能を利用しつつ予めＲＯＭに記憶されたプログ
ラムに従って入力信号を処理し、出力インターフェース
１２８を介して、モータ駆動回路１３０へ前後移動用モ
ータ９２を駆動させるための信号を供給し、また、シリ
ンダ駆動回路１３２へ昇降用エアシリンダ１１４を駆動
させるための信号を供給し、更に、ダウンブロー駆動回
路１３８へダウンブローユニット４８を駆動させるため
の信号を供給する。

【００３７】図１１は、演算制御回路１２２の作動を説
明するフローチャートである。所定の厚膜印刷が施され
た基板１０は、図５の左方から乾燥装置３０に供給され
ると、演算制御回路１２２の作動に従って搬送部３４に
よって右方に順次送られ、その過程で加熱部３２によっ
て加熱乾燥される。図において、図示しない起動操作ス
イッチが操作されて起動信号が発生したことがステップ
Ｓ１において判定されると、続くステップＳ２において
全てのヒータ駆動回路１３４に駆動信号が供給されて発
熱体１３６が発熱させられることにより、面状ヒータ４
２の表面温度が温度調節計１２４によって個々に設定さ
れている目標温度に向かわせられると共に、ダウンブロ
ー駆動回路１３８に駆動信号が供給されてダウンブロー
ユニット４８が作動させられる。

【００３８】上記の目標温度は、例えば、基板１０の乾
燥処理に先立って行われる図１２に示される温度設定フ
ローチャートに従って設定される。すなわち、先ず、ス
テップＳＳ１の温度設定工程において、温度調節計１２
４によって面状ヒータ４２の目標温度を個々に設定す
る。この目標温度は、当初は基板１０の温度分布の発生
傾向や乾燥装置３０の構造等を考慮して経験的知識等に
基づいて適当に設定される。一方、乾燥処理しようとす
る基板１０と同様な材質および大きさのダミーパネル
（例えば、厚膜印刷が施されていない基板１０）を用意
し、そのダミーパネルの表面に数カ所乃至数十箇所程度
に区分した領域毎に熱電対等の温度センサを設ける。次
いで、ステップＳＳ２のダミー加熱工程において、この
ダミーパネルを、基板１０の通常の乾燥処理手順に従っ
て、乾燥装置３０内で間歇的に搬送しつつ加熱する。そ
して、ステップＳＳ３の温度分布測定工程において、ダ
ミーパネルの加熱中に上記の温度センサによって各領域
の温度を連続的に測定することにより、そのダミーパネ
ルの温度分布を経時的に測定する。そして、ステップＳ
Ｓ４の温度分布判定工程において、測定された温度分布
すなわち各時間におけるダミーパネル内の最高温度と最
低温度との差の最大値△Ｔが予め定められた10 (℃) 程
度の所定値Ｔ_a 以下であるか否かが判断される。△Ｔ≧
Ｔ_a の場合には、この判断が否定されるので、ステップ
ＳＳ１以下を再び実施する。このとき、個々の面状ヒー
タ４２の目標温度は、ステップＳＳ３において測定され
たダミーパネルの温度分布に基づいて、温度上昇速度が
遅い領域に対応する面状ヒータ４２の遠赤外線の放射発
散度が高く、反対に温度上昇速度が速い領域に対応する
面状ヒータ４２の遠赤外線の放射発散度が低くなるよう
に、温度調節計１２４によって設定変更される。このよ
うにして、ステップＳＳ１乃至ＳＳ４をステップＳＳ４
の判断が肯定されるまで繰り返し実施することにより、
基板１０の温度分布が略均一になるように個々の面状ヒ
ータ４２の目標温度が設定されることとなる。すなわ
ち、温度調節計１２４は、面状ヒータ４２の目標温度を
任意に設定した状態で予め測定された基板１０（或いは
ダミーパネル）の温度分布に基づいて、略均一な温度分
布が得られるように個々の面状ヒータ４２の目標温度す
なわち所定区画毎に発散させられる遠赤外線の放射発散
度を設定するものである。なお、基板１０毎に図１２の
温度設定フローチャートを実施して、基板１０毎の個々
の面状ヒータ４２の目標温度が一旦設定された後は、基
板１０の乾燥処理に先立って例えば、ステップＳ１の前
に、温度調節計１２４によって面状ヒータ４２の目標温
>度をその値に設定するだけでよい。その場合には、そ
のステップＳ１の前に挿入される目標温度設定ステップ
が温度設定工程に対応することとなる。

【００３９】なお、上記の目標温度設定は、以下の理由
で為されるものである。一般に、図５に示されるような
構成の乾燥装置３０で基板１０を乾燥する場合には、前
記図６に基板１０上に破線で区分して示される複数の領
域１４０において、搬送方向Ａと垂直な基板１０の幅方
向の両端部の領域１４０ｓで昇温し易く、中央部の領域
１４０ｃで昇温し難い。また、乾燥装置３０では、３つ
のヒータ３８のうち中央に位置するものが所定の温度で
保持された状態で基板１０を加熱するキープゾーンに対
応するため、炉室３６内は中央側程高温となり、入口お
よび出口においては外気等による冷却もあって低温とな
る。そのため、基板１０の搬送方向Ａに沿った方向にお
いて、停止位置８０ａでは前方の領域１４０ｆが昇温し
易く後方の領域１４０ｒが昇温し難い。また、停止位置
８０ｂでは中央部の領域１４０ｃが昇温し易く前後の領
域１４０ｆ，１４０ｒが昇温し難い。更に、停止位置８
０ｃでは後方の領域１４０ｒが昇温し易く前方の領域１
４０ｆが昇温し難いこととなる。したがって、基板１０
の表面温度を均一にするためには、これらの昇温特性を
考慮して、入射させる遠赤外線の放射照度を昇温し難い
領域程高くする必要がある。そのため、ヒータ３８の個
々の面状ヒータ４２の目標温度は、それぞれの放射照度
に対応する放射発散度が得られるように、例えば中央部
で高く搬送方向に対する幅方向両端部で低くなり、ま
た、炉室３６の中央部側で低く入口および出口側で高く
なるように設定されることとなる。すなわち、ヒータ３
８の表面温度分布は、基板１０の一面を構成する複数の
領域１４０毎に各々の温度上昇特性に応じて温度上昇し
難い領域１４０程高い放射照度の遠赤外線を照射するよ
うに設定される。

【００４０】次いで、ステップＳ３においては、タイマ
１２６によるカウントが一旦クリアされてから開始さ
れ、続くステップＳ４のビーム上昇工程において、シリ
ンダ駆動回路１３２に引込信号が供給されることによ
り、シリンダ１１４にロッド１１６が引き込まれて、ク
ランク軸１０２の回転に伴って第１アーム１０６が図５
および図９における左回りに回動させられ、レール９０
およびそれと一体化させられている可動ビーム６６が上
昇させられる。このとき、可動フレーム８２に取り付け
られているナット９８は、モータ９２に最も接近した位
置であるネジ軸９６の基端側の位置検出センサ１４２の
上方に位置させられている。そのため、可動ビーム６６
は、図５に示される位置よりも左側であって、炉室３６
の手前で待機させられている基板１０ａの直下に位置さ
せられている。このようにしてロッド１１６が終端まで
引き込まれることにより可動ビーム６６が例えば30(mm)
程度上昇させられると、ステップＳ５において上昇終了
と判断されてステップＳ６に進む。このとき、可動ピン
７８の先端が固定ピン７６の先端の上側に突き出させら
れることから、炉室３６の手前の基板１０ａおよび炉室
３６内の基板１０ｂ、１０ｃ、１０ｄが固定ピン７６か
ら浮き上がらされてその可動ピン７８によって支持され
る。

【００４１】そして、そのステップＳ６のビーム送り工
程において、モータ駆動回路１３０に正転信号が供給さ
れることにより、前後移動用モータ９２が正転駆動され
ると、ネジ軸９６の回転に伴って可動フレーム８２が図
５の右方向に移動させられ、可動ピン７８によって支持
されている４枚の基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ
がその右方向に移動させられる。ナット９８がネジ軸９
６の先端部まで移動させられたことがその先端側の位置
検出センサ１４２によって検出されると、ステップＳ７
において送り端検出と判定されて、モータ９２が停止さ
せられ、ステップＳ８に進む。このとき、可動ビーム６
６は図５に示される右端位置に位置させられている。ビ
ーム下降工程に対応するステップＳ８においては、シリ
ンダ１１４からロッド１１６が突き出させられることに
より、クランク軸１０２の回転に伴って第１アーム１０
６が図５および図９の右回りに回動させられる。そのた
め、レール９０が徐々に下降させられ、それに一体化さ
せられている可動ビーム６６が下降させられる。これに
より、可動ピン７８が下降させられて固定ピン７６がそ
の可動ピン７８よりも突き出させられることから、基板
１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、炉室３６内に設けられてい
る各停止位置８０ａ、８０ｂ、８０ｃにおいて固定ピン
７６によって支持され、基板１０ｄは、炉室３６に続い
て設けられている停止位置８０ｄにおいて固定ピン７６
によって支持される。なお、停止位置８０ｄで固定ピン
７６によって支持された基板１０は、直ちに右方に送ら
れることから、上記の基板１０の移動時にはその停止位
置８０ｄは開けられた状態となっているのである。本実
施例においては、ロッド１１６の引き込みが開始されて
からその突き出しが終了するまでのステップＳ４乃至Ｓ
９が移動工程に対応し、上記の説明から明らかなよう
に、前記の搬送部３４が搬送装置に相当する。

【００４２】そしてロッド１１６の突き出しが終了する
とレール９０および可動ビーム６６等の下降が完了して
いることから、ステップＳ９において下降終了と判定さ
れてステップＳ１０に進む。ビーム戻り工程に対応する
ステップＳ１０においては、モータ駆動回路１３０に逆
転信号が供給されることにより、モータ９２が逆転させ
られてレール９０が左方に移動させられる。このとき、
レール９０は下端位置まで下降させられていることか
ら、可動ビーム６６上の可動ピン７８によって基板１０
が支持されていないため、基板１０は上記の移動後の各
停止位置８０に停止した状態で保たれている。モータ９
２の駆動によってナット９８が当初位置させられていた
基端位置すなわち戻り端位置まで移動させられると、そ
の基端側の位置検出センサ１４２によってナット９８が
検出されてステップＳ１１の判断が肯定されるので、そ
のモータ９２が停止させられてステップＳ１２に進む。

【００４３】ステップＳ１２においては、ステップＳ３
においてタイマ１２６によるカウントが開始されてから
所定時間経過したか否かが判断される。このステップＳ
１２においてタイムアップと判定されるまでの間、基板
１０は移動させられず、各停止位置８０でヒータ３８に
よって加熱されると同時にダウンブローユニット４８か
ら基板１０中央に向かって熱気或いは冷気を供給される
こととなる。このとき、各停止位置８０はヒータ３８の
直下に設けられており、ヒータ３８の表面温度分布は基
板１０の各位置すなわち各領域１４０における温度上昇
特性に対応して設定されている。そのため、基板１０中
央に向かって供給される空気の中央から周縁部への流れ
による雰囲気の均一化効果と相俟って、図１３(a) 、
(b) に示されるように、例えば室温から80 (℃) 程度ま
で2 分程度、或いは150(℃) 程度まで3 分程度で昇温さ
せる場合には、何れも基板１０上の最高温度と最低温度
との差△Ｔが10 (℃) 程度以下と小さく、略均一な温度
分布が得られる。なお、両図は、何れも1000×600 ×3
(mm)程度の大きさのガラス板から構成された基板１０を
ダミーパネルとして用いた場合の昇温曲線、すなわち前
記図１２に示されるフローチャートにおいてステップＳ
Ｓ４の判断が肯定されて場合に得られた温度分布を示す
ものである。したがって、本実施例においては、ステッ
プＳ１０乃至Ｓ１２が加熱工程に対応し、その加熱工程
の実施中において同時に送風工程が実施されている。

【００４４】上記のように加熱が開始されてから予め設
定された例えば1 〜10分程度の所定時間経過すると、ス
テップＳ１２の判断が肯定されて一連のステップが終了
させられる。このとき、基板１０は、各停止位置８０
ａ、８０ｂ、８０ｃ毎にそれぞれ設定されている温度と
なっている。この後、ステップＳ１以下の各ステップ
が、ステップＳ１２に設定されている所定時間毎に繰り
返し実行されることによって、基板１０がそれぞれ次の
停止位置８０に所定のサイクルで間歇的に搬送され、停
止位置８０ａにおいて昇温させられ、停止位置８０ｂに
おいて所定温度に保持（キープ）され、或いは停止位置
８０ｃにおいて降温させられ、更に、停止位置８０ｄに
取り出される。これにより、乾燥装置３０に送られてく
る基板１０が間歇的に搬送される過程で順次乾燥処理さ
れて次工程に送られる。なお、上記の説明においては、
可動ビーム６６が左端位置に復帰した後に加熱工程が開
始するとしたが、一旦起動操作が為された後はヒータ３
８が常に駆動されているため、ステップＳ７において所
定の停止位置８０に移動させられると同時に実質的に加
熱工程が開始されることとなる。したがって、ステップ
Ｓ８乃至Ｓ１１に必要な時間は一定であることから、ス
テップＳ７の後にステップＳ３のタイマ作動を開始して
実際に加熱が施されている時間（すなわち、昇温、保
持、降温の各時間）を測定してもよく、各停止位置８０
で処理される時間すなわちタイマ作動からタイムアップ
までの時間がその保持時間等になるようにステップＳ１
２におけるタイムアップ判定時間が設定されてもよい。

【００４５】ここで、本実施例によれば、比較的大型の
基板１０を一方向に沿って設けられた複数の停止位置８
０ａ、８０ｂ、８０ｃに間歇的に移動させるステップＳ
４乃至Ｓ９の移動工程と、それら複数の停止位置８０
ａ、８０ｂ、８０ｃの各々において、基板１０を構成す
る複数の領域１４０毎に各々の温度上昇特性に応じた放
射照度の遠赤外線を照射することによりその基板１０を
均一に加熱するステップＳ１０乃至Ｓ１２の加熱工程と
を、含む工程によって基板１０が乾燥される。そのた
め、基板１０は一方向に沿って間歇的に搬送される過程
で複数の停止位置８０に順次停止させられて、そこで遠
赤外線を照射されることによって乾燥させられる。この
とき、その基板１０に照射される遠赤外線は、基板１０
を構成する複数の領域１４０毎に各々の温度上昇特性に
応じて温度上昇し難い領域１４０程大きい放射照度とさ
れて、基板１０が均一に加熱される。遠赤外線を利用し
て加熱する場合には、基板１０の各領域１４０毎に入射
させられる遠赤外線でその各領域１４０がそれぞれ直接
的に加熱されることから、その各領域１４０はその遠赤
外線の入射量に応じた速度でそれぞれ昇温させられるた
め、温度上昇し難い領域程放射照度すなわち単位時間・
単位面積当たりの放射エネルギ量の入射量を大きくする
ことによって、各領域１４０の温度上昇速度が略均一と
なるように加熱することが可能となるのである。したが
って、基板１０の面内における温度分布を均一にしつつ
速やかに昇温させて、短時間で基板１０を乾燥すること
が可能となる。

【００４６】また、本実施例においては、前記複数の停
止位置８０の各々において、前記基板１０の中央に向か
って空気を供給する送風工程を更に含むものである。こ
のようにすれば、複数の停止位置８０の各々において基
板１０を加熱するに際して、その基板１０の中央に向か
って空気が供給される。そのため、その基板１０上に供
給された空気が中央から周縁部に向かって流れることと
なるが、この空気の流れによって基板１０の面内におけ
る温度が一層均一化されることから、一層乾燥処理時間
を短くすることが可能となる。しかも、基板１０上に印
刷された厚膜ペースト中の溶剤から乾燥時に発生する分
解ガスが、その空気によってその基板１０上から積極的
に除去されてその近傍に滞留することが抑制されるた
め、溶剤の分解が促進されることとなって、基板１０が
一層均一に乾燥させられる。

【００４７】また、本実施例においては、基板１０を予
め定められた複数の停止位置８０毎に停止させつつ一方
向に沿って所定のサイクルで間歇的に搬送するための搬
送部３４と、その複数の停止位置８０の各々において遠
赤外線放射体４４がその基板１０に対向するように設け
られ、その遠赤外線放射体４４から放射される遠赤外線
の放射発散度が面状ヒータ４２毎（すなわち予め定めら
れた所定区画毎）に制御される複数のヒータ３８と、そ
の面状ヒータ４２毎に放射される遠赤外線の放射発散度
を、基板１０を構成する複数の領域１４０毎に各々の温
度上昇特性に応じた放射照度の遠赤外線が照射されるよ
うにそれら複数のヒータ３８毎に制御するための制御装
置４０とを、含んで基板の乾燥装置３０が構成される。
そのため、基板１０は、搬送部３４によって一方向に沿
って間歇的に搬送される過程で複数の停止位置８０に順
次停止させられて、そこでヒータ３８から遠赤外線を照
射されることによって乾燥させられる。このとき、その
ヒータ３８は、遠赤外線放射体４４が基板１０に対向す
るように設けられているが、その遠赤外線放射体４４
は、遠赤外線の放射発散度が面状ヒータ４２毎に制御さ
れるものであるため、制御装置４０によってその面状ヒ
ータ４２毎に制御することにより、基板１０に照射され
る遠赤外線の放射発散度を、基板１０を構成する複数の
領域１４０毎に各々の温度上昇特性に応じて温度上昇し
難い領域１４０程大きくできる。遠赤外線の放射発散度
は、遠赤外線放射体４４の表面温度の４乗に比例するこ
とから、その温度を上記面状ヒータ４２毎に制御するこ
とにより、放射発散度をその面状ヒータ４２毎に制御で
きるのである。したがって、図１３に示されるように、
基板１０の各領域１４０の温度上昇速度を略均一にでき
ることから、基板１０の面内における温度分布を均一に
しつつ速やかに昇温させて、短時間で基板１０を乾燥す
ることが可能となる。

【００４８】また、本実施例においては、基板の乾燥装
置３０には、基板１０の上方に設けられてその基板１０
中央に向かって空気を供給するダウンブローユニット４
８が更に備えられる。そのため、前記複数の停止位置８
０の各々において基板１０を乾燥するに際して、ヒータ
３８で加熱しつつダウンブローユニット４８によって基
板１０中央に向かって空気を供給することが可能となる
ことから、基板１０の中央から周縁部に向かう空気の流
れによって基板１０の面内における温度が一層均一化さ
れる。したがって、温度分布の発生を抑制しつつ昇温速
度を一層速くすることが可能となって、乾燥処理時間を
短くすることが可能となる。

【００４９】また、本実施例においては、前記ダウンブ
ローユニット４８は、前記遠赤外線放射体４４の裏面側
すなわちヒータ３８の裏面側に備えられる。このように
すれば、ヒータ３８の裏面側から基板１０に向かわせら
れる空気がそのヒータ３８の裏面側を冷却しつつ炉室３
６内に流入させられる。そのため、そのヒータ３８の裏
面側の温度上昇が抑制されて、その裏面側に設けられて
いる発熱体１３６の配線が好適に保護されることとな
る。

【００５０】また、本実施例においては、前記基板１０
の下方である炉床７０に排気口５７が設けられ、前記ダ
ウンブローユニット４８から供給された空気はその排気
口５７から排出される。このようにすれば、基板１０中
央に向かって供給された空気がその基板１０の下側に設
けられた排気口５７に向かわせられるため、乾燥装置３
０内の空気の流れが専ら上方から下方に向かうこととな
る。そのため、基板１０表面における溶剤の分解ガスの
濃度を一層低く保つことが可能になると共に、乾燥装置
３０内における空気の流れによる塵埃の舞上がりが抑制
されて高いクリーン度を得ることができる。

【００５１】また、本実施例においては、複数の面状ヒ
ータ４２がマトリックス状に配列されることによってヒ
ータ３８が構成されていることから、そのヒータ３８に
は、制御区分毎に独立させられた矩形の遠赤外線放射体
４４が備えられている。そのため、その所定区画毎の放
射束の制御が一層容易となって、温度分布を一層均一に
することができる。

【００５２】また、本実施例においては、前記搬送部３
４は、前記複数の停止位置８０において前記基板１０を
それぞれ支持するために設けられた固定支持部材に相当
する固定ビーム６４と、その基板１０をその固定ビーム
６４による支持位置よりも上方で支持するために設けら
れた可動支持部材に相当する可動ビーム６６と、その可
動ビーム６６を上記複数の停止位置８０の各々におい
て、その固定ビーム６４に対して前記基板１０に垂直な
上下方向に移動させるための上下移動装置を構成するク
ランク軸１０２、アーム１０６、１０８、１１２、クラ
ンク連結棒１１０、および昇降用エアシリンダ１１４
と、その可動ビーム６６を基板１０の搬送方向すなわち
乾燥装置３０の長手方向に沿った前後方向に移動させる
ための前後移動装置を構成する前後移動用モータ９２、
ネジ軸９６、およびナット９８とを、含むものである。
このようにすれば、基板１０が停止位置８０において固
定ビーム６４によって支持されている状態で可動ビーム
６６が上昇させられると、その基板１０は、その固定ビ
ーム６４に代わってその可動ビーム６６に支持され、そ
の可動ビーム６６が基板１０を支持した状態で前方に隣
接する停止位置８０に移動させられて下降させられる
と、その基板１０がその停止位置８０において固定ビー
ム６４に支持され、その後、可動ビーム６６は後方に移
動させられ、これが繰り返されることによって、所謂ウ
ォーキングビーム駆動方法で基板１０が一方向に沿って
設けられた複数の停止位置８０に順次移動させられる。
そのため、可動ビーム６６の駆動機構である上下移動装
置および前後移動装置を構成する各部材を炉室３６外に
設けられているため、基板１０が位置させられる炉室３
６内に、その基板１０を移動させるための駆動部が何ら
設けられておらず、その移動に伴う乾燥装置３０構成部
相互および基板１０との摺動がなくなる。したがって、
ベルトコンベアやローラによって基板１０を移動させる
場合に比較して、一層高いクリーン度を得ることができ
る。

【００５３】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。

【００５４】例えば、実施例においては、炉室３６内に
それぞれ３つの停止位置８０およびヒータ３８が設けら
れていたが、その個数は基板１０を乾燥するための所望
の温度曲線に応じて適宜変更される。例えば、昇温、保
持、および降温の各ゾーンが必要に応じて複数とされて
もよく、また、所定温度で保持した後は自然放冷しても
差し支えない場合には、降温ゾーンに対応する停止位置
８０ｃを設けなくともよい。

【００５５】

【００５６】また、実施例においては、基板１０を複数
の停止位置８０に順に送るために所謂ウォーキングビー
ム搬送方式の搬送部３４が用いられていたが、基板１０
の搬送方法は複数の停止位置８０で順次停止させる間歇
送りが可能なものであれば、他の種々の方法によっても
よく、例えば、ベルトコンベア方式で間歇運転すること
によっても良い。

【００５７】また、実施例においては、可動ビーム６６
の上下動がエアシリンダ１１４およびクランク機構によ
って行われ、前後動がモータ９２およびボールネジ機構
によって行われていたが、これらの駆動機構は適宜変更
される。例えば、クランク機構を用いず、複数のエアシ
リンダやモータによって可動ビーム６６を直接的に上下
させてもよい。また、エアシリンダ等によって可動ビー
ム６６を前後させてもよい。

【００５８】また、実施例においては、ヒータ３８を構
成する複数の面状ヒータ４２が個々に制御されていた
が、基板１０の温度分布を十分に均一にできるならば、
複数の面状ヒータ４２から成る領域を含む複数の領域毎
にヒータ３８を制御してもよい。

【００５９】また、実施例においては、ヒータ３８が多
数の面状ヒータ４２がマトリックス状に配列されて構成
されることにより、その面状ヒータ４２によって放射発
散度の制御区画が形成されていたが、例えば、ヒータ３
８に背面に複数の発熱体１３６を備える１つ或いは複数
の遠赤外線放射体を設け、その発熱体１３６毎に制御す
ることにより、１つの遠赤外線放射体中に複数の制御区
画を形成してもよい。

【００６０】その他、一々例示はしないが、本発明はそ
の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の基板の乾燥方法の一例を示す図である。

【図２】従来の基板の乾燥方法の他の例を示す図であ
る。

【図３】従来の基板の乾燥方法の更に他の例を示す図で
ある。

【図４】図１乃至図３の従来の乾燥方法による場合の昇
温時間と基板温度分布との関係を示す図である。

【図５】本発明の一実施例の基板の乾燥装置を示す図で
あり、図７におけるＶ−Ｖ視断面図である。

【図６】図５の乾燥装置に用いられるヒータを基板との
位置関係を併せて示す図である。

【図７】図５におけるVII −VII 視断面図である。

【図８】図７におけるVIII−VIII視断面の要部を示す図
である。

【図９】図５の一部を拡大してクランク機構を説明する
図である。

【図１０】図５の乾燥装置の制御装置の構成を示す図で
ある。

【図１１】図１０の制御装置の制御作動を示すフローチ
ャートである。

【図１２】遠赤外線ヒータの温度設定方法を説明するた
めのフローチャートである。

【図１３】(a) 、(b) は、それぞれ図５の乾燥装置によ
る場合の昇温時間と基板温度分布との関係を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０：基板 ３０：乾燥装置 ３４：搬送部（搬送装置） ３８：遠赤外線ヒータ ４０：制御装置 ４４：遠赤外線放射体 ４８：ダウンブローユニット（送風装置） ８０：停止位置 １４０：領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３６１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３６１Ｈ (72)発明者 高羽 義明 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (56)参考文献 特開 昭63−104681（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−87772（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) F26B 3/30 F26B 15/00 F26B 23/04 F26B 25/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶剤を含む厚膜ペーストが所定パターン
   で塗布された大型基板を乾燥する方法であって、 前記大型基板を一方向に沿って設けられた複数の停止位
   置に間歇的に移動させる移動工程と、 前記複数の停止位置の各々において、前記大型基板を構
   成する複数の領域毎に各々の温度上昇特性に応じて温度
   上昇し難い領域程高い放射照度の遠赤外線を該大型基板
   に対向する遠赤外線放射体を備えた遠赤外線ヒータから
   照射することにより前記大型基板を均一に加熱する加熱
   工程と、 前記複数の停止位置の各々において、前記加熱と同時に
   前記遠赤外線ヒータの裏面側から該遠赤外線ヒータを通
   して前記大型基板の中央に向かって空気を供給する送風
   工程と を、含むことを特徴とする大型基板の乾燥方法。
2. 【請求項２】 前記送風工程は、前記供給した空気を前
   記大型基板の下方から外部に排出するものである請求項
   １の大型基板の乾燥方法。
3. 【請求項３】 溶剤を含む厚膜ペーストが所定パターン
   で塗布された大型基板を乾燥するための大型基板の乾燥
   装置であって、 前記大型基板を予め定められた複数の停止位置毎に停止
   させつつ一方向に沿って所定のサイクルで間歇的に搬送
   するための搬送装置と、 前記複数の停止位置の各々において遠赤外線放射体が前
   記大型基板に対向するように設けられ、該遠赤外線放射
   体から放射される遠赤外線の放射発散度が予め定められ
   た所定区画毎に制御される複数の遠赤外線ヒータと該遠
   赤外線放射体の所定区画毎に放射される遠赤外線の放射
   発散度を、前記大型基板を構成する複数の領域毎に各々
   の温度上昇特性に応じて温度上昇し難い領域程照射され
   る遠赤外線の放射照度が高くなるように該複数の遠赤外
   線ヒータ毎に制御するための制御装置と、 前記複数の停止位置の各々において前記遠赤外線ヒータ
   の裏面側に備えられ、該遠赤外線ヒータを通して該大型
   基板の中央に向かって空気を供給するための送風装置と
   を、含むことを特徴とする大型基板の乾燥装置。
4. 【請求項４】 前記送風装置から供給された空気を外部
   に排出するために前記大型基板の下側に設けられた排気
   口を更に含むものである請求項３の大型基板の乾燥装
   置。